CN109791881A - 具有补偿滤波的端点检测 - Google Patents

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Abstract

一种抛光方法包括：抛光基板的层，用原位监测系统监测所述基板的所述层，以产生取决于所述层的厚度的信号，对所述信号进行滤波以产生经滤波的信号，从代表对所述信号进行滤波所需的时间的原始阈值与时间延迟值来确定经调整的阈值，以及当所述经滤波的信号越过所述经调整的阈值时，触发抛光端点。

Description

具有补偿滤波的端点检测
技术领域
本公开涉及在化学机械抛光期间使用电磁感应的监测，例如涡流监测。
背景技术
集成电路通常通过导体、半导体或绝缘层连续地沉积于硅晶片上以及通过这些层的后续处理而形成在基板(例如半导体晶片)上。
一个制造步骤包括将填料层沉积在非平坦表面上以及平坦化该填料层直到非平坦表面暴露出来。例如，导电填料层可以沉积在图案化绝缘层上，以填充绝缘层中的沟槽或孔。接着抛光填料层直到绝缘层的凸起图案的暴露出来。在平坦化之后，保留在绝缘层的凸起图案之间的导电层的部分形成通孔、插座和线，通孔、插座和线提供基板上的薄膜电路之间的导电路径。此外，平坦化可用于使用于平板印刷术的介电层平坦化。
化学机械抛光(CMP)是一种公认的平坦化方法。这种平坦化方法通常要求将基板安装在承载头上。基板的暴露表面放置抵靠旋转抛光垫。承载头提供在基板上的可控制负载以将基板推靠在抛光垫。抛光液体(诸如具有研磨颗粒的浆料)供应到抛光垫的表面。
在半导体处理期间，确定基板上的基板或层的一个或更多个特性可以是重要的。例如，在CMP工艺期间知道导电层的厚度可以是重要的，使得可以在正确的时间终止该工艺。可使用多种方法来确定基板特性。例如，光学传感器可用于在化学机械抛光期间原位监测基板。或者(或另外)，涡流感测系统可用于在基板上的导电区域中感应涡流，以确定参数(诸如导电区域的局部厚度)。
发明内容
在一个方面中，一种抛光系统包括工作台、承载头、原位监测系统及控制器，该工作台用于固持抛光垫，该承载头用于在抛光期间将基板固持抵靠抛光垫，该原位监测系统用于在抛光期间监测基板并且产生取决于正在被抛光的基板的层的厚度的信号。控制器被配置成存储代表对信号进行滤波所需的时间的原始阈值和时间延迟值，从原位监测系统接收信号并对该信号进行滤波以产生经滤波的信号，从原始阈值和时间延迟值来确定经调整的阈值，并且当经滤波的信号越过经调整的阈值时，触发抛光端点。
在另一方面中，计算机程序产品可包括非瞬时计算机可读取介质，该非瞬时计算机可读取介质具有指令以使得处理器：从原位监测系统接收取决于正在被抛光的基板的层的厚度的信号，存储代表对该信号进行滤波所需的时间的原始阈值与时间延迟值，对该信号进行滤波以产生经滤波的信号，从该原始阈值与该时间延迟值来确定经调整的阈值，并且当该经滤波的信号越过该经调整的阈值时，触发抛光端点。
在另一方面中，一种抛光方法包括：抛光基板的层，用原位监测系统监测基板的层以产生取决于层的厚度的信号，对该信号进行滤波以产生经滤波的信号，从代表对该信号进行滤波所需的时间的原始阈值与时间延迟值来确定经调整的阈值，并且当该经滤波的信号越过该经调整的阈值时，触发抛光端点。
上述方面中任一个的实现可包括以下特征中的一个或更多个。
可以确定经滤波的信号的斜率。可通过将时间延迟值乘以斜率来确定针对阈值的调整。可根据VT′＝VT-(ΔT*R)来确定该经调整的阈值VT'，其中VT是原始阈值，ΔT是时间延迟值并且R是斜率。
可以根据一个或更多个滤波参数对信号进行滤波，并且可以基于一个或更多个滤波参数来确定时间延迟值。一个或更多个滤波参数可以包括来自信号的测量的数量(例如，滤波的阶数)和/或该信号的时间段，以被用于产生该经滤波的信号。工作台可以是可旋转的，并且原位监测系统包括传感器，该传感器定位在该工作台中，使得传感器间歇地扫过基板下方。可从测量频率和测量的数量来计算时间段。测量频率可以是工作台旋转速率的倒数。
可以通过对信号应用移动平均(running average)或凹口滤波(notch filter)中的一个或更多个来产生经滤波的信号。原位监测系统可以是涡流监测系统。在将经滤波的信号与经调整的阈值比较之前，将信号转换成一序列的厚度测量。可以从原始厚度阈值计算经调整的厚度阈值，并且可以将经调整的厚度阈值转换为信号值阈值，并将经滤波的信号与信号值阈值比较。
某些实现可以包括以下优点中的一个或更多个。可以在目标厚度更可靠地停止抛光，并且可以减少晶片之间的非均匀性(WTWNU)。可以以更高的速率进行抛光，并且可以提高产量。可以减少过度抛光和凹陷(dishing)，并且可以更紧密地控制晶片之间的阻抗值(resistivity)。
一个或更多个实现的细节在附图和以下的说明中阐述。其他方面、特征和优点将由说明书、附图以及权利要求而更显而易见。
附图说明
图1是包括电磁感应监测系统的化学机械抛光站的示意性部分截面侧视图。
图2是图1的化学机械抛光站的示意性俯视图。
图3是用于电磁感应监测系统的驱动系统的示意电路图。
图4A至4C示意性地示出了基板的抛光的进行。
图5是示出来自电磁感应监测系统的理想信号的示例图。
图6是示出来自电磁感应监测系统的原始的(raw)信号和经滤波的信号的示例图。
图7是示出来自电磁感应监测系统的原始的信号和经滤波的信号的另一示例图。
在不同图示中的相同附图标记代表相同的组件。
具体实施方式
CMP系统可以使用涡流监测系统来产生取决于正在进行抛光的基板上的最外金属层的厚度的信号。此信号可以与阈值比较，且当信号达到阈值时，检测到端点。来自涡流监测系统的信号可以包括噪声，例如由于基板上的层厚度的变化以及其他来源，诸如抛光垫上方的承载头的横向振荡。可以通过对信号应用滤波(如凹口滤波)来减少此噪声。
许多滤波技术(包括凹口滤波)都需要在标称测量时间之前和之后采集信号值，以产生标称测量时间的滤波值。由于需要在标称测量时间之后采集信号值，所以经滤波的值的产生被延迟。如果基于经滤波的值与阈值的比较来检测抛光端点，则在检测到端点时，基板将会已经被抛光超过目标厚度。即使基于对阈值拟合函数的预测(projection)检测到端点，滤波也可以带来延迟。
通过将函数拟合到信号值序列，以及接着调整阈值一定量，该量将补偿滤波获取数据所需的时间，可以更接近目标厚度停止抛光。
图1和图2示出了化学机械抛光设备的抛光站20的示例。抛光站20包括可旋转的盘形工作台24，抛光垫30位于工作台24上。工作台24可操作以绕轴25旋转。例如，电机22可以转动驱动轴28以使工作台24旋转。抛光垫30可以是具有外层34和较软背托层32的双层抛光垫。
抛光站22可以包括供给口或组合式供应冲洗臂39，以将抛光液38(如浆料)分配到抛光垫30上。抛光站22可以包括具有调节盘的垫调节设备，以维持抛光垫的状态。
承载头70可操作以将基板10固持抵靠抛光垫30。承载头70悬挂于支撑结构72(如转盘或轨道)，且通过驱动轴74连接到承载头旋转电机76，使得承载头可以绕轴71旋转。可选地，承载头70可以横向振荡，例如在转盘或轨道72上的滑块上；或通过转盘本身的旋转振荡。
在操作中，工作台绕其中心轴25旋转，且承载头绕其中心轴71旋转，并且跨抛光垫30的顶表面横向地平移。在具有多个承载头的情况下，每个承载头70可以独立地控制其抛光参数，例如，每个承载头可以独立地控制施加到每个相应基板的压力。
承载头70可以包括柔性膜80，柔性膜80具有基板安装表面和多个可加压腔室82，基板安装表面接触基板10背侧，多个可加压腔室82将不同的压力施加到基板10上的不同区域(如不同的径向区域)。承载头也可以包括保持环84，以固持基板。
凹槽26形成在工作台24中，且可选地，薄部分36可以形成在凹槽26上的抛光垫30中。凹槽26和薄垫部分36可以经定位，使得在工作台旋转的一部分期间，不管承载头的平移位置如何，凹槽26和薄垫部分36在基板10下方通过。假设抛光垫30是双层垫，则可以通过去除背托层32的一部分来构造薄垫部分36。例如，如果原位光学监测系统整合到工作台24中，薄部分可以可选地是光学透射的。
原位监测系统40产生取决于正在被抛光的层的厚度的一序列的值。具体来说，原位监测系统40可以是电磁感应监测系统。电磁感应监测系统可以通过在导电层中产生涡流或在导电环中产生电流来操作。在操作中，抛光站22使用监测系统40来确定该层何时已经被抛光到目标深度。
监测系统40可以包括安装在工作台中的凹槽26中的传感器42。传感器26可以包括至少部分地定位在凹槽26中的磁芯44以及缠绕芯44的至少一个线圈46。驱动和感测电路48电连接到线圈46。驱动和感测电路48产生可以发送到控制器90的信号。尽管示出为在工作台24外部，但驱动和感测电路48中的部分或全部可以安装在工作台24中。旋转耦合器29可以用于将可旋转工作台中的部件(如线圈46)电连接到工作台外部的部件(如驱动和感测电路48)。
当工作台24旋转时，传感器42扫过基板10下方。通过以特定频率对来自电路48的信号采样，电路48在跨基板10的一序列的采样区域处产生测量。对于每次扫过，可以选择或组合采样区域94中的一个或更多个处的测量。因此，在多次扫过中，所选择或组合的测量提供随时间变化的一序列的值。
抛光站20也可以包括位置传感器96(见图2)，如光学断续器，以感测传感器42何时在基板10下方以及传感器42何时离开基板。例如，位置传感器96可以安装在与承载头70相对的固定位置。旗标(flag)98(见图2)可以附接到工作台24的周边。旗标98的附接点和长度被选择，使得当传感器42扫过基板10下方时，可以向位置传感器96发信号。
或者，抛光站20可以包括编码器以确定工作台24的角位置。传感器可以随着工作台的每次旋转，扫过基板下方。
控制器90(如通用可编程数字计算机)接收来自电磁感应监控系统40的一序列的值。因为传感器42随着工作台24每次旋转，扫过基板10下方，所以沟槽深度的信息被原位积累(工作台每旋转一次)。当基板10通常覆盖薄部分36(由位置传感器确定)时，控制器90可以被编程而从监测系统40对测量采样。随着抛光进行，层的厚度改变，并且采样信号随时间变化。来自监测系统的测量可以在抛光期间显示在输出设备上，以允许设备的操作者可视地监控抛光操作的进度。
此外，控制器90可以被编程而将从每次在基板下方扫过的来自电磁感应电流监测系统40的测量分成多个采样区域，以计算每个采样区域的径向位置，以及将测量分类成径向范围。
图3示出了驱动和感测电路48的示例。电路48向线圈46施加AC电流，线圈46在芯44的两极52a和52b之间产生磁场50。芯44可以包括从背部分52平行延伸的两个(见图1)或三个(见图3)叉状物(prong)50。只有一个叉状物(且没有背部分)的实施也是可能的。在操作中，当基板10间歇地覆盖传感器42时，磁场50的一部分延伸到基板10中。
电路48可以包括与线圈46并联连接的电容器60。线圈46和电容器60一起可以形成LC共振槽。在操作中，电流产生器62(如基于边缘振荡器电路的电流产生器)以由线圈46(具有电感L)和电容器60(具有电容C)形成的LC槽电路的共振频率驱动系统。电流产生器62可以被设计而将正弦振荡的峰间波幅维持在恒定值。使用整流器64来整流具有波幅V0的时间相关的电压且具有波幅V0的时间相关的电压被提供到反馈电路66。反馈电路66确定用于电流产生器62的驱动电流以使得电压V0的波幅保持恒定。美国专利第4,000,458号和第7,112,960号中进一步描述了边缘振荡器电路和反馈电路。
电磁感应监测系统40可以通过在导电层中感应涡流或在导电层中的导电环中产生电流来监测导电层(如金属层)的厚度。或者，电磁感应监测系统40可以例如通过分别在附接于基板安装表面的导电层或环100中感应涡流或电流而用于监测介电层的厚度。
如果需要监测基板上的导电层的厚度，则当磁场50到达导电层时，磁场50可以通过并产生电流(如果在层中形成导电环的话)或产生涡流(如果导电特征是连续体(如片状物)的话)。如此产生了有效阻抗，从而增加为了使电流产生器62将电压V0的波幅维持恒定所需的驱动电流。有效阻抗的大小取决于导电层的厚度。因此，由电流产生器62产生的驱动电流提供正在被抛光的导电层的厚度的测量。
如上所述，如果需要对基板上的介电层的厚度监测，则导电靶100可以位于距离正在被抛光的介电层的基板10的远侧上。当磁场50达到导电靶时，磁场50可以通过并产生电流(如果靶是环的话)或产生涡流(如果靶是片状物的话)。如此产生了有效阻抗，从而增加为了使电流产生器62将电压V0的波幅维持恒定所需的驱动电流。有效阻抗的大小取决于传感器42和靶100之间的距离，这取决于正在被抛光的介电层的厚度。因此，由电流产生器62产生的驱动电流提供正在被抛光的介电层的厚度的测量。
驱动和感测电路48也可能有其他配置。例如，分离的驱动和感测线圈可以绕芯缠绕，可以以恒定的频率驱动驱动线圈，并且来自感测线圈的电流的波幅或相位(相对于驱动振荡器)可以用于信号。
图4A-4C示出了抛光导电层的工艺。图5是示出来自电磁感应监测系统的信号120的示例曲线图。在图5中以理想化的形式表示信号120；原始的信号将包括显著噪声。
最初，如图4A所示，对于抛光操作，基板10被放置而与抛光垫30接触。基板10可以包括硅晶片12和导电层16(例如金属，诸如铜、铝、钴、钛或氮化钛)，其设置在一个或更多个图案化下层14上，下层14可以是半导体、导体或绝缘体层。阻挡层18(诸如钽或氮化钽)可以将金属层与下面的电介质分开。图案化的下层14可以包括金属特征，例如铜、铝或钨的沟槽、通孔、垫和互连件。
由于在抛光之前，导电层16的块体(bulk)最初相对较厚且连续，因此它具有低电阻率，且可以在导电层中产生相对强的涡流。涡流使得金属层作为与电容器60并联的阻抗源。例如，信号可以在时间T1以初始值V1开始(见图5)。
参考图4B，随着基板10被抛光，导电层16的块体部分变薄。随着导电层16变薄，其薄层电阻率增加，且金属层中的涡流被抑制。因此，导电层16和传感器电路之间的耦合减小(即增加虚拟阻抗源的电阻率)。在传感器电路48的一些实施方式中，这可以导致信号从初始值V1下降。
参考图4C，最终去除导电层16的块体部分，而在图案化的绝缘层14之间的沟槽中留下导电互连件16'。在此时，基板中的导电部分之间的耦合(其通常是小的且通常是不连续的)与来自传感器电路的信号倾向于平稳(尽管随着沟槽深度的减小，其可能继续下降)。这导致来自传感器电路的输出信号的波幅变化率显著降低。如图5所示，这发生在当信号达到值V2时的时间T2。
回到图1，如果当下层暴露时，目标是停止抛光，则可以使用值V2(见图5)作为针对端点检测的阈值。然而，如上所述，来自原位监测系统40的信号可以包括噪声。因此，可以对来自原位监测系统40的原始的信号应用滤波。例如，控制器90可以将滤波(如凹口滤波或移动平均滤波)应用于从原位监测系统40接收的信号以产生经滤波的信号。可以应用其他种类的滤波，如带通滤波、低通滤波、高通滤波、整合式滤波或中值滤波。接着可以将经滤波的信号用于端点确定。
图6是示出电磁感应监测系统使用的信号的示意图。参考图1和图6，传感器42可以产生“原始(raw)”信号130。尽管图6所示为连续线，实际上原始信号130是一序列的离散值。可以以设定频率获取测量。例如，如果传感器42在工作台24每转一次时穿过基板10下方，则测量频率可以等于工作台旋转速率。
如图6所示，信号130可以包括显著的噪声，所以控制器90对信号130应用滤波以产生经滤波的信号140。再次，尽管所示为连续线，但实际上，经滤波的信号140可以是一序列的离散值，其中该序列中的每个值自原始信号的多个值的组合计算而来。在一些实施方式中，通过将函数(如多项式函数，例如，第一或第二阶多项式函数)拟合到该序列的值来生成经滤波的信号140。
如上所述，由于需要在标称测量时间之后获取信号值，所以经滤波的值的产生被延迟。例如，假设晶片不对称性小且以常规频率采取测量，如果通过从原始信号产生是五个连续值的移动平均的输出值来操作滤波，则给定的输出值将更准确地表示在来自原始信号的第三值的时间的测量，而不是来自原始信号的第五个值的时间的测量。这在图6中由相对于虚线135向右平移的经滤波的信号140所表示(其代表没有延迟所引起的时间偏移而产生的假想经滤波的信号)。
为了补偿滤波获取数据所需的时间，可以调整标称阈值。具体而言，控制器90可以存储时间延迟值ΔT，其代表滤波所产生的时间偏移。控制器90也可以确定经滤波的信号140的斜率R。此斜率R可以代表当前的抛光速率。其中VT是原始阈值(如图5中的V2)，经调整的阈值VT'可以经计算为
VT′＝VT-(ΔT*R)
接着，当经滤波的信号140越过经调整的阈值VT'时，可以在时间TE由控制器触发端点。
或者，如图7所示，也可能将经滤波的信号140向前投射等于时间延迟值ΔT的时间量，以产生预测的信号145。接着，当控制器检测到预测的信号145越过在时间TE+ΔT的阈值VT时，可以在时间TE由控制器触发端点。这与调整阈值等效。
在一些实施方式中，使用者可以输入时间延迟值ΔT。在一些实施方式中，控制器90可以基于滤波的性质自动计算时间延迟值ΔT。例如，对于未加权的移动平均，时间延迟值ΔT可以是原始值所平均的时间的一半。
对于加权移动平均，时间延迟值ΔT可以类似地基于权重。例如，经滤波的值可以被计算为
其中N是正在平均的连续值的数量，并且ak是来自该系列针对值的权重。在这种情况下，时间延迟值ΔT可以被计算为
其中f是采样率(例如，生成原始值的频率，例如，工作台每次转动生成一次)。
一般来说，可以基于测量频率和滤波的阶次(order)来确定时间延迟值，其中其技术将适用于各个滤波。
在一些实施方式中，使用者可以在控制器中输入滤波将操作的时间段；在这种情况下，控制器90可以从这个时间段(如，针对未加权的移动平均的时间段的一半)计算时间延迟值ΔT，且可以从采样率计算在滤波中使用的值的数量。在一些实施方式中，使用者可以向控制器输入要在滤波中使用的值的数量；在这种情况下，控制器90可以从值的数量和采样率来计算时间延迟值ΔT。
可以对已经转换为厚度测量的值或未转换的值实施上述技术。例如，控制器90可以包括函数(如多项式函数或查找表)，其将会将厚度值输出为测量值的函数(如电压值或可能的信号强度的％)。因此，图6和7所示的信号130可以是通过使用函数将测量值转换为厚度值而产生的一序列的厚度值，或者取决于厚度但没有转换为实际厚度值的一序列的测量值。
在一些实施方式中，以测量值为单位计算斜率R，随后将斜率R转换为以厚度为单位的抛光速率。例如，如果将厚度Y与测量X相关联的多项式函数作为
Y＝C0+C1*X+C2*X2
由于R＝dX/dt，所以抛光速率dY/dt可以计算为
dY/dt＝R*(c1+2*c2*Y)
或者，在一些实施方式中，经滤波的信号140可以从测量值转换为用于确定抛光速率的厚度测量(即，将函数拟合到厚度值而不是拟合到测量单位的值)。
在上述两种实施中的任一种中，可以基于原始厚度目标、时间延迟值和抛光速率来计算经调整的厚度阈值。经调整的厚度阈值可以用作厚度域中的阈值。或者，可以使用该函数和根据经滤波的信号140与经调整的阈值相交的时间的在测量值的域中所检测的端点，将经调整的厚度阈值转换回测量值域中的经调整的阈值。
计算机90也可以连接到压力机构(该压力机构控制承载头70所施加的压力)，连接到承载头旋转电机76以控制承载头旋转速率，连接到工作台旋转电机(未示出)以控制工作台旋转速率，或连接到浆料分配系统39以控制供给到抛光垫的浆料成分。具体而言，在将测量结果分类到径向范围之后，可以将层厚度的信息实时馈送到闭回路控制器中以周期地或连续地改变由承载头所施加的抛光压力分布。
电磁感应监测系统40可以用于各种抛光系统中。无论是抛光垫或承载头或者两者都可以移动以在抛光表面和基板之间提供相对运动。抛光垫可以是固定到工作台的圆形(或某种其他形状的)垫，可以是在供应辊和卷取辊之间延伸的带，或者可以是连续带。抛光垫可以固定在工作台上，可以在抛光操作之间递增地在工作台上前进，或者可以在抛光期间连续地在工作台上被驱动。在抛光期间，可以将垫固定到工作台上，或者在抛光期间可以在工作台和抛光垫之间存在有流体轴承。抛光垫可以是标准(如具有或不具有填料的聚氨酯)粗糙垫、软垫或固定研磨垫。
尽管已经描述了用于抛光系统的端点控制，但是上述技术可以适用于来自其他基板处理系统中的原位监测系统的经滤波的信号，该其他基板处理系统移除或沉积层，如蚀刻和(或)化学气相沉积系统。
已经描述了许多实施例。然而，将理解到，可在不悖离本公开的精神和范围下，作各种修改。因此，其他实施例在以下权利要求的范围内。

Claims (15)

1.一种抛光系统，包括：
工作台，所述工作台用于固持抛光垫；
承载头，所述承载头用于在抛光期间将基板固持抵靠所述抛光垫；
原位监测系统，所述原位监测系统用于在抛光期间监测所述基板，并且产生取决于正在被抛光的所述基板的层的厚度的信号；以及
控制器，所述控制器被配置成：
存储代表对所述信号进行滤波所需的时间的原始阈值与时间延迟值；
接收来自所述原位监测系统的所述信号并对所述信号进行滤波以产生经滤波的信号，
从所述原始阈值与所述时间延迟值来确定经调整的阈值，并且
当所述经滤波的信号越过所述经调整的阈值时，触发抛光端点。
2.如权利要求1所述的抛光系统，其中所述控制器被配置成确定所述经滤波的信号的斜率。
3.如权利要求2所述的抛光系统，其中所述控制器被配置成通过将所述时间延迟值乘以所述斜率来确定针对所述阈值的调整。
4.如权利要求3所述的抛光系统，其中所述控制器被配置成根据
VT'＝VT-(ΔT*R)
来确定所述经调整的阈值VT'，其中VT是所述原始阈值，ΔT是所述时间延迟值并且R是所述斜率。
5.如权利要求1所述的抛光系统，其中所述控制器被配置成根据一个或更多个滤波参数来对所述信号进行滤波，并且所述控制器被配置成基于所述一个或更多个滤波参数来确定所述时间延迟值。
6.如权利要求5所述的抛光系统，其中所述一个或更多个滤波参数包括来自所述信号的测量的数量和/或所述信号的时间段，以被用于产生所述经滤波的信号。
7.如权利要求6所述的抛光系统，其中所述工作台是可旋转的，并且所述原位监测系统包括传感器，所述传感器定位在所述工作台中，使得所述传感器间歇地扫过所述基板下方。
8.如权利要求1所述的抛光系统，其中所述控制器被配置成通过对该信号施加移动平均或凹口滤波中的一个或更多个来产生所述经滤波的信号。
9.如权利要求1所述的抛光系统，其中所述控制器被配置成在将所述经滤波的信号与所述经调整的阈值比较之前将所述信号转换成厚度测量序列。
10.一种计算机程序产品，包括非瞬时计算机可读取介质，所述非瞬时计算机可读取介质具有指令以使得处理器用于：
从原位监测系统接收取决于正在被抛光的基板的层的厚度的信号；
存储代表对所述信号进行滤波所需的时间的原始阈值与时间延迟值；
对所述信号进行滤波以产生经滤波的信号；
从所述原始阈值与所述时间延迟值来确定经调整的阈值，并且
当所述经滤波的信号越过所述经调整的阈值时，触发抛光端点。
11.如权利要求10所述的计算机程序产品，包括用于确定所述经滤波的信号的斜率的指令。
12.如权利要求11所述的计算机程序产品，包括用于通过将所述时间延迟值乘以所述斜率来确定针对所述阈值的调整的指令。
13.一种抛光方法，包括：
抛光基板的层；
用原位监测系统监测所述基板的所述层，以产生取决于所述层的厚度的信号；
对所述信号进行滤波以产生经滤波的信号；
从代表对所述信号进行滤波所需的时间的原始阈值与时间延迟值来确定经调整的阈值；以及
当所述经滤波的信号越过所述经调整的阈值时，触发抛光端点。
14.如权利要求13所述的方法，包括确定所述经滤波的信号的斜率。
15.如权利要求14所述的方法，包括通过将所述时间延迟值乘以所述斜率来确定针对所述阈值的调整。
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