CN109766022A - 显示装置 - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 24
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 204
- 238000000034 method Methods 0.000 description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 11
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 101100498738 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DCV1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100371160 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) TSL1 gene Proteins 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101150077194 CAP1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101150014715 CAP2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100245221 Mus musculus Prss8 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100260872 Mus musculus Tmprss4 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N n-(3-hydroxy-2-methyl-3,4-diphenylbutyl)-n-methylpropanamide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)(C(C)CN(C)C(=O)CC)CC1=CC=CC=C1 JYBNOVKZOPMUFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FQVLRGLGWNWPSS-BXBUPLCLSA-N (4r,7s,10s,13s,16r)-16-acetamido-13-(1h-imidazol-5-ylmethyl)-10-methyl-6,9,12,15-tetraoxo-7-propan-2-yl-1,2-dithia-5,8,11,14-tetrazacycloheptadecane-4-carboxamide Chemical compound N1C(=O)[C@@H](NC(C)=O)CSSC[C@@H](C(N)=O)NC(=O)[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@@H]1CC1=CN=CN1 FQVLRGLGWNWPSS-BXBUPLCLSA-N 0.000 description 2
- 102100034035 Alcohol dehydrogenase 1A Human genes 0.000 description 2
- 102100034044 All-trans-retinol dehydrogenase [NAD(+)] ADH1B Human genes 0.000 description 2
- 101710193111 All-trans-retinol dehydrogenase [NAD(+)] ADH4 Proteins 0.000 description 2
- 101100377798 Arabidopsis thaliana ABCD1 gene Proteins 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000892220 Geobacillus thermodenitrificans (strain NG80-2) Long-chain-alcohol dehydrogenase 1 Proteins 0.000 description 2
- 101000780443 Homo sapiens Alcohol dehydrogenase 1A Proteins 0.000 description 2
- 101001027796 Homo sapiens Male-specific lethal 1 homolog Proteins 0.000 description 2
- 101000639802 Homo sapiens U2 small nuclear ribonucleoprotein B'' Proteins 0.000 description 2
- 101150020779 PXA1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100192828 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PXA2 gene Proteins 0.000 description 2
- 102100034461 U2 small nuclear ribonucleoprotein B'' Human genes 0.000 description 2
- -1 acrylic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100036285 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Human genes 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000875403 Homo sapiens 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Proteins 0.000 description 1
- 101001027791 Homo sapiens E3 ubiquitin-protein ligase MSL2 Proteins 0.000 description 1
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 1
- 102000002391 MSL2 Human genes 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 101100023518 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DAL7 gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
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Abstract
提供了一种显示装置。所述显示装置包括:显示面板,具有显示图像的显示区域和设置在显示区域的外部的非显示区域;以及感测部,包括多个感测电极、与所述多个感测电极一一对应的多个感测电路以及使所述多个感测电极和所述多个感测电路一对一地连接的多条感测线。所述多个感测电极设置在与显示区域叠置的区域中,并且所述多个感测电路设置在与非显示区域叠置的区域中。
Description
本申请要求于2017年11月9日提交的第10-2017-0148967号韩国专利申请的优先权和权益,出于所有目的,该韩国专利申请通过引用而被包含于此,如同在这里充分阐述的。
技术领域
发明的示例性实施例总体上涉及感测部和能够识别用户的指纹的显示装置。
背景技术
显示装置可以通过感测部来识别人触摸屏幕的手指。感测单元的触摸感测方法包括诸如电阻膜型、光学型、静电电容型和超声波型的各种类型。在它们之中,静电电容型通过利用当触摸产生工具接触显示装置的屏幕时改变的电容来检测是否发生触摸。
诸如智能电话和平板电脑的个人移动装置的安全性对于消费者和企业来说已经变得越来越重要。保持移动装置安全的一种方式是要求使用生物识别信息来解锁移动装置或验证用户。例如,指纹可以用于解锁移动装置或验证用户。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景技术,因此,它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例涉及感测部和能够识别用户的指纹的显示装置。
发明构思的附加特征将在下面的描述中进行阐述,并且部分通过描述将是明显的,或者可以通过发明构思的实践而被了解。
示例性实施例提供了一种显示装置,该显示装置包括:显示面板,包括显示区域和设置在显示区域的外部的非显示区域;以及感测部,包括多个感测电极、与所述多个感测电极一一对应的多个感测电路以及使所述多个感测电极和所述多个感测电路一对一地连接的多条感测线,其中,所述多个感测电极设置在与显示区域叠置的区域中,并且所述多个感测电路设置在与非显示区域叠置的区域中。
在示例性实施例中,显示面板还可以包括:多个像素电极,设置在显示区域中;以及多个像素电路,设置在显示区域中并一一对应地电连接到所述多个像素电极。
在示例性实施例中,显示面板还可以包括:基体层;电路层,设置在基体层上,并包括所述多个像素电路和所述多个感测电路;发光元件层,设置在电路层上;以及薄封装层,被构造为覆盖发光元件层。
在示例性实施例中,所述多个感测电极可以设置在薄封装层上。
在示例性实施例中,所述多个感测电极可以设置在发光元件层与薄封装层之间。
在示例性实施例中,显示装置还可以包括设置在所述多个感测电路上的绝缘层,其中,所述多条感测线可以设置在绝缘层上,并且所述多条感测线中的每条感测线可以通过设置在绝缘层中的通孔电连接到所述多个感测电路中的每个感测电路。
在示例性实施例中,绝缘层可以为薄封装层。
在示例性实施例中,显示区域可以被划分为设置有所述多个感测电极的感测区域和未设置有所述多个感测电极的非感测区域。
在示例性实施例中,感测部还可以包括设置在非感测区域中的虚设图案,其中,虚设图案可以与所述多个感测电极设置在同一层上。
在示例性实施例中,虚设图案可以被提供有预定的电压电平。
在示例性实施例中,当显示同一灰度时,向设置在感测区域中的像素电极提供的驱动电压可以与向设置在非感测区域中的像素电极提供的驱动电压彼此不同。
在示例性实施例中,所述多个感测电极、所述多个感测电路和所述多个像素电极可以沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向以矩阵布置,其中,所述多个感测电极中的一个感测电极在平面上可以与所述多个像素电极中的两个或更多个像素电极叠置,其中,在第一方向上布置的所述多个感测电极的间距可以被定义为第一间距;在第一方向上布置的所述多个感测电路的间距可以被定义为第二间距;在第一方向上布置的所述多个像素电极的间距可以被定义为第三间距;在第二方向上布置的所述多个感测电极的间距可以被定义为第四间距;在第二方向上布置的所述多个感测电路的间距可以被定义为第五间距;并且在第二方向上布置的所述多个像素电极的间距可以被定义为第六间距,其中,第一间距可以大于第二间距和第三间距,第三间距可以大于第二间距,第四间距可以大于或等于第五间距,并且第五间距可以大于第六间距。
在示例性实施例中,在平面上,设置有所述多个感测电极中的一个感测电极的第一区域可以比设置有所述多个感测电路中的一个感测电路的第二区域和设置有所述多个像素电极中的一个像素电极的第三区域大,并且第三区域可以比第二区域大。
在示例性实施例中,显示装置还可以包括设置在感测部上的触摸感测部。
在示例性实施例中,显示装置还可以包括设置在显示面板上并包括多个触摸感测电极的触摸感测部,其中,所述多个触摸感测电极可以与所述多个感测电极设置在同一层上。
在示例性实施例中,所述多个感测电极可以在平面上设置在整个显示区域中。
在示例性实施例中,所述多个感测电路可以包括第一感测电路,所述多个感测电极可以包括电连接到第一感测电路的第一感测电极,第一感测电路和第一感测电极所电连接到的节点的电压值可以由第一感测电路控制,并且第一感测电极可以被构造为与外部物体形成电容以改变节点的电压值。
在示例性实施例中,显示装置包括:显示面板,限定有显示区域和非显示区域;以及感测部,包括在平面上设置在与显示区域叠置的区域中的感测电极和设置在与非显示区域叠置的区域中的感测电路,并且感测电路包括电连接到与感测电极电连接的节点的多个感测晶体管、扫描线和引出线,其中,节点的电压值由施加到扫描线的扫描信号控制,并且感测电极可以被构造为与外部物体形成电容以改变节点的电压值,并通过引出线输出感测信号。
在示例性实施例中,显示面板可以包括基体层、设置在基体层上的电路层、设置在电路层上的发光元件层以及设置在发光元件层上的薄封装层,其中,感测电极可以设置在薄封装层上,感测电路可以设置在基体层上以与电路层设置在同一层上。
在示例性实施例中,感测部包括:基体层,包括有效区域和无效区域;感测电路,设置在无效区域中并包括多个感测晶体管;绝缘层,被构造为覆盖感测电路并设置在基体层上;感测电极,设置在绝缘层上并设置在有效区域中;以及感测线,使感测电极和感测电路电连接,其中,感测线通过设置在无效区域中的绝缘层中的通孔电连接到感测电路,其中,感测电路连接到感测电极的节点的电压值由多个感测晶体管控制。
将理解的是,前面的一般性描述和下面的详细描述二者是示例性和说明性的,并且意图提供对所要求的发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供对发明构思的进一步理解,附图包括在本说明书中并构成本说明书的一部分,附图示出了发明的示例性实施例,并与描述一起用于解释发明构思的原理。
图1是根据示例性实施例的显示装置的立体图。
图2示出了根据示例性实施例的显示装置的剖面的一部分。
图3是根据示例性实施例的显示面板的平面图。
图4是根据示例性实施例的像素的等效电路图。
图5是根据示例性实施例的感测部的平面图。
图6是根据示例性实施例的感测电路的等效电路图。
图7是示出根据示例性实施例的显示装置的构造的一部分的平面图。
图8是根据示例性实施例的感测电路的一部分的放大平面图。
图9A是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图9B是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图9C是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图10是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图11是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图12是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图13是根据示例性实施例的感测部的平面图。
图14是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
图15是根据示例性实施例的集成感测部的平面图。
图16是沿图15的线I-I'和图15的线II-II'截取的剖视图。
图17是根据示例性实施例的感测部的平面图。
图18是根据示例性实施例的感测部的一部分的放大平面图。
具体实施方式
在下面的描述中,为了解释的目的,阐述了许多具体细节以提供对发明的各种示例性实施例或实施方式的彻底的理解。如这里所使用的“实施例”和“实施方式”是采用这里所公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性示例的可互换的词语。然而,明显的是,在不具有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下,可以实践各种示例性实施例。在其它情况下,以框图形式示出了公知的结构和装置,以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。此外,各种示例性实施例可以是不同的,但不必是排它的。例如,在不脱离发明构思的情况下,可以在另一示例性实施例中使用或实施示例性实施例的特定的形状、构造和特性。
除非另有说明,否则示出的示例性实施例将被理解为提供可以在实践中实施发明构思的一些方式的各种细节的示例性特征。因此,除非另有说明,否则在不脱离发明构思的情况下,各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中,单独地或统一地称为“元件”)可以另外地组合、分离、互换和/或重新布置。
在附图中使用交叉影线和/或阴影通常用于使相邻元件之间的边界变得清晰。如此,除非说明,否则交叉影线或阴影的存在与否均不传达或表示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或者要求。此外,在附图中,为了清楚和/或描述性的目的,可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实施示例性实施例时,可以以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如,可以基本同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。此外,同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层,或者可以存在中间元件或层。然而,当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时,不存在中间元件或层。为此,术语“连接”可以指物理连接、电气连接和/或流体连接,并且具有或不具有中间元件。此外,DR1轴、DR2轴和DR3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如,x轴、y轴和z轴),并且可以以更广泛的意义进行解释。例如,DR1轴、DR2轴和DR3轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个/种(者)”以及“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个/种(者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个/种(者)或更多个/种(者)的任意组合,诸如,以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在这里使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和全部组合。
虽然在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语被用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件可被命名为第二元件。
为了描述性目的,这里可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”“较高的”和“侧(例如,如在“侧壁”中)”等的空间相对术语,从而来描述如附图中示出的一个元件与另一(其它)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外,空间相对术语还意图包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如,如果附图中的设备被翻转,则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此,示例性术语“在……下方”可以包含“上方”和“下方”两种方位。此外,设备可被另外定位(例如,旋转90度或者在其它方位处),如此,相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的,而不意图是限制性的。如这里所使用的,除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式“一个(种、者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”以及它们的变型时,说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组,但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还要注意的是,如这里使用的,术语“基本上”、“大约”和其它类似的术语被用作近似术语而不用作程度术语,如此,它们被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供的值的固有偏差。
图1是根据示例性实施例的显示装置的立体图。
参照图1,显示装置DD可以通过显示表面IS显示图像IM。参照图1,显示表面IS具有由第一方向DR1和与第一方向DR1交叉的第二方向DR2限定的表面。然而,这是示例性的,并且在其它实施例中,显示装置(未示出)的显示表面(未示出)可以具有弯曲形状。
显示表面IS的法线方向(即,显示装置DD的厚度方向)表示第三方向DR3。每个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)通过第三方向DR3划分。然而,第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3所指示的方向可以作为相对概念而被转换为其它方向。在下文中,作为相应的第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3所指示的方向的第一方向至第三方向参考相同的附图标记。
在图1中,便携式电子装置被示例性地示为显示装置DD。然而,除了大型电子装置(诸如,电视机、监视器或外部广告牌)之外,显示装置DD还可以用于中型电子装置(诸如,个人计算机、笔记本计算机、个人数字终端、汽车导航单元、游戏机、智能电话、平板电脑和照相机)中。这些仅被建议作为实施例,并且明显的是,在不脱离发明的范围的情况下,它们可以被用于其它电子装置中。
显示表面IS可以包括其中显示图像IM的显示区域DD-DA和与显示区域DD-DA相邻的非显示区域DD-NDA。非显示区域DD-NDA是其中不显示图像的区域。图1示出了应用程序图标作为图像IM的一个示例。作为一个示例,显示区域DD-DA可以具有矩形形式。非显示区域DD-NDA可以围绕显示区域DD-DA。然而,发明构思不限于此,并且可以相对地设计显示区域DD-DA的形式以及非显示区域DD-NDA的形式。
显示装置DD可以识别用户的手指FG的指纹FP。当用户的手指FG的指纹FP接触显示区域DD-DA时,显示装置DD可以识别指纹FP。显示装置DD可以识别用户的指纹FP以确定用户是否是合法用户。此外,用户的指纹FP可以用于移动装置安全性、金融交易、系统控制等。
图2示出了根据示例性实施例的显示装置的剖面的一部分。图2仅示出了显示装置的构造的为了解释所必需的部分。
显示装置DD可以包括显示面板DP、窗WM和感测部FPS。
显示面板DP可以包括多个发光元件。显示面板DP产生与输入的图像数据对应的图像IM(见图1)。形成显示面板DP的工艺可以包括低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺。
窗WM可以设置在显示面板DP上方,并且可以保护设置在窗WM下方的模块免受外部冲击,并为用户提供感测表面。显示表面IS(见图1)可以是用于感测外部输入的感测表面。
外部输入包括诸如用户的身体的一部分、手写笔、光、热或压力的各种类型的外部输入。此外,除了身体的一部分(诸如,用户的手)的触摸之外,还能够检测靠近或邻近的空间触摸(例如,悬停)。此外,外部输入可以是用户的指纹FP,感测表面可以是用于识别手指的指纹FP的指纹识别表面。
用于识别指纹FP的感测部FPS可以设置在窗WM下方。感测部FPS的一些组件可以在制造显示面板DP的工艺之中通过低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺同时形成。
手指的指纹FP被说明性地示出以解释指纹识别。指纹FP包括脊FP-R和谷FP-V。第一电容Cap1形成在脊FP-R与感测部FPS之间,第二电容Cap2形成在谷FP-V与感测部FPS之间。第一电容Cap1和第二电容Cap2具有彼此不同的值。感测部FPS可以利用第一电容Cap1与第二电容Cap2之间的差来识别指纹FP。
图3是根据示例性实施例的显示面板的平面图。
参照图3,显示面板DP在平面上包括显示区域DA和设置在显示区域DA的外部的非显示区域NDA。术语“在平面上”可以意味着从显示面板DP的厚度方向观看的图。显示面板DP的显示区域DA和非显示区域NDA分别对应于显示装置DD(见图1)的显示区域DD-DA(见图1)和非显示区域DD-NDA(见图1)。
显示面板DP的显示区域DA和非显示区域NDA可以不必与显示装置DD(见图1)的显示区域DD-DA(见图1)和非显示区域DD-NDA(见图1)相同,并且可以根据显示面板DP的结构/设计而改变。
显示面板DP包括多条信号线SGL、多个像素PX和垫(pad,也可以称为“焊盘”)部PD-DP。
其中设置有多个像素PX的区域可以被限定为显示区域DA。在该示例性实施例中,可以沿显示区域DA的轮廓来限定非显示区域NDA。
多个像素PX中的每一个可以包括像素电极AE和像素电路PXC。一个像素电路PXC可以电连接到一个像素电极AE,以向所述一个像素电极AE提供预定的电压。像素电路PXC可以包括多个像素晶体管。
多条信号线SGL包括栅极线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL。栅极线GL分别连接到多个像素PX之中的对应的像素PX,数据线DL分别连接到多个像素PX之中的对应的像素PX。电力线PL连接到多个像素PX。连接到栅极线GL的栅极驱动电路DCV1和DCV2可以设置在非显示区域NDA处。控制信号线CSL可以向栅极驱动电路DCV1和DCV2提供控制信号。
在图3中,示例性地示出了其中栅极驱动电路DCV1和DCV2分别设置在非显示区域NDA的一侧上和非显示区域NDA的另一侧上以彼此面对且显示区域DA位于所述一侧和所述另一侧之间的构造。然而,在发明构思的另一示例性实施例中,栅极驱动电路可以仅设置在非显示区域NDA的一侧上。例如,可以仅设置栅极驱动电路DCV1,并且可以省略栅极驱动电路DCV2。
垫部PD-DP可以分别连接到数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL的端部。垫部PD-DP可以从外部驱动电路(未示出)接收电信号,并将所述电信号传输到数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL。
垫部PD-DP可以与像素电路PXC以同一工艺形成。例如,可以通过低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺同时形成垫部PD-DP和包括在像素电路PXC中的多个像素晶体管。
图4是根据示例性实施例的像素的等效电路图。
图4示例性地示出了连接到栅极线GL、数据线DL和电力线PL的像素PX。像素PX的构造不限于此,并且可以被修改。
像素PX包括发光元件LM作为显示元件。发光元件LM可以是顶部发光型二极管或底部发光型二极管。可选地,发光元件LM可以是双面发光二极管。发光元件LM可以是有机发光二极管。发光元件LM包括像素电极AE(见图3)。例如,像素电极AE(见图3)可以是发光元件LM的阳极电极。
像素电路PXC可以包括用于驱动发光元件LM的多个像素晶体管和电容器CP。多个像素晶体管可以包括开关晶体管TFT-S和驱动晶体管TFT-D。发光元件LM通过从像素电路PXC提供的电信号而产生光。
开关晶体管TFT-S响应于施加到栅极线GL的扫描信号而输出施加到数据线DL的数据信号。电容器CP充入与从开关晶体管TFT-S接收的数据信号对应的电压。
驱动晶体管TFT-D连接到发光元件LM。驱动晶体管TFT-D根据存储在电容器CP中的电荷的量来控制流过发光元件LM的驱动电流。发光元件LM可以在驱动晶体管TFT-D的导通段期间发射光。
电力线PL可以向像素PX提供第一电源电压VDD1。
图5是根据示例性实施例的感测部的平面图。
参照图5,感测部FPS在平面上包括有效区域ADA和无效区域ANDA。有效区域ADA和无效区域ANDA与先前在图3中描述的显示面板DP(见图3)的显示区域DA和非显示区域NDA对应。
感测部FPS可以包括感测电极SE、感测电路SC、感测线SEL、信号线SGL和感测垫部PD-SN。
根据发明构思的示例性实施例,一个元件被定义为包括一个感测电极SE和一个感测电路SC,并且一个感测电路SC可以包括多个感测晶体管。在通过包括多个感测晶体管作为有源元件的感测电路SC来驱动器件的有源自电容(ASC,active self cap)型感测部FPS中,感测电极SE和感测电路SC彼此间隔开。
具体地,感测电极SE可以设置在有效区域ADA中,感测电路SC可以设置在无效区域ANDA中。即,在平面上,感测电极SE布置在与显示区域DA(见图3)叠置的区域中,感测电路SC布置在与非显示区域NDA(见图3)叠置的区域中。感测线SEL可以分别连接设置在有效区域ADA中的感测电极SE和设置在无效区域ANDA中的对应的感测电路SC。
在图5中,感测电极SE可以设置在有效区域ADA的一部分处。因此,显示区域DA(见图3)和有效区域ADA中的每一个在平面上被划分为其中设置有感测电极SE的感测区域SA和其中未设置有感测电极SE的非感测区域NSA。图3也示出了感测区域SA和非感测区域NSA。
参照图3和图5,当显示同一灰度图像时,在其中设置有感测电极SE的感测区域SA与其中未设置有感测电极SE的非感测区域NSA之间会出现亮度差。因此,为了减小亮度差,可以调整设置在感测区域SA中的像素PX的驱动电压和设置在非感测区域NSA中的像素PX的驱动电压。例如,当像素PX显示相同的灰度时,提供到布置在感测区域SA中的像素电极AE的驱动电压与提供到布置在非感测区域NSA中的像素电极AE的驱动电压可以彼此不同。具体地,提供到设置在感测区域SA中的像素电极AE的驱动电压可以比提供到设置在非感测区域NSA中的像素电极AE的驱动电压高。因此,即使设置在感测区域SA中的像素PX的亮度比设置在非感测区域NSA中的像素电极AE的亮度高,也可以通过设置在顶部的感测电极SE来降低亮度以减小感测区域SA与非感测区域NSA之间的亮度差。
再次参照图5,感测电极SE可以包括透明导电氧化物。例如,感测电极SE可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌镓(IGZO)以及它们的混合物/化合物中的至少一种。然而,示例性实施例不限于此。例如,感测电极SE可以包括金属网格结构。这在图18中以示例的方式示出。
感测线SEL可以包括与感测电极SE的材料相同的材料。然而,与此不同的是,感测线SEL和感测电极SE可以包含不同的材料。例如,感测线SEL可以包括钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。然而,这是示例性的,并且构成感测线SEL的材料不限于以上示例。
信号线SGL包括扫描线SL、电力线VCL、引出(lead-out)线RXL和控制信号线CSL。信号线SGL可以设置在无效区域ANDA中。
扫描线SL中的每一条连接到多个感测电路SC之中的对应的感测电路SC,电力线VCL连接到多个感测电路SC。引出线RXL中的每一条连接到多个感测电路SC之中的对应的感测电路SC。
扫描线SL所连接的扫描驱动电路SCV1和SCV2可以设置在与区域S-ML相邻的一侧和另一侧上,所述区域S-ML中设置有无效区域ANDA的感测电路SC。控制信号线CSL可以向扫描驱动电路SCV1和SCV2提供控制信号。在另一示例性实施例中,可以省略扫描驱动电路SCV1和SCV2中的任何一个。
感测垫部PD-SN可以分别连接到引出线RXL、电力线VCL和控制信号线CSL的端部。感测垫部PD-SN从外部驱动电路(未示出)接收电信号,并将所述电信号传输到引出线RXL、电力线VCL和控制信号线CSL,或者将感测区域SA中产生的感测信号传输到外部驱动电路。
图6是根据示例性实施例的感测电路的等效电路图。图6示出了连接到一个感测电极SE(见图5)的一个感测电路SC的等效电路图。
图6示出了分别连接到两条扫描线SL(n-1)和SLn、一条引出线RXL、一条电力线VCL和一条感测线SEL的感测电路SC的示例。可以修改感测电路SC的构造而不局限于此。
感测电路SC可以包括多个感测晶体管和电容器Cref。具体地,多个感测晶体管可以包括第一开关晶体管STFT-S1和第二开关晶体管STFT-S2以及驱动晶体管STFT-D。
第一开关晶体管STFT-S1包括第一输入电极、第一输出电极和第一控制电极。第一控制电极连接到第n-1扫描线SL(n-1),第一输入电极连接到电力线VCL以接收共电压Vcom。第一输出电极连接到第一节点ND。第一节点ND是使感测电路SC和感测电极SE(见图5)连接的感测线SEL所连接的节点。
当扫描信号被施加到第n-1扫描线SL(n-1)时,第一开关晶体管STFT-S1可以导通,并且第一节点ND可以被共电压Vcom初始化。
第二开关晶体管STFT-S2包括第二输入电极、第二输出电极和第二控制电极。驱动晶体管STFT-D包括第三输入电极、第三输出电极和第三控制电极。
第二控制电极连接到第n扫描线SLn,第二输入电极连接到电力线VCL以接收共电压Vcom。第二输出电极可以连接到驱动晶体管STFT-D的第三输入电极。第三控制电极可以连接到第一节点ND,第三输出电极可以连接到引出线RXL。
电容器Cref包括第一电极C1和第二电极C2。第一电极C1可以连接到第n扫描线SLn,第二电极C2可以连接到第一节点ND。
当扫描信号施加到第n扫描线SLn时,第二开关晶体管STFT-S2导通,并且连接到第二输出电极和第三输入电极的节点被共电压Vcom初始化。此外,第一节点ND的电压可以根据由连接到电容器Cref和感测线SEL的感测电极SE(见图5)与手(例如,指纹的脊或谷)产生的电容的比而改变。
可以根据第一节点ND的电压来确定流过驱动晶体管STFT-D的电流,并且可以向引出线RXL输出感测信号。
图7是示出根据示例性实施例的显示装置的构造的一部分的平面图。图8是根据示例性实施例的感测电路的一部分的放大平面图。
图7是为了便于解释而简要地示出像素电极AE、感测电极SE和感测电路SC的概念图。即,像素电极AE和感测电极SE的形状不限于矩形形状。像素电极AE和感测电极SE的形状可以进行各种修改。此外,由于感测电路SC由多个感测晶体管和电容器组成,所以将其中设置有该构造的区域简单地显示为块。在图8中,为了具体描述图7中示为块的感测电路SC,放大示出了感测电路SC的一部分。
参照图7和图8,像素电极AE、感测电极SE和感测电路SC可以沿第一方向DR1和与第一方向DR1交叉的第二方向DR2以矩阵布置。像素电极AE和感测电极SE设置在显示区域DA(或有效区域ADA)中。因此,像素电极AE和感测电极SE在平面上彼此叠置。感测电路SC设置在非显示区域NDA(或无效区域ANDA)中。因此,感测电极SE和感测电路SC可以在第一方向DR1上彼此分开设置。
感测电极SE的尺寸可以比像素电极AE的尺寸大。因此,一个感测电极SE可以与多个像素电极AE叠置。
在第一方向DR1上布置的感测电极SE的间距被定义为第一间距PC1,在第一方向DR1上布置的感测电路SC的间距被定义为第二间距PC2,在第一方向DR1上布置的像素电极AE的间距被定义为第三间距PC3。
第一间距PC1和第三间距PC3可以是感测电极SE和像素电极AE中的每一个的相同点之间的距离。以感测电极SE作为示例,第一间距PC1可以是感测电极SE之中的一个第一感测电极的在第一方向DR1上的最外侧与在第一方向DR1上同所述一个第一感测电极最靠近的第二感测电极的对应的最外侧之间的距离。当第二感测电极在平面上与第一感测电极叠置时,第一感测电极的最外侧与第二感测电极的最外侧可以彼此叠置。
将参照图8描述第二间距PC2。感测电路SC的第二间距PC2可以是感测电路SC中的每一个的相同构造之间的距离。例如,第二间距PC2可以对应于第n扫描线SLn与第n-1扫描线SL(n-1)之间的距离或者对应于第n扫描线SLn与和第n扫描线SLn相邻的第n+1扫描线SL(n+1)之间的距离。
在示例性实施例中,第一间距PC1可以比第二间距PC2和第三间距PC3大,并且第三间距PC3可以比第二间距PC2大。即,第二间距PC2可以是最小的。因此,即使感测电路SC设置在非显示区域NDA中,扩展的无效空间区域也不会大。
在第二方向DR2上布置的感测电极SE的间距被定义为第四间距PC4,在第二方向DR2上布置的感测电路SC的间距被定义为第五间距PC5,在第二方向DR2上布置的像素电极AE的间距被定义为第六间距PC6。
参照图8,感测电路SC的第五间距PC5可以对应于第n电力线VCLn和与第n电力线VCLn相邻的第n-1电力线VCL(n-1)之间的距离。
第四间距PC4可以等于或大于第五间距PC5,并且第五间距PC5可以大于第六间距PC6。
其中设置有感测电极SE中的一个的第一区域的面积可以为通过将感测电极SE在第一方向DR1的宽度WT1a乘以感测电极SE在第二方向DR2的宽度WT1b而获得的值,其中设置有感测电路SC的第二区域的面积可以为通过将感测电路SC在第一方向DR1上的宽度WT2a乘以感测电路SC在第二方向DR2的宽度WT2b而获得的值,并且其中设置有像素电极AE的第三区域的面积可以为通过将像素电极AE在第一方向DR1的宽度WT3a乘以像素电极AE在第二方向DR2的宽度WT3b而获得的值。
宽度WT1a和WT1b可以被定义为感测电极SE的在第一方向DR1和第二方向DR2中的每一个上具有最大宽度的值,WT3a和WT3b可以被定义为像素电极AE的在第一方向DR1和第二方向DR2中的每一个上具有最大宽度的值。
宽度WT2a和WT2b可以与一个感测电路SC中的最外部的组件之间的距离对应。例如,感测电路SC的第一方向DR1的宽度WT2a可以与第n扫描线SLn和第n+1扫描线SL(n+1)之间的距离对应,感测电路SC在第二方向DR2的宽度WT2b可以与第n-1电力线VCL(n-1)和第n-1引出线RXL(n-1)之间的距离对应。
感测电极SE的第一区域比感测电路SC的第二区域和像素电极AE的第三区域大,并且像素电极AE的第三区域比感测电路SC的第二区域大。即,感测电路SC的第二区域可以是最小的。因此,即使感测电路SC设置在非显示区域NDA中,扩展的无效空间区域也不会大。
图9A是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
参照图9A,显示面板DP可以包括基体层SUB、电路层CL、发光元件层ELL和薄封装层TFE。
基体层SUB可以包括塑料基底、玻璃基底、金属基底或有机/无机复合材料基底。塑料基底可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯树脂、环氧树脂,聚氨酯树脂、纤维素树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝树脂中的至少一种。
基体层SUB可以限定有效区域ADA(见图5)和无效区域ANDA(见图5)。有效区域ADA(见图5)与图9A中示出的显示区域DA对应,无效区域ANDA(见图5)与图9A中示出的非显示区域NDA对应。
电路层CL设置在基体层SUB上。电路层CL可以包括多个绝缘层、多个导电层和半导体层。例如,电路层CL可以包括有机/无机层BR、BF、12、14和16、感测电路SC(见图6)以及像素电路PXC(见图4)。这里,像素电路PXC(见图4)可以布置在显示区域DA中,感测电路SC(见图6)可以布置在非显示区域NDA中。
有机/无机层BR、BF、12、14和16可以包括功能层BR和BF、第一绝缘层12、第二绝缘层14以及第三绝缘层16。功能层BR和BF可以设置在基体层SUB的一个表面上。功能层BR和BF包括阻挡层BR和缓冲层BF中的至少一种。
像素电路PXC(见图4)可以包括开关晶体管TFT-S(见图4)、驱动晶体管TFT-D和电容器CP(见图4)。在图9A中,仅示出了驱动晶体管TFT-D。
驱动晶体管TFT-D的半导体图案ALD可以设置在阻挡层BR或缓冲层BF上。半导体图案ALD可以选自于非晶硅、多晶硅和金属氧化物半导体。然而,示例性实施例不限于此。
覆盖半导体图案ALD的第一绝缘层12设置在基体层SUB上。第一绝缘层12包括有机层和/或无机层。第一绝缘层12可以包括多个无机薄膜。多个无机薄膜可以包括氮化硅层和氧化硅层。
驱动晶体管TFT-D的控制电极GED设置在第一绝缘层12上。覆盖控制电极GED的第二绝缘层14设置在第一绝缘层12上。第二绝缘层14包括有机层和/或无机层。特别地,第二绝缘层14可以包括多个无机薄膜。多个无机薄膜可以包括氮化硅层和氧化硅层。
驱动晶体管TFT-D的输入电极SED和输出电极DED设置在第二绝缘层14上。输入电极SED和输出电极DED分别通过穿过第一绝缘层12和第二绝缘层14的第一通孔CH1和第二通孔CH2连接到半导体图案ALD。另一方面,根据另一示例性实施例,可以将驱动晶体管TFT-D修改为底栅结构并实施。
覆盖输入电极SED和输出电极DED的第三绝缘层16设置在第二绝缘层14上。第三绝缘层16包括有机层和/或无机层。第三绝缘层16可以包括用于提供平坦表面的有机材料。
可以根据像素PX的电路结构来省略第一绝缘层12、第二绝缘层14和第三绝缘层16中的一个。第一绝缘层12、第二绝缘层14和第三绝缘层16中的每一个可以被定义为层间绝缘层。层间绝缘层设置在基于所述层间绝缘层而设置在下部处的导电图案与设置在上部处的导电图案之间,以使导电图案绝缘。
发光元件层ELL设置在第三绝缘层16上。发光元件层ELL包括像素限定膜PXL和发光元件LM。像素电极AE设置在第三绝缘层16上。像素电极AE也可以被称为阳极电极。像素电极AE通过穿过第三绝缘层16的第三通孔CH3连接到驱动晶体管TFT-D的输出电极DED。在像素限定膜PXL中限定开口部OP。像素限定膜PXL的开口部OP暴露像素电极AE的一部分。
发光元件层ELL包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。在该实施例中,发光区域PXA可以被限定为与像素电极AE的被开口部OP暴露的一些区域对应。然而,发光区域PXA不限于此,并且只要发光区域PXA被限定为产生光的区域就足够了。
空穴控制层HCL可以共同地设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA中。虽然未在图中单独示出,但诸如空穴控制层HCL的公共层可以共同地形成在多个像素PX(见图4)中。
发光层EML设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可以包括有机材料和/或无机材料。可以在多个像素PX中的每一个像素PX处划分并形成发光层EML。
电子控制层ECL设置在发光层EML上。阴极电极CE设置在电子控制层ECL上。阴极电极CE可以共同地设置在多个像素PX处。
虽然根据该示例性实施例示出了图案化的发光层EML,但发光层EML可以共同地设置在多个像素PX处。此时,发光层EML可以产生白光。在这种情况下,显示面板DP还可以包括滤色器(未示出)。此外,发光层EML可以具有多层结构。
根据该示例性实施例,薄封装层TFE直接覆盖阴极电极CE。根据示例性实施例,还可以设置覆盖阴极电极CE的盖层。在这种情况下,薄封装层TFE直接覆盖盖层。薄封装层TFE可以包括其中交替堆叠有包括有机材料的有机层和包括无机材料的无机层的多个层。
感测部FPS可以包括感测电极SE、感测电路SC(见图5)和感测线SEL。在发明构思的示例性实施例中,感测电极SE设置在薄封装层TFE上。感测电路SC(见图6)和像素电路PXC(见图4)可以通过低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺同时形成。
感测电路SC(见图6)包括第一开关晶体管STFT-S1、第二开关晶体管STFT-S2(见图6)、驱动晶体管STFT-D(见图6)以及电容器Cref。在图9A中,仅示出了第一开关晶体管STFT-S1和电容器Cref。
第一开关晶体管STFT-S1可以包括半导体图案SALD、第一控制电极SGED、第一输入电极SSED以及第一输出电极SDED。
半导体图案SALD可以设置在阻挡层BR或缓冲层BF上。第一控制电极SGED可以设置在覆盖半导体图案SALD的第一绝缘层12上。第一输入电极SSED和第一输出电极SDED可以设置在覆盖第一控制电极SGED的第二绝缘层14上。第一输入电极SSED和第一输出电极SDED分别通过穿过第一绝缘层12和第二绝缘层14的第四通孔CH4和第五通孔CH5连接到半导体图案SALD。
电容器Cref的第一电极C1可以与第一控制电极SGED设置在同一层上,电容器Cref的第二电极C2可以设置在覆盖第一输入电极SSED和第一输出电极SDED的第三绝缘层16上。第二电极C2通过穿过第三绝缘层16的第六通孔CH6连接到第一输出电极SDED。然而,这是示例性的,第二电极C2可以与第一输入电极SSED和第一输出电极SDED设置在同一层上。
覆盖第二电极C2的第四绝缘层18可以设置在第三绝缘层16上。
缓冲层20可以设置在薄封装层TFE上。缓冲层20可以是无机层或有机层。无机层可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。有机层可以包括聚合物(例如,丙烯酸类)有机层。然而,这是示例性的,并且示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中,覆盖第二电极C2的第四绝缘层18可以是通过与像素限定膜PXL的工艺相同的工艺形成的层,或者可以是通过与缓冲层20的工艺相同的工艺形成的层。此外,第四绝缘层18可以设置为多个层,并且可以包括通过与像素限定膜PXL的工艺相同的工艺形成的层和通过与缓冲层20的工艺相同的工艺形成的层二者。
感测线SEL设置在第四绝缘层18和缓冲层20上。感测线SEL从显示区域DA延伸到非显示区域NDA。感测线SEL可以通过穿过第四绝缘层18的第七通孔CH7连接到电容器Cref的第二电极C2。
此外,如上所述,当第二电极C2与第一输入电极SSED和第一输出电极SDED设置在同一层上时,可以省略第四绝缘层18。在这种情况下,感测线SEL可以设置在第三绝缘层16上,并通过穿过第三绝缘层16的通孔连接到电容器Cref的第二电极C2。
第五绝缘层22可以设置在感测线SEL上。感测电极SE可以设置在第五绝缘层22上。感测电极SE可以通过穿过第五绝缘层22的第八通孔CH8电连接到感测线SEL。此外,虽然图9A示例性地示出了第五绝缘层22仅设置在显示区域DA中,但第五绝缘层22可以延伸到非显示区域NDA以覆盖设置在非显示区域NDA中的感测线SEL。
根据示例性实施例,在其中感测电极SE和感测电路SC(见图6)一一对应地连接并被驱动的有源自电容感测部FPS中,感测电极SE设置在薄封装层TFE上,并且感测电路SC(见图6)与显示面板DP的电路层CL设置在同一层上。
即,由于感测电路SC和像素电路PXC(见图4)通过低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺同时形成,因此与像素电路PXC(见图4)和感测电路SC(见图6)分开产生的情况相比,减少了掩模的数量,从而降低成本。
由于感测电极SE设置在薄封装层TFE上,因此可以进一步改善感测部FPS的感测灵敏度。此外,由于感测电路SC(见图6)设置在非显示区域NDA中,所以为了将设置在薄封装层TFE上的感测电极SE连接到感测电路SC(见图6),可以省略使设置在显示区域DA中的薄封装层TFE和阴极电极CE图案化的工艺。
图9B是根据示例性实施例的显示装置的剖视图,图9C是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。在图9B和图9C中,将主要描述与图9A的不同之处,并且参照图9A描述的组件被给予相同的附图标记,因而将省略其描述。
感测线SEL与感测电极SE之间的位置关系不限于图9A中示出的位置,并且可以各种改变。在下文中,将描述一些示例。
参照图9B,感测电极SE可以设置在缓冲层20与第五绝缘层22之间,而感测线SEL可以设置在第五绝缘层22上。换言之,与图9A相比,感测线SEL和感测电极SE的位置可以被颠倒。
此外,参照图9C,感测线SEL和感测电极SE可以设置在同一层上。即,感测线SEL和感测电极SE二者可以设置在缓冲层20上。
感测线SEL和感测电极SE可以通过同一工艺同时地形成。在这种情况下,所述同一层上的一个区域可以被称为感测电极SE,另一个区域可以被称为感测线SEL。然而,示例性实施例不限于此,感测线SEL和感测电极SE可以利用相互不同的材料通过彼此不同的工艺形成。
图10是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
在图10中,将主要描述与图9A的不同之处,并且参照图9A描述的组件被给予相同的附图标记,因而将省略其描述。
参照图10,薄封装层TFE可以延伸到其中设置有感测电路SC(见图6)的区域S-ML。在这种情况下,为了将设置在薄封装层TFE上的感测电极SE连接到感测电路SC(见图6),仅需要穿透设置在非显示区域NDA中的薄封装层TFE,并且可以省略使设置在显示区域DA中的薄封装层TFE和阴极电极CE图案化的工艺。
图11是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
在图11中,将主要描述与图9A的不同之处,并且参照图9A描述的组件被给予相同的附图标记,因而将省略其描述。
参照图11,感测电极SE可以设置在发光元件层ELL与薄封装层TFE之间。此时,还可以在发光元件层ELL上设置有第六绝缘层24,并且感测电极SE可以设置在第六绝缘层24上。
在示例性实施例中,覆盖第二电极C2的第四绝缘层18-1可以是通过与像素限定膜PXL的工艺相同的工艺形成的层,或者可以是通过与第六绝缘层24的工艺相同的工艺形成的层。此外,第四绝缘层18-1可以设置为多个层,并且可以包括通过与像素限定膜PXL的工艺相同的工艺形成的层和通过与第六绝缘层24的工艺相同的工艺形成的层二者。
在这种情况下,为了将设置在薄封装层TFE下方的感测电极SE连接到感测电路SC(见图6),仅需要穿透设置在非显示区域NDA中的第四绝缘层18-1,并且可以省略使设置在显示区域DA中的阴极电极CE图案化的工艺。
图12是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
参照图12,显示装置DDa可以包括显示面板DP、感测部FPS、触摸感测部TSU和窗WM。如上所述,显示面板DP和感测部FPS可以通过连续工艺进行制造。触摸感测部TSU可以与感测部FPS单独地设置,并且可以包括感测外部输入的触摸感测电极。
第一粘合构件ADH1可以设置在触摸感测部TSU与窗WM之间,第二粘合构件ADH2可以设置在集成的显示面板DP以及感测部FPS与触摸感测部TSU之间。第一粘合构件ADH1和第二粘合构件ADH2可以是诸如光学透明粘合(OCA)膜、光学透明树脂(OCR)或压敏粘合(PSA)膜的有机粘合层。有机粘合层可以包括诸如聚氨酯、聚丙烯酸、聚酯、聚环氧树脂和聚乙酸乙烯酯的粘合材料。
图13是根据示例性实施例的感测部的平面图。在图13中,将主要描述与图5的不同之处,并且参照图5描述的组件被给予相同的附图标记,因而将省略其描述。
参照图12和图13,触摸感测部TSU可以包括设置在显示区域DA的整个表面上的触摸感测电极(未示出)。因此,在其中设置有感测电极SE的感测区域SA与其中未设置有感测电极SE的非感测区域NSA之间会出现亮度差。
为了对此进行补偿,感测部FPSa还可以包括设置在非感测区域NSA中的虚设图案DMP,其中,虚设图案DMP可以与感测电极SE(见图4)设置在同一层上。由于感测部FPSa还包括虚设图案DMP,因此可以减小感测区域SA与非感测区域NSA之间的亮度差。
虚设图案DMP可以是不外部地施加有单独的电信号的浮置电极。此外,示例性实施例不限于此,虚设图案DMP可以设置有预定的电平的DC电压,或者虚设图案DMP可以被控制为处于接地态。
在图13中,虚设图案DMP以布置在非感测区域NSA中的单个电极的形式示出,但示例性实施例不限于此。例如,虚设图案DMP可以以与感测电极SE的形式相同的形式进行设置。
图14是根据示例性实施例的显示装置的剖视图。
参照图14,显示装置DDb可以包括显示面板DP、感测部FPS、触摸感测部TSUa和窗WM。
如上所述,显示面板DP和感测部FPS可以通过连续的工艺进行制造。此外,显示面板DP和触摸感测部TSUa也可以通过连续工艺进行制造。触摸感测部TSUa的触摸感测电极(未示出)和感测部FPS的感测电极SE(见图5)可以通过同一工艺同时形成在同一层上。在下文中,触摸感测部TSUa和感测部FPS被集成以被称为集成感测部SU。粘合构件ADH可以设置在集成感测部SU与窗WM之间。粘合构件ADH可以是诸如光学透明粘合(OCA)膜、光学透明树脂(OCR)或压敏粘合(PSA)膜的有机粘合层。所述有机粘合层可以包括诸如聚氨酯、聚丙烯酸、聚酯、聚环氧树脂和聚乙酸乙烯酯的粘合材料。然而,这是示例性的,并且可以省略粘合构件ADH。
图15是根据示例性实施例的集成感测部的平面图。
参照图15,触摸感测部TSUa包括第一触摸电极(或称为第一触摸感测电极)TE1、第二触摸电极TE2、第一连接电极BE1、第二连接电极BE2、第一线TSL1、第二线TSL2和触摸垫部PD-TSU。感测电极SE可以设置在显示区域DA的第一感测区域SA1中,第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2可以设置在显示区域DA的第二感测区域SA2中。
第一触摸电极TE1沿第二方向DR2布置,并且在第二方向DR2上间隔开的第一触摸电极TE1通过第一连接电极BE1彼此电连接。
第二触摸电极TE2沿第一方向DR1布置,并且在第一方向DR1上间隔开的第二触摸电极TE2通过第二连接电极BE2彼此电连接。
第一线TSL1可以电连接到第一触摸电极TE1,第二线TSL2可以电连接到第二触摸电极TE2。
触摸垫部PD-TSU可以电连接到第一线TSL1和第二线TSL2。触摸垫部PD-TSU从外部驱动电路(未示出)接收电信号,并将所述电信号传输到第一线TSL1和第二线TSL2,或者将在第二感测区域SA2中产生的外部触摸感测信号传输到外部驱动电路。
触摸垫部PD-TSU和感测垫部PD-SN中的每一个可以连接到各自的驱动电路。然而,示例性实施例不限于此。例如,在另一示例性实施例中,触摸垫部PD-TSU和感测垫部PD-SN可以设置在相邻的区域中并连接到同一驱动电路。
图16是沿图15的线I-I'和图15的线II-II'截取的剖视图。
参照图15和图16,第一触摸电极TE1、第二触摸电极TE2、第一连接电极BE1和第二连接电极BE2中的一些可以设置在缓冲层20与第五绝缘层22之间,而其它的可以设置在第五绝缘层22上。
在这种情况下,设置在缓冲层20与第五绝缘层22之间的构造通过与感测线SEL的工艺相同的工艺形成,设置在第五绝缘层22上的构造通过与感测电极SE的工艺相同的工艺来形成。
在图16中,示例性地示出了第一连接电极BE1设置在缓冲层20与第五绝缘层22之间,第一触摸电极TE1、第二触摸电极TE2和第二连接电极BE2设置在第五绝缘层22上。感测线SEL与第一连接电极BE1可以通过同一工艺形成,并且第一触摸电极TE1、第二触摸电极TE2、第二连接电极BE2与感测电极SE可以通过同一工艺形成。然而,说明性地示出了图16中示出的层布置,并且示例性实施例不限于此。
图17是根据示例性实施例的感测部的平面图。在图17中,将主要描述与图5的不同之处,并且参照图5描述的组件被给予相同的附图标记,因而将省略其描述。
参照图17,感测部FPSc的感测电极SEc可以设置在显示区域DA(或有效区域ADA)的整个区域中。设置在显示区域DA的整个区域中的感测部FPSc可以在整个区域中识别指纹和触摸。因此,可以省略参照图12描述的触摸感测部TSU和参照图14描述的触摸感测部TSUa。
图18是根据示例性实施例的感测部的一部分的放大平面图。
参照图18,感测电极SE-1可以包括金属网格结构。因此,由于感测电极SE-1由不透明材料制成,所以可以降低从外部可见到感测电极SE-1的可能性。感测电极SE-1包括多条网格线MSL1和MSL2,并且网格线MSL1和MLS2可以被布置为彼此交叉,从而限定开口部FPS-OP。开口部FPS-OP可以被限定在与发光区域PXA对应的位置处,并且可以被限定为具有比每个发光区域PXA的面积大的面积。
发光区域PXA可以包括第一发光区域PXA1、第二发光区域PXA2和第三发光区域PXA3。
在示例性实施例中,第一发光区域PXA1可以发射具有第一波长的第一光,第二发光区域PXA2可以发射具有第二波长的第二光,第三发光区域PXA3可以发射具有第三波长的第三光。第一波长可以比第二波长短,第二波长可以比第三波长短。例如,第一光可以是蓝光,第二光可以是绿光,第三光可以是红光。
上面参照图5至图17描述的感测电极可以利用金属网格结构进行代替。此外,在图18中,示出了具有四边形的外线的感测电极SE-1,但示例性实施例不限于此,并且可以被修改为各种形式。
根据各种示例性实施例,因为感测电极设置在薄封装层上,所以可以改善感测部的感测灵敏度。此外,由于感测电路设置在非显示区域中,因此可以省略使与显示区域叠置的薄封装层和阴极电极图案化以将设置在薄封装层上的感测电极连接到感测电路的工艺。
虽然这里已描述了某些示例性实施例和实施方式,但通过该描述,其它实施例和修改将是明显的。因此,发明构思不局限于这些实施例,而是局限于所附权利要求以及对于本领域普通技术人员而言将明显的各种明显的修改和等同布置的更宽范围。
Claims (15)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
显示面板,包括显示区域和设置在所述显示区域的外部的非显示区域;以及
感测部,包括多个感测电极、与所述多个感测电极一一对应的多个感测电路以及使所述多个感测电极和所述多个感测电路一对一地连接的多条感测线,
其中,所述多个感测电极设置在与所述显示区域叠置的区域中,并且所述多个感测电路设置在与所述非显示区域叠置的区域中。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示面板还包括:多个像素电极,设置在所述显示区域中;以及多个像素电路,设置在所述显示区域中并一一对应地电连接到所述多个像素电极。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述显示面板还包括:
基体层;
电路层,设置在所述基体层上,并包括所述多个像素电路和所述多个感测电路;
发光元件层,设置在所述电路层上;以及
薄封装层,被构造为覆盖所述发光元件层。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述多个感测电极设置在所述薄封装层上。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述多个感测电极设置在所述发光元件层与所述薄封装层之间。
6.根据权利要求3所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述多个感测电路上的绝缘层,
其中,所述多条感测线设置在所述绝缘层上,并且所述多条感测线中的每条感测线通过设置在所述绝缘层中的通孔电连接到所述多个感测电路中的每个感测电路。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述绝缘层为所述薄封装层。
8.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述显示区域被划分为设置有所述多个感测电极的感测区域和未设置有所述多个感测电极的非感测区域。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述感测部还包括设置在所述非感测区域中的虚设图案,
其中,所述虚设图案与所述多个感测电极设置在同一层上,
其中,所述虚设图案被提供有预定的电压电平,并且
其中,当显示同一灰度时,向设置在所述感测区域中的所述像素电极提供的驱动电压与向设置在所述非感测区域中的所述像素电极提供的驱动电压彼此不同。
10.根据权利要求2所述的显示装置,其中:
所述多个感测电极、所述多个感测电路和所述多个像素电极沿第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向以矩阵布置,
所述多个感测电极中的一个感测电极在平面上与所述多个像素电极中的两个或更多个像素电极叠置,
在所述第一方向上布置的所述多个感测电极的间距被定义为第一间距,
在所述第一方向上布置的所述多个感测电路的间距被定义为第二间距,
在所述第一方向上布置的所述多个像素电极的间距被定义为第三间距,
在所述第二方向上布置的所述多个感测电极的间距被定义为第四间距,
在所述第二方向上布置的所述多个感测电路的间距被定义为第五间距,并且
在所述第二方向上布置的所述多个像素电极的间距被定义为第六间距,
其中,所述第一间距大于所述第二间距和所述第三间距,所述第三间距大于所述第二间距,所述第四间距大于或等于所述第五间距,并且所述第五间距大于所述第六间距。
11.根据权利要求2所述的显示装置,其中,在平面上,设置有所述多个感测电极中的一个感测电极的第一区域比设置有所述多个感测电路中的一个感测电路的第二区域和设置有所述多个像素电极中的一个像素电极的第三区域大,并且所述第三区域比所述第二区域大。
12.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述感测部上的触摸感测部。
13.根据权利要求1所述的显示装置,所述显示装置还包括设置在所述显示面板上并包括多个触摸感测电极的触摸感测部,
其中,所述多个触摸感测电极与所述多个感测电极设置在同一层上。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个感测电极在平面上设置在整个所述显示区域中。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述多个感测电路包括第一感测电路,
所述多个感测电极包括电连接到所述第一感测电路的第一感测电极,
所述第一感测电路和所述第一感测电极所电连接到的节点的电压值由所述第一感测电路控制,并且
所述第一感测电极被构造为与外部物体形成电容以改变所述节点的所述电压值。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170148967A KR102508978B1 (ko) | 2017-11-09 | 2017-11-09 | 감지 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR10-2017-0148967 | 2017-11-09 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109766022A true CN109766022A (zh) | 2019-05-17 |
CN109766022B CN109766022B (zh) | 2024-04-30 |
Family
ID=64082901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811274908.6A Active CN109766022B (zh) | 2017-11-09 | 2018-10-30 | 显示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11520440B2 (zh) |
EP (1) | EP3483708B1 (zh) |
KR (2) | KR102508978B1 (zh) |
CN (1) | CN109766022B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112289777A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-01-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US20220093720A1 (en) * | 2019-02-12 | 2022-03-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102502201B1 (ko) * | 2017-11-17 | 2023-02-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 지문 센서 및 이를 포함한 표시 장치 |
US10732747B2 (en) | 2018-05-24 | 2020-08-04 | Innolux Corporation | Display device |
CN110647253B (zh) * | 2018-06-27 | 2023-05-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 触控显示面板和应用该触控显示面板的电子装置 |
KR102708639B1 (ko) * | 2019-07-22 | 2024-09-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 펜 감지 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR20210070457A (ko) * | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 입력 감지 유닛 및 이를 포함한 표시장치 |
CN112054043B (zh) * | 2020-08-07 | 2023-03-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN114201080A (zh) | 2020-09-18 | 2022-03-18 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
CN114511888A (zh) | 2020-11-16 | 2022-05-17 | 群创光电股份有限公司 | 操作感测电路的方法 |
US11676552B2 (en) * | 2021-04-23 | 2023-06-13 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and electronic device |
US20230343859A1 (en) * | 2022-04-23 | 2023-10-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104699320A (zh) * | 2015-04-01 | 2015-06-10 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、彩膜基板以及触摸显示装置 |
CN106201131A (zh) * | 2015-05-28 | 2016-12-07 | 乐金显示有限公司 | 指纹传感器集成式触摸屏面板 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8154310B1 (en) * | 2008-02-27 | 2012-04-10 | Cypress Semiconductor Corporation | Capacitance sensor with sensor capacitance compensation |
KR100975871B1 (ko) | 2008-10-17 | 2010-08-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광 센싱 회로, 이를 포함하는 터치 패널, 및 광 센싱 회로의 구동 방법 |
JP2010122572A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法、および電子機器 |
TWI456321B (zh) * | 2011-12-08 | 2014-10-11 | Au Optronics Corp | 觸控顯示面板 |
KR101416003B1 (ko) * | 2012-06-20 | 2014-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치스크린 일체형 표시장치 및 그 구동 방법 |
JP6253923B2 (ja) | 2013-08-30 | 2017-12-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンス装置 |
TWI514213B (zh) * | 2013-10-01 | 2015-12-21 | E Ink Holdings Inc | 顯示觸控結構及其製造方法 |
KR102239367B1 (ko) * | 2013-11-27 | 2021-04-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 터치 패널 |
US9836165B2 (en) | 2014-05-16 | 2017-12-05 | Apple Inc. | Integrated silicon-OLED display and touch sensor panel |
KR102305323B1 (ko) * | 2014-09-10 | 2021-09-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센싱 장치 |
KR102240937B1 (ko) * | 2014-10-10 | 2021-04-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20160056759A (ko) | 2014-11-12 | 2016-05-20 | 크루셜텍 (주) | 이미지 스캔이 가능한 플렉서블 디스플레이 장치 및 이의 구동 방법 |
KR102362188B1 (ko) * | 2015-01-28 | 2022-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
WO2016163303A1 (ja) * | 2015-04-06 | 2016-10-13 | シャープ株式会社 | タッチセンサ付き液晶表示装置 |
KR102360789B1 (ko) * | 2015-08-26 | 2022-02-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서 내장형 표시패널 및 그의 검사방법 |
KR101731172B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2017-04-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치센서 일체형 표시장치 |
TWI597647B (zh) * | 2015-09-16 | 2017-09-01 | 瑞鼎科技股份有限公司 | 電容式壓力感測觸控面板 |
KR102397874B1 (ko) | 2015-09-30 | 2022-05-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 지문센서 어레이 및 그를 구비한 표시장치 |
US20180314369A1 (en) * | 2015-10-21 | 2018-11-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Device for touch panel |
KR102402256B1 (ko) | 2015-11-04 | 2022-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
JP6518576B2 (ja) * | 2015-11-27 | 2019-05-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置のタッチ検出方法 |
KR102479462B1 (ko) * | 2015-12-07 | 2022-12-21 | 삼성전자주식회사 | 플렉서블 전자장치 및 그 동작 방법 |
KR101751140B1 (ko) | 2015-12-24 | 2017-06-26 | 삼성전기주식회사 | 이미지 센서 및 카메라 모듈 |
KR102457246B1 (ko) | 2016-01-12 | 2022-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
TWI621997B (zh) * | 2016-02-04 | 2018-04-21 | 速博思股份有限公司 | 高效能指紋辨識裝置 |
JP6562862B2 (ja) * | 2016-03-29 | 2019-08-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチ検出装置及びタッチ検出機能付き表示装置 |
KR102563736B1 (ko) * | 2016-04-08 | 2023-08-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 스크린 및 이를 구비하는 표시 장치 |
JP6651420B2 (ja) * | 2016-07-11 | 2020-02-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | カバー部材及び表示装置 |
KR102703113B1 (ko) * | 2016-10-20 | 2024-09-05 | 주식회사 엘엑스세미콘 | 인셀 터치 유기발광표시장치 및 그 구동회로 |
US20180308902A1 (en) * | 2017-04-19 | 2018-10-25 | Superc-Touch Corporation | Oled touch display device |
KR102330864B1 (ko) * | 2017-05-12 | 2021-11-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN107153488B (zh) * | 2017-07-18 | 2020-07-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种单层触控显示面板及装置 |
KR101965063B1 (ko) * | 2017-08-04 | 2019-04-02 | 경희대학교 산학협력단 | 터치 센서 인-셀 타입 유기전계 발광소자 |
KR102430809B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2022-08-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양면 디스플레이 |
-
2017
- 2017-11-09 KR KR1020170148967A patent/KR102508978B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-10-29 EP EP18203011.4A patent/EP3483708B1/en active Active
- 2018-10-30 CN CN201811274908.6A patent/CN109766022B/zh active Active
- 2018-11-09 US US16/185,009 patent/US11520440B2/en active Active
-
2022
- 2022-10-25 US US17/973,441 patent/US12079432B2/en active Active
-
2023
- 2023-03-07 KR KR1020230029720A patent/KR20230040320A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104699320A (zh) * | 2015-04-01 | 2015-06-10 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、彩膜基板以及触摸显示装置 |
CN106201131A (zh) * | 2015-05-28 | 2016-12-07 | 乐金显示有限公司 | 指纹传感器集成式触摸屏面板 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220093720A1 (en) * | 2019-02-12 | 2022-03-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
US11895882B2 (en) * | 2019-02-12 | 2024-02-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
CN112289777A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-01-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112289777B (zh) * | 2020-10-28 | 2023-07-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3483708A3 (en) | 2019-06-12 |
US12079432B2 (en) | 2024-09-03 |
KR20190053320A (ko) | 2019-05-20 |
US20190138131A1 (en) | 2019-05-09 |
KR102508978B1 (ko) | 2023-03-13 |
CN109766022B (zh) | 2024-04-30 |
EP3483708A2 (en) | 2019-05-15 |
US20230052435A1 (en) | 2023-02-16 |
KR20230040320A (ko) | 2023-03-22 |
US11520440B2 (en) | 2022-12-06 |
EP3483708B1 (en) | 2023-05-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |