CN109792128A - 激光气体再生系统和激光系统 - Google Patents

Abstract

激光气体再生系统用于准分子激光装置，该准分子激光装置包含构成为能够向激光腔供给第1激光气体的第1配管、构成为能够向激光腔供给卤素气体浓度比第1激光气体高的第2激光气体的第2配管、构成为能够供从激光腔排出的气体通过的第3配管，其中，激光气体再生系统具有：气体精制部，其对通过了第3配管的气体进行精制；分支部，其使流入气体精制部而被精制后的气体分支到第4配管和第5配管；第1再生气体供给部，其向第1配管供给分支到第4配管的气体；以及第2再生气体供给部，其在分支到第5配管的气体中添加卤素气体，并向第2配管供给添加卤素气体而得的气体。

Description

激光气体再生系统和激光系统

技术领域

本公开涉及激光气体再生系统和激光系统。

背景技术

近年来，在半导体曝光装置(以下称为“曝光装置”)中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，从曝光用光源放出的光的短波长化得以发展。一般而言，在曝光用光源中代替现有的汞灯而使用气体激光装置。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长为248nm的紫外线的激光束的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的激光束的ArF准分子激光装置。

作为新时代的曝光技术，曝光装置侧的曝光用透镜与晶片之间被液体充满的液浸曝光已经实用化。在该液浸曝光中，曝光用透镜与晶片之间的折射率变化，因此，曝光用光源的外观的波长变短。在将ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下，对晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光(或ArF液浸光刻)。

KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡幅度较宽，大约为350～400pm。因此，当利用如下材料构成投影透镜时，有时产生色差，该材料透射KrF和ArF激光束这样的紫外线。其结果，分辨率可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光束的谱线宽度窄带化到能够忽视色差的程度。因此，为了对谱线宽度进行窄带化，有时在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(Line NarrowModule：LNM)。下面，将谱线宽度被窄带化的激光装置称为窄带化激光装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第5363396号

专利文献2：美国专利第6609540号

专利文献3：国际公开第2015/076415号

发明内容

本公开的一个观点的激光气体再生系统用于准分子激光装置，该准分子激光装置包含构成为能够向激光腔供给第1激光气体的第1配管、构成为能够向激光腔供给卤素气体浓度比第1激光气体高的第2激光气体的第2配管、构成为能够供从激光腔排出的气体通过的第3配管，其中，激光气体再生系统具有：气体精制部，其对通过了第3配管的气体进行精制；分支部，其使流入气体精制部而被精制后的气体分支到第4配管和第5配管；第1再生气体供给部，其向第1配管供给分支到第4配管的气体；以及第2再生气体供给部，其在分支到第5配管的气体中添加卤素气体，并向第2配管供给添加卤素气体而得的气体。

本公开的一个观点的激光系统包含准分子激光装置和激光气体再生系统，其中，准分子激光装置包含多个激光腔、构成为能够向多个激光腔分别供给第1激光气体的第1配管、构成为能够向多个激光腔分别供给卤素气体浓度比第1激光气体高的第2激光气体的第2配管、构成为能够供从多个激光腔分别排出的气体通过的第3配管，激光气体再生系统包含：气体精制部，其对通过了第3配管的气体进行精制；分支部，其使流入气体精制部而被精制后的气体分支到第4配管和第5配管；第1再生气体供给部，其向第1配管供给分支到第4配管的气体；以及第2再生气体供给部，其在分支到第5配管的气体中添加卤素气体，并向第2配管供给添加卤素气体而得的气体。

附图说明

下面，参照附图将本公开的若干个实施方式作为简单例子进行说明。

图1概略地示出比较例的准分子激光装置30和激光气体再生系统50的结构。

图2是示出图1所示的气体再生控制部51的处理的流程图。

图3是示出比较例中的初始设定子例程的详细情况的流程图。

图4是示出比较例中的气体回收/升压子例程的详细情况的流程图。

图5是示出比较例中的气体精制/调节子例程的详细情况的流程图。

图6是示出比较例中的惰性再生气体贮藏/供给子例程的详细情况的流程图。

图7概略地示出本公开的第1实施方式的激光气体再生系统50a的结构。

图8是示出第1实施方式的激光气体再生系统中的气体再生控制部51的处理的流程图。

图9是示出第1实施方式中的初始设定子例程的详细情况的流程图。

图10是示出第1实施方式中的氟添加再生气体贮藏/供给子例程的详细情况的流程图。

图11是示出氟添加再生气体贮藏子例程的详细情况的流程图。

图12是示出氟添加再生气体供给子例程的详细情况的流程图。

图13概略地示出本公开的第2实施方式中的与氟添加再生气体罐71连接的各种配管和氟气供给源72a的结构。

图14是示出第2实施方式中的初始设定子例程的详细情况的流程图。

图15是示出第2实施方式中的氟添加再生气体贮藏/供给子例程的详细情况的流程图。

图16是示出第2实施方式中的氟添加再生气体罐的休止中的处理的详细情况的流程图。

图17是示出第2实施方式中的氟添加再生气体罐的贮藏准备的处理的详细情况的流程图。

图18是示出第2实施方式中的氟添加再生气体罐71和氟气供给源72a的排气的处理的详细情况的流程图。

图19是示出第2实施方式中的在氟添加再生气体罐71中注入氟气的处理的详细情况的流程图。

图20是示出第2实施方式中的氟添加再生气体罐的贮藏中的处理的详细情况的流程图。

图21是示出第2实施方式中的氟添加再生气体罐的供给准备的处理的详细情况的流程图。

图22是示出第2实施方式中的氟添加再生气体罐的供给中的处理的详细情况的流程图。

图23概略地示出本公开的第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711和第2氟添加再生气体罐712和与它们连接的各种配管的结构。

图24是示出第3实施方式中的初始设定子例程的详细情况的流程图。

图25是示出第3实施方式中的氟添加再生气体贮藏/供给子例程的详细情况的流程图。

图26是示出第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给子例程的详细情况的流程图。

图27是示出第3实施方式中的第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给子例程的详细情况的流程图。

图28是示出第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711的休止中的处理的详细情况的流程图。

图29是示出第3实施方式中的第2氟添加再生气体罐712的休止中的处理的详细情况的流程图。

图30是示出第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711的贮藏准备的处理的详细情况的流程图。

图31是示出第3实施方式中的第2氟添加再生气体罐712的贮藏准备的处理的详细情况的流程图。

图32是示出第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711的贮藏中的处理的详细情况的流程图。

图33是示出第3实施方式中的第2氟添加再生气体罐712的贮藏中的处理的详细情况的流程图。

图34是示出第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711的供给准备的处理的详细情况的流程图。

图35是示出第3实施方式中的第2氟添加再生气体罐712的供给准备的处理的详细情况的流程图。

图36是示出第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711的供给中的处理的详细情况的流程图。

图37是示出第3实施方式中的第2氟添加再生气体罐712的供给中的处理的详细情况的流程图。

图38是示出第1氟添加再生气体罐711和第2氟添加再生气体罐712的状态变化的图。

图39概略地示出本公开的第4实施方式的激光气体再生系统50b的结构。

图40概略地示出本公开的第5实施方式的准分子激光装置30a、30b和激光气体再生系统50c的结构。

图41概略地示出本公开的第6实施方式的激光气体再生系统50d的结构。

图42概略地示出本公开的第7实施方式的激光气体再生系统50e的结构。

图43是示出第7实施方式中的初始设定子例程的详细情况的流程图。

图44是示出第7实施方式中的氟添加新气体初始贮藏子例程的详细情况的流程图。

图45是示出第7实施方式中的氟添加再生气体贮藏子例程的详细情况的流程图。

图46是示出第7实施方式中的氟添加再生气体供给子例程的详细情况的流程图。

具体实施方式

内容

1.比较例的准分子激光装置和激光气体再生系统

1.1结构

1.1.1准分子激光装置

1.1.1.1激光振荡系统

1.1.1.2激光气体控制系统

1.1.2激光气体再生系统

1.2动作

1.2.1准分子激光装置的动作

1.2.1.1激光振荡系统的动作

1.2.1.2激光气体控制系统的动作

1.2.2激光气体再生系统的动作

1.2.2.1主流程

1.2.2.2初始设定子例程

1.2.2.3气体回收/升压子例程

1.2.2.4气体精制/调节子例程

1.2.2.5惰性再生气体贮藏/供给子例程

1.3课题

2.在惰性再生气体中添加氟气的激光气体再生系统

2.1结构

2.2动作

2.2.1主流程

2.2.2初始设定子例程

2.2.3氟添加再生气体贮藏/供给子例程

2.2.3.1氟添加再生气体贮藏子例程

2.2.3.2氟添加再生气体供给子例程

2.3作用

3.包含收容有固体卤素的卤素气体供给源的激光气体再生系统

3.1结构

3.2动作

3.2.1初始设定子例程

3.2.2氟添加再生气体贮藏/供给子例程

3.2.2.1氟添加再生气体罐的休止中子例程

3.2.2.2氟添加再生气体罐的贮藏准备子例程

3.2.2.3氟添加再生气体罐的贮藏中子例程

3.2.2.4氟添加再生气体罐的供给准备子例程

3.2.2.5氟添加再生气体罐的供给中子例程

3.3作用

4.包含多个氟添加再生气体罐的激光气体再生系统

4.1结构

4.2动作

4.2.1初始设定子例程

4.2.2氟添加再生气体贮藏/供给子例程

4.2.2.1第1和第2氟添加再生气体罐的休止中子例程

4.2.2.2第1和第2氟添加再生气体罐的贮藏准备子例程

4.2.2.3第1和第2氟添加再生气体罐的贮藏中子例程

4.2.2.4第1和第2氟添加再生气体罐的供给准备子例程

4.2.2.5第1和第2氟添加再生气体罐的供给中子例程

4.3作用

5.不使用氙气的激光装置用的激光气体再生系统

6.与多个激光装置连接的激光气体再生系统

6.1结构

6.2动作

6.3作用

7.各种捕集器配置在升压罐的下游侧而成的激光气体再生系统

7.1结构

7.2作用

8.在惰性新气体中添加氟气的激光气体再生系统

8.1结构

8.2动作

8.2.1初始设定子例程

8.2.2氟添加再生气体贮藏子例程

8.2.3氟添加再生气体供给子例程

8.3作用

9.其他

下面，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式示出本公开的一例，并不限定本公开的内容。并且，各实施方式中说明的全部结构和动作不一定必须作为本公开的结构和动作。另外，对相同构成要素标注相同参照标号并省略重复说明。

1.比较例的准分子激光装置和激光气体再生系统

1.1结构

图1概略地示出比较例的准分子激光装置30和激光气体再生系统50的结构。

1.1.1准分子激光装置

准分子激光装置30包含激光控制部31、激光振荡系统32、激光气体控制系统40。

准分子激光装置30能够与曝光装置100一起使用。从准分子激光装置30输出的激光束能够入射到曝光装置100。曝光装置100包含曝光装置控制部110。曝光装置控制部110构成为对曝光装置100进行控制。曝光装置控制部110构成为对准分子激光装置30中包含的激光控制部31发送目标脉冲能量的设定信号，或者发送发光触发信号。

激光控制部31构成为对激光振荡系统32和激光气体控制系统40进行控制。激光控制部31从激光振荡系统32中包含的功率监测器17和腔压力传感器P1接收测定数据。

1.1.1.1激光振荡系统

激光振荡系统32包含激光腔10、充电器12、脉冲功率模块13、窄带化模块14、输出耦合镜15、腔压力传感器P1、功率监测器17。

激光腔10配置在由窄带化模块14和输出耦合镜15构成的激光谐振器的光路上。在激光腔10中设置有两个窗口10a和10b。激光腔10收容有一对放电电极11a和11b。激光腔10收容激光气体。

充电器12保持用于向脉冲功率模块13供给的电能。脉冲功率模块13包含开关13a。脉冲功率模块13构成为对一对放电电极11a和11b之间施加脉冲电压。

窄带化模块14包含棱镜14a和光栅14b。输出耦合镜15由部分反射镜构成。

腔压力传感器P1构成为测定激光腔10内的气压。腔压力传感器P1测定激光气体的整体压力。腔压力传感器P1构成为向激光控制部31、激光气体控制系统40中包含的气体控制部47发送气压的测定数据。

功率监测器17包含分束器17a、会聚透镜17b、光传感器17c。分束器17a配置在从输出耦合镜15输出的激光束的光路上。分束器17a构成为朝向曝光装置100以较高透射率透射从输出耦合镜15输出的激光束的一部分，并且反射另一部分。会聚透镜17b和光传感器17c配置在由分束器17a反射的激光束的光路上。会聚透镜17b构成为使由分束器17a反射的激光束会聚在光传感器17c上。光传感器17c构成为向激光控制部31发送与由会聚透镜17b会聚的激光束的脉冲能量对应的电信号作为测定数据。

1.1.1.2激光气体控制系统

激光气体控制系统40包含气体控制部47、气体供给装置42、排气装置43。气体控制部47构成为在与激光控制部31之间发送接收信号。气体控制部47构成为接收从激光振荡系统32中包含的腔压力传感器P1输出的测定数据。气体控制部47构成为对气体供给装置42和排气装置43进行控制。气体控制部47构成为对气体供给装置42中包含的阀F2-V1和B-V1、以及排气装置43中包含的阀EX-V1、EX-V2、C-V1和排气泵46进行控制。

气体供给装置42包含与含氟气体供给源F2连接的配管28的一部分、以及与激光振荡系统32中包含的激光腔10连接的配管29的一部分。配管28相当于本公开中的第2配管。配管28与配管29连接，由此，含氟气体供给源F2能够向激光腔10供给含氟气体。含氟气体供给源F2是收容有含氟气体的气瓶。含氟气体例如是混合了氟气、氩气和氖气而得到的激光气体。从含氟气体供给源F2朝向配管28的激光气体的供给压力被调节器44设定为例如5000hPa以上且6000hPa以下的值。气体供给装置42包含设置在配管28中的阀F2-V1。从含氟气体供给源F2经由配管29朝向激光腔10的含氟气体的供给通过阀F2-V1的开闭来控制。阀F2-V1的开闭通过气体控制部47来控制。

气体供给装置42还包含连接在激光气体再生系统50与配管29之间的配管27的一部分。配管27相当于本公开中的第1配管。配管27与配管29连接，由此，激光气体再生系统50能够向激光腔10供给缓冲气体。缓冲气体例如是包含氩气、氖气和少量氙气的激光气体。缓冲气体也可以是从后述缓冲气体供给源B供给的惰性新气体，还可以是在激光气体再生系统50中减少了杂质的惰性再生气体。气体供给装置42包含设置在配管27中的阀B-V1。从激光气体再生系统50经由配管29朝向激光腔10的缓冲气体的供给通过阀B-V1的开闭来控制。阀B-V1的开闭通过气体控制部47来控制。

排气装置43包含与激光振荡系统32中包含的激光腔10连接的配管21的一部分、以及与装置外部的未图示的排气处理装置等连接的配管22的一部分。配管21相当于本公开中的第3配管。配管21与配管22连接，由此，从激光腔10排出的排出气体能够排出到装置外部。

排气装置43包含设置在配管21中的阀EX-V1、以及设置在配管21中的氟捕集器45。阀EX-V1和氟捕集器45按照该顺序从激光腔10侧起被配置。从激光腔10朝向氟捕集器45的排出气体的排气通过阀EX-V1的开闭来控制。阀EX-V1的开闭通过气体控制部47来控制。

氟捕集器45构成为对从激光腔10排出的排出气体中包含的氟气和氟化合物进行捕捉。对氟气和氟化合物进行捕捉的处理剂例如包含沸石和氧化钙的组合。由此，氟气和氧化钙进行反应，生成氟化钙和氧气。氟化钙残留在氟捕集器45中，氧气由后述氧捕集器67捕捉。氧化钙中未去除干净的氟化合物等杂质气体的一部分被沸石吸附。

排气装置43包含设置在配管22中的阀EX-V2、以及设置在配管22中的排气泵46。阀EX-V2和排气泵46按照该顺序从激光腔10侧起被配置。从氟捕集器45的出口朝向装置外部的排出气体的排出通过阀EX-V2的开闭来控制。阀EX-V2的开闭通过气体控制部47来控制。排气泵46构成为在阀EX-V1和EX-V2打开的状态下，将激光腔10内的激光气体强制排出，直到大气压以下的压力为止。排气泵46的动作通过气体控制部47来控制。

排气装置43包含旁通配管23。旁通配管23连接在排气泵46的入口侧的配管22与排气泵46的出口侧的配管22之间。排气装置43包含设置在旁通配管23中的止回阀48。止回阀48构成为在阀EX-V1和EX-V2打开时对填充成大气压以上的激光腔10内的激光气体的一部分进行排气。

排气装置43还包含配管24的一部分。配管24连接在激光气体再生系统50与配管21和配管22的连接部分之间。配管24与配管21和配管22的连接部分连接，由此，能够向激光气体再生系统50供给从激光腔10排出的排出气体。排气装置43包含设置在配管24中的阀C-V1。从氟捕集器45的出口朝向激光气体再生系统50的排出气体的供给通过阀C-V1的开闭来控制。阀C-V1的开闭通过气体控制部47来控制。

1.1.2激光气体再生系统

激光气体再生系统50包含气体再生控制部51、配管24的一部分、配管27的一部分、配管25。配管24与激光气体控制系统40的排气装置43连接。配管27与激光气体控制系统40的气体供给装置42连接。配管25连接在配管24与配管27之间。

在激光气体再生系统50中，在配管24中，过滤器61、回收罐63、升压泵64、氧捕集器67、氙捕集器68、净化器69、升压罐65、调节器66、质量流量控制器MFC1按照该顺序从排气装置43侧起被配置。在配管24与配管25之间配置有氙添加装置75。在配管25中，惰性再生气体罐81、过滤器83、阀B-CV1按照该顺序从氙添加装置75侧起被配置。利用配管24和配管25构成从阀C-V1到阀B-CV1的气体精制流路。本公开中的气体精制部包含过滤器61、氧捕集器67、氙捕集器68、净化器69中的至少一方。本公开中的第1再生气体供给部包含氙添加装置75和惰性再生气体罐81中的至少一方。

激光气体再生系统50还包含与缓冲气体供给源B连接的配管26的一部分。配管26连接在配管25与配管27的连接部分。缓冲气体供给源B例如是收容有缓冲气体的气瓶。在本公开中，与从配管25供给的惰性再生气体进行分区，有时将从缓冲气体供给源B供给且还未到达激光腔10的缓冲气体称为惰性新气体。从缓冲气体供给源B朝向配管26的惰性新气体的供给压力被调节器86设定为例如5000hPa以上且6000hPa以下的值。激光气体再生系统50包含设置在配管26中的阀B-V2。

激光气体再生系统50中包含的过滤器61是对从排气装置43导入的排出气体中包含的粒子进行捕捉的机械过滤器。所捕捉的粒子主要是在激光腔10中由于放电而生成的粒子。

回收罐63是收容通过了过滤器61的排出气体的容器。在回收罐63中安装有回收压力传感器P2。

升压泵64是对从回收罐63导入的排出气体进行升压而输出升压气体的泵。升压泵64例如由油在排出气体中的混入较少的隔膜型或波纹管型的泵构成。

氧捕集器67具有从升压气体中捕捉氧气的处理剂。所捕捉的氧气主要是在氟捕集器45中由于氟气与氧化钙的反应而生成的氧气。捕捉氧气的处理剂包含镍(Ni)系催化剂、铜(Cu)系催化剂和它们的复合物中的至少一方。氧捕集器67具有未图示的加热装置和温度调节装置。

氙捕集器68构成为从通过了氧捕集器67的排出气体中去除氙气。氙捕集器68例如是使用了能够选择性地吸附氙的Ca-X型沸石、Na-Y型沸石或活性碳的装置。氙捕集器68包含未图示的加热装置和温度调节装置。

净化器69构成为从通过了氧捕集器67的排出气体中捕集微量的水蒸气、氧气、一氧化碳气体、二氧化碳气体、氮气等杂质气体。净化器69例如是包含金属吸气剂的金属过滤器。金属吸气剂例如是锆(Zr)系合金。

升压罐65是收容从氟捕集器45通过净化器69的惰性再生气体的容器。在升压罐65中安装有升压压力传感器P3。

调节器66构成为使从升压罐65供给的惰性再生气体的压力成为例如5000hPa以上且6000hPa以下的值而供给至质量流量控制器MFC1。

质量流量控制器MFC1包含未图示的质量流量计和阀。根据由质量流量计计测出的流量对阀的开度进行控制。由此，质量流量控制器MFC1对惰性再生气体的流量进行控制。

氙添加装置75包含含氙气瓶76、配管20、调节器77、质量流量控制器MFC2、混合器79。

含氙气瓶76与配管20的一端连接。调节器77和质量流量控制器MFC2配置在配管20中。调节器77和质量流量控制器MFC2按照该顺序从含氙气瓶76侧起依次被配置。混合器79配置在配管24与配管20的合流位置。混合器79的输出与配管25连接。

含氙气瓶76是收容有含氙气体的气瓶。含氙气体是除了氩气和氖气以外还混合了氙气的激光气体。含氙气体中包含的氙气的浓度被调节成比ArF准分子激光装置中的最佳的氙气浓度高的值。

调节器77构成为使从含氙气瓶76供给的含氙气体的压力成为例如5000hPa以上且6000hPa以下的值而供给至质量流量控制器MFC2。

质量流量控制器MFC2包含未图示的质量流量计和阀。根据由质量流量计计测出的流量对阀的开度进行控制。由此，质量流量控制器MFC2对从调节器77供给的含氙气体的流量进行控制。

混合器79构成为在从质量流量控制器MFC1供给的惰性再生气体中均匀地混合从质量流量控制器MFC2供给的含氙气体。

配置在配管25中的惰性再生气体罐81是收容从混合器79供给的惰性再生气体的容器。在惰性再生气体罐81中安装有惰性气体压力传感器P4。

过滤器83是在从惰性再生气体罐81供给的惰性再生气体中捕捉粒子的机械过滤器。所捕捉的粒子主要是在激光气体再生系统50中生成的粒子。

1.2动作

1.2.1准分子激光装置的动作

1.2.1.1激光振荡系统的动作

激光控制部31从曝光装置控制部110接收目标脉冲能量的设定信号和发光触发信号。激光控制部31根据从曝光装置控制部110接收到的目标脉冲能量的设定信号，向充电器12发送充电电压的设定信号。此外，激光控制部31根据从曝光装置控制部110接收到的发光触发信号，向脉冲功率模块(PPM)13中包含的开关13a发送发光触发。

脉冲功率模块13的开关13a从激光控制部31接收发光触发后，成为接通状态。脉冲功率模块13在开关13a成为接通状态后，根据充电器12充入的电能生成脉冲状的高电压。脉冲功率模块13对一对放电电极11a和11b施加该高电压。

当对一对放电电极11a和11b之间施加高电压时，在一对放电电极11a和11b之间发生放电。通过该放电的能量，激光腔10内的激光气体被激励，而跃迁到高能级。然后，在被激励的激光气体跃迁到低能级时，放出与其能级差对应的波长的光。

激光腔10内产生的光经由窗口10a和10b向激光腔10的外部射出。从激光腔10的窗口10a射出的光被棱镜14a扩大波束宽度而入射到光栅14b。从棱镜14a入射到光栅14b的光被光栅14b的多个槽反射，并且向与光的波长对应的方向进行衍射。光栅14b被进行利特罗配置，使得从棱镜14a入射到光栅14b的光的入射角和期望波长的衍射光的衍射角一致。由此，期望波长附近的光经由棱镜14a返回激光腔10。

输出耦合镜15使从激光腔10的窗口10b射出的光中的一部分透射而输出，使另一部分反射而返回激光腔10。

这样，从激光腔10射出的光在窄带化模块14与输出耦合镜15之间往复，每当通过一对放电电极11a和11b之间的放电空间时被放大，进行激光振荡。该光每当在窄带化模块14折返时被窄带化。这样放大并窄带化的光作为激光束从输出耦合镜15进行输出。

功率监测器17检测从输出耦合镜15输出的激光束的脉冲能量。功率监测器17向激光控制部31发送检测到的脉冲能量的数据。

激光控制部31根据从功率监测器17接收到的脉冲能量的测定数据和从曝光装置控制部110接收到的目标脉冲能量的设定信号，对充电器12中设定的充电电压进行反馈控制。

1.2.1.2激光气体控制系统的动作

在长时间运转准分子激光装置时，在激光腔内的激光气体中生成杂质。激光气体中生成的杂质有时吸收脉冲激光束或使放电的状态恶化。

因此，准分子激光装置30的激光气体控制系统40通过基于气体控制部47的以下控制进行部分气体更换，减少激光腔10内的杂质。

气体控制部47对气体供给装置42进行控制，在激光腔10内注入第1规定量的缓冲气体，在激光腔10内注入第2规定量的含氟气体。然后，气体控制部47对排气装置43进行控制，使与第1规定量和第2规定量的合计相当的量的气体从激光腔10排出。

例如，每当激光腔的输出脉冲数达到一定值时进行部分气体更换。或者，每当激光腔的运转时间达到一定值时进行部分气体更换。

为了在激光腔10内注入第1规定量的缓冲气体，气体供给装置42打开阀B-V1，然后将其关闭。缓冲气体是从缓冲气体供给源B经由阀B-V2供给的惰性新气体、或在激光气体再生系统50中减少杂质且经由阀B-CV1供给的惰性再生气体中的任意一方。

为了在激光腔10内注入第2规定量的含氟气体，气体供给装置42打开阀F2-V1，然后将其关闭。从含氟气体供给源F2供给含氟气体。

为了将激光腔10内的激光气体的一部分排出到排气装置43，排气装置43打开阀EX-V1。在将排出气体排出到装置外部的情况下，排气装置43还打开阀EX-V2。或者，在向激光气体再生系统50供给排出气体的情况下，排气装置43代替阀EX-V2而打开阀C-V1。

通过以上的部分气体更换，向激光腔10供给杂质较少的规定量的气体，以与该供给的气体的量相同的量将激光腔10内的气体排出。由此，能够减少激光腔10内的氟化氢(HF)、四氟化碳(CF₄)、四氟化硅(SiF₄)、三氟化氮(NF₃)、六氟乙烷(C₂F₆)等杂质。此外，通过向激光腔10供给第1规定量的缓冲气体和第2规定量的含氟气体，能够使部分气体更换后的氟气分压与部分气体更换前的氟气分压相同。

1.2.2激光气体再生系统的动作

气体再生控制部51在与激光控制部31之间发送接收信号。气体再生控制部51对激光气体再生系统50的各结构要素进行控制。

安装在回收罐63中的回收压力传感器P2测定回收罐63的内部的气压。回收压力传感器P2将测定出的气压的数据输出到气体再生控制部51。

升压泵64由气体再生控制部51来控制。气体再生控制部51对升压泵64进行控制，使得在从回收压力传感器P2接收到的回收罐63的气压例如为大气压以上的情况下，升压泵64进行动作。

氧捕集器67的未图示的加热装置和温度调节装置由气体再生控制部51来控制。

氙捕集器68的未图示的加热装置和温度调节装置由气体再生控制部51来控制。

安装在升压罐65中的升压压力传感器P3测定升压罐65的内部的气压。升压压力传感器P3将测定出的气压的数据输出到气体再生控制部51。

质量流量控制器MFC1的流量由气体再生控制部51来设定。

在氙添加装置75中，通过气体再生控制部51设定质量流量控制器MFC2的流量。设定质量流量控制器MFC1的流量和质量流量控制器MFC2的流量，使得在混合器79中与含氙气体混合后的惰性再生气体的氙气浓度成为期望值。

安装在惰性再生气体罐81中的惰性气体压力传感器P4测定惰性再生气体罐81的内部的气压。惰性气体压力传感器P4将测定出的气压的数据输出到气体再生控制部51。

从气体精制流路经由配管27朝向气体供给装置42的惰性再生气体的供给通过阀B-CV1的开闭来控制。阀B-CV1的开闭通过气体再生控制部51来控制。阀B-CV1相当于本公开中的第2阀。

从缓冲气体供给源B经由配管27朝向气体供给装置42的惰性新气体的供给通过阀B-V2的开闭来控制。阀B-V2的开闭通过气体再生控制部51来控制。阀B-V2相当于本公开中的第1阀。

气体再生控制部51选择关闭阀B-CV1而打开阀B-V2，或者关闭阀B-V2而打开阀B-CV1，对这些阀进行控制。

1.2.2.1主流程

图2是示出图1所示的气体再生控制部51的处理的流程图。气体再生控制部51如下所述进行激光气体的再生。另外，在以下的流程图中，“Y”表示判断为“是”的情况下的分支目的地，“N”表示判断为“否”的情况下的分支目的地。

首先，在S100中，气体再生控制部51通过初始设定子例程进行气体再生的准备。初始设定子例程的详细情况参照图3在后面叙述。

在S100之后，气体再生控制部51并列进行S200、S300和S400的处理。或者，气体再生控制部51也可以依次进行S200、S300和S400的处理。S200、S300和S400的处理顺序没有特别限定。

在S200中，气体再生控制部51通过气体回收/升压子例程进行升压泵64的控制。气体回收/升压子例程的详细情况参照图4在后面叙述。

在S300中，气体再生控制部51通过气体精制/调节子例程进行质量流量控制器MFC1和质量流量控制器MFC2的控制。气体精制/调节子例程的详细情况参照图5在后面叙述。

在S400中，气体再生控制部51通过惰性再生气体贮藏/供给子例程进行阀B-CV1和阀B-V2的控制。惰性再生气体贮藏/供给子例程的详细情况参照图6在后面叙述。

在S200、S300和S400之后，气体再生控制部51使处理进入S600。在S600中，气体再生控制部51判定是否停止激光气体的再生。例如，气体再生控制部51在升压泵64等激光气体再生系统50的一部分故障的情况下、或根据各种过滤器的寿命等进行维护的情况下，判断为停止激光气体的再生。

在不停止激光气体的再生的情况下(S600：否)，气体再生控制部51使处理返回上述S200、S300和S400。

在停止激光气体的再生的情况下(S600：是)，气体再生控制部51使处理进入S700。

在S700中，气体再生控制部51向激光控制部31输出用于通知激光气体的再生停止的信号。

在S700之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理。

1.2.2.2初始设定子例程

图3是示出比较例中的初始设定子例程的详细情况的流程图。图3所示的处理作为图2所示的S100的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S110中，气体再生控制部51进行气体再生的准备。在气体再生的准备中，气体再生控制部51利用激光气体充满配管24、25、26、27和20，或者使其成为真空状态。此外，气体再生控制部51也可以对氧捕集器67的加热器进行控制。

接着，在S120中，气体再生控制部51关闭阀B-CV1，打开阀B-V2。由此，激光气体再生系统50成为停止向激光腔10供给惰性再生气体而能够供给惰性新气体的状态。

接着，在S130中，气体再生控制部51将质量流量控制器MFC1的流量MFC1和质量流量控制器MFC2的流量MFC2分别设定为0。由此，激光气体再生系统50成为停止向氙添加装置75的混合器79流入惰性再生气体和含氙气体的状态。在以下的说明中，表示质量流量控制器的MFC1、MFC2等标号和表示该质量流量控制器的流量的MFC1、MFC2等标号使用相同标号。

接着，在S180中，气体再生控制部51向激光控制部31输出表示气体再生准备OK的信号。激光控制部31向气体控制部47发送来自气体再生控制部51的信号。气体控制部47关闭排气装置43的阀EX-V2，打开排气装置43的阀C-V1。激光控制部31对气体再生控制部51输出许可气体再生的信号。

接着，在S190中，气体再生控制部51判定是否从激光控制部31接收到许可气体再生的信号。气体再生控制部51在未接收到许可气体再生的信号的情况下，待机到接收到许可气体再生的信号为止。气体再生控制部51在接收到许可气体再生的信号的情况下，结束本流程图的处理，返回图2的处理。

1.2.2.3气体回收/升压子例程

图4是示出比较例中的气体回收/升压子例程的详细情况的流程图。图4所示的处理作为图2所示的S200的子例程而由气体再生控制部51来进行。气体再生控制部51通过以下的处理对升压泵64进行控制，对回收罐63中收容的排出气体进行升压，经由各种捕集器将其收容在升压罐65中。

首先，在S210中，气体再生控制部51读入从回收压力传感器P2输出的回收罐63的压力P2和从升压压力传感器P3输出的升压罐65的压力P3。在以下的说明中，表示压力传感器的P2、P3等标号和表示从该压力传感器输出的压力值的P2、P3等标号使用相同标号。

接着，在S220中，气体再生控制部51判定是否是回收罐63的压力P2高于规定值P2min、且升压罐65的压力P3为规定值P3max2以下。规定值P2min被设定为比大气压稍低的值、例如900hPa以上且1000hPa以下的值。规定值P3max2例如被设定为比升压罐65的设计上的上限压力低且接近上限压力的压力。

在压力P2为规定值P2min以下的情况下、或压力P3高于规定值P3max2的情况下(S220：否)，气体再生控制部51使处理进入S230。

在压力P2高于规定值P2min且压力P3为规定值P3max2以下的情况下(S220：是)，气体再生控制部51使处理进入S240。

在S230中，气体再生控制部51停止升压泵64的运转。由此，在回收罐63的压力过低的情况下或升压罐65的压力过高的情况下，使升压泵64停止。

在S240中，气体再生控制部51开始进行升压泵64的运转，或者在已经开始运转的情况下继续进行运转。

在S230之后或S240之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图2所示的处理。

1.2.2.4气体精制/调节子例程

图5是示出比较例中的气体精制/调节子例程的详细情况的流程图。图5所示的处理作为图2所示的S300的子例程而由气体再生控制部51来进行。气体再生控制部51通过以下的处理对质量流量控制器MFC1和质量流量控制器MFC2进行控制，在升压罐65中收容的惰性再生气体中添加氙气，而将其收容在惰性再生气体罐81中。

首先，在S310中，气体再生控制部51读入从升压压力传感器P3输出的升压罐65的压力P3和从惰性气体压力传感器P4输出的惰性再生气体罐81的压力P4。

接着，在S320中，气体再生控制部51判定是否是升压罐65的压力P3高于规定值P3max、且惰性再生气体罐81的压力P4为规定值P4max以下。规定值P3max被设定为比规定值P3max2低、且与缓冲气体供给源B的调节器86的压力相同或以上的值、例如7000hPa以上且8000hPa以下的值。规定值P4max例如被设定为比惰性再生气体罐81的设计上的上限压力低且接近上限压力的压力。

在压力P3为规定值P3max以下的情况下、或压力P4高于规定值P4max的情况下(S320：否)，气体再生控制部51使处理进入S330。

在压力P3高于规定值P3max且压力P4为规定值P4max以下的情况下(S320：是)，气体再生控制部51使处理进入S340。

在S330中，气体再生控制部51将质量流量控制器MFC1的流量MFC1和质量流量控制器MFC2的流量MFC2分别设定为0。由此，在升压罐65的压力过低的情况下或惰性再生气体罐81的压力过高的情况下，激光气体再生系统50成为停止向氙添加装置75的混合器79流入惰性再生气体和含氙气体的状态。

在S340中，气体再生控制部51将质量流量控制器MFC1的流量MFC1设定为规定值SCCM1，将质量流量控制器MFC2的流量MFC2设定为规定值SCCM2。由此，向氙添加装置75的混合器79流入惰性再生气体和含氙气体，从混合器79输出的惰性再生气体收容在惰性再生气体罐81中。分别设定规定值SCCM1和规定值SCCM2，使得在混合器79中混合后的惰性再生气体的氙气浓度成为期望值。

在S330之后或S340之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图2所示的处理。

1.2.2.5惰性再生气体贮藏/供给子例程

图6是示出比较例中的惰性再生气体贮藏/供给子例程的详细情况的流程图。图6所示的处理作为图2所示的S400的子例程而由气体再生控制部51来进行。气体再生控制部51通过以下的处理对阀B-CV1和阀B-V2进行控制，利用惰性再生气体和惰性新气体切换向激光腔10供给的缓冲气体。

首先，在S410中，气体再生控制部51读入从惰性气体压力传感器P4输出的惰性再生气体罐81的压力P4。

接着，在S420中，气体再生控制部51判定惰性再生气体罐81的压力P4是否高于规定值P4min。规定值P4min被设定为与缓冲气体供给源B的调节器86的压力相同的值、例如7000hPa以上且8000hPa以下的值。

在压力P4为规定值P4min以下的情况下(S420：否)，气体再生控制部51使处理进入S430。

在压力P4高于规定值P4min的情况下(S420：是)，气体再生控制部51使处理进入S450。

在S430中，气体再生控制部51关闭阀B-CV1，打开阀B-V2。由此，激光气体再生系统50成为停止向激光腔10供给惰性再生气体而能够供给惰性新气体的状态。

在S430之后，在S440中，气体再生控制部51向激光控制部31输出惰性再生气体供给NG信号。

在S450中，气体再生控制部51关闭阀B-V2，打开阀B-CV1。由此，激光气体再生系统50成为停止向激光腔10供给惰性新气体而能够供给惰性再生气体的状态。

在S450之后，在S460中，气体再生控制部51向激光控制部31输出惰性再生气体供给OK信号。

在S440之后或S460之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图2所示的处理。

1.3课题

在上述比较例中，从激光腔10排出的激光气体通过氟捕集器45，从激光气体中去除氟气。激光气体再生系统50对去除了氟气的激光气体进行精制，作为惰性再生气体返回激光腔10。进而，激光气体控制系统40向激光腔10供给与惰性再生气体不同的含氟气体，使得部分气体更换后的氟气分压与部分气体更换前的氟气分压相同。这样，向激光腔10供给与惰性再生气体不同的含氟气体，因此，无法使全部惰性再生气体返回激光腔10，有时无法实现惰性再生气体的高利用率。

在以下说明的实施方式中，激光气体再生系统具有气体精制部、分支部、第1再生气体供给部、第2再生气体供给部。通过了气体精制部的惰性再生气体经由分支部被供给到第1再生气体供给部和第2再生气体供给部。第2再生气体供给部在惰性再生气体中添加氟气，而生成氟添加再生气体。能够向激光腔供给氟添加再生气体，由此，降低从含氟气体供给源F2供给的气体的利用率，能够提高再生气体的利用率。

2.在惰性再生气体中添加氟气的激光气体再生系统

2.1结构

图7概略地示出本公开的第1实施方式的激光气体再生系统50a的结构。在第1实施方式中，激光气体再生系统50a包含配管33、34和35。激光气体再生系统50a在上述比较例的结构的基础上，具有氟添加再生气体罐71、氟气供给源72、质量流量控制器F2-MFC1和F2-MFC2、阀F2-V2和F2-CV1。本公开中的第2再生气体供给部包含配管33、34和35、氟添加再生气体罐71、氟气供给源72、质量流量控制器F2-MFC1和F2-MFC2中的至少一方。

配管33与配管24的调节器66的下游侧连接。质量流量控制器F2-MFC1配置在配管33中。下面，设经由上述质量流量控制器MFC1而与混合器79连接的配管为配管39。设从配管24分支成配管33和配管39的部分为分支部89。配管39相当于本公开中的第4配管，配管33相当于本公开中的第5配管。

质量流量控制器F2-MFC1包含未图示的质量流量计和阀，相当于本公开中的第6阀。根据由质量流量计计测出的流量对阀的开度进行控制。由此，质量流量控制器F2-MFC1对惰性再生气体的流量进行控制。

氟气供给源72是供给氟浓度比含氟气体供给源F2高的激光气体的装置。在以下的说明中，将从氟气供给源72供给的激光气体称为高氟气体。氟气供给源72例如是收容有高氟气体的气瓶。高氟气体的氟浓度例如可以为5％左右。

配管34与氟气供给源72连接。质量流量控制器F2-MFC2配置在配管34中。

质量流量控制器F2-MFC2包含未图示的质量流量计和阀。根据由质量流量计计测出的流量对阀的开度进行控制。由此，质量流量控制器F2-MFC2对高氟气体的流量进行控制。

氟添加再生气体罐71配置在配管33和配管34的合流位置。氟添加再生气体罐71是对由配管33供给的惰性再生气体和由配管34供给的高氟气体进行混合并作为氟添加再生气体而进行收容的容器。在氟添加再生气体罐71中安装有氟添加气体压力传感器P5。

氟添加再生气体罐71还与配管35连接。配管35经由阀F2-CV1而与配管28的阀F2-V1的上游侧连接。配管35相当于本公开中的第6配管。从氟添加再生气体罐71经由配管35和配管28朝向气体供给装置42的氟添加再生气体的供给通过阀F2-CV1的开闭来控制。阀F2-CV1相当于本公开中的第4阀。

下面，设从上述含氟气体供给源F2经由调节器44而与配管28和配管35的连接部连接的配管为配管36。在调节器44的下游侧的配管36中配置有阀F2-V2。与从配管35供给的氟添加再生气体进行分区，有时将从含氟气体供给源F2供给且还未到达激光腔10的含氟气体称为含氟新气体。从含氟气体供给源F2经由配管28朝向气体供给装置42的含氟新气体的供给通过阀F2-V2的开闭来控制。阀F2-V2相当于本公开中的第3阀。

其他方面与上述比较例相同。

2.2动作

通过气体再生控制部51分别设定质量流量控制器F2-MFC1的流量和质量流量控制器F2-MFC2的流量。设定这些流量，使得在氟添加再生气体罐71中混合后的氟添加再生气体的氟浓度成为期望值。氟添加再生气体的氟浓度与从含氟气体供给源F2供给的含氟新气体的氟浓度相同，例如设为1％。

安装在氟添加再生气体罐71中的氟添加气体压力传感器P5测定氟添加再生气体罐71的内部的气压。氟添加气体压力传感器P5将测定出的气压的数据输出到气体再生控制部51。

2.2.1主流程

图8是示出第1实施方式的激光气体再生系统中的气体再生控制部51的处理的流程图。气体再生控制部51如下所述进行激光气体的再生。

首先，在S100a中，气体再生控制部51通过初始设定子例程进行气体再生的准备。初始设定子例程的详细情况参照图9在后面叙述。

在S100a之后，气体再生控制部51并列进行S200、S300、S400和S500a的处理。或者，气体再生控制部51也可以依次进行S200、S300、S400和S500a的处理。S200、S300、S400和S500a的处理顺序没有特别限定。

S200、S300和S400的处理与上述比较例中对应的处理相同。

在S500a中，气体再生控制部51通过氟添加再生气体贮藏/供给子例程在氟添加再生气体罐71中贮藏氟添加再生气体，并向激光腔10供给该氟添加再生气体。氟添加再生气体贮藏/供给子例程的详细情况参照图10～图12在后面叙述。

在S200、S300、S400和S500a之后，气体再生控制部51使处理进入S600。S600和此后的S700的处理与上述比较例中对应的处理相同。

在S700之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理。

2.2.2初始设定子例程

图9是示出第1实施方式中的初始设定子例程的详细情况的流程图。图9所示的处理作为图8所示的S100a的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，S110～S130的处理与上述比较例中对应的处理相同。

接着，在S140a中，气体再生控制部51将质量流量控制器F2-MFC1的流量F2-MFC1和质量流量控制器F2-MFC2的流量F2-MFC2分别设定为0。由此，成为停止向氟添加再生气体罐71流入惰性再生气体和高氟气体的状态。

接着，在S160a中，气体再生控制部51将氟添加再生气体贮藏/供给标志FL的值设定为表示贮藏中的值、例如0。下面，有时将氟添加再生气体贮藏/供给标志FL简称为标志FL。

此后的S180和S190的处理与上述比较例中对应的处理相同。

在S190之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图8的处理。

2.2.3氟添加再生气体贮藏/供给子例程

图10是示出第1实施方式中的氟添加再生气体贮藏/供给子例程的详细情况的流程图。图10所示的处理作为图8所示的S500a的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S510a中，气体再生控制部51判定氟添加再生气体贮藏/供给标志FL的值。标志FL的值例如可以是0或1。在标志FL的值为0的情况下(S510a：是)，气体再生控制部51使处理进入S520a。在标志FL的值为1的情况下(S510a：否)，气体再生控制部51使处理进入S530a。

在S520a中，气体再生控制部51通过氟添加再生气体贮藏子例程在氟添加再生气体罐71中贮藏氟添加再生气体。氟添加再生气体贮藏子例程的详细情况参照图11在后面叙述。

在S530a中，气体再生控制部51通过氟添加再生气体供给子例程从氟添加再生气体罐71向激光腔10供给氟添加再生气体。氟添加再生气体供给子例程的详细情况参照图12在后面叙述。

在S520a或S530a之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图8所示的处理。

2.2.3.1氟添加再生气体贮藏子例程

图11是示出氟添加再生气体贮藏子例程的详细情况的流程图。图11所示的处理作为图10所示的S520a的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S522a中，气体再生控制部51关闭阀F2-CV1，打开阀F2-V2。由此，成为停止向激光腔10供给氟添加再生气体而能够供给含氟新气体的状态。

接着，在S524a中，气体再生控制部51读入从升压压力传感器P3输出的升压罐65的压力P3和从氟添加气体压力传感器P5输出的氟添加再生气体罐71的压力P5。

接着，在S525a中，气体再生控制部51判定是否是升压罐65的压力P3高于规定值P3max、且氟添加再生气体罐71的压力P5为规定值P5max以下。规定值P3max被设定为比规定值P3max2低且与含氟气体供给源F2的调节器44的压力相同或以上的值、例如7000hPa以上且8000hPa以下的值。规定值P5max例如被设定为比氟添加再生气体罐71的设计上的上限压力低且接近上限压力的压力。

在压力P3为规定值P3max以下的情况下、或压力P5高于规定值P5max的情况下(S525a：否)，气体再生控制部51使处理进入S526a。

在压力P3高于规定值P3max且压力P5为规定值P5max以下的情况下(S525a：是)，气体再生控制部51使处理进入S527a。

在S526a中，气体再生控制部51将质量流量控制器F2-MFC1的流量F2-MFC1和质量流量控制器F2-MFC2的流量F2-MFC2分别设定为0。由此，在升压罐65的压力过低的情况下或氟添加再生气体罐71的压力过高的情况下，成为停止向氟添加再生气体罐71流入惰性再生气体和高氟气体的状态。

在S527a中，气体再生控制部51将质量流量控制器F2-MFC1的流量F2-MFC1设定为规定值F2-SCCM1，将质量流量控制器F2-MFC2的流量F2-MFC2设定为规定值F2-SCCM2。由此，向氟添加再生气体罐71流入惰性再生气体和高氟气体，氟添加再生气体收容在氟添加再生气体罐71中。分别设定规定值F2-SCCM1和规定值F2-SCCM2，使得在氟添加再生气体罐71中生成的氟添加再生气体的氟浓度成为期望值。

在S526a或S527a之后，气体再生控制部51使处理进入S528a。

在S528a中，气体再生控制部51判定氟添加再生气体罐71的压力P5是否高于规定值P5max。规定值P5max例如被设定为比氟添加再生气体罐71的设计上的上限压力低且接近上限压力的压力。

在压力P5为规定值P5max以下的情况下(S528a：否)，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图10所示的处理。

在压力P5高于规定值P5max的情况下(S528a：是)，气体再生控制部51使处理进入S529a。

在S529a中，气体再生控制部51将氟添加再生气体贮藏/供给标志FL的值设定为表示供给中的值、例如1。

在S529a之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图10所示的处理。

2.2.3.2氟添加再生气体供给子例程

图12是示出氟添加再生气体供给子例程的详细情况的流程图。图12所示的处理作为图10所示的S530a的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S532a中，气体再生控制部51关闭阀F2-V2，打开阀F2-CV1。由此，成为停止向激光腔10供给含氟新气体而能够供给氟添加再生气体的状态。

接着，在S534a中，气体再生控制部51将质量流量控制器F2-MFC1的流量F2-MFC1和质量流量控制器F2-MFC2的流量F2-MFC2分别设定为0。由此，成为停止向氟添加再生气体罐71流入惰性再生气体和高氟气体的状态。

接着，在S535a中，气体再生控制部51读入从氟添加气体压力传感器P5输出的氟添加再生气体罐71的压力P5。

接着，在S538a中，气体再生控制部51判定氟添加再生气体罐71的压力P5是否小于规定值P5min。规定值P5min被设定为与含氟气体供给源F2的调节器44的压力相同或以上的值、例如7000hPa以上且8000hPa以下的值。

在压力P5为规定值P5min以上的情况下(S538a：否)，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图10所示的处理。

在压力P5小于规定值P5min的情况下(S538a：是)，气体再生控制部51使处理进入S539a。

在S539a中，气体再生控制部51将氟添加再生气体贮藏/供给标志FL的值设定为表示贮藏中的值、例如0。

在S539a之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图10所示的处理。

2.3作用

根据第1实施方式，能够使从分支部89分支的惰性再生气体中的一方作为缓冲气体返回激光腔10，并且能够在从分支部89分支的惰性再生气体中的另一方中添加氟气并使其返回激光腔10。因此，降低含氟新气体的利用率，能够提高再生气体的利用率。

此外，根据第1实施方式，选择性地进行氟添加再生气体贮藏子例程S520a和氟添加再生气体供给子例程S530a中的任意一方。即，不同时进行针对氟添加再生气体罐71的氟添加再生气体的贮藏和从氟添加再生气体罐71朝向激光腔10的氟添加再生气体的供给。由此，能够抑制氟添加再生气体罐71的动作不稳定。

此外，根据第1实施方式，能够通过阀F2-CV1和阀F2-V2来切换向激光腔10供给氟添加再生气体还是供给含氟气体。气体再生控制部51根据氟添加再生气体罐71的气压进行阀F2-CV1和阀F2-V2的控制。气体控制部47不需要判断向激光腔10供给氟添加再生气体还是供给含氟气体，因此，能够简化控制。

3.包含收容有固体卤素的卤素气体供给源的激光气体再生系统

3.1结构

图13概略地示出本公开的第2实施方式中的与氟添加再生气体罐71连接的各种配管和氟气供给源72a的结构。

在第2实施方式中，氟气供给源72a包含收容有金属氟化物等固体氟的容器。氟气供给源72a还包含加热器72b和温度传感器72c。

温度传感器72c计测氟气供给源72a的容器的内部或容器的温度，将计测出的数据输出到温度控制器72d。温度控制器72d按照气体再生控制部51的控制，根据从温度传感器72c输出的温度数据对加热器72b进行控制。

氟气供给源72a中收容的固体氟被加热器72b加热后，以与其温度对应的蒸气压生成氟气。所生成的氟气作为高氟气体经由配管34注入到氟添加再生气体罐71中。

在氟添加再生气体罐71中安装有氟添加气体压力传感器P5。

在质量流量控制器F2-MFC1与氟添加再生气体罐71之间的配管33中配置有阀B-Vin1。

在氟气供给源72a与氟添加再生气体罐71之间的配管34中，阀F2-CV3和阀F2-Vin1按照该顺序从氟气供给源72a侧起被配置。

在氟添加再生气体罐71与阀F2-CV1之间的配管35中配置有阀Vout1。在阀F2-CV1的下游侧的配管35中配置有止回阀35a。在阀F2-V2的下游侧的配管36中配置有止回阀36a。

氟添加再生气体罐71除了与配管33、34和35连接以外，还与配管37连接。配管37是用于将氟添加再生气体罐71内的氟添加再生气体排出的配管。

配管37分支成配管37a和配管37b。配管37和配管37a或配管37和配管37b相当于本公开中的第7配管。

在配管37中，阀F2-Vex1和氟捕集器73按照该顺序从氟添加再生气体罐71侧起被配置。配管37a经由阀F2-CV4而与图7所示的回收罐63连接。在配管37b中，阀F2-CV5和排气泵74按照该顺序从氟捕集器73侧起被配置。

在排气泵74的入口侧的配管37b与排气泵74的出口侧的配管37b之间连接有旁通配管37c。在旁通配管37c中配置有止回阀70。

其他方面与上述第1实施方式相同。

3.2动作

图13所示的各种阀和排气泵74由气体再生控制部51来控制。基于气体再生控制部51的控制的主流程与参照图8说明的第1实施方式中的主流程相同。参照图14～图22对图8所示的子例程中的第1实施方式和第2实施方式中的不同之处进行说明。

3.2.1初始设定子例程

图14是示出第2实施方式中的初始设定子例程的详细情况的流程图。图14所示的处理作为图8所示的S100a的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，S110～S130的处理与上述比较例中对应的处理相同。

接着，在S140b中，气体再生控制部51将质量流量控制器F2-MFC1的流量F2-MFC1设定为规定值F2-SCCM3。由此，成为在阀B-Vin1打开时能够向氟添加再生气体罐71流入惰性再生气体的状态。

接着，在S160b中，气体再生控制部51将氟添加再生气体贮藏/供给标志FL的值设定为表示休止中的值、例如0。

此后的S180和S190的处理与上述比较例中对应的处理相同。

在S190之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图8的处理。

3.2.2氟添加再生气体贮藏/供给子例程

图15是示出第2实施方式中的氟添加再生气体贮藏/供给子例程的详细情况的流程图。图15所示的处理作为图8所示的S500a的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S510b中，气体再生控制部51判定氟添加再生气体贮藏/供给标志FL的值。标志FL的值例如可以是0、1、2、3和4中的任意一方。根据标志FL的值，气体再生控制部51使处理进入各个分支目的地。

在标志FL的值为0的情况下，气体再生控制部51在S540b中进行氟添加再生气体罐的休止中的处理。氟添加再生气体罐的休止中的处理的详细情况参照图16在后面叙述。

在标志FL的值为1的情况下，气体再生控制部51在S550b中进行氟添加再生气体罐的贮藏准备的处理。氟添加再生气体罐的贮藏准备的处理的详细情况参照图17～图19在后面叙述。

在标志FL的值为2的情况下，气体再生控制部51在S560b中进行氟添加再生气体罐的贮藏中的处理。氟添加再生气体罐的贮藏中的处理的详细情况参照图20在后面叙述。

在标志FL的值为3的情况下，气体再生控制部51在S570b中进行氟添加再生气体罐的供给准备的处理。氟添加再生气体罐的供给准备的处理的详细情况参照图21在后面叙述。

在标志FL的值为4的情况下，气体再生控制部51在S580b中进行氟添加再生气体罐的供给中的处理。氟添加再生气体罐的供给中的处理的详细情况参照图22在后面叙述。

在S540b、S550b、S560b、S570b或S580b之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图8所示的处理。

3.2.2.1氟添加再生气体罐的休止中子例程

图16是示出第2实施方式中的氟添加再生气体罐的休止中的处理的详细情况的流程图。图16所示的处理作为图15所示的S540b的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S541b中，气体再生控制部51关闭阀B-Vin1、阀F2-Vin1、阀Vout1和阀F2-Vex1。通过关闭全部这些阀，停止针对氟添加再生气体罐71的气体的贮藏以及从氟添加再生气体罐71朝向激光腔10的气体的供给。

接着，在S542b中，气体再生控制部51关闭阀F2-CV3、阀F2-CV4和阀F2-CV5。通过关闭阀F2-CV3，停止从氟气供给源72a流出氟气。通过关闭阀F2-CV4，停止从配管37朝向回收罐63供给激光气体。通过关闭阀F2-CV5，停止从配管37朝向外部装置排出激光气体。

接着，在S544b中，气体再生控制部51将氟添加再生气体贮藏/供给标志FL的值设定为表示贮藏准备的值、例如1。

在S544b之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图15的处理。

3.2.2.2氟添加再生气体罐的贮藏准备子例程

图17是示出第2实施方式中的氟添加再生气体罐的贮藏准备的处理的详细情况的流程图。图17所示的处理作为图15所示的S550b的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S553b中，气体再生控制部51进行氟添加再生气体罐71的内部和氟气供给源72a的内部的排气。该处理的详细情况参照图18在后面叙述。

接着，在S555b中，气体再生控制部51在氟添加再生气体罐71中注入氟气。该处理的详细情况参照图19在后面叙述。

接着，在S557b中，气体再生控制部51将氟添加再生气体贮藏/供给标志FL的值设定为表示贮藏中的值、例如2。

在S557b之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图15的处理。

图18是示出第2实施方式中的氟添加再生气体罐71和氟气供给源72a的排气的处理的详细情况的流程图。图18所示的处理作为图17所示的S553b的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S5531中，气体再生控制部51关闭阀B-Vin1、阀F2-Vin1和阀Vout1，打开阀F2-Vex1。

接着，在S5532中，气体再生控制部51关闭阀F2-CV5，打开阀F2-CV4。由此，氟添加再生气体罐71中贮藏的氟添加再生气体的一部分流入回收罐63。当回收罐63的气压例如成为大气压以上时，升压泵64进行动作而对回收罐63进行减压。该情况下，氟添加再生气体罐71中贮藏的氟添加再生气体的另外一部分流入回收罐63。

接着，在S5533中，气体再生控制部51读入从氟添加气体压力传感器P5输出的氟添加再生气体罐71的压力P5。

接着，在S5534中，气体再生控制部51判定氟添加再生气体罐71的压力P5是否为规定值P5atm以下。规定值P5atm例如被设定为比大气压稍高的压力。

在压力P5高于规定值P5atm的情况下(S5534：否)，气体再生控制部51使处理返回上述S5533，反复进行S5533和S5534的处理直到压力P5成为规定值P5atm以下为止。

在压力P5为规定值P5atm以下的情况下(S5534：是)，气体再生控制部51使处理进入S5535。

在S5535中，气体再生控制部51开始进行排气泵74的驱动。

接着，在S5536中，气体再生控制部51关闭阀F2-CV4，打开阀F2-CV5。

接着，在S5537中，气体再生控制部51打开阀F2-CV3和阀F2-Vin1。

由此，氟添加再生气体罐71和氟气供给源72a的内部被排气泵74排气。

接着，在S5538中，气体再生控制部51读入从氟添加气体压力传感器P5输出的氟添加再生气体罐71的压力P5。

接着，在S5539中，气体再生控制部51判定氟添加再生气体罐71的压力P5是否为规定值P5vac以下。规定值P5vac例如被设定为接近真空的压力。

在压力P5高于规定值P5vac的情况下(S5539：否)，气体再生控制部51使处理返回S5538，反复进行S5538和S5539的处理直到压力P5成为规定值P5vac以下为止。

在压力P5为规定值P5vac以下的情况下(S5539：是)，气体再生控制部51使处理进入S5540。

在S5540中，气体再生控制部51停止排气泵74的运转，关闭阀F2-Vex1和阀F2-CV5。由此，来自氟添加再生气体罐71的气体的排出停止。

在S5540之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图17的处理。

图19是示出第2实施方式中的在氟添加再生气体罐71中注入氟气的处理的详细情况的流程图。图19所示的处理作为图17所示的S555b的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S5551中，气体再生控制部51将氟气供给源72a的温度设定为规定温度Th，对加热器72b进行控制。规定温度Th是以规定的气压从氟气供给源72a产生氟气的温度。

接着，在S5552中，气体再生控制部51待机到氟气供给源72a的温度稳定为止。在氟气供给源72a的温度稳定后，气体再生控制部51转移到S5553的处理。

在S5553中，气体再生控制部51读入从氟添加气体压力传感器P5输出的氟添加再生气体罐71的压力P5。

接着，在S5554中，气体再生控制部51判定氟添加再生气体罐71的压力P5是否为规定值P5f2以上。规定值P5f2例如被设定为与生成期望浓度的氟添加再生气体所需要的氟气分压相当的值。

在压力P5低于规定值P5f2的情况下(S5554：否)，气体再生控制部51使处理返回上述S5553，反复进行S5553和S5554的处理直到压力P5成为规定值P5f2以上为止。

在压力P5为规定值P5f2以上的情况下(S5554：是)，气体再生控制部51使处理进入S5555。

在S5555中，气体再生控制部51关闭阀F2-CV3和阀F2-Vin1。由此，停止从氟气供给源72a向氟添加再生气体罐71注入氟气。

接着，在S5556中，气体再生控制部51停止氟气供给源72a的温度调节。由此，停止氟气供给源72a中的氟气的生成。

在S5556之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图17的处理。

3.2.2.3氟添加再生气体罐的贮藏中子例程

图20是示出第2实施方式中的氟添加再生气体罐的贮藏中的处理的详细情况的流程图。图20所示的处理作为图15所示的S560b的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S561b中，气体再生控制部51读入从升压压力传感器P3输出的升压罐65的压力P3和从氟添加气体压力传感器P5输出的氟添加再生气体罐71的压力P5。

接着，在S562b中，气体再生控制部51判定是否是升压罐65的压力P3高于规定值P3max、且氟添加再生气体罐71的压力P5为规定值P5max以下。规定值P3max被设定为比规定值P3max2低且与含氟气体供给源F2的调节器44的压力相同或以上的值、例如7000hPa以上且8000hPa以下的值。规定值P5max例如被设定为比氟添加再生气体罐71的设计上的上限压力低且接近上限压力的压力。

在压力P3为规定值P3max以下的情况下、或压力P5高于规定值P5max的情况下(S562b：否)，气体再生控制部51使处理进入S563b。

在压力P3高于规定值P3max且压力P5为规定值P5max以下的情况下(S562b：是)，气体再生控制部51使处理进入S564b。

在S563b中，气体再生控制部51关闭阀B-Vin1。由此，在升压罐65的压力过低的情况下或氟添加再生气体罐71的压力过高的情况下，成为停止向氟添加再生气体罐71流入惰性再生气体的状态。

在S564b中，气体再生控制部51打开阀B-Vin1。该情况下，已经通过图14的S140b将质量流量控制器F2-MFC1的流量设定为F2-SCCM3，因此，向氟添加再生气体罐71流入惰性再生气体。

在S563b或S564b之后，气体再生控制部51使处理进入S565b。

在S565b中，气体再生控制部51判定氟添加再生气体罐71的压力P5是否高于规定值P5max。规定值P5max例如被设定为比氟添加再生气体罐71的设计上的上限压力低且接近上限压力的压力。

在压力P5为规定值P5max以下的情况下(S565b：否)，气体再生控制部51使处理返回上述S561b，继续进行氟添加再生气体的贮藏。

在压力P5高于规定值P5max的情况下(S565b：是)，气体再生控制部51使处理进入S566b。

在S566b中，气体再生控制部51将氟添加再生气体贮藏/供给标志FL的值设定为表示供给准备的值、例如3。

在S566b之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图15的处理。

3.2.2.4氟添加再生气体罐的供给准备子例程

图21是示出第2实施方式中的氟添加再生气体罐的供给准备的处理的详细情况的流程图。图21所示的处理作为图15所示的S570b的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S572b中，气体再生控制部51关闭阀F2-V2，打开阀F2-CV1。通过关闭阀F2-V2，停止从含氟气体供给源F2向激光腔10供给含氟新气体。通过打开阀F2-CV1，成为在打开阀Vout1时能够从氟添加再生气体罐71向激光腔10供给氟添加再生气体的状态。

接着，在S573b中，气体再生控制部51关闭阀B-Vin1。由此，停止从升压罐65向氟添加再生气体罐71流入惰性再生气体。

接着，在S574b中，气体再生控制部51打开阀Vout1。由此，开始从氟添加再生气体罐71向激光腔10供给氟添加再生气体。

接着，在S575b中，气体再生控制部51将氟添加再生气体贮藏/供给标志FL的值设定为表示供给中的值、例如4。

在S575b之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图15的处理。

3.2.2.5氟添加再生气体罐的供给中子例程

图22是示出第2实施方式中的氟添加再生气体罐的供给中的处理的详细情况的流程图。图22所示的处理作为图15所示的S580b的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S581b中，气体再生控制部51读入从氟添加气体压力传感器P5输出的氟添加再生气体罐71的压力P5。

接着，在S582b中，气体再生控制部51判定氟添加再生气体罐71的压力P5是否小于规定值P5min。规定值P5min被设定为与含氟气体供给源F2的调节器44的压力相同或以上的值、例如7000hPa以上且8000hPa以下的值。

在压力P5为规定值P5min以上的情况下(S582b：否)，气体再生控制部51使处理返回上述S581b，继续供给氟添加再生气体。

在压力P5小于规定值P5min的情况下(S582b：是)，气体再生控制部51使处理进入S583b。

在S583b中，气体再生控制部51将氟添加再生气体贮藏/供给标志FL的值设定为表示贮藏准备的值、例如1。

在S583b之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图15的处理。

3.3作用

根据第2实施方式，在上述第1实施方式的作用的基础上，具有以下作用。

根据第2实施方式，氟气供给源72a使用固体卤素，因此，能够在通常时成为化学上稳定的状态，能够在必要时取出必要量的氟气。

此外，根据第2实施方式，在氟添加再生气体罐71中贮藏氟添加再生气体之前，对氟添加再生气体罐71和氟气供给源72a的内部进行排气。由此，能够以规定的压力从金属氟化物产生大致100％的氟气。

此外，根据第2实施方式，在对氟添加再生气体罐71和氟气供给源72a的内部进行排气时，使再生气体的一部分返回回收罐63。由此，能够提高再生气体的利用率。

4.包含多个氟添加再生气体罐的激光气体再生系统

4.1结构

图23概略地示出本公开的第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711和第2氟添加再生气体罐712和与它们连接的各种配管的结构。

在第3实施方式中，配管33分支成配管331和配管332。在配管331中配置有阀B-Vin1，在配管332中配置有阀B-Vin2。

配管34分支成配管341和配管342。在配管341中配置有阀F2-Vin1，在配管342中配置有阀F2-Vin2。

配管35分支成配管351和配管352。在配管351中配置有阀Vout1，在配管352中配置有阀Vout2。

配管37分支成配管371和配管372。在配管371中配置有阀F2-Vex1，在配管372中配置有阀F2-Vex2。

在配管331、341、351和371连接有第1氟添加再生气体罐711。在第1氟添加再生气体罐711中安装有氟添加气体压力传感器P51。

在配管332、342、352和372连接有第2氟添加再生气体罐712。在第2氟添加再生气体罐712中安装有氟添加气体压力传感器P52。

其他方面与上述第2实施方式相同。

4.2动作

图23所示的各种阀由气体再生控制部51来控制。基于气体再生控制部51的控制的主流程与参照图8说明的第1实施方式中的主流程相同。关于这点，第3实施方式与第2实施方式相同。参照图24～图38对第2实施方式和第3实施方式中的不同之处进行说明。

4.2.1初始设定子例程

图24是示出第3实施方式中的初始设定子例程的详细情况的流程图。图24所示的处理作为图8所示的S100a的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，S110～S130的处理与上述比较例中对应的处理相同。接下来的S140b的处理与上述第2实施方式中对应的处理相同。

接着，在S160c中，气体再生控制部51将第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给标志FL1的值设定为表示休止中的值、例如0。

接着，在S170c中，气体再生控制部51将第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给标志FL2的值设定为表示休止中的值、例如0。

此后的S180和S190的处理与上述比较例中对应的处理相同。

在S190之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图8的处理。

4.2.2氟添加再生气体贮藏/供给子例程

图25是示出第3实施方式中的氟添加再生气体贮藏/供给子例程的详细情况的流程图。图25所示的处理作为图8所示的S500a的子例程而由气体再生控制部51来进行。

图25所示的处理包含第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给子例程S500c和第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给子例程S500d。气体再生控制部51并列进行S500c和S500d的处理。或者，气体再生控制部51也可以依次进行S500c和S500d的处理。S500c和S500d的处理顺序没有特别限定。

在S500c和S500d之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图8所示的处理。

图26是示出第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给子例程的详细情况的流程图。图26所示的处理作为图25所示的S500c的子例程而由气体再生控制部51来进行。

图26所示的处理将步骤编号的末尾变更为“c”，根据第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给标志FL1进行第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给，除了这点以外，与参照图15说明的第2实施方式相同。但是，在图26所示的处理中包含的各个子例程中具有与第2实施方式不同的部分，因此，不同的部分参照图28～图38在后面叙述。

图27是示出第3实施方式中的第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给子例程的详细情况的流程图。图27所示的处理作为图25所示的S500d的子例程而由气体再生控制部51来进行。

图27所示的处理将步骤编号的末尾变更为“d”，根据第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给标志FL2进行第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给，除了这点以外，与参照图15说明的第2实施方式相同。但是，在图27所示的处理中包含的各个子例程中具有与第2实施方式不同的部分，因此，不同的部分参照图28～图38在后面叙述。

4.2.2.1第1和第2氟添加再生气体罐的休止中子例程

图28是示出第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711的休止中的处理的详细情况的流程图。图28所示的处理作为图26所示的S540c的子例程而由气体再生控制部51来进行。

图28所示的处理将步骤编号的末尾变更为“c”，对与第1氟添加再生气体罐711连接的阀进行控制，然后，设定第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给标志FL1，除了这点以外，与参照图16说明的第2实施方式相同。

图29是示出第3实施方式中的第2氟添加再生气体罐712的休止中的处理的详细情况的流程图。图29所示的处理作为图27所示的S540d的子例程而由气体再生控制部51来进行。

在图29所示的处理中，S541d和S544d的处理将步骤编号的末尾变更为“d”，对与第2氟添加再生气体罐712连接的阀进行控制，然后，设定第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给标志FL2，除了这点以外，与参照图16说明的第2实施方式相同。

图29所示的处理不进行与图16的S542b相当的处理，这点与图16所示的处理不同。这是因为，在图28中已经进行了与图16的S542b相当的处理。

图29所示的处理在上述S541d与S544d之间进行S543d的处理，这点与图16所示的处理不同。

在S543d中，气体再生控制部51判定第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给标志FL1是否被设定为表示供给准备的值。表示供给准备的值例如为3。

在贮藏/供给标志FL1未被设定为表示供给准备的值的情况下(S543d：否)，气体再生控制部51待机到贮藏/供给标志FL1被设定为表示供给准备的值为止。

在贮藏/供给标志FL1被设定为表示供给准备的值的情况下(S543d：是)，气体再生控制部51使处理进入S544d。

由此，第1氟添加再生气体罐711成为供给准备后，第2氟添加再生气体罐712成为贮藏准备。

4.2.2.2第1和第2氟添加再生气体罐的贮藏准备子例程

图30是示出第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711的贮藏准备的处理的详细情况的流程图。图30所示的处理作为图26所示的S550c的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S551c中，气体再生控制部51判定第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给标志FL2是否被设定为表示休止中的值或表示供给准备的值。表示休止中的值例如为0。表示供给准备的值例如为3。

在贮藏/供给标志FL2未被设定为表示休止中的值或表示供给准备的值的情况下(S551c：否)，气体再生控制部51待机到贮藏/供给标志FL2被设定为表示休止中的值或表示供给准备的值。

在贮藏/供给标志FL2被设定为表示休止中的值或表示供给准备的值的情况下(S551c：是)，气体再生控制部51使处理进入S553c。

由此，在第2氟添加再生气体罐712成为休止中或供给准备的情况下，进行第1氟添加再生气体罐711的贮藏准备。

S553c～S557c的处理将步骤编号的末尾变更为“c”，对与第1氟添加再生气体罐711连接的阀进行控制，然后，设定第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给标志FL1，除了这点以外，与参照图17说明的第2实施方式相同。

图31是示出第3实施方式中的第2氟添加再生气体罐712的贮藏准备的处理的详细情况的流程图。图31所示的处理作为图27所示的S550d的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S551d中，气体再生控制部51判定第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给标志FL1是否被设定为表示供给准备的值。表示供给准备的值例如为3。

在贮藏/供给标志FL1未被设定为表示供给准备的值的情况下(S551d：否)，气体再生控制部51待机到贮藏/供给标志FL1被设定为表示供给准备的值为止。

在贮藏/供给标志FL1被设定为表示供给准备的值的情况下(S551d：是)，气体再生控制部51使处理进入S553d。

由此，第1氟添加再生气体罐711成为供给准备后，进行第2氟添加再生气体罐712的贮藏准备。

S553d～S557d的处理将步骤编号的末尾变更为“d”，对与第2氟添加再生气体罐712连接的阀进行控制，然后，设定第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给标志FL2，除了这点以外，与参照图17说明的第2实施方式相同。

4.2.2.3第1和第2氟添加再生气体罐的贮藏中子例程

图32是示出第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711的贮藏中的处理的详细情况的流程图。图32所示的处理作为图26所示的S560c的子例程而由气体再生控制部51来进行。

图32所示的处理将步骤编号的末尾变更为“c”，对与第1氟添加再生气体罐711连接的阀进行控制，然后，设定第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给标志FL1，除了这点以外，与参照图20说明的第2实施方式相同。

图33是示出第3实施方式中的第2氟添加再生气体罐712的贮藏中的处理的详细情况的流程图。图33所示的处理作为图27所示的S560d的子例程而由气体再生控制部51来进行。

图33所示的处理将步骤编号的末尾变更为“d”，对与第2氟添加再生气体罐712连接的阀进行控制，然后，设定第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给标志FL2，除了这点以外，与参照图20说明的第2实施方式相同。

4.2.2.4第1和第2氟添加再生气体罐的供给准备子例程

图34是示出第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711的供给准备的处理的详细情况的流程图。图34所示的处理作为图26所示的S570c的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S571c中，气体再生控制部51判定第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给标志FL2是否被设定为表示贮藏准备的值。表示贮藏准备的值例如为1。

在贮藏/供给标志FL2未被设定为表示贮藏准备的值的情况下(S571c：否)，气体再生控制部51待机到贮藏/供给标志FL2被设定为表示贮藏准备的值为止。

在贮藏/供给标志FL2被设定为表示贮藏准备的值的情况下(S571c：是)，气体再生控制部51使处理进入S572c。

由此，第2氟添加再生气体罐712成为贮藏准备后，进行第1氟添加再生气体罐711的供给准备。

S572c～S575c的处理将步骤编号的末尾变更为“c”，对与第1氟添加再生气体罐711连接的阀进行控制，然后，设定第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给标志FL1，除了这点以外，与参照图21说明的第2实施方式相同。

图35是示出第3实施方式中的第2氟添加再生气体罐712的供给准备的处理的详细情况的流程图。图35所示的处理作为图27所示的S570d的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S571d中，气体再生控制部51判定第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给标志FL1是否被设定为表示贮藏准备的值。表示贮藏准备的值例如为1。

在贮藏/供给标志FL1未被设定为表示贮藏准备的值的情况下(S571d：否)，气体再生控制部51待机到贮藏/供给标志FL1被设定为表示贮藏准备的值为止。

在贮藏/供给标志FL1被设定为表示贮藏准备的值的情况下(S571d：是)，气体再生控制部51使处理进入S572d。

由此，第1氟添加再生气体罐711成为贮藏准备后，进行第2氟添加再生气体罐712的供给准备。

S572d～S575d的处理将步骤编号的末尾变更为“d”，对与第2氟添加再生气体罐712连接的阀进行控制，然后，设定第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给标志FL2，除了这点以外，与参照图21说明的第2实施方式相同。

4.2.2.5第1和第2氟添加再生气体罐的供给中子例程

图36是示出第3实施方式中的第1氟添加再生气体罐711的供给中的处理的详细情况的流程图。图36所示的处理作为图26所示的S580c的子例程而由气体再生控制部51来进行。

图36所示的处理将步骤编号的末尾变更为“c”，对与第1氟添加再生气体罐711连接的阀进行控制，然后，设定第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给标志FL1，除了这点以外，与参照图22说明的第2实施方式相同。

图37是示出第3实施方式中的第2氟添加再生气体罐712的供给中的处理的详细情况的流程图。图37所示的处理作为图27所示的S580d的子例程而由气体再生控制部51来进行。

图37所示的处理将步骤编号的末尾变更为“d”，对与第2氟添加再生气体罐712连接的阀进行控制，然后，设定第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给标志FL2，除了这点以外，与参照图22说明的第2实施方式相同。

4.3作用

图38是示出第1氟添加再生气体罐711和第2氟添加再生气体罐712的状态变化的图。在图38中，示出随着时间的经过从上段向下段行进的状态。

第1氟添加再生气体罐711按照上述流程图，贮藏/供给标志FL1最初被设定为表示休止中的0。然后，贮藏/供给标志FL1按照表示贮藏准备的1、表示贮藏中的2、表示供给准备的3、表示供给中的4的顺序转变。在表示供给中的4之后，贮藏/供给标志FL1成为表示贮藏准备的1，下面反复进行1～4的转变。

第2氟添加再生气体罐712按照上述流程图，贮藏/供给标志FL2最初被设定为表示休止中的0。然后，贮藏/供给标志FL2按照表示贮藏准备的1、表示贮藏中的2、表示供给准备的3、表示供给中的4的顺序转变。在表示供给中的4之后，贮藏/供给标志FL2成为表示贮藏准备的1，下面反复进行1～4的转变。

然后，除了双方处于休止中的情况以外，第1氟添加再生气体罐711的贮藏/供给标志FL1和第2氟添加再生气体罐712的贮藏/供给标志FL2以相互不会成为相同状态的方式进行转变。

例如，以第1氟添加再生气体罐711的贮藏准备和第2氟添加再生气体罐712的供给准备成为相同时期的方式进行转变。

例如，以第1氟添加再生气体罐711的贮藏和第2氟添加再生气体罐712的供给成为相同时期的方式进行转变。

例如，以第1氟添加再生气体罐711的供给准备和第2氟添加再生气体罐712的贮藏准备成为相同时期的方式进行转变。

例如，以第1氟添加再生气体罐711的供给和第2氟添加再生气体罐712的贮藏成为相同时期的方式进行转变。

根据第3实施方式，在上述第2实施方式的作用的基础上，具有以下作用。

当第1氟添加再生气体罐711和第2氟添加再生气体罐712同时成为贮藏中时，有时无法从这些罐中的任意罐向激光腔10进行供给。但是，根据第3实施方式，进行控制以使得这些罐不会同时成为贮藏中，因此，能够减少无法向激光腔10供给氟添加再生气体的情况。

当第1氟添加再生气体罐711和第2氟添加再生气体罐712同时成为供给中时，有时在这些罐中的任意罐中都无法进行贮藏。但是，根据第3实施方式，进行控制以使得这些罐不会同时成为供给中，因此，能够减少无法贮藏氟添加再生气体的情况。

此外，根据上述结构，在第1氟添加再生气体罐711和第2氟添加再生气体罐712中的一方中重点贮藏气体，能够尽快填充到能够向激光腔10进行供给的压力。因此，改善了激光气体再生系统的运转初始的气体再生效率。

这里，说明了第2再生气体供给部包含2个供给罐的情况，但是，也可以包含3个以上的供给罐。

5.不使用氙气的激光装置用的激光气体再生系统

图39概略地示出本公开的第4实施方式的激光气体再生系统50b的结构。在第4实施方式中，激光气体再生系统50b也可以不具有氙捕集器68和氙添加装置75。

例如，在激光振荡系统32不是使用氩气和氖气或氦气和少量氙气的ArF准分子激光装置、而是使用氪气和氖气或氦气的KrF准分子激光装置的情况下，不需要氙捕集器68和氙添加装置75。本公开的激光气体再生系统在具有图7所示的氙捕集器68和氙添加装置75的结构中，能够取下氙捕集器68和氙添加装置75而连接前后的配管，由此，即能够应用于ArF准分子激光装置，也能够应用于KrF准分子激光装置。

其他方面与参照图7说明的第1实施方式相同。

6.与多个激光装置连接的激光气体再生系统

6.1结构

图40概略地示出本公开的第5实施方式的准分子激光装置30a、30b和激光气体再生系统50c的结构。在第5实施方式中，激光气体再生系统50c与多个准分子激光装置的多个激光腔10连接。激光气体再生系统50c减少从多个准分子激光装置排出的气体的杂质，向多个准分子激光装置供给减少了杂质的惰性再生气体。进而，激光气体再生系统50c向多个准分子激光装置供给在惰性再生气体中添加氟气而得的氟添加再生气体。多个准分子激光装置30a、30b各自的结构与上述各实施方式中的准分子激光装置30的结构相同即可。

激光气体再生系统50c的配管24在比过滤器61更靠上游侧分支成与多个准分子激光装置对应的多个配管24a和24b。在多个配管24a和24b中分别配置有阀C-V1。通过阀C-V1的开闭，对是否从多个准分子激光装置30a、30b中分别包含的排气装置43向激光气体再生系统50c导入排出气体进行控制。

向准分子激光装置供给缓冲气体的配管27分支成与多个准分子激光装置对应的多个配管27a和27b。在多个配管27a和27b中分别配置有阀B-V1。通过阀B-V1的开闭，对是否向多个准分子激光装置30a、30b中分别包含的气体供给装置42供给缓冲气体进行控制。

向准分子激光装置供给含氟气体的配管28分支成与多个准分子激光装置对应的多个配管28a和28b。在多个配管28a和28b中分别配置有阀F2-V1。通过阀F2-V1的开闭，对是否向多个准分子激光装置30a、30b中分别包含的气体供给装置42供给含氟气体进行控制。

气体再生控制部51利用信号线而与多个准分子激光装置30a、30b中分别包含的气体控制部47连接。

其他方面与上述各实施方式的结构相同即可。

6.2动作

多个准分子激光装置30a、30b各自的动作与上述各实施方式中的准分子激光装置30的动作相同即可。

激光气体再生系统50c减少从多个准分子激光装置30a、30b分别排出的排出气体的杂质，向多个准分子激光装置30a、30b分别供给减少了杂质的惰性再生气体。进而，激光气体再生系统50c向多个准分子激光装置30a、30b分别供给在惰性再生气体中添加了氟气的氟添加再生气体。关于其他方面，激光气体再生系统50c的动作与上述各实施方式中的激光气体再生系统50c的动作相同即可。

激光气体再生系统50c可以同时接受从多个准分子激光装置30a、30b排出的排出气体，也可以在不同时机接受从多个准分子激光装置30a、30b排出的排出气体。激光气体再生系统50c可以同时向多个准分子激光装置30a、30b供给惰性再生气体，也可以在不同时机向多个准分子激光装置30a、30b供给惰性再生气体。激光气体再生系统50c可以同时向多个准分子激光装置30a、30b供给氟添加再生气体，也可以在不同时机向多个准分子激光装置30a、30b供给氟添加气体。

激光气体再生系统50c在向一个准分子激光装置30a供给惰性新气体、向其他准分子激光装置30c供给惰性再生气体的情况下，也可以不是同时而在不同时机供给这些气体。

激光气体再生系统50c在向一个准分子激光装置30a供给含氟新气体、向其他准分子激光装置30c供给氟添加再生气体的情况下，也可以不是同时而在不同时机供给这些气体。

6.3作用

根据第5实施方式，在激光气体再生系统50c中对从多个准分子激光装置排出的排出气体进行精制，能够向多个准分子激光装置供给惰性再生气体和氟添加再生气体。因此，降低惰性气体的消耗量，能够降低运转成本。此外，能够向多个准分子激光装置供给惰性再生气体和氟添加再生气体，因此，多个准分子激光装置的激光性能能够稳定。此外，通过针对多个准分子激光装置设置一个激光气体再生系统50c，能够减少设置空间并降低设备成本。

7.各种捕集器配置在升压罐的下游侧而成的激光气体再生系统

7.1结构

图41概略地示出本公开的第6实施方式的激光气体再生系统50d的结构。在第4实施方式中，在回收罐63、升压泵64、升压罐65和调节器66的下游侧的配管24中配置有包含氧捕集器67、氙捕集器68和净化器69的各种捕集器。升压罐65、调节器66、氧捕集器67、氙捕集器68和净化器69的结构可以与第1实施方式中的结构相同。

在调节器66与氧捕集器67之间配置有质量流量控制器MFC3。质量流量控制器MFC3的流量被设定为氧捕集器67、氙捕集器68和净化器69稳定进行动作的流量。

7.2作用

根据第6实施方式，在从激光腔10排出的排出气体的流量变动较大的情况下、升压泵64的运转状况的变动较大的情况下，也能够减少流入各种捕集器的排出气体的流量变动。其结果，能够提高各种捕集器的寿命。

8.在惰性新气体中添加氟气的激光气体再生系统

8.1结构

图42概略地示出本公开的第7实施方式的激光气体再生系统50e的结构。在第7实施方式中，激光气体再生系统50e代替图7所示的氟添加再生气体罐71而具有氟添加气体罐71e。此外，激光气体再生系统50e具有从配管26连接到氟添加气体罐71e的配管38，该配管26与缓冲气体供给源B连接。在配管38中配置有质量流量控制器F2-MFC3。质量流量控制器F2-MFC3包含未图示的质量流量计和阀，相当于本公开中的第5阀。根据由质量流量计计测出的流量对阀的开度进行控制。由此，质量流量控制器F2-MFC3对惰性新气体的流量进行控制。此外，氟添加气体罐71e的输出与配管28连接。在第7实施方式中，也可以不具有图7所示的含氟气体供给源F2、调节器44、阀F2-V2和配管36。

这里，作为填充有缓冲气体的缓冲气体供给源B，也可以将小型的气瓶配置在激光气体再生系统50e内。

8.2动作

从缓冲气体供给源B经由配管38向氟添加气体罐71e导入惰性新气体。此外，从氟气供给源72经由配管34向氟添加气体罐71e导入高氟气体。氟添加气体罐71e对惰性新气体和高氟气体进行混合，作为氟添加新气体而经由配管28供给至激光腔10。

从缓冲气体供给源B向氟添加气体罐71e供给的惰性新气体的流量由质量流量控制器F2-MFC3来控制。从氟气供给源72向氟添加气体罐71e供给的高氟气体的流量由质量流量控制器F2-MFC2来控制。

例如，能够在激光装置的启动时向激光腔10供给在惰性新气体中添加高氟气体而得的氟添加新气体。在激光装置的启动后，与上述实施方式同样，能够向激光腔10供给在从配管33导入的惰性再生气体中添加高氟气体而得的氟添加再生气体。

其他方面与参照图7说明的第1实施方式相同。

基于气体再生控制部51的控制的主流程与参照图8说明的第1实施方式中的主流程相同。氟添加再生气体贮藏/供给子例程也与参照图10说明的第1实施方式中的子例程相同。

8.2.1初始设定子例程

图43是示出第7实施方式中的初始设定子例程的详细情况的流程图。图43所示的处理作为图8所示的S100a的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，S110～S130的处理与上述比较例中对应的处理相同。

接着，在S140e中，气体再生控制部51将质量流量控制器F2-MFC1的流量F2-MFC1、质量流量控制器F2-MFC2的流量F2-MFC2、质量流量控制器F2-MFC3的流量F2-MFC3分别设定为0。由此，成为停止向氟添加气体罐71e流入惰性再生气体、高氟气体和惰性新气体的状态。

接着，在S150e中，气体再生控制部51通过氟添加新气体初始贮藏子例程在氟添加气体罐71e中贮藏氟添加新气体。氟添加新气体初始贮藏子例程的详细情况参照图44在后面叙述。

接着，在S160e中，气体再生控制部51将氟添加再生气体贮藏/供给标志FL的值设定为表示供给中的值、例如1。

此后的S180和S190的处理与上述比较例中对应的处理相同。

在S190之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图8的处理。

在上述S160e中，氟添加再生气体贮藏/供给标志FL的值被设定为表示供给中的值、例如1。因此，在第7实施方式中，在图8的S100a之后最初执行S500a时，如图10所示，通过S530a进行气体的供给。然后，每当执行S500a时，进行S520a的气体的贮藏或S530a的气体的供给。第7实施方式中的S530a的处理参照图46在后面叙述。第7实施方式中的S520a的处理参照图45在后面叙述。

图44是示出第7实施方式中的氟添加新气体初始贮藏子例程的详细情况的流程图。图44所示的处理作为图43所示的S150e的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S151e中，气体再生控制部51开始进行氟添加气体罐71e的排气。经由图42所示的配管37b进行氟添加气体罐71e的排气。配管37b相当于参照图13说明的配管37b，也可以具有排气泵74等。

接着，在S152e中，气体再生控制部51读入从氟添加气体压力传感器P5输出的氟添加气体罐71e的压力P5。

接着，在S153e中，气体再生控制部51判定氟添加气体罐71e的压力P5是否为规定值P5vac以下。规定值P5vac例如被设定为接近真空的压力。

在压力P5高于规定值P5vac的情况下(S153e：否)，气体再生控制部51使处理返回S152e，反复进行S152e和S153e的处理，直到压力P5成为规定值P5vac以下为止。

在压力P5为规定值P5vac以下的情况下(S153e：是)，气体再生控制部51使处理进入S154e。

在S154e中，气体再生控制部51停止来自氟添加气体罐71e的气体的排出。

接着，在S155e中，气体再生控制部51将质量流量控制器F2-MFC2的流量F2-MFC2设定为规定值F2-SCCM2max，将质量流量控制器F2-MFC3的流量F2-MFC3设定为规定值F2-SCCM3max。由此，向氟添加气体罐71e流入惰性新气体和高氟气体。分别设定规定值F2-SCCM2max和规定值F2-SCCM3max，使得在氟添加气体罐71e中混合后的氟添加新气体的氟浓度成为期望值。

接着，在S156e中，气体再生控制部51读入从氟添加气体压力传感器P5输出的氟添加气体罐71e的压力P5。

接着，在S157e中，气体再生控制部51判定氟添加气体罐71e的压力P5是否高于规定值P5max。规定值P5max例如被设定为比氟添加气体罐71e的设计上的上限压力低且接近上限压力的压力。

在压力P5为规定值P5max以下的情况下(S157e：否)，气体再生控制部51使处理返回S156e，反复进行S156e和S157e的处理，直到压力P5高于规定值P5max为止。

在压力P5高于规定值P5max的情况下(S157e：是)，气体再生控制部51使处理进入S158e。

在S158e中，气体再生控制部51将质量流量控制器F2-MFC2的流量F2-MFC2和质量流量控制器F2-MFC3的流量F2-MFC3分别设定为0。由此，成为停止向氟添加气体罐71e流入惰性新气体和高氟气体的状态。

在S158e之后，气体再生控制部51结束本流程图的处理，返回图43所示的处理。

8.2.2氟添加再生气体贮藏子例程

图45是示出第7实施方式中的氟添加再生气体贮藏子例程的详细情况的流程图。图45所示的处理作为图10所示的S520a的子例程而由气体再生控制部51来进行。

首先，在S521e中，气体再生控制部51向激光控制部31输出氟添加再生气体供给NG信号。

接着，在S522e中，气体再生控制部51关闭阀F2-CV1。由此，成为停止向激光腔10供给氟添加再生气体的状态。

S522e之后的S524a～S529a的处理与参照图11说明的第1实施方式中对应的处理相同。

8.2.3氟添加再生气体供给子例程

图46是示出第7实施方式中的氟添加再生气体供给子例程的详细情况的流程图。图46所示的处理作为图10所示的S530a的子例程而由气体再生控制部51来进行。

这里，主要对向激光腔10供给氟添加再生气体的情况进行说明。但是，在参照图43和图44说明的初始设定之后最初执行图46所示的处理时，不向激光腔10供给氟添加再生气体，而向激光腔10供给氟添加新气体。在图46中，有时在信号或标志的名称中包含“再生”这一词语，但是，在向激光腔10供给氟添加新气体的情况下也使用这些信号和标志。

首先，在S532e中，气体再生控制部51打开阀F2-CV1。由此，成为能够向激光腔10供给氟添加再生气体或氟添加新气体的状态。

接着，在S533e中，气体再生控制部51向激光控制部31输出氟添加再生气体供给OK信号。

S533e之后的S534a～S539a的处理与参照图12说明的第1实施方式中对应的处理相同。

8.3作用

根据第7实施方式，对惰性新气体和高氟气体进行混合，生成氟添加新气体，因此，不需要配置含氟气体供给源F2。此外，能够在激光气体再生系统50e中内置缓冲气体供给源B，不需要在工厂内设置缓冲气体供给源B、含氟气体供给源F2的气瓶、激光气体配管的设备，能够降低设备的成本。

9.其他

上述说明不是限制，而是简单的例示。因此，本领域技术人员能够明白，能够在不脱离附加的权利要求书的情况下对本公开的实施方式施加变更。

本说明书和附加的权利要求书整体所使用的用语应该解释为“非限定性”用语。例如，“包含”或“所包含”这样的用语应该解释为“不限于记载为所包含的部分”。“具有”这样的用语应该解释为“不限于记载为所具有的部分”。并且，本说明书和附加的权利要求书所记载的修饰词“一个”应该解释为意味着“至少一个”或“一个或一个以上”。

Claims (18)

1.一种激光气体再生系统，其用于准分子激光装置，该准分子激光装置包含构成为能够向激光腔供给第1激光气体的第1配管、构成为能够向所述激光腔供给卤素气体浓度比所述第1激光气体高的第2激光气体的第2配管、构成为能够供从所述激光腔排出的气体通过的第3配管，其中，所述激光气体再生系统具有：

气体精制部，其对通过了所述第3配管的气体进行精制；

分支部，其使流入所述气体精制部而被精制后的气体分支到第4配管和第5配管；

第1再生气体供给部，其向所述第1配管供给分支到所述第4配管的气体；以及

第2再生气体供给部，其在分支到所述第5配管的气体中添加卤素气体，并向所述第2配管供给添加卤素气体而得的气体。

2.根据权利要求1所述的激光气体再生系统，其中，

所述激光气体再生系统还具有：

第1阀，其对从第1激光气体供给源流入所述第1配管的气体进行控制，该第1激光气体供给源收容有所述第1激光气体；

第2阀，其对从所述第1再生气体供给部流入所述第1配管的气体进行控制；

第3阀，其对从第2激光气体供给源流入所述第2配管的气体进行控制，该第2激光气体供给源收容有所述第2激光气体；以及

第4阀，其对从所述第2再生气体供给部流入所述第2配管的气体进行控制。

3.根据权利要求1所述的激光气体再生系统，其中，

所述第2再生气体供给部包含卤素气体供给源，其供给卤素气体浓度比所述第2激光气体高的第3激光气体；以及卤素添加气体罐，分支到所述第5配管的气体和所述第3激光气体流入该卤素添加气体罐，所述第2再生气体供给部经由第6配管向所述第2配管供给流入所述卤素添加气体罐的气体。

4.根据权利要求3所述的激光气体再生系统，其中，

所述激光气体再生系统还具有：

第1阀，其对从第1激光气体供给源流入所述第1配管的气体进行控制，该第1激光气体供给源收容有所述第1激光气体；

第2阀，其对从所述第1再生气体供给部流入所述第1配管的气体进行控制；

第5阀，其对从所述第1激光气体供给源流入所述卤素添加气体罐的气体进行控制；以及

第6阀，其对从所述第5配管流入所述卤素添加气体罐的气体进行控制。

5.根据权利要求3所述的激光气体再生系统，其中，

所述卤素气体供给源包含收容有金属氟化物的容器、以及对所述容器内部进行加热的加热器。

6.根据权利要求3所述的激光气体再生系统，其中，

所述第2再生气体供给部还包含与所述卤素添加气体罐连接的第7配管、以及配置于所述第7配管的卤素气体捕集器和排气泵。

7.根据权利要求3所述的激光气体再生系统，其中，

所述气体精制部包含回收罐，其回收通过了所述第3配管的气体；以及捕集器，其对通过了所述回收罐的气体进行精制，

所述第2再生气体供给部还包含连接在所述卤素添加气体罐与所述回收罐之间的第7配管、以及配置在所述第7配管中的卤素气体捕集器。

8.根据权利要求3所述的激光气体再生系统，其中，

所述第2再生气体供给部在所述卤素添加气体罐中贮藏分支到所述第5配管的气体之前，从所述卤素气体供给源向所述卤素添加气体罐中贮藏规定量的所述第3激光气体。

9.根据权利要求3所述的激光气体再生系统，其中，

所述气体精制部包含：回收罐，其回收通过了所述第3配管的气体；以及捕集器，其对通过了所述回收罐的气体进行精制，

所述第2再生气体供给部在所述卤素添加气体罐中贮藏分支到所述第5配管的气体之前，使所述卤素添加气体罐中贮藏的气体的一部分，经由第7配管和配置于所述第7配管的卤素气体捕集器返回所述回收罐，然后，从所述卤素气体供给源向所述卤素添加气体罐中贮藏规定量的所述第3激光气体。

10.根据权利要求3所述的激光气体再生系统，其中，

所述第2再生气体供给部还包含与所述卤素添加气体罐连接的第7配管、以及配置于所述第7配管的卤素气体捕集器和排气泵，

所述气体精制部包含：回收罐，其回收通过了所述第3配管的气体；以及捕集器，其对通过了所述回收罐的气体进行精制，

所述第2再生气体供给部在所述卤素添加气体罐中贮藏分支到所述第5配管的气体之前，使所述卤素添加气体罐中贮藏的气体的一部分，经由所述第7配管和所述卤素气体捕集器返回所述回收罐，然后，使所述卤素添加气体罐中贮藏的气体的另一部分，经由所述第7配管、所述卤素气体捕集器和所述排气泵排出，然后，从所述卤素气体供给源向所述卤素添加气体罐中贮藏规定量的所述第3激光气体。

11.根据权利要求1所述的激光气体再生系统，其中，

所述第2再生气体供给部包含：卤素气体供给源，其供给卤素气体浓度比所述第2激光气体高的第3激光气体；以及多个卤素添加气体罐，分支到所述第5配管的气体和所述第3激光气体流入该多个卤素添加气体罐，所述第2再生气体供给部经由第6配管向所述第2配管供给流入所述多个卤素添加气体罐中的至少一方的气体。

12.根据权利要求11所述的激光气体再生系统，其中，

所述多个卤素添加气体罐包含第1卤素添加气体罐和第2卤素添加气体罐，

同时进行从所述第5配管朝向所述第1卤素添加气体罐的气体的贮藏以及从所述第2卤素添加气体罐朝向所述第6配管的供给，

同时进行从所述第5配管朝向所述第2卤素添加气体罐的气体的贮藏以及从所述第1卤素添加气体罐朝向所述第6配管的供给。

13.根据权利要求1所述的激光气体再生系统，其中，

所述气体精制部包含：回收罐，其回收通过了所述第3配管的气体；升压泵，其对通过了所述回收罐的气体进行升压；升压罐，其收容通过了所述升压泵的气体；以及捕集器，其对通过了所述升压罐的气体进行精制。

14.根据权利要求1所述的激光气体再生系统，其中，

所述卤素气体包含氟气。

15.根据权利要求1所述的激光气体再生系统，其中，

所述第1激光气体包含氖气和氦气中的至少一方以及氪气。

16.根据权利要求1所述的激光气体再生系统，其中，

所述第1激光气体包含氖气和氦气中的至少一方以及氩气。

17.根据权利要求1所述的激光气体再生系统，其中，

所述气体精制部包含对通过了所述第3配管的气体中包含的氙气进行捕集的氙捕集器，

所述第1再生气体供给部包含：氙添加装置，其在分支到所述第4配管的气体中添加氙气；以及再生气体罐，通过了所述氙添加装置的气体流入该再生气体罐，所述第1再生气体供给部向所述第1配管供给流入所述再生气体罐的气体。

18.一种激光系统，其包含准分子激光装置和激光气体再生系统，其中，

所述准分子激光装置包含多个激光腔、构成为能够向所述多个激光腔分别供给第1激光气体的第1配管、构成为能够向所述多个激光腔分别供给卤素气体浓度比所述第1激光气体高的第2激光气体的第2配管、以及构成为能够供从所述多个激光腔分别排出的气体通过的第3配管，

所述激光气体再生系统包含：

气体精制部，其对通过了所述第3配管的气体进行精制；

分支部，其使流入所述气体精制部而被精制后的气体分支到第4配管和第5配管；

第1再生气体供给部，其向所述第1配管供给分支到所述第4配管的气体；以及

第2再生气体供给部，其在分支到所述第5配管的气体中添加卤素气体，并向所述第2配管供给添加卤素气体而得的气体。