CN109739072B - 光罩曝光控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例涉及一种光罩曝光控制方法，包括：获得多品种无规则混合排版的光罩的整版图形；分析整版图形，将整版图形划分为若干个图形区和共用信息区，具有相同排版规则的图形划分在同一个图形区内，共用信息区包含有所述若干个图形区共用的信息的图形；以每个图形区作为一个曝光区，共用信息区单独作为一个曝光区或者将共用信息区与其中一个图形区合并为一个曝光区，针对每个曝光区一一对应地生成曝光文件；确定每个曝光区适用的mura控制参数；逐一调取各曝光区的曝光文件及相应的mura控制参数，对同一张空白版材进行重复曝光作业。本发明实施例能有效控制mura现象的发生，提高了光罩生产效率和良率，图形处理简单，减小光罩开模套数，节省成本。
Description
技术领域
本发明实施例涉及光罩制造技术领域，尤其涉及一种光罩曝光控制方法。
背景技术
光罩上产生mura（mura是指显示器亮度不均匀，造成各种痕迹）现象的原因主要是由于光罩上有规律性的线条不均(uniform差）或扫描位置偏移（sweeplength erro)导致，由光刻机在曝光过程中产生。
目前，大部分大尺寸光罩都是由逐行扫描式激光光刻机生产，其主要生产厂家有瑞典Mycronic mydata和德国Heidelberg两家公司生产。其主流机型分别为LRS系列、FPS系列和VPG系列，其产生的mura均为规律性的条纹，且条纹均是平行于曝光方向。
下面以Mycronic mydata公司的FPS系列机型为例详细分析mura产生的原因：FPS曝光原理如下：工作站（workstation）将需曝光图档栅格化（见图1），并平均分成一条条光刻带（strip），每条光刻带的宽度为870 pixel，由于光刻设备每画一条光刻带后需定位一次，每次定位会有一定的误差，为保证两条光刻带之间的拼接不会因为定位误差导致图形错位或漏曝光，设定了重叠区域（overlap），见图2，宽度通常为30 pixel，为设备出厂时设定的最小优化值，不可更改。
由于在重叠区域，两条光刻带之间的能量会在此处相互影响，导致此区域的能量分布不均匀，最终结果就是该重叠区域的线条质量会差于非重叠区域的线条质量。要改善线条不均导致的mura现象，就需要想办法使重叠区域的能量分布尽可能的均匀或者尽可能的落在空白区域。如果可以使overlap区域完全落在空白区域，则这种规则性的mura即可完全消除。
目前，大尺寸高解析度TFT LCD、AMOLED用光罩制造设备，自身带有mura控制功能，只需根据光罩图形的间距（pitch）值，通过测试，找到一个最佳mura控制参数；然后在曝光该正式光罩产品时，设定好相应的参数，即可达到优化mura的目的；但是，现有的这种设备只能对整版是单一品种且排版很规则的图形才适用；即便是当前最先进的光刻设备，也只能针对规则排版的光罩，根据单元内图形的间距值及单元与单元之间的间距值，通过测试确定一套最佳的mura控制参数进而实现有效曝光加工，对于多品种无规则混排的光罩，则无能为力，无法满足多品种光罩无规则拼版曝光加工的现实需求。
发明内容
本发明实施例要解决的技术问题在于，提供一种光罩曝光控制方法，以便能对多品种无规则混排的光罩进行有效曝光并改善mura现象。
为解决上述技术问题，本发明实施例采用以下技术方案：一种光罩曝光控制方法，包括以下步骤：
获得多品种无规则混合排版的光罩的整版图形；
分析所述整版图形，将整版图形划分为若干个图形区和共用信息区，具有相同排版规则的图形划分在同一个图形区内，所述共用信息区包含有所述若干个图形区共用的信息的图形；
以每个图形区作为一个曝光区，所述共用信息区单独作为一个曝光区或者将所述共用信息区与其中一个图形区合并为一个曝光区，针对每个曝光区一一对应地生成曝光文件；
确定每个曝光区适用的mura控制参数；
逐一调取各曝光区的曝光文件及相应的mura控制参数，对同一张空白版材进行重复曝光作业。
进一步地，所述针对每个曝光区一一对应地生成曝光文件具体包括：选中一个曝光区，保留选中的曝光区内的图形而删除其他曝光区的图形，根据保留的图形生成曝光文件。
进一步地，所述共用的信息至少包括：对位标识和文件名。
进一步地，所述确定每个曝光区适用的mura控制参数具体为：针对每一个曝光区进行单独的mura测试，根据测试结果确定每一个曝光区分别适用的mura控制参数。
进一步地，在逐一调取各曝光区的曝光文件及相应的mura控制参数，对同一张空白版材进行重复曝光作业时，首先调取对应包含有共用信息区的曝光区的曝光文件及相应的mura控制参数，对空白版材进行初次曝光作业。
采用上述技术方案，本发明实施例至少具有以下有益效果：本发明实施例通过将多品种无规则混合排版的光罩的整版图形划分为若干个图形区和共用信息区，具有相同排版规则的图形划分在相同的图形区内，从而可以以每个图形区为曝光区来依次确定各曝光区所适用的mura控制参数，进而即可逐一采用各曝光区的曝光文件和mura控制参数对同一张空白版材进行重复曝光作业,最终完成整版图形的曝光，每个曝光区在曝光时都能有效控制mura现象的发生，尤其适合用于改善多品种混排TFT LCD、AMOLED等平板显示用光罩上每一个区域的mura问题，提高了光罩产品生产效率和良率，而且图形处理简单易操作，还能有效减小光罩开模套数，节省成本。
附图说明
图1是栅格化的需曝光图档示意图。
图2是栅格化的需曝光图档中形成重叠区域的示意图。
图3是本发明光罩曝光控制方法一个实施例的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。应当理解，以下的示意性实施例及说明仅用来解释本发明，并不作为对本发明的限定，而且，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。
如图3所示，本发明实施例提供一种光罩曝光控制方法，包括以下步骤：
步骤S1，获得多品种无规则混合排版的光罩的整版图形；
步骤S2，分析所述整版图形，将整版图形划分为若干个图形区和共用信息区，具有相同排版规则的图形划分在同一个图形区内，所述共用信息区包含有所述若干个图形区共用的信息的图形；
步骤S3，以每个图形区作为一个曝光区，所述共用信息区单独作为一个曝光区或者将所述共用信息区与其中一个图形区合并为一个曝光区，针对每个曝光区一一对应地生成曝光文件；
步骤S4，确定每个曝光区适用的mura控制参数；
步骤S5，逐一调取各曝光区的曝光文件及相应的mura控制参数，对同一张空白版材进行重复曝光作业。
本发明实施例通过将多品种无规则混合排版的光罩的整版图形划分为若干个图形区和共用信息区，具有相同排版规则的图形划分在相同的图形区内，从而可以以每个图形区为曝光区来依次确定各曝光区所适用的mura控制参数，进而即可逐一采用各曝光区的曝光文件和mura控制参数对同一张空白版材进行重复曝光作业,最终完成整版图形的曝光，每个曝光区在曝光时都能有效控制mura现象的发生，尤其适合用于改善多品种混排TFTLCD、AMOLED等平板显示用光罩上每一个区域的mura问题，提高了光罩产品生产效率和良率，而且图形处理简单易操作，还能有效减小光罩开模套数，节省成本。
在本发明一个优选实施例中，所述步骤S3中的针对每个曝光区一一对应地生成曝光文件具体包括：选中一个曝光区，保留选中的曝光区内的图形而删除其他曝光区的图形，根据保留的图形生成曝光文件。
本实施例通过仅保留选中的曝光区内的图形而删除其他曝光区的图形，从而可以更精准地生成所选中的曝光区的曝光文件，提高后期曝光精度。
在本发明另一个优选实施例中，所述共用的信息至少包括：对位标识和文件名。本实施例通过将对位标识和文件名作为共用的信息，而方便生成曝光文件以及后续的曝光作业。
在本发明又一个优选实施例中，所述步骤S4具体为：针对每一个曝光区进行单独的mura测试，根据测试结果确定每一个曝光区分别适用的mura控制参数。
本实施例通过针对每一个曝光区分别进行单独的mura测试，从而即可根据光刻机自带的mura控制功能和测试结果来确定每个曝光区所适用的mura的控制参数，确定过程方便操作且参数精准。
在本发明再一个优选实施例中，在进行步骤S5时，首先调取对应包含有共用信息区的曝光区的曝光文件及相应的mura控制参数，对空白版材进行初次曝光作业。
本实施例通过首先调取对应包含有共用信息区的曝光区的曝光文件及相应的mura控制参数，对空白版材进行初次曝光作业，可以使得共用信息区内的共用信息率先曝光出来，方便后续其他图形区对应的曝光区进行曝光时进行信息核对或参照。
采用本发明实施例提供的光罩曝光控制方法对多品种无规则混排TFT LCD、AMOLED等平板显示用光罩进行曝光后，再通过显影、蚀刻、脱膜，即可得到mura控制良好的多品种无规则混排的光罩。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种光罩曝光控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
获得多品种无规则混合排版的光罩的整版图形；
分析所述整版图形，将整版图形划分为若干个图形区和共用信息区，具有相同排版规则的图形划分在同一个图形区内，所述共用信息区包含有所述若干个图形区共用的信息的图形；
以每个图形区作为一个曝光区，所述共用信息区单独作为一个曝光区或者将所述共用信息区与其中一个图形区合并为一个曝光区，针对每个曝光区一一对应地生成曝光文件；
确定每个曝光区适用的mura控制参数；
逐一调取各曝光区的曝光文件及相应的mura控制参数，对同一张空白版材进行重复曝光作业。
2.如权利要求1所述的光罩曝光控制方法，其特征在于，所述针对每个曝光区一一对应地生成曝光文件具体包括：选中一个曝光区，保留选中的曝光区内的图形而删除其他曝光区的图形，根据保留的图形生成曝光文件。
3.如权利要求1所述的光罩曝光控制方法，其特征在于，所述共用的信息至少包括：对位标识和文件名。
4.如权利要求1所述的光罩曝光控制方法，其特征在于，所述确定每个曝光区适用的mura控制参数具体为：针对每一个曝光区进行单独的mura测试，根据测试结果确定每一个曝光区分别适用的mura控制参数。
5.如权利要求1所述的光罩曝光控制方法，其特征在于，在逐一调取各曝光区的曝光文件及相应的mura控制参数，对同一张空白版材进行重复曝光作业时，首先调取对应包含有共用信息区的曝光区的曝光文件及相应的mura控制参数，对空白版材进行初次曝光作业。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910131385.8A CN109739072B (zh) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | 光罩曝光控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910131385.8A CN109739072B (zh) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | 光罩曝光控制方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109739072A CN109739072A (zh) | 2019-05-10 |
| CN109739072B true CN109739072B (zh) | 2021-02-09 |
Family
ID=66367979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910131385.8A Active CN109739072B (zh) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | 光罩曝光控制方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109739072B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110875343A (zh) * | 2019-11-28 | 2020-03-10 | 上海华力微电子有限公司 | 超大像素拼接产品版图结构、掩模板和制作方法 |
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| CN104991415A (zh) * | 2015-07-22 | 2015-10-21 | 上海华力微电子有限公司 | 针对特定重复图形的光学临近效应修正方法 |
| US9989860B2 (en) * | 2015-10-21 | 2018-06-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of generating a pattern on a photomask using a plurality of beams and pattern generator for performing the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140139227A (ko) * | 2013-05-27 | 2014-12-05 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 노광 마스크 |
-
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1702429A (zh) * | 2004-05-28 | 2005-11-30 | Hoya株式会社 | 波纹缺陷检查掩模、波纹缺陷检查装置及方法、以及光掩模的制造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109739072A (zh) | 2019-05-10 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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