CN109848092A - 一种晶片清洗方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶片清洗方法，该清洗方法包括：清洗时，晶片具有第一自转，刷头在晶片上做往返的弧线运动，弧线运动的往返点超出或重合于晶片的边沿；清洗后，晶片具有第二自转，用来甩干晶片表面的残留清洗液。本发明的有益效果为刷头在晶片上做往返的弧线运动并配合晶片自转，实现了对晶片的全面覆盖清洗；晶片自转的同时，刷头也按照一定速度旋转，且两者旋转的方向相反，使得清洗更为有力高效；配合二流体来清洗，一方面取得更细微的水微粒，更好的与刷头配合清洗晶片，另一方面二流体中的氮气使得水微粒的动能更大，更好的带走微尘，调整水气比例还可以取得不同的清洗效果，适应更多类型的晶片。

Description

一种晶片清洗方法

技术领域

本发明属于晶片清洗领域，具体涉及一种晶片清洗方法。

背景技术

晶片有很高的洁净度要求，因此需要对晶片进行清洗。刷片机就是用来完成对晶片的自动清洗工作的装置。需要不断对晶片清洗效率进行提高以及实现全自动化，同时还要追求更高的洁净度。晶片的清洗方法影响清洗的效率。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种晶片清洗方法，本发明能够更高效的完成对晶片的清洗，并提高晶片的洁净度。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种晶片清洗方法，该清洗方法包括：

清洗时，晶片具有第一自转，刷头在晶片上做往返的弧线运动，弧线运动的往返点超出或重合于晶片的边沿；

清洗后，晶片具有第二自转，用来甩干晶片表面的残留清洗液。

清洗时，所述刷头还具有第三自转。

所述第一自转与所述第三自转的方向相反。

该清洗方法还包括：

清洗时，向晶片上喷射二流体，所述二流体为氮气和水经过喷嘴后形成。

该清洗方法还包括：

具备送水装置，所述送水装置能够向所述晶片喷水。

所述第二自转的速度大于所述第一自转的速度。

所述第一自转的速度小于800RPM，所述第二自转的速度在2500-3500RPM之间。

所述第三自转的速度小于300RPM。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

1、刷头在晶片上做往返的弧线运动并配合晶片自转，实现了对晶片的全面覆盖清洗；

2、晶片自转的同时，刷头也按照一定速度旋转，且两者旋转的方向相反，使得清洗更为有力高效；

3、配合二流体来清洗，一方面取得更细微的水微粒，更好的与刷头配合清洗晶片，另一方面二流体中的氮气使得水微粒的动能更大，更好的带走微尘，调整水气比例还可以取得不同的清洗效果，适应更多类型的晶片；

4、配合送水装置，进一步辅助对晶片的清洗；

5、通过晶片2500-3500RPM之间转速，完成对晶片表面残留清洗液的快速甩干。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的整体结构示意图。

图2为本发明的刷头弧线运动区间示意图。

图3为实施本发明方法一种晶片清洗装置的整体结构示意图。

图4为实施本发明方法一种晶片清洗装置中清洗模组的截面示意图。

图5为实施本发明方法一种晶片清洗装置中旋转固定组件和收集盆组件的截面示意图。

图6为实施本发明方法一种晶片清洗装置中旋转固定组件的截面示意图。

图7为实施本发明方法一种晶片清洗装置的侧向示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

如图1-2所示，本实施例提供一种晶片清洗方法，该清洗方法包括：

清洗时，晶片100具有第一自转，刷头200在晶片100上做往返的弧线运动，弧线运动的往返点超出或重合于晶片100的边沿110；

清洗后，晶片100具有第二自转，用来甩干晶片100表面的残留清洗液。

作为优选，本实施例清洗时，所述刷头200还具有第三自转。

作为进一步优选，本实施例所述第一自转与所述第三自转的方向相反。

作为进一步优选，本实施例该清洗方法还包括：

清洗时，向晶片100上喷射二流体，所述二流体为氮气和水经过喷嘴后形成。

作为进一步优选，本实施例该清洗方法还包括：

具备送水装置，所述送水装置能够向所述晶片100喷水。

作为进一步优选，本实施例所述第二自转的速度大于所述第一自转的速度。

作为进一步优选，本实施例所述第一自转的速度小于800RPM，所述第二自转的速度在2500-3500RPM之间。

作为进一步优选，本实施例所述第三自转的速度小于300RPM。。

本实施例应用方法为：

1、清洗开始；

2、晶片开始第一自转，向晶片喷射二流体；

3、刷头贴靠上晶片表面，刷头在自转的同时保持往返的弧线运动，往返弧线运动保持第一预定时间；

4、刷头远离晶片表面，送水装置向晶片喷射水流，保持第二预定时间，保证晶片表面均被水流覆盖；

5、晶片第二自转，保持第三预定时间后；

6、清洗完成。

如图2-7所示，本实施例提供一种晶片清洗装置，该清洗装置包括：

清洗臂组件1，所述清洗臂组件1包括清洗模组11、移动模组12、二流体模组13，所述清洗模组11能够对晶片做出擦拭动作，所述移动模组12的移动部与所述清洗模组11固定连接，用来控制所述清洗模组11贴合或者离开所述晶片表面，所述二流体模组13能够向所述晶片喷射清洗用的二流体；

旋转固定组件2，所述旋转固定组件2设置在所述清洗臂组件1的下方，所述旋转固定组件2能够固定所述晶片的下表面的同时，使得所述晶片形成自转，并且所述晶片的上表面正对所述清洗模组11；以及

收集盆组件3，所述收集盆组件3设置在所述旋转固定组件2的周围，用来收集清洗完成后剩余的二流体。

作为优选，本实施例所述清洗装置还包括：

清洗槽4，所述清洗槽4中容置有供所述清洗模组11进行清洗的水体。

所述清洗槽4旁边还设置有溢流槽5，所述清洗槽4中的水体在外溢时进入所述溢流槽5。

作为优选，本实施例所述清洗模组11包括：

摆臂111；

外轴112，所述外轴112中空，所述外轴112的顶部与所述摆臂111的第一端固定连接，所述外轴112的底部与步进电机113的转子驱动连接；

内轴114，所述内轴114设置在所述外轴112的内部，所述内轴114的底部与驱动电机115的转子驱动连接，所述内轴114的顶部伸入所述摆臂111的第一端内部，所述内轴114与所述摆臂111的第一端转动连接；

传动单元116；以及

刷片单元117，所述刷片单元117转动设置在所述摆臂111的第二端，所述刷片单元117包括中心轴1171，所述中心轴1171通过所述传动单元116与所述内轴114驱动连接。

作为优选，本实施例所述刷片单元117包括与所述中心轴1171固定连接的塑料构件1172，所述塑料构件1172上粘接有擦拭构件1173。

作为优选，本实施例所述旋转固定组件2包括：

转轴21，所述转轴21为圆柱壳结构，所述转轴21的侧壁设置有贯穿孔211，所述贯穿孔211与所述转轴21的内腔相连通，所述转轴21的底部与电机转子轴连接，使得所述转轴21能够绕自轴旋转；

中间层22，所述中间层22套设在所述转轴21上，所述中间层22与所述转轴21之间的间隙距离为预定值，所述中间层22的两端固定有轴承23，所处轴承23的内圈与所述转轴21紧配合，所述中间层22的内侧壁设置有凹入的环形腔231，所述环形腔231与所述贯穿孔211相连通，所述中间层22上开设有第一通孔232，所述第一通孔232的一端与所述中间层22的外部空间连通，所述第一通孔232的另一端与所述环形腔231相连通；以及

外壳24，所述外壳24套设在所述中间层22上，所述外壳24上设置有抽气孔241，所述抽气孔241的一端与所述第一通孔232相连通，所述抽气孔241的另一端与外部的抽气装置连接。

作为优选，本实施例所述收集盆组件3包括：

钵状主体31，所述钵状主体31的内部底面中心位置设有凸起结构311，所述凸起结构311的中部设置第一通孔232，所述第一通孔232的边缘设置有向上延伸的环形件，所述钵状主体31的底部连通有抽气管道32。

作为优选，本实施例所述二流体模组13包括：

供气管路131；

供水管路132；

喷嘴133，所述喷嘴133与所述供气管路131、供水管路132连通。

作为优选，本实施例所述移动模组12为固定在工作架上的气缸121。

尽管上述实施例已对本发明作出具体描述，但是对于本领域的普通技术人员来说，应该理解为可以在不脱离本发明的精神以及范围之内基于本发明公开的内容进行修改或改进，这些修改和改进都在本发明的精神以及范围之内。

Claims (8)

1.一种晶片清洗方法，其特征在于，该清洗方法包括：

清洗时，晶片（100）具有第一自转，刷头（200）在晶片（100）上做往返的弧线运动，弧线运动的往返点超出或重合于晶片（100）的边沿（110）；

清洗后，晶片（100）具有第二自转，用来甩干晶片（100）表面的残留清洗液。

2.根据权利要求1所述的晶片清洗方法，其特征在于，清洗时，所述刷头（200）还具有第三自转。

3.根据权利要求2所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述第一自转与所述第三自转的方向相反。

4.根据权利要求1所述的晶片清洗方法，其特征在于，该清洗方法还包括：

清洗时，向晶片（100）上喷射二流体，所述二流体为氮气和水经过喷嘴后形成。

5.根据权利要求1-4中任一所述的晶片清洗方法，其特征在于，该清洗方法还包括：

具备送水装置，所述送水装置能够向所述晶片（100）喷水。

6.根据权利要求1所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述第二自转的速度大于所述第一自转的速度。

7.根据权利要求6所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述第一自转的速度小于800RPM，所述第二自转的速度在2500-3500RPM之间。

8.根据权利要求2所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述第三自转的速度小于300RPM。