CN109873624B - 重置电路 - Google Patents
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Abstract
一种重置电路，包括耦合电路、控制电路、放电电路及触发器，所述耦合电路连接一直流电压及所述控制电路，且具有一控制节点，所述控制节点输出一控制电压，所述触发器的输入端连接所述控制电路，且用以接收一触发信号以启动重置功能，所述放电电路包括偏置模块及与所述偏置模块连接的压控模块，所述偏置模块及压控模块连接所述控制节点，所述控制电压利用所述耦合电路与所述直流电压耦合，从而让所述控制电路输出所述触发信号至所述触发器，所述压控模块用以对所述控制电压进行放电，从而让所述控制电路输出另一信号完成重置功能，所述偏置模块用以提供一偏置电压至所述控制节点，以保证所述控制电压的放电时间。
Description
技术领域
本发明涉及一种重置电路，尤其涉及一种芯片内部的重置电路。
背景技术
一般集成电路大致分为数字电路与模拟电路。许多数字电路往往包含状态机(State-machine)的功能，故在芯片启动过程中，需要一个给予初始状态的电路，另一方面，许多模拟电路都有最小操作电压的限制(headroom)，而在启动电源供应器的过程中，如果在不正常的电压下，模拟电路会因不正常的操作而造成异常大电流，严重时可能造成芯片烧毁。故为了防止上述事件发生，芯片内部需要有个启动重置电路，以防止芯片损坏。
发明内容
鉴于上述状况，有必要提供一种可以防止芯片损坏的重置电路。
一种重置电路，包括耦合电路、控制电路、放电电路及触发器，所述耦合电路连接一直流电压及所述控制电路，且具有一控制节点，所述控制节点输出一控制电压，所述触发器的输入端连接所述控制电路，且用以接收一触发信号以启动重置功能，所述放电电路包括偏置模块及与所述偏置模块连接的压控模块，所述偏置模块及压控模块连接所述控制节点，所述控制电压利用所述耦合电路与所述直流电压耦合，从而让所述控制电路输出所述触发信号至所述触发器启动重置功能，所述压控模块用以对所述控制电压进行放电，从而让所述控制电路输出另一信号完成重置功能，所述偏置模块用以提供一偏置电压至所述控制节点，以保证所述控制电压的放电时间。
进一步地，所述耦合电路包括第一场效应管，所述第一场效应管的源极与漏极同时连接所述直流电压，所述第一场效应管的栅极连接所述控制节点。
进一步地，所述控制电路包括一第二场效应管及一第三场效应管，所述第二场效应管的栅极连接所述控制节点，所述第三场效应管的栅极连接所述控制节点，所述第二场效应管的源极连接所述直流电压，所述第二场效应管的漏极连接所述第三场效应管的漏极，所述第三场效应管的源极接地。
进一步地，所述第二场效应管为P型场效应管，第三场效应管为N型场效应管。
进一步地，所述偏置模块包括一第四场效应管，所述第四场效应管的栅极及漏极连接所述控制节点，所述压控模块包括一第五场效应管，所述第五场效应管的栅极连接所述控制节点，所述第五场效应管的漏极连接所述第四场效应管的源极，所述第五场效应管的源极接地。
进一步地，所述第四场效应管及所述第五场效应管均为N型场效应管。
进一步地，所述重置电路还包括一开关模块，所述开关模块包括一反相器及一第六场效应管，所述反相器的输入端连接所述触发器的输出端，所述反相器的输出端连接所述第六场效应管的栅极，所述第六场效应管的漏极连接所述第五场效应管的源极，所述第六场效应管的源极接地。
进一步地，所述重置电路还包括一低电流放电模块，所述低电流放电模块包括一第七场效应管，所述第七场效应管的栅极及漏极同时连接所述第四场效应管的源极，所述第七场效应管的源极接地。
进一步地，所述第七场效应管为N型场效应管。
进一步地，所述触发器为施密特触发器。
上述重置电路，放电电路包括偏置模块及压控模块，控制电压利用耦合电路与直流电压耦合，从而让控制电路输出触发信号至触发器启动重置功能，所述压控模块用以对所述控制电压进行放电，从而让所述控制电路输出另一信号完成重置功能，所述偏置模块用以提供一偏置电压至所述控制节点，以保证所述控制电压的放电时间，以确保完成重置过程。
附图说明
图1为本发明一实施方式中重置电路的连接框图。
图2为图1重置电路一实施方式的电路图。
图3为本发明一实施方式中重置电路的另一连接框图。
图4为重置电路一实施方式的电路图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中设置的元件。当一个元件被认为是“设置于”另一个元件，它可以是直接设置在另一个元件上或者可能同时存在居中设置的元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参阅图1及图2，本发明一实施方式中的重置电路包括耦合电路1、控制电路3、放电电路5及触发器6。
所述耦合电路1包括一第一场效应管M1，所述第一场效应管M1的源极与漏极同时连接一直流电压VC。在一实施方式中，所述第一场效应管M1为P型场效应管。
所述控制电路3包括一第二场效应管M2及一第三场效应管M3。所述第二场效应管M2的栅极连接所述第一场效应管M1的栅极及所述第三场效应管M3的栅极，且连接节点为一控制节点G。所述控制节点G的电压为一控制电压VG。所述第二场效应管M2的源极连接所述直流电压VC，漏极连接所述第三场效应管M3的漏极。所述第三场效应管M3的源极接地。在一实施方式中，所述第二场效应管M2为P型场效应管，第三场效应管M3为N型场效应管。
所述触发器6的输入端连接所述第二场效应管M2的漏极及所述第三场效应管M3的漏极，且连接节点记为D。所述连接节点D的电压为VD。所述连接节点D用于输出一触发信号至所述触发器6，所述触发器6的输出端用以根据触发信号以启动重置功能。在一实施方式中，所述触发器6为施密特触发器。
所述放电电路5包括一偏置模块51及一压控模块53。在本实施例中，所述偏置模块51包括一第四场效应管M4，所述第四场效应管M4的栅极及漏极连接所述控制节点G，所述压控模块53包括一第五场效应管M5，所述第五场效应管M5的栅极连接所述控制节点G，第五场效应管M5的漏极连接所述第四场效应管M4的源极，第五场效应管M5的源极接地。所述第四场效应管M4用于提供一个偏置电压，该偏置电压大于或等于所述第三场效应管M3的导通电压。所述第五场效应管M5相当于一个压控电阻。优选的，所述第四场效应管M4及第五场效应管M5均为N型场效应管。
使用时，所述控制节点G的控制电压VG利用耦合特性随上电时直流电压VC的升高而升高，所述第五场效应管M5导通，所述第二场效应管M2截止，所述第三场效应管M3导通，连接节点D的电压VD为0，所述触发器6输出低电平，启动重置功能。随后，所述控制节点G的控制电压VG因第五场效应管M5导通放电而降低，但由于所述第四场效应管M4提供的偏置电压，所述控制节点G的控制电压VG在接近所述偏置电压时放电会越来越慢，从而保证控制电压VG能长时间保持高电平，以维持所述第三场效应管M3导通，使所述触发器6输出低电平的时间足够完成重置功能。随着控制节点G的控制电压VG继续降低，所述第二场效应管M2导通，所述第三场效应管M3截止，连接节点D的电压VD等于所述直流电压VC，所述触发器6输出高电平，完成重置功能。
请参阅图3及图4，为防止不正常的电源开机(电源电压从正常电压掉至低电压再回到正常电压)时，所述连接节点D的电压VD因放电太快而来不及降低至低电平而造成重置失效，所述重置电路还包括一开关模块70，所述开关模块70包括一反相器71及一第六场效应管M6。所述反相器71的输入端连接所述触发器6的输出端，所述反相器71的输出端连接所述第六场效应管M6的栅极。所述第六场效应管M6的漏极连接所述第五场效应管M5的源极，所述第六场效应管M6的源极接地。
当在正常电压下，在重置过程中，控制节点G的控制电压VG为高电平，连接节点D为低电平，所述触发器6输出低电平，所述第六场效应管M6及第五场效应管M5导通，控制节点G的控制电压VG经过所述第六场效应管M6及第五场效应管M5放电。当所述控制节点G的控制电压VG放电至低电平时，第二场效应管M2导通，第三场效应管M3截止，连接节点D为高电平，所述触发器6输出高电平，完成重置功能，此时，所述第六场效应管M6及第五场效应管M5截止。
当电压不正常时，即电源电压从正常电压掉至低电压再回到正常电压时，由于所述第六场效应管M6及第五场效应管M5截止，所述控制节点G的控制电压VG不会马上快速放电，而是有足够的时间升高为高电平，从而让第三场效应管M3导通，使所述连接节点D的电压VD降低，使触发器6输出低电平而启动重置功能。当触发器6输出低电平后，所述第六场效应管M6及第五场效应管M5导通，所述控制节点G的控制电压VG经所述第六场效应管M6及第五场效应管M5放电而降低，最终使触发器6输出高电平而完成重置功能。
所述重置电路还包括一低电流放电模块60。所述低电流放电模块60包括一第七场效应管M7，所述第七场效应管M7的栅极及漏极同时连接所述第四场效应管M4的源极，所述第七场效应管M7的源极接地。所述第七场效应管M7用以在触发器6输出为高电平时，使控制节点G的控制电压VG能够降低至0，保证控制节点G的控制电压VG处于低电平状态。在一实施方式中，所述第七场效应管M7为N型场效应管。
另外，本领域技术人员还可在本发明精神内做其它变化，当然，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围内。
Claims (8)
1.一种重置电路，包括耦合电路、控制电路、放电电路及触发器，所述耦合电路连接一直流电压及所述控制电路，且具有一控制节点，所述控制节点输出一控制电压，所述触发器的输入端连接所述控制电路，且用以接收一触发信号以启动重置功能，其特征在于：所述放电电路包括偏置模块及与所述偏置模块连接的压控模块，所述偏置模块及压控模块连接所述控制节点，所述控制电压利用所述耦合电路与所述直流电压耦合，从而让所述控制电路输出所述触发信号至所述触发器启动重置功能，所述压控模块用以对所述控制电压进行放电，从而让所述控制电路输出另一信号完成重置功能；
所述控制电路包括一第二场效应管及一第三场效应管，所述第二场效应管的栅极和所述第三场效应管的栅极连接所述控制节点，所述第二场效应管的源极连接所述直流电压，所述第二场效应管的漏极连接所述第三场效应管的漏极，所述第三场效应管的源极接地，所述偏置模块用以提供一偏置电压至所述控制节点，所述偏置电压大于或等于所述第三场效应管的导通电压，以保证所述控制电压的放电时间；
所述重置电路还包括一开关模块，所述开关模块包括一反相器及一第六场效应管，所述反相器的输入端连接所述触发器的输出端，所述反相器的输出端连接所述第六场效应管的栅极，所述第六场效应管的漏极连接所述压控模块，所述第六场效应管的源极接地。
2.如权利要求1所述的重置电路，其特征在于：所述耦合电路包括第一场效应管，所述第一场效应管的源极与漏极同时连接所述直流电压，所述第一场效应管的栅极连接所述控制节点。
3.如权利要求1所述的重置电路，其特征在于：所述第二场效应管为P型场效应管，第三场效应管为N型场效应管。
4.如权利要求1所述的重置电路，其特征在于：所述偏置模块包括一第四场效应管，所述第四场效应管的栅极及漏极连接所述控制节点，所述压控模块包括一第五场效应管，所述第五场效应管的栅极连接所述控制节点，所述第五场效应管的漏极连接所述第四场效应管的源极，所述第五场效应管的源极接地。
5.如权利要求4所述的重置电路，其特征在于：所述第四场效应管及所述第五场效应管均为N型场效应管。
6.如权利要求4所述的重置电路，其特征在于：所述重置电路还包括一低电流放电模块，所述低电流放电模块包括一第七场效应管，所述第七场效应管的栅极及漏极同时连接所述第四场效应管的源极，所述第七场效应管的源极接地。
7.如权利要求6所述的重置电路，其特征在于：所述第七场效应管为N型场效应管。
8.如权利要求1所述的重置电路，其特征在于：所述触发器为施密特触发器。
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| CN102882497A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-01-16 | 电子科技大学 | 一种低功耗高可靠性上电复位电路 |
| CN102891670A (zh) * | 2012-10-24 | 2013-01-23 | 广州润芯信息技术有限公司 | 一种上电复位电路 |
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| CN106033960A (zh) * | 2015-03-16 | 2016-10-19 | 上海贝岭股份有限公司 | 一种低功耗上电复位电路 |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2005039635A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パワーオンリセット回路 |
| CN102386898B (zh) * | 2011-08-26 | 2013-10-02 | 上海复旦微电子集团股份有限公司 | 复位电路 |
| CN106972846B (zh) * | 2017-03-21 | 2020-06-16 | 上海华力微电子有限公司 | 一种上电复位电路 |
-
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102882497A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-01-16 | 电子科技大学 | 一种低功耗高可靠性上电复位电路 |
| CN102891670A (zh) * | 2012-10-24 | 2013-01-23 | 广州润芯信息技术有限公司 | 一种上电复位电路 |
| CN103997323A (zh) * | 2014-06-09 | 2014-08-20 | 上海华力微电子有限公司 | 一种低功耗高稳定性的复位电路 |
| CN106033960A (zh) * | 2015-03-16 | 2016-10-19 | 上海贝岭股份有限公司 | 一种低功耗上电复位电路 |
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