CN109860347A - 一种led氧化物键合结构及制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种LED氧化物键合结构及制作方法，所述制作方法包括：提供一外延层结构；在所述外延层结构的一侧设置电极结构；在所述外延层结构背离所述电极结构的一侧设置透明键合层；对所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行研磨处理；提供一透明衬底；对所述透明衬底的表面和所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行活化处理；采用高温高压键合技术将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理，以形成所述LED氧化物键合结构。该制作方法工艺简单。

Description

一种LED氧化物键合结构及制作方法

技术领域

本发明涉及LED工艺技术领域，更具体地说，涉及一种LED氧化物键合结构及制作方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，各种各样的LED芯片已广泛应用于人们的日常生活、工作及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。

但是，目前LED氧化物键合的工艺流程周期长。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种LED氧化物键合结构及制作方法，技术方案如下：

一种LED氧化物键合结构的制作方法，所述制作方法包括：

提供一外延层结构；

在所述外延层结构的一侧设置电极结构；

在所述外延层结构背离所述电极结构的一侧设置透明键合层；

对所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行研磨处理；

提供一透明衬底；

对所述透明衬底的表面和所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行活化处理；

采用高温高压键合技术将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理，以形成所述LED氧化物键合结构。

优选的，所述在所述外延层结构背离所述电极结构的一侧设置透明键合层，包括：

对所述外延层结构背离所述电极结构的表面进行粗化处理；

当粗化处理完成后，沉积所述透明键合层。

优选的，所述透明键合层的材料为ITO或IZO或IGZO或AZO或Al₂O₃或TiO₂或Ti₃O₅或Ta₂O₅或SiN或SiO。

优选的，所述透明衬底为玻璃衬底或蓝宝石衬底或GaP衬底或Ge衬底。

优选的，所述采用高温高压键合技术将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理，包括：

采用300℃-500℃的温度将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理。

优选的，所述采用高温高压键合技术将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理，包括：

采用7000kgf-17000kgf的压力将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理。

优选的，所述透明键合层的厚度为0.5um-5um，包括端点值。

一种LED氧化物键合结构，所述LED氧化物键合结构包括：

外延层结构；

设置在所述外延层结构一侧的电极结构；

设置在所述外延层结构背离所述电极结构一侧的透明键合层；

设置在所述透明键合层背离所述外延层结构一侧的透明衬底。

相较于现有技术，本发明实现的有益效果为：

该LED氧化物键合结构的制作方法，只需在外延层结构的一侧设置透明键合层，无需在衬底的一侧再设置透明键合层，通过高温高压键合技术将透明键合层和衬底进行键合处理，即可形成所述LED氧化物键合结构。

由此可知，该LED氧化物键合结构的制作方法，可以提升光效并降低耗材用量以及缩短整体工艺时间。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种LED氧化物键合结构的制作方法的流程示意图；

图2-图6为图1所示的制作方法的工艺结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

参考图1，图1为本发明实施例提供的一种LED氧化物键合结构的制作方法的流程示意图，所述制作方法包括：

S101：如图2所示，提供一外延层结构21。

S102：如图3所示，在所述外延层结构21的一侧设置电极结构31。

在该步骤中，所述电极结构31的材料包括但不限定于金属材料。

S103：如图4所示，在所述外延层结构21背离所述电极结构31的一侧设置透明键合层41。

在该步骤中，所述透明键合层41的材料包括但不限定为ITO或IZO或IGZO或AZO或Al₂O₃或TiO₂或Ti₃O₅或Ta₂O₅或SiN或SiO。

所述透明键合层41的厚度为0.5um-5um，包括端点值。

例如，所述透明键合层41的厚度为1um或2um或3um。

S104：对所述透明键合层41背离所述外延层结构21的表面进行研磨处理。

在该步骤中，对所述透明键合层41背离所述外延层结构21的表面进行研磨处理，以使所述透明键合层41的表面平整化，以提高LED氧化物键合结构的性能。

S105：如图5所示，提供一透明衬底51。

在该步骤中，所述透明衬底51包括但不限定为玻璃衬底或蓝宝石衬底或GaP衬底或Ge衬底。

S106：对所述透明衬底51的表面和所述透明键合层41背离所述外延层结构21的表面进行活化处理。

在该步骤中，活化处理的方式并不作限定，其实现方式有多种多样，均在本发明的保护范围之内。

S107：如图6所示，采用高温高压键合技术将所述透明衬底51和所述透明键合层41进行键合处理，以形成所述LED氧化物键合结构。

在该步骤中，采用300℃-500℃的温度将所述透明衬底51和所述透明键合层41进行键合处理。

采用7000kgf-17000kgf的压力将所述透明衬底51和所述透明键合层41进行键合处理。

需要说明的是，如图4所示，在设置所述透明键合层41之前，需要对所述外延层结构21背离所述电极结构31的表面进行粗化处理；

当粗化处理完成后，沉积所述透明键合层41。

这样可以有效增大LED氧化物键合结构的出光面，进而提高LED氧化物键合结构的光效。

通过上述描述可知，该LED氧化物键合结构的制作方法，只需在外延层结构的一侧设置透明键合层，无需在衬底的一侧再设置透明键合层，通过高温高压键合技术将透明键合层和衬底进行键合处理，即可形成所述LED氧化物键合结构。

由此可知，该LED氧化物键合结构的制作方法，可以提升光效并降低耗材用量以及缩短整体工艺时间。

基于本发明上述实施例，在本发明另一实施例中还提供了一种LED氧化物键合结构，如图6所示，所述LED氧化物键合结构包括：

外延层结构21；

设置在所述外延层结构21一侧的电极结构31；

设置在所述外延层结构21背离所述电极结构31一侧的透明键合层41；

设置在所述透明键合层41背离所述外延层结构21一侧的透明衬底51。

该LED氧化物键合结构采用上述所述的制作方法进行制作，其具有结构简单，制作成本低且光效高等特点。

以上对本发明所提供的一种LED氧化物键合结构及制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备所固有的要素，或者是还包括为这些过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (8)

1.一种LED氧化物键合结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一外延层结构；

在所述外延层结构的一侧设置电极结构；

在所述外延层结构背离所述电极结构的一侧设置透明键合层；

对所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行研磨处理；

提供一透明衬底；

对所述透明衬底的表面和所述透明键合层背离所述外延层结构的表面进行活化处理；

采用高温高压键合技术将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理，以形成所述LED氧化物键合结构。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述外延层结构背离所述电极结构的一侧设置透明键合层，包括：

对所述外延层结构背离所述电极结构的表面进行粗化处理；

当粗化处理完成后，沉积所述透明键合层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述透明键合层的材料为ITO或IZO或IGZO或AZO或Al₂O₃或TiO₂或Ti₃O₅或Ta₂O₅或SiN或SiO。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述透明衬底为玻璃衬底或蓝宝石衬底或GaP衬底或Ge衬底。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用高温高压键合技术将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理，包括：

采用300℃-500℃的温度将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用高温高压键合技术将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理，包括：

采用7000kgf-17000kgf的压力将所述透明衬底和所述透明键合层进行键合处理。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述透明键合层的厚度为0.5um-5um，包括端点值。

8.一种LED氧化物键合结构，其特征在于，所述LED氧化物键合结构包括：

外延层结构；

设置在所述外延层结构一侧的电极结构；

设置在所述外延层结构背离所述电极结构一侧的透明键合层；

设置在所述透明键合层背离所述外延层结构一侧的透明衬底。