CN109830495A - 阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法。该阵列基板包括：衬底基板；设置在衬底基板上方的多个成像小孔和传感器单元，其中，成像小孔位于传感器单元的上方，且每个成像小孔与每个传感器单元一一对应。根据本申请实施例的技术方案，通过增设成像小孔层和图像形成层，将摄像功能集成在显示屏中，避免了占用显示装置的边框位置，有利于实现窄边框和全面屏。

Description

阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法
技术领域
本申请一般涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法。
背景技术
随着智能终端的快速发展，用户对终端设备的显示界面，提出了窄边框、全面屏等需求。但是，屏占比问题一直找不到更好的解决方案。例如有些厂商提出了升降式、弹出式摄像头，但这些方案难以避免的存在机械结构成本高、及镜头防尘等诸多问题。
现有技术中前置摄像头装置通常设置在显示装置的边框位置，这种结构设置不利于窄边框和全面屏的发展。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种阵列基板及制备方法、显示装置及成像方法，可使得包含本申请实施例提供的阵列基板的显示装置在显示区域具备摄像功能，从而提高了显示装置的屏占比。
第一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，其包括
衬底基板；
设置在衬底基板上方的多个成像小孔和传感器单元，其中，成像小孔位于传感器单元的上方，且每个成像小孔与每个传感器单元一一对应。
例如，该阵列基板中，传感器单元设置成不同的厚度。
例如，阵列基板还包括：设置在衬底基板上方的用于遮光的金属层，则成像小孔位于该金属层中。
例如，阵列基板还包括：设置在衬底基板上方的第一源极漏极金属层和第二源极漏极金属层，则成像小孔位于所述第二源极漏极金属层中。
例如，阵列基板还包括：设置在衬底基板上方的像素界定层，在像素界定层上设置多个开口；
开口与成像小孔的在衬底基板上的正投影不重叠。
例如，阵列基板还包括：
设置在像素界定层下方的平坦层；
成像小孔贯穿像素界定层和平坦层，或者贯穿平坦层。
例如，该阵列基板中，成像小孔的厚度为3～4微米；和/或，成像小孔的直径为5～10微米。
第二方面，本申请实施例提供了一种阵列基板的制备方法，其包括：
在衬底基板上通过蒸镀工艺形成多个传感器单元；
在传感器单元的上方，通过构图工艺形成金属层，在金属层中形成多个成像小孔，其中，每个成像小孔与每个传感器单元一一对应。
例如，该方法中，传感器单元通过蒸镀工艺形成不同的厚度的感光层。
例如，该方法中，在传感器单元的上方通过构图工艺形成用于遮光的金属层，则成像小孔位于该金属层中。
例如，该方法中，在传感器单元的上方通过构图工艺形成第一源极漏极金属层和第二源极漏极金属层，则成像小孔位于第二源极漏极金属层中。
例如，该方法中，通过构图工艺在衬底基板上方形成像素界定层；
在像素界定层上形成多个开口，开口与成像小孔的在衬底基板上的正投影不重叠。
例如，该方法中，通过构图工艺在像素界定层下方形成平坦层；
通过刻蚀工艺使得成像小孔贯穿像素界定层和平坦层，或者贯通平坦层。
第三方面，本申请实施例提供了一种显示装置其包括如第一方面描述的阵列基板。
第四方面，本申请实施例提供了一种成像方法，其应用于如权利要求第三方面描述的显示装置，该方法包括：
响应于拍照模式启动信号，根据获取的图像信息确定成像区域，成像区域包括至少一个与图像信息对应的传感器单元，图像信息包括待拍摄对象的物距或者传感器单元的焦距；
通知与图像信息对应的传感器单元进行成像工作。
本申请实施例通过在衬底基板上设置成像小孔和与之对应的传感器单元，即基于成像小孔原理将摄像功能集成在显示屏中，从而克服了现有技术中前置摄像装置需要占用显示装置边框位置的问题，有利于窄边屏和全面屏的发展。
进一步，通过设置传感器单元的不同厚度，来满足不同景深的摄像需求。
进一步地，还可以优选成像小孔的形状大小以及内壁材料，来提高拍摄清晰度。
进一步地，还可以通过同层共享的设置压缩显示装置的垂直空间。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1示出了本申请实施例提供阵列基板10的结构示意图；
图2示出了本申请实施例提供的又一阵列基板10的结构示意图；
图3示出了本申请实施例提供的又一种阵列基板10的结构示意图；
图4示出了本申请实施例提供的成像小孔102的分布位置示意图；
图5示出了本申请实施例提供的成像小孔102的又一分布位置示意图；
图6示出了光线通过成像小孔102在图像形成层中成像的原理示意图；
图7示出了本申请实施例提供的成像区域划分示意图；
图8示出了本申请实施例提供的显示装置的成像方法的流程示意图。
附图标记：
10-阵列基板；101-阵列基板的衬底基板；102-成像小孔；103-传感器单元；104-开口；105-像素界定层；106-遮光层；107-缓冲层；第一源极漏极金属层108；第二源极漏极金属层109；平坦层110；像素界定层111。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关公开，而非对该公开的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与公开相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
前置摄像装置通常可能设置在显示装置的边框位置，由于摄像装置自身的结构需求，需要占据一定的位置空间，使得显示屏幕的扩大受到了局限性，前置摄像装置的存在，不利于窄边框和全面屏的发展。
本申请提出了一种阵列基板，请参考图1，图1示出了本申请实施例提供阵列基板的结构示意图。
如图1所示，该阵列基板10包括：
衬底基板101；
设置在衬底基板101上方的多个成像小孔102；
设置在成像小孔102下方与该成像小孔102对应的传感器单元103。其中，成像小孔102位于传感器单元103的上方，且每个成像小孔102与每个光传感单元103一一对应。
其中，衬底基板101可以是柔性基板。柔性基板是指可弯曲的、可折叠的或者可卷曲的基板。柔性基板可以是超薄玻璃、金属或者塑料。例如聚合树脂、聚酰亚胺等。为了解决前置摄像装置占用显示装置的边框的问题，可以通过将摄像功能集成到显示屏中。本申请实施例提出了一种在阵列基板中增设一层用于成像的小孔，可以定义为成像小孔层。成像小孔102可以在金属层中形成。金属层例如可以是用于遮光的金属层或者是第二层源极漏极金属层中。前者工艺简单，成本低，存在杂散光问题。后者可以解决杂散光，获得较大透光率，但成本较高。
例如，设置在衬底基板101上方的用于遮光的金属层(图1中未示出，可以理解成像小孔102所在的层)，则成像小孔位于该金属层中。
或者，设置在衬底基板101上方的第一源极漏极金属层和第二源极漏极金属层(图1中未示出，可以理解成像小孔102所在的层)，则成像小孔位于第二源极漏极金属层中
在启动拍摄模式时，入射光线透过成像小孔102，根据小孔成像原理，待拍摄对象的不同部分发出的光线在到达传感器单元103时，在传感器单元103中形成与待拍摄对象倒立的图像。成像小孔102的大小和传感器单元103到成像小孔102之间的距离(该距离即像距)决定着成像的清晰度。其中，多个传感器单元103所在层，可以定义为图像形成层。
传感器单元103也可以称为图像传感器，例如可以是电荷耦合元件(Charge-coupled Device，CCD)，互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor，CMOS)等。
本申请实施例，通过成像小孔102和与之对应的传感器单元103，根据成像小孔原理将成像功能集成在显示区域，从而解决了现有技术摄像装置占用显示装置的边框位置的问题。
本申请实施例提供的阵列基板10，考虑到不同焦距的成像需求，在上述阵列基板中，可以将传感器单元103设置成不同的厚度。每个传感器单元103到其对应的成像小孔102的距离，可以设置成不同值。例如可以如图1所示，每个与成像小孔102对应的传感器单元103的厚度设置不同。传感器单元103与衬底基板101相对的一侧到其对应的成像小孔102的距离可以是不同的。也可以如图7所示，将不同成像区域内包含传感器单元103设置成不同的厚度。可以理解为将成像区域A11包含的至少一个传感器单元103设置成第一厚度值，将成像区域A12包含的至少一个传感器单元103设置成第二厚度值，依此内推，每个成像区域对应不同的厚度值。不同成像区域是否需要划分可以根据成像区域占用屏幕的比例来确定。例如，第一成像区域的景深满足成像范围的需求，可以仅全屏采用一个成像区域。如果第一成像区域的景深不能满足成像范围的需求，可以根据其覆盖屏幕的比例，将屏幕划分成多个成像区域。
通过设置不同厚度的传感器单元103以满足不同成像焦距的需求，扩大成像范围。
还可以在成像小孔层与图像形成层之间形成缓冲层107，如图6所示。
进一步地，本申请实施例提供的阵列基板10，考虑到背光的影响导致成像效果受到影响，还提出了另一种阵列基板的结构。请参考图2，图2示出了本申请实施例提供的又一阵列基板10的结构示意图。
如图2所示，该阵列基板10包括：
衬底基板101，
设置在衬底基板101上的多个成像小孔102；
设置在成像小孔102下方的与该成像小孔102对应的传感器单元103，其中，成像小孔102位于传感器单元103的上方，且每个成像小孔102与每个光传感单元103一一对应。
与成像小孔102对应的传感器单元103可以设置成不同的厚度。例如，可以通过蒸镀工艺形成不同厚度的感光层。
设置在衬底基板上方的像素界定层，在像素界定层上设置多个开口104；
开口104与成像小孔102的在衬底基板上的正投影不重叠。其中，开口104均位于显示区域，用于设置发光器件。
本申请实施例，在显示屏中集成摄像功能。通过增设成像小孔层和与成像小孔对应的传感器单元构成的图像形成层，基于小孔成像原理实现显示屏集成摄像功能。为了满足摄像功能的不同焦距成像需求，可以将传感器单元103的厚度设置成不同的厚度值。例如，可以参考图6，其示出了光线通过成像小孔102在图像形成层中成像的原理示意图。如图6所示，其中h1～h5表示待拍摄对象到成像小孔的距离，通常可以称为物距。在不同物距的情况下，为了形成与不同物距对应的清晰的成像结果，需要调整传感器单元103的位置，使得其成像平面到成像小孔102的距离能够在不同物距下拍摄出清晰的图像。成像平面到成像小孔的距离即像距，也称为焦距。例如可以将图像形成层的传感器单元设计成不同的厚度，从而使其距离成像小孔的距离符合焦距的设置需求。
本申请实施例中，可以根据不同焦距的传感器单元在显示屏幕部署时占用屏幕的比例，来决定是否将传感器单元进行区域划分。例如如图7所示，图7示出了本申请实施例提供的成像区域划分示意图。可以将传感器单元103根据不同的焦距划分到不同的区域中。例如，在A11区域内部署第一焦距的多个传感器单元103，其成像结果可以对应图6中物距为h1的拍摄范围，第一焦距即图6中标识h1下方的传感器单元103距离成像小孔102的距离。为了满足变焦功能，可以在A12区域内部署第二焦距的多个传感器单元103，用于形成与第二焦距对应的待拍摄对象的清晰图像，第二焦距标识区别于第一焦距的其他焦距，可以理解为一个焦距，也可以理解为多个互不相同的焦距。同理，可以根据划分区域占用屏幕的比例，将整个显示区域划分为多个子区域，每个子区域分别对应不同拍摄焦距的成像区域。
在拍照时，如果背光工作，则其发射的光可能对处于拍摄模式的成像小孔造成影响，导致通过成像小孔形成的图像效果不佳。本申请实施例，通过将开口104的位置与成像小孔102的位置设置为在衬底基板上的正投影不重合，从而解决因背光导致成像效果不佳的问题。
进一步地，为了避免杂散光对成像结果造成影响，导致成像效果不好，成像小孔102可以采用遮光材料，用于遮挡可见光。例如，成像小孔102的材料可以选择包括聚酰亚胺以及掺杂在聚酰亚胺中的黑色吸光物质以便实现遮挡可见光，从而提升成像质量。
进一步地，显示装置整体向超薄方向发展，为了获取更好的成像效果，还可以优选地将成像小孔102的厚度设置为3～4μm，该取值范围可以兼具成像效果和超薄性能。
本申请实施例中，还可以将多个成像小孔102均匀地分布在整个显示区域。成像小孔102的形状可以设置多种形状，根据其透光效果，优选地可以设置成圆孔形状，例如直径设置为5～10μm。
本申请实施例中，在设置成像小孔102时，可以考虑进一步节省显示器件的垂直空间，压缩显示器件。可选地，请参考图3，图3示出了本申请实施例提供的又一种阵列基板10的结构示意图。
如图3所示，可以将设置在开口和衬底基板之间的平坦层(未在图中示出)与成像小孔层共用。即成像小孔102贯穿平坦层和成像小孔层。
或者，将在开口和衬底基板之间的平坦层，用于间隔发光器件104的像素界定层105，以及成像小孔层设计为同层公用即成像小孔102贯穿像素界定层105、平坦层(未示出)和成像小孔层。
本申请实施例中通过将平坦层和/或像素界定层设计为与成像小孔层公用，能够有效地节省显示器件的厚度空间，并获得较好的成像效果。
为了更进一步清楚地描述制备本申请实施例提供的阵列基板的过程，本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，该方法包括：
在衬底基板101上通过蒸镀工艺形成多个传感器单元103；
在传感器单元103的上方，通过构图工艺形成金属层，在金属层中形成多个成像小孔，其中，每个成像小孔102与每个传感器单元103一一对应，其结构如图1所示。
进一步地，传感器单元103可以通过蒸镀工艺形成不同的厚度的感光层。例如，某个传感器单元103或者某组(多个)传感器单元103通过蒸镀工艺形成第一厚度值的感光层，或者通过多次蒸镀工艺形成多层感光层，以形成第一厚度值。
本申请实施例提供的阵列基板10，考虑到不同焦距的成像需求，在上述阵列基板中，可以将传感器单元103设置成不同的厚度。每个传感器单元103到其对应的成像小孔102的距离，可以设置成不同值。例如，可以如图1所示，每个与成像小孔102对应的传感器单元103的厚度设置不同。传感器单元103与衬底基板101相对的一侧到其对应的成像小孔102的距离可以是不同的。也可以如图7所示，将不同成像区域内包含传感器单元103设置成不同的厚度。可以理解为将成像区域A11包含的至少一个传感器单元103设置成第一厚度值，将成像区域A12包含的至少一个传感器单元103设置成第二厚度值，依此内推，每个成像区域对应不同的厚度值。不同成像区域是否需要划分可以根据成像区域占用屏幕的比例来确定。例如，第一成像区域的景深满足成像范围的需求，可以仅全屏采用一个成像区域。如果第一成像区域的景深不能满足成像范围的需求，可以根据其覆盖屏幕的比例，将屏幕划分成多个成像区域。
通过设置不同厚度的传感器单元103以满足不同成像焦距的需求，扩大成像范围。
还可以在成像小孔层与图像形成层之间形成缓冲层107，如图6所示。
进一步地，在传感器单元103的上方，通过构图工艺形成金属层，在金属层中形成多个成像小孔。
本申请实施例中可以在衬底基板101上，通过构图工艺形成金属层。该金属层可以是用于遮光的金属层，或者，形成第一源极漏极金属层和第二源极漏极金属层。构图工艺包括：光刻胶涂布、掩膜、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等部分或者全部工艺。
本申请实施例中在上述金属层中形成成像小孔，可以采用干刻蚀的工艺。例如，如图4所示，图4示出了本申请实施例提供的成像小孔102的分布位置示意图。
在制备衬底基板101之后，通过蒸镀工艺形成传感器层，在传感器层可以包括不同厚度的多个传感器单元103。
然后，通过构图工艺在传感器层上方形成用于遮光的金属层(可以简称为遮光层106)，可以一层或者多层。在遮光层106上形成光刻胶，采用刻有图案的掩膜版对光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶掩膜；然后，采用光刻胶掩膜对遮光层106进行干法刻蚀，形成用于成像的小孔102。
也可以如图5所示，图5示出了本申请实施例提供的成像小孔102的又一分布位置示意图。
在制备衬底基板101之后，通过蒸镀工艺形成传感器层，在传感器层可以包括不同厚度的多个传感器单元103。
也可以理解为采用蒸镀工艺在不同材质的缓冲层中形成传感器单元。
然后，通过构图工艺在传感器层上方形成用于遮光的金属层(可以简称为遮光层106)，可以一层或者多层。
在遮光层106上方，通过构图工艺依次形成有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极金属层、第二栅极绝缘层、第二栅极金属层、层间介质层、第一源极漏极金属层108、钝化层、第二源极漏极金属层109、平坦层110、阳极层、像素界定层111。
在通过磁控溅射、热蒸发等成膜方法形成第一源极漏极金属层108之后，再通过等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等方法形成钝化层的图形。然后，通过磁控溅射、热蒸发等成膜方法形成第二源极漏极金属层109。
在第二源极漏极金属层109上形成光刻胶，采用刻有图案的掩膜版对光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶掩膜；然后，采用光刻胶掩膜对第二源极漏极金属层109进行干法刻蚀，形成用于成像的小孔102。
还可以在形成第二源极漏极金属层109之后形成平坦层110，在平坦层110上形成光刻胶，采用刻有图案的掩膜版对光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶掩膜；然后，采用光刻胶掩膜对平坦层110进行干法或湿法刻蚀，形成用于成像的小孔102，该成像小孔102贯穿平坦层和成像小孔层。
还可以在形成平坦层110之后形成阳极层，在形成阳极层成之后，再形成像素界定层111，在像素界定层111上形成光刻胶，采用刻有图案的掩膜版对光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶掩膜；然后，采用光刻胶掩膜对像素界定层111进行干法或湿法刻蚀，形成用于成像的小孔102，该成像小孔102贯穿像素界定层、平坦层和成像小孔层。
在形成成像小孔102之后，在衬底基板101上的像素界定层111上采用湿法刻蚀开孔104，该开孔用于放置发光器件。开孔104与成像小孔102的在衬底基板上的正投影不重叠。
在制备成像小孔102时，考虑到成像效果可以优选地将成像小孔102的内壁采用遮光材料制成，用于遮挡可见光。还可以将成像小孔的厚度设置为3～4μm。该厚度值可以兼备超薄性能发展需求的同时获得较好的成像效果。
成像小孔102的遮光材料可以选择聚酰亚胺以及掺杂在聚酰亚胺中的黑色吸光物质。其中，黑色吸光物质例如可以类似液晶显示技术中黑色矩阵所采用的材料或者炭黑等。
可选地，成像小孔102可以优选地设置为圆孔，其直径设置5～10μm。并将成像小孔102根据显示区域的面积均匀分布在整个显示区域中。
本申请实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一阵列基板10。该结构的显示装置将摄像功能集成在显示屏上，避免了前置摄像装置占用显示装置的边框位置，有利于实现窄边屏和全面屏。
为了更清楚地描述成像原理，请参考图8，图8示出了本申请实施例提供的显示装置的成像方法的流程示意图。
步骤801，响应于拍照模式启动信号，根据获取的图像信息确定成像区域，该成像区域包括至少一个与图像信息对应的传感器单元。
步骤802，通知与图像信息对应的传感器单元进行成像工作。
在拍照模式启动时，待拍摄对象的各个部位的光透过均匀分布在显示区域中的成像小孔102，直接透射到传感器单元103，传感器单元103将光信号记录并发送至图像处理器。图像处理器根据传感器单元103发送的光信号确定用于成像的成像区域。其中，成像区域可以包括位于显示区域内与某焦距对应的多个传感器单元103。并在确定用于成像的多个传感器单元103之后，图像处理器通知该传感器单元103开始形成待拍摄对象的图像。
图像信息，例如可以是图像处理器根据传感器单元103发送的光信号，确定待拍摄对象距离成像小孔的物距，或者确定传感器单元的成像平面距离成像小孔的焦距。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的公开范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离前述公开构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (15)

1.一种阵列基板，其特征在于，其包括：
衬底基板；
设置在衬底基板上方的多个成像小孔和传感器单元，其中，所述成像小孔位于所述传感器单元的上方，且每个所述成像小孔与每个所述传感器单元一一对应。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述传感器单元设置成不同的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述衬底基板上方的用于遮光的金属层，则所述成像小孔位于该金属层中。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述衬底基板上方的第一源极漏极金属层和第二源极漏极金属层，则所述成像小孔位于所述第二源极漏极金属层中。
5.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：设置在所述衬底基板上方的像素界定层，在所述像素界定层上设置多个开口；
所述开口与所述成像小孔的在所述衬底基板上的正投影不重叠。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
设置在所述像素界定层下方的平坦层；
所述成像小孔贯穿所述像素界定层和所述平坦层，或者贯穿所述平坦层。
7.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述成像小孔的厚度为3～4微米；和/或，所述成像小孔的直径为5～10微米。
8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，其包括：
在衬底基板上通过蒸镀工艺形成多个传感器单元；
在所述传感器单元的上方，通过构图工艺形成金属层，在所述金属层中形成多个成像小孔，其中，每个所述成像小孔与每个所述传感器单元一一对应。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述传感器单元通过蒸镀工艺形成不同的厚度的感光层。
10.根据权利要求8或9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述传感器单元的上方通过构图工艺形成用于遮光的金属层，则所述成像小孔位于该金属层中。
11.根据权利要求8或9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述传感器单元的上方通过构图工艺形成第一源极漏极金属层和第二源极漏极金属层，则所述成像小孔位于所述第二源极漏极金属层中。
12.根据权利要求8或9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，通过构图工艺在所述衬底基板上方形成像素界定层；
在所述像素界定层上形成多个开口，所述开口与所述成像小孔的在所述衬底基板上的正投影不重叠。
13.根据权利要求8或9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
通过构图工艺在所述像素界定层下方形成平坦层；
通过刻蚀工艺使得所述成像小孔贯穿所述像素界定层和所述平坦层，或者贯通所述平坦层。
14.一种显示装置，其特征在于，其包括如权利要求1-7中任一项所述的阵列基板。
15.一种成像方法，其特征在于，其应用于如权利要求14所述的显示装置，该方法包括：
响应于拍照模式启动信号，根据获取的图像信息确定成像区域，所述成像区域包括至少一个与所述图像信息对应的传感器单元，所述图像信息包括待拍摄对象的物距或者所述传感器单元的焦距；
通知与所述图像信息对应的所述传感器单元进行成像工作。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020187072A1 (zh) * 2019-03-21 2020-09-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法
CN112071205A (zh) * 2020-09-11 2020-12-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种粘结结构及其制备方法、盖板及其制备方法
WO2021092887A1 (en) * 2019-11-15 2021-05-20 Qualcomm Incorporated Display shade compensation for cameras
US11043636B2 (en) 2017-05-17 2021-06-22 Oti Lumionics Inc. Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating
US11088327B2 (en) 2015-10-26 2021-08-10 Oti Lumionics Inc. Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating
US11581487B2 (en) 2017-04-26 2023-02-14 Oti Lumionics Inc. Patterned conductive coating for surface of an opto-electronic device
US11700747B2 (en) 2019-06-26 2023-07-11 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
US11730012B2 (en) 2019-03-07 2023-08-15 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
US11744101B2 (en) 2019-08-09 2023-08-29 Oti Lumionics Inc. Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
US11985841B2 (en) 2020-12-07 2024-05-14 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating
US11997864B2 (en) 2018-05-07 2024-05-28 Oti Lumionics Inc. Device including patterning a conductive coating

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106847092A (zh) * 2017-03-10 2017-06-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及其获取图像的方法
CN107977632A (zh) * 2017-12-05 2018-05-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及其纹路识别方法
CN109449181A (zh) * 2018-10-29 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030007089A1 (en) * 2001-01-12 2003-01-09 Anteon Corporation Opto-electronic video compression system
JP4886162B2 (ja) * 2003-06-18 2012-02-29 キヤノン株式会社 撮像装置付き表示装置
CN100449764C (zh) * 2003-11-18 2009-01-07 松下电器产业株式会社 光电探测器
KR102350138B1 (ko) * 2013-03-29 2022-01-14 소니그룹주식회사 촬상 소자 및 촬상 장치
CN108242453B (zh) * 2016-12-23 2020-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及显示装置
CN107832749B (zh) * 2017-12-14 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法、指纹识别方法及显示装置
CN208271897U (zh) * 2018-03-16 2018-12-21 华为技术有限公司 一种显示屏及显示终端
CN108878501B (zh) * 2018-07-16 2021-04-06 成都京东方光电科技有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN108922905A (zh) * 2018-07-17 2018-11-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及制备方法、显示面板
CN109830495B (zh) * 2019-03-21 2021-10-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106847092A (zh) * 2017-03-10 2017-06-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及其获取图像的方法
CN107977632A (zh) * 2017-12-05 2018-05-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及其纹路识别方法
CN109449181A (zh) * 2018-10-29 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11706969B2 (en) 2015-10-26 2023-07-18 Oti Lumionics Inc. Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating
US11335855B2 (en) 2015-10-26 2022-05-17 Oti Lumionics Inc. Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating
US11785831B2 (en) 2015-10-26 2023-10-10 Oti Lumionics Inc. Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating
US11158802B2 (en) 2015-10-26 2021-10-26 Oti Lumionics Inc. Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating
US11088327B2 (en) 2015-10-26 2021-08-10 Oti Lumionics Inc. Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating
US11158803B2 (en) 2015-10-26 2021-10-26 Oti Lumionics Inc. Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating
US11581487B2 (en) 2017-04-26 2023-02-14 Oti Lumionics Inc. Patterned conductive coating for surface of an opto-electronic device
US11043636B2 (en) 2017-05-17 2021-06-22 Oti Lumionics Inc. Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating
US11730048B2 (en) 2017-05-17 2023-08-15 OTI Lumionic Inc. Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
US11997864B2 (en) 2018-05-07 2024-05-28 Oti Lumionics Inc. Device including patterning a conductive coating
US11730012B2 (en) 2019-03-07 2023-08-15 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
WO2020187072A1 (zh) * 2019-03-21 2020-09-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法
US12004383B2 (en) 2019-06-26 2024-06-04 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
US11700747B2 (en) 2019-06-26 2023-07-11 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
US11744101B2 (en) 2019-08-09 2023-08-29 Oti Lumionics Inc. Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition
WO2021092887A1 (en) * 2019-11-15 2021-05-20 Qualcomm Incorporated Display shade compensation for cameras
CN112071205A (zh) * 2020-09-11 2020-12-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种粘结结构及其制备方法、盖板及其制备方法
US11985841B2 (en) 2020-12-07 2024-05-14 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating

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WO2020187072A1 (zh) 2020-09-24
CN109830495B (zh) 2021-10-08
US20210233974A1 (en) 2021-07-29

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