CN109884511A - 一种磁性传感器芯片的测试方法及系统 - Google Patents

Abstract

本发明揭示了一种磁性传感器芯片的测试方法及系统，所述测试方法包括：产生测试时芯片所需要的变化的磁场，采集待测芯片的输出信号，从而得到芯片参数信息；将获取的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配，若测试结果不满足预期，则使用上述采集的数据进行补偿，得到校准该芯片输出参数的相关寄存器配置信息，并修改芯片内部相关寄存器配置后再次测试该修正后的芯片输出参数。本发明提出的磁性传感器芯片的测试方法及系统，可缩小测试设备体积，简化测试条件及方法，极大的满足了用户小批量芯片甚至是零星散料的测试及校准编程，使其可以随时随地满足用户对芯片的测试及编程操作，以使芯片性能更好的契合用户的使用需求。

Description

一种磁性传感器芯片的测试方法及系统

技术领域

本发明属于芯片测试技术领域，涉及一种芯片测试方法及系统，尤其涉及一种磁性传感器芯片/磁性编码器芯片的测试方法及系统。

背景技术

目前的磁性编码器没有基于单片机或相关系统的简单便捷的测试方法，磁性传感器芯片/磁性编码器芯片只能通过ATE自动化测试系统统一测试。

ATE自动化测试系统测试速度快、效率高，但仍有不足之处在于其系统整体体积庞大，不利于搬运，缺乏便捷性；且开机成本较高，需要一次性测试的编码器芯片数量越大开机成本所占比重越低，特别不利于小批量甚至是个别零星散料的测试，因此缺乏便利性。

有鉴于此，如今迫切需要设计一种芯片测试方式，以便克服现有芯片测试方式存在的上述缺陷。

发明内容

本发明提供一种磁性传感器芯片的测试方法及系统，可缩小测试设备体积，简化测试条件及方法，极大的满足了用户小批量芯片甚至是零星散料的测试及校准编程，使其可以随时随地满足用户对芯片的测试及编程操作，以使芯片性能更好的契合用户的使用需求。

为解决上述技术问题，根据本发明的一个方面，采用如下技术方案：

一种磁性传感器芯片的测试方法，所述测试方法包括如下步骤：

步骤S1、取待测芯片放入测试系统芯片放置槽内，上位机发出测试开始信号；测试系统中的单片机读取上位机传送的测试信息后，对待测芯片做上电操作；检测到上电稳定后，单片机首先会检测芯片当前的工作的电压及电流值，并将结果输送至OLED显示屏上或将该参数输送至上位机数据接收区域；

步骤S2、测试芯片工作状态正常后，单片机与芯片建立通信连接，读取待测芯片内部的配置信息，并将读到的信息与预先设定值做对比，若信息不匹配，则单片机会通过通信方式改写待测芯片寄存器的配置信息，使其与预先设置的值相匹配；

步骤S3、确认待测芯片配置信息与预设值相匹配后，正式进入芯片测试程序；此时单片机会控制伺服电机转动以产生测试时芯片所需要的变化的磁场，同时单片机会采集待测芯片的输出信号，该输出信号包括Analog、PWM、ABZ、UVW及通信状态下读取的芯片内部的绝对角度值中的一种或多种信号，将采集的信号处理后的结果输出打印到OLED显示屏上，并发送至上位机打印于数据接收区域；

步骤S4、同时单片机会将刚才计算出的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配，并将测试数据及其匹配结果打印于OLED显示屏及上位机数据接收区域，以表示该待测芯片是否通过测试；

步骤S5、芯片测试结束后MCU控制芯片自动断电，由上位机控制测试操作的需在上位机上点击断电按钮方可使芯片断电；

步骤S6、断电后，取出该芯片，放置下一颗待测芯片，重复上述操作，即可对多个芯片做系统性的简单测试及校准工作。

一种磁性传感器芯片的测试方法，所述测试方法包括：

产生测试时芯片所需要的变化的磁场，采集待测芯片的输出信号，从而得到芯片参数信息；

将获取的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配，若测试结果不满足预期，则使用上述采集的数据进行补偿，得到校准该芯片输出参数的相关寄存器配置信息，并修改芯片内部相关寄存器配置后再次测试该修正后的芯片输出参数。

作为本发明的一种实施方式，采集待测芯片的输出信号，将所得信号处理后得到芯片参数信息。

作为本发明的一种实施方式，所述测试方法具体包括如下步骤：

步骤S1、取待测芯片放入测试系统芯片放置槽内，上位机发出测试开始信号；测试系统中的单片机读取上位机传送的测试信息后，对待测芯片做上电操作；检测到上电稳定后，单片机首先会检测芯片当前的工作的电压及电流值，并将结果输送至OLED显示屏上或将该参数输送至上位机数据接收区域；

步骤S2、测试芯片工作状态正常后，单片机与芯片建立通信连接，读取待测芯片内部的配置信息，并将读到的信息与预先设定值做对比，若信息不匹配，则单片机会通过通信方式改写待测芯片寄存器的配置信息，使其与预先设置的值相匹配；

步骤S3、确认待测芯片配置信息与预设值相匹配后，正式进入芯片测试程序；此时单片机会控制伺服电机转动以产生测试时芯片所需要的变化的磁场，同时单片机会采集待测芯片的输出信号，该输出信号包括Analog、PWM、ABZ、UVW及通信状态下读取的芯片内部的绝对角度值中的一种或多种信号，将采集的信号处理后的结果输出打印到OLED显示屏上，并发送至上位机打印于数据接收区域；

步骤S4、同时单片机会将刚才计算出的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配，并将测试数据及其匹配结果打印于OLED显示屏及上位机数据接收区域，以表示该待测芯片是否通过测试；

步骤S5、芯片测试结束后MCU控制芯片自动断电，由上位机控制测试操作的需在上位机上点击断电按钮方可使芯片断电；

步骤S6、断电后，取出该芯片，放置下一颗待测芯片，重复上述操作，即可对多个芯片做系统性的简单测试及校准工作。

一种磁性传感器芯片的测试系统，所述测试系统包括电源模块、OLED输出显示模块、总控及数据处理单元、通讯单元、旋转磁场伺服系统；

所述电源模块为整个测试系统提供了稳定可靠的能量输入；使用220V、50Hz交流电源，经开关电源整流滤波成12V直流电源接入测试系统，测试系统中使用DC-DC稳压电路及LDO将测试系统输入的12V直流电源分别转化为7.5V、5.0V及3.3V直流电源，供测试系统内的相关器件使用；

所述OLED输出显示模块由单片机MCU控制，主要显示测试系统当前测试状态，及该颗芯片测试完成后打印显示该颗芯片相关的测试结果；

所述总控及数据处理单元包括单片机MCU及其外围相关电路；所述单片机MCU选用STM32F1系列，用以实现信号采集及控制，芯片相关参数配置的计算及采集的信号数据的处理工作；

所述通信单元建立所述测试系统与PC机之间的通信连接，通过操作PC机上的人机交互界面来控制测试系统，对芯片的某一项或几项性能参数做有针对性的测试；

所述旋转磁场伺服系统主要由伺服步进电机、12位光电编码器模块及圆形径向磁铁组成，圆形磁铁经套筒固定于步进电机轴上，与轴同步转动，由单片机MCU控制伺服电机的转动速度、角度及方向，并由光电编码器向单片机MCU返回电机的位置及运动信息，由此使单片机MCU获取并控制芯片所处的磁场环境；

磁传感器芯片为要测试的目标芯片，放置于测试系统芯片槽内，由单片机MCU控制其上电断电操作，并与单片机MCU间建立相关通信连接，由单片机MCU采集芯片输出信号后，计算并更改其配置信息以使芯片输出达到最佳状态；

所述旋转磁场伺服系统作为变化磁场生成模块用以产生测试时芯片所需要的变化的磁场；

所述总控及数据处理单元包括芯片输出信号采集模块、信息匹配模块、数据补偿模块；

所述芯片输出信号采集模块用以在产生测试时芯片所需要的变化的磁场时采集待测芯片的输出信号，从而得到芯片参数信息；

所述信息匹配模块用以将获取的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配；

所述数据补偿模块用以在测试结果不满足预期时利用上述采集的数据进行补偿，得到校准该芯片输出参数的相关寄存器配置信息，并修改芯片内部相关寄存器配置后再次测试该修正后的芯片输出参数。

一种磁性传感器芯片的测试系统，所述系统包括：

变化磁场生成模块，用以产生测试时芯片所需要的变化的磁场；

芯片输出信号采集模块，用以在产生测试时芯片所需要的变化的磁场时采集待测芯片的输出信号，从而得到芯片参数信息；

信息匹配模块，用以将获取的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配；

数据补偿模块，用以在测试结果不满足预期时利用上述采集的数据进行补偿，得到校准该芯片输出参数的相关寄存器配置信息，并修改芯片内部相关寄存器配置后再次测试该修正后的芯片输出参数。

作为本发明的一种实施方式，所述测试系统还包括电源模块，电源模块分别连接变化磁场生成模块、芯片输出信号采集模块、信息匹配模块、数据补偿模块，为其提供工作所需的电能。

作为本发明的一种实施方式，所述测试系统还包括OLED输出显示模块，用以显示测试系统当前测试状态，及该颗芯片测试完成后打印显示该颗芯片相关的测试结果。

作为本发明的一种实施方式，所述测试系统还包括通讯单元，用以实现与计算机的通讯。

作为本发明的一种实施方式，所述变化磁场生成模块包括旋转磁场伺服系统，所述旋转磁场伺服系统包括伺服步进电机、光电编码器模块及圆形径向磁铁；

所述圆形磁铁经套筒固定于步进电机轴上，与轴同步转动，由一单片机MCU控制伺服电机的转动速度、角度及方向，并由光电编码器向单片机MCU返回电机的位置及运动信息，由此使单片机MCU获取并控制芯片所处的磁场环境。

本发明揭示了一种可测试磁性传感器芯片的方法，其中硬件系统包括电源接口模块、总控及数据处理单元、编码器信号输入及通讯单元、旋转磁场伺服系统和输出接口单元。

电源输入接口及电源模块为整个测试系统提供了稳定可靠的能量输入。使用220V、50Hz交流电源，经开关电源整流滤波成12V直流电源接入测试系统，测试系统中使用输出电流大、纹波小的DC-DC稳压电路及高精度、高稳定性的LDO将测试系统输入的12V直流电源分别转化为7.5V、5.0V及3.3V直流电源，供系统内的相关器件使用。

OLED输出显示模块由MCU控制，主要显示测试系统当前测试状态，及该颗芯片测试完成后打印显示该颗芯片相关的测试结果。

旋转磁场伺服系统主要由伺服步进电机、12位光电编码器模块及圆形径向磁铁组成，圆形磁铁经套筒固定于步进电机轴上，与轴同步转动，由MCU控制伺服电机的转动速度、角度及方向，并由光电编码器向MCU返回电机的位置及运动信息，由此可以使MCU获取并控制芯片所处的磁场环境。

上位机通信模块可由本测试系统与PC机之间建立通信连接，通过操作PC机上的人机交互界面来控制测试系统，可以对芯片的某一项或几项性能参数做有针对性的测试。

本地操作的模式开关及动作按键可以选择对多种不同芯片的不同模式参数做整体测试。

磁传感器芯片，即需要测试的目标芯片，放置于测试系统芯片槽(socket)内，可由MCU控制其上电断电操作，并与MCU间建立相关通信连接，可由MCU采集芯片输出信号后，计算并更改其配置信息以使芯片输出达到最佳状态。

总控及数据处理单元主要由单片机(MCU)及其外围相关电路组成。该系统单片机选用STM32F1系列，除上述相关的信号采集及控制外，芯片相关参数配置的计算及采集的信号数据的处理工作，也都由该单片机完成。

在本发明的一实时方式中，本发明方法包括如下步骤：

【步骤S1】取待测芯片放入测试系统芯片放置槽内，由上位机界面点击测试按钮(或者测试系统中的本地操作动作按键按下)发出测试开始信号，单片机读取PC上位机传送的测试信息(由本地按键触发的开始信号，单片机会读取本地操作模式开关的状态)后，对待测芯片做上电操作，检测到上电稳定后，单片机首先会检测芯片当前的工作的电压及电流值并将结果打印到OLED显示屏上或将该参数打印到上位机数据接收区域；

【步骤S2】测试芯片工作状态正常后，单片机会与芯片建立通信连接，读取待测芯片内部的配置信息，并将读到的信息与预先设定值作对比，若信息不匹配，则单片机会通过通信方式改写待测芯片寄存器的配置信息，使其与预先设置的值相匹配。

【步骤S3】确认待测芯片配置信息与预设值相匹配后，正式进入芯片测试程序；此时单片机会控制伺服电机转动以产生测试时芯片所需要的变化的磁场，同时单片机会采集待测芯片的输出信号，该输出信号包括Analog、PWM、ABZ、UVW及通信状态下读取的芯片内部的绝对角度值中的一种或多种信号，将采集的信号处理后的结果输出打印到OLED显示屏上，并发送至上位机打印于数据接收区域。

【步骤S4】同时单片机会将刚才计算出的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配，并将测试数据及其匹配结果打印于OLED显示屏及上位机数据接收区域，以表示该待测芯片是否通过测试。

【步骤S5】芯片测试结束后MCU控制芯片自动断电(由上位机控制测试操作的需在上位机上点击断电按钮方可使芯片断电)。

【步骤S6】断电后，取出该芯片，放置下一颗待测芯片，重复上述操作，即可对多个芯片做系统性的简单测试及校准工作。

本发明的有益效果在于：本发明提出的磁性传感器芯片的测试方法及系统，可缩小测试设备体积，简化测试条件及方法，极大的满足了用户小批量芯片甚至是零星散料的测试及校准编程，使其可以随时随地满足用户对芯片的测试及编程操作，以使芯片性能更好的契合用户的使用需求。

附图说明

图1为本发明一实施例中磁性传感器芯片的测试系统的组成示意图。

图2为本发明一实施例中磁性传感器芯片的测试方法的流程图。

图3为本发明一实施例中测试系统的电源模块的电路示意图。

图4为本发明一实施例中测试系统的总控及数据处理单元的电路示意图。

图5为本发明一实施例中测试系统的OLED输出显示模块的电路示意图。

图6为本发明一实施例中测试系统的上位机通讯单元的电路示意图。

图7为本发明一实施例中测试系统的电流检测模块的电路示意图。

图8为本发明一实施例中测试系统的电机控制及光编采集接口的电路示意图。

图9为本发明一实施例中测试系统的ADC模拟信号采集电路的电路示意图。

图10为本发明一实施例中测试系统的功能按键及选择开关的电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。

为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。

该部分的描述只针对几个典型的实施例，本发明并不仅局限于实施例描述的范围。相同或相近的现有技术手段与实施例中的一些技术特征进行相互替换也在本发明描述和保护的范围内。

本发明揭示了一种磁性传感器芯片/磁性编码器芯片的测试方法及系统，在本发明的一实施例中，本发明磁性传感器芯片的测试系统包括：变化磁场生成模块、芯片输出信号采集模块、信息匹配模块、数据补偿模块。变化磁场生成模块用以产生测试时芯片所需要的变化的磁场。芯片输出信号采集模块用以在产生测试时芯片所需要的变化的磁场时采集待测芯片的输出信号，从而得到芯片参数信息。信息匹配模块用以将获取的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配。数据补偿模块用以在测试结果不满足预期时利用上述采集的数据进行补偿，得到校准该芯片输出参数的相关寄存器配置信息，并修改芯片内部相关寄存器配置后再次测试该修正后的芯片输出参数。

图1为本发明一实施例中磁性传感器芯片的测试系统的组成示意图；在本发明的一个实施例中，请参阅图1，所述测试系统包括电源模块2、OLED输出显示模块4、总控及数据处理单元1、通讯单元(包括上位机通讯模块5)、旋转磁场伺服系统3。此外，在本发明的一实施例中，所述测试系统还可以包括本地操作动作按键6、本地操作模式开关7。

在本发明的一实施例中，所述电源模块2为整个测试系统提供了稳定可靠的能量输入。使用220V、50Hz交流电源，经开关电源整流滤波成12V直流电源接入测试系统，测试系统中使用DC-DC稳压电路及LDO将测试系统输入的12V直流电源分别转化为7.5V、5.0V及3.3V直流电源，供测试系统内的相关器件使用。图3为本发明一实施例中测试系统的电源模块的电路示意图；请参阅图3，在本发明的一实施例中，可采用如图3所示的电源模块结构。电源模块可配置指示灯，通过指示灯让用户获取电源模块是否正常工作。

在本发明的一实施例中，所述总控及数据处理单元1包括芯片输出信号采集模块、信息匹配模块、数据补偿模块。所述芯片输出信号采集模块用以在产生测试时磁传感器芯片10所需要的变化的磁场时采集待测磁传感器芯片10的输出信号，从而得到芯片参数信息。所述信息匹配模块用以将获取的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配。所述数据补偿模块用以在测试结果不满足预期时利用上述采集的数据进行补偿，得到校准该芯片输出参数的相关寄存器配置信息，并修改芯片内部相关寄存器配置后再次测试该修正后的芯片输出参数。

在本发明的一实施例中，所述总控及数据处理单元1包括单片机MCU及其外围相关电路；所述单片机MCU选用STM32F1系列，除相关的信号采集及控制外，芯片相关参数配置的计算及采集的信号数据的处理工作，也都由该单片机MCU完成。图4为本发明一实施例中测试系统的总控及数据处理单元的电路示意图；请参阅图4，在本发明的一实施例中，可采用如图4所示的总控及数据处理单元。

图7为本发明一实施例中测试系统的电流检测模块的电路示意图；请参阅图7，在本发明的一实施例中，可采用如图8所示的电流检测模块。

在本发明的一实施例中，所述OLED输出显示模块4由单片机MCU控制，主要显示测试系统当前测试状态，及该颗芯片测试完成后打印显示该颗芯片相关的测试结果。图5为本发明一实施例中测试系统的OLED输出显示模块的电路示意图；请参阅图5，在本发明的一实施例中，可采用如图5所示的OLED输出显示模块。

在本发明的一实施例中，所述通信单元建立所述测试系统与PC机之间的通信连接，通过操作PC机上的人机交互界面来控制测试系统，对芯片的某一项或几项性能参数做有针对性的测试。图6为本发明一实施例中测试系统的上位机通讯单元的电路示意图；请参阅图6，在本发明的一实施例中，可采用如图6所示的上位机通讯单元。

在本发明的一实施例中，所述旋转磁场伺服系统3主要由伺服步进电机、12位光电编码器模块及圆形径向磁铁组成，圆形磁铁经套筒固定于步进电机轴上，与轴同步转动，由单片机MCU控制伺服电机的转动速度、角度及方向，并由光电编码器向单片机MCU返回电机的位置及运动信息，由此使单片机MCU获取并控制芯片所处的磁场环境。

磁传感器芯片10为要测试的目标芯片，放置于测试系统芯片槽内，由单片机MCU控制其上电断电操作，并与单片机MCU间建立相关通信连接，由单片机MCU采集芯片输出信号后，计算并更改其配置信息以使芯片输出达到最佳状态。所述旋转磁场伺服系统3作为变化磁场生成模块，用以产生测试时芯片所需要的变化的磁场。

图8为本发明一实施例中测试系统的电机控制及光编采集接口的电路示意图；请参阅图8，在本发明的一实施例中，可采用图9所述的电机控制及光编采集接口电路。

图9为本发明一实施例中测试系统的ADC模拟信号采集电路的电路示意图，图10为本发明一实施例中测试系统的功能按键及选择开关的电路示意图；请参阅图9、图10，在本发明的一实施例中，可采用图9所示的ADC模拟信号采集电路，可采用图10所示的功能按键及选择开关电路。

本发明揭示一种磁性传感器芯片的测试方法，所述测试方法包括：产生测试时芯片所需要的变化的磁场，采集待测芯片的输出信号，从而得到芯片参数信息；将获取的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配，若测试结果不满足预期，则使用上述采集的数据进行补偿，得到校准该芯片输出参数的相关寄存器配置信息，并修改芯片内部相关寄存器配置后再次测试该修正后的芯片输出参数。

在本发明的一实施例中，本发明磁性传感器芯片的测试方法包括：产生测试时芯片所需要的变化的磁场，采集待测芯片的输出信号，从而得到芯片参数信息。将获取的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配，若测试结果不满足预期，则使用上述采集的数据进行补偿，得到校准该芯片输出参数的相关寄存器配置信息，并修改芯片内部相关寄存器配置后再次测试该修正后的芯片输出参数。

在本发明的一实施例中，采集待测芯片的输出信号，处理后得到芯片参数信息。

在本发明的一实施例中，并将测试数据及其匹配结果(良品标识符“OK”，不良品标识符“NG”)打印于OLED显示屏及上位机数据接收区域，以表示该待测芯片是否通过测试。

图2为本发明一实施例中磁性传感器芯片的测试方法的流程图；请参阅图2，在本发明的一实施例中，所述测试方法包括如下步骤：

【步骤S1】取待测芯片放入测试系统芯片放置槽内，由上位机界面点击测试按钮发出测试开始信号，单片机读取PC上位机传送的测试信息后，对待测芯片做上电操作，检测到上电稳定后，单片机首先会检测芯片当前的工作的电压及电流值并将结果输送至OLED显示屏上或将该参数输送至上位机数据接收区域；

【步骤S2】测试芯片工作状态正常后，单片机会与芯片建立通信连接，读取待测芯片内部的配置信息，并将读到的信息与预先设定值做对比，若信息不匹配，则单片机会通过通信方式改写待测芯片寄存器的配置信息，使其与预先设置的值相匹配；

【步骤S3】确认待测芯片配置信息与预设值相匹配后，正式进入芯片测试程序；此时单片机会控制伺服电机转动以产生测试时芯片所需要的变化的磁场，同时单片机会采集待测芯片的输出信号，该输出信号包括Analog、PWM、ABZ、UVW及通信状态下读取的芯片内部的绝对角度值中的一种或多种信号，将采集的信号处理后的结果输出打印到OLED显示屏上，并发送至上位机打印于数据接收区域；

【步骤S4】同时单片机会将刚才计算出的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配，并将测试数据及其匹配结果(良品标识符“OK”，不良品标识符“NG”)打印于OLED显示屏及上位机数据接收区域，以表示该待测芯片是否通过测试；

【步骤S5】芯片测试结束后MCU控制芯片自动断电，由上位机控制测试操作的需在上位机上点击断电按钮方可使芯片断电；

【步骤S6】断电后，取出该芯片，放置下一颗待测芯片，重复上述操作，即可对多个芯片做系统性的简单测试及校准工作。

综上所述，本发明提出的磁性传感器芯片的测试方法及系统，可缩小测试设备体积，简化测试条件及方法，极大的满足了用户小批量芯片甚至是零星散料的测试及校准编程，使其可以随时随地满足用户对芯片的测试及编程操作，以使芯片性能更好的契合用户的使用需求。

这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。

Claims (10)

1.一种磁性传感器芯片的测试方法，其特征在于，所述测试方法包括如下步骤：

步骤S1、取待测芯片放入测试系统芯片放置槽内，上位机发出测试开始信号；测试系统中的单片机读取上位机传送的测试信息后，对待测芯片做上电操作；检测到上电稳定后，单片机首先会检测芯片当前的工作的电压及电流值，并将结果输送至OLED显示屏上或将该参数输送至上位机数据接收区域；

步骤S2、测试芯片工作状态正常后，单片机与芯片建立通信连接，读取待测芯片内部的配置信息，并将读到的信息与预先设定值做对比，若信息不匹配，则单片机会通过通信方式改写待测芯片寄存器的配置信息，使其与预先设置的值相匹配；

步骤S3、确认待测芯片配置信息与预设值相匹配后，正式进入芯片测试程序；此时单片机会控制伺服电机转动以产生测试时芯片所需要的变化的磁场，同时单片机会采集待测芯片的输出信号，该输出信号包括Analog、PWM、ABZ、UVW及通信状态下读取的芯片内部的绝对角度值中的一种或多种信号，将采集的信号处理后的结果输出打印到OLED显示屏上，并发送至上位机打印于数据接收区域；

步骤S4、同时单片机会将刚才计算出的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配，并将测试数据及其匹配结果打印于OLED显示屏及上位机数据接收区域，以表示该待测芯片是否通过测试；

步骤S5、芯片测试结束后MCU控制芯片自动断电，由上位机控制测试操作的需在上位机上点击断电按钮方可使芯片断电；

步骤S6、断电后，取出该芯片，放置下一颗待测芯片，重复上述操作，即可对多个芯片做系统性的简单测试及校准工作。

2.一种磁性传感器芯片的测试方法，其特征在于，所述测试方法包括：

产生测试时芯片所需要的变化的磁场，采集待测芯片的输出信号，从而得到芯片参数信息；

将获取的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配，若测试结果不满足预期，则使用上述采集的数据进行补偿，得到校准该芯片输出参数的相关寄存器配置信息，并修改芯片内部相关寄存器配置后再次测试该修正后的芯片输出参数。

3.根据权利要求2所述的磁性传感器芯片的测试方法，其特征在于：

采集待测芯片的输出信号，将所得信号处理后得到芯片参数信息。

4.根据权利要求2所述的磁性传感器芯片的测试方法，其特征在于：

所述测试方法具体包括如下步骤：

步骤S1、取待测芯片放入测试系统芯片放置槽内，上位机发出测试开始信号；测试系统中的单片机读取上位机传送的测试信息后，对待测芯片做上电操作；检测到上电稳定后，单片机首先会检测芯片当前的工作的电压及电流值，并将结果输送至OLED显示屏上或将该参数输送至上位机数据接收区域；

步骤S2、测试芯片工作状态正常后，单片机与芯片建立通信连接，读取待测芯片内部的配置信息，并将读到的信息与预先设定值做对比，若信息不匹配，则单片机会通过通信方式改写待测芯片寄存器的配置信息，使其与预先设置的值相匹配；

步骤S3、确认待测芯片配置信息与预设值相匹配后，正式进入芯片测试程序；此时单片机会控制伺服电机转动以产生测试时芯片所需要的变化的磁场，同时单片机会采集待测芯片的输出信号，该输出信号包括Ana log、PWM、ABZ、UVW及通信状态下读取的芯片内部的绝对角度值中的一种或多种信号，将采集的信号处理后的结果输出打印到OLED显示屏上，并发送至上位机打印于数据接收区域；

步骤S4、同时单片机会将刚才计算出的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配，并将测试数据及其匹配结果打印于OLED显示屏及上位机数据接收区域，以表示该待测芯片是否通过测试；

步骤S5、芯片测试结束后MCU控制芯片自动断电，由上位机控制测试操作的需在上位机上点击断电按钮方可使芯片断电；

步骤S6、断电后，取出该芯片，放置下一颗待测芯片，重复上述操作，即可对多个芯片做系统性的简单测试及校准工作。

5.一种磁性传感器芯片的测试系统，其特征在于：所述测试系统包括电源模块、OLED输出显示模块、总控及数据处理单元、通讯单元、旋转磁场伺服系统；

所述电源模块为整个测试系统提供了稳定可靠的能量输入；使用220V、50Hz交流电源，经开关电源整流滤波成12V直流电源接入测试系统，测试系统中使用DC-DC稳压电路及LDO将测试系统输入的12V直流电源分别转化为7.5V、5.0V及3.3V直流电源，供测试系统内的相关器件使用；

所述OLED输出显示模块由单片机MCU控制，主要显示测试系统当前测试状态，及该颗芯片测试完成后打印显示该颗芯片相关的测试结果；

所述总控及数据处理单元包括单片机MCU及其外围相关电路；所述单片机MCU选用STM32F1系列，用以实现信号采集及控制，芯片相关参数配置的计算及采集的信号数据的处理工作；

所述通信单元建立所述测试系统与PC机之间的通信连接，通过操作PC机上的人机交互界面来控制测试系统，对芯片的某一项或几项性能参数做有针对性的测试；

所述旋转磁场伺服系统主要由伺服步进电机、12位光电编码器模块及圆形径向磁铁组成，圆形磁铁经套筒固定于步进电机轴上，与轴同步转动，由单片机MCU控制伺服电机的转动速度、角度及方向，并由光电编码器向单片机MCU返回电机的位置及运动信息，由此使单片机MCU获取并控制芯片所处的磁场环境；

磁传感器芯片为要测试的目标芯片，放置于测试系统芯片槽内，由单片机MCU控制其上电断电操作，并与单片机MCU间建立相关通信连接，由单片机MCU采集芯片输出信号后，计算并更改其配置信息以使芯片输出达到最佳状态；

所述旋转磁场伺服系统作为变化磁场生成模块用以产生测试时芯片所需要的变化的磁场；

所述总控及数据处理单元包括芯片输出信号采集模块、信息匹配模块、数据补偿模块；

所述芯片输出信号采集模块用以在产生测试时芯片所需要的变化的磁场时采集待测芯片的输出信号，从而得到芯片参数信息；

所述信息匹配模块用以将获取的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配；

所述数据补偿模块用以在测试结果不满足预期时利用上述采集的数据进行补偿，得到校准该芯片输出参数的相关寄存器配置信息，并修改芯片内部相关寄存器配置后再次测试该修正后的芯片输出参数。

6.一种磁性传感器芯片的测试系统，其特征在于：所述系统包括：

变化磁场生成模块，用以产生测试时芯片所需要的变化的磁场；

芯片输出信号采集模块，用以在产生测试时芯片所需要的变化的磁场时采集待测芯片的输出信号，从而得到芯片参数信息；

信息匹配模块，用以将获取的芯片参数信息与预先设置的参数信息做匹配；

数据补偿模块，用以在测试结果不满足预期时利用上述采集的数据进行补偿，得到校准该芯片输出参数的相关寄存器配置信息，并修改芯片内部相关寄存器配置后再次测试该修正后的芯片输出参数。

7.根据权利要求6所述的磁性传感器芯片的测试系统，其特征在于：

所述测试系统还包括电源模块，电源模块分别连接变化磁场生成模块、芯片输出信号采集模块、信息匹配模块、数据补偿模块，为其提供工作所需的电能。

8.根据权利要求6所述的磁性传感器芯片的测试系统，其特征在于：

所述测试系统还包括OLED输出显示模块，用以显示测试系统当前测试状态，及该颗芯片测试完成后打印显示该颗芯片相关的测试结果。

9.根据权利要求6所述的磁性传感器芯片的测试系统，其特征在于：

所述测试系统还包括通讯单元，用以实现与计算机的通讯。

10.根据权利要求6所述的磁性传感器芯片的测试系统，其特征在于：

所述变化磁场生成模块包括旋转磁场伺服系统，所述旋转磁场伺服系统包括伺服步进电机、光电编码器模块及圆形径向磁铁；

所述圆形磁铁经套筒固定于步进电机轴上，与轴同步转动，由一单片机MCU控制伺服电机的转动速度、角度及方向，并由光电编码器向单片机MCU返回电机的位置及运动信息，由此使单片机MCU获取并控制芯片所处的磁场环境。