CN109727890B - 基板处理设备、旋转式固定座及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明一实施例提供一种基板处理设备，包括旋转式固定座以及处理流体供给设备。旋转式固定座包括多个承载件以及旋转驱动机构。承载件耦接至旋转式基座，承载件中的每一者包括销，销具有倾斜部，用以在基板的上缘及销间提供一间隙。旋转驱动机构用以转动旋转式基座。处理流体供给设备是设置在旋转式固定座上。

Description

基板处理设备、旋转式固定座及基板处理方法
技术领域
本发明实施例涉及一种基板处理设备、旋转式固定座及基板处理方法，且特别关于一种用于干燥基板的设备及方法。
背景技术
半导体集成电路(integrated circuit，IC)工业经历了快速成长。集成电路材料和设计的技术进步造成了装置尺寸的缩放，其中减少了集成电路的几何尺寸(例如减小的特征尺寸和间距)。举例来说，孔洞、沟槽、间隙或其他向下延伸到基板或在基板上形成的一个或多个膜层中的特征的横向尺寸持续缩小。先进的工艺技术允许这些有缩小的横向尺寸的孔洞、沟槽或间隙越来越深地形成到基板中或在基板上形成的一个或多个膜层中。因此其深宽比持续增大。
集成电路的复杂性随着几何尺寸的减少而增加。随着半导体工业已经进入纳米技术工艺节点，为了追求更高的装置密度和更好的性能，已经引入了如鳍式场效应晶体管(fin field effect transistor，FinFET)装置的三维设计。一种鳍式场效应晶体管装置制造成具有从基板的表面垂直延伸的多个鳍状结构。这些鳍状结构通过浅沟槽隔离(shallowtrench isolation，STI) 区彼此分离。每个鳍状结构具有源极/漏极区和在源极和漏极区之间形成的通道区。栅极是缠绕在每个鳍状结构的通道区周围，从而允许优选地控制来自通道区三侧的电流。
特征的清洁和干燥用于制造先进的集成电路。举例来说，清洁和干燥孔洞、沟槽和间隙的底部以去除不期望的残留物或碎片。在某些情况下，用于清洁的湿溶剂可能无法完全流入和流出先进集成电路的特征。
发明内容
本发明一实施例提供一种基板处理设备，包括旋转式固定座以及处理流体供给设备。旋转式固定座包括多个承载件以及旋转驱动机构。承载件耦接至旋转式基座，承载件中的每一者包括销，销具有倾斜部，用以在基板的上缘及销间提供一间隙。旋转驱动机构用以转动旋转式基座。处理流体供给设备是设置在旋转式固定座上。
本发明另一实施例提供一种旋转式固定座，用以处理一基板，包括：多个承载件、加热器以及旋转驱动机构。承载件耦接至旋转式基座，承载件中的每一者包括销，销具有倾斜部，用以在基板的上缘及销间提供间隙。旋转驱动机构是耦接至旋转式基座。
本发明又一实施例提供一种基板处理方法，包括以多个承载件在旋转式固定座上承载基板，承载件中的每一者包括销，销具有倾斜部，用以在基板的上缘及销间提供间隙；配送第一处理流体至基板上；以及配送第二处理流体至基板上。
附图说明
以下将配合附图详述本发明的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例示出且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明的特征。
图1是根据一些实施例示出具有处理流体的基板的基板处理设备的一实施例的侧视剖面图。
图2A和图2B是根据一些实施例示出图1的承载件的相应侧视剖面示意图。
图2C和图2D是根据一些实施例示出图1的另一承载件的相应侧视剖面示意图。
图3A和图3B是根据一些实施例示出图1及图2A-图2D的旋转夹的俯视图。
图4是根据一些实施例示出用图1的基板处理设备清洁和干燥基板的方法的流程图。
图5A-图5C是根据一些实施例的图1的基板处理设备的侧面剖视示意图，其示出清洁和干燥基板的方法。
图6是根据一些实施例示出在其上形成有鳍式场效应晶体管装置的基板的局部立体图。
图7A和图7B是根据一些实施例的图1的另一个承载件的相应剖面示意图。
附图标记说明：
100～基板处理设备
102～基板
103～侧缘
104～处理流体
106～底缘
108～上缘
110～圆形板
112～通道
113～通道处理流体源
114、124、132～轴
115～升降机构
116～驱动机构
118～喷嘴臂
119～喷嘴处理流体源
120～旋转式固定座
122～旋转式基座
126～旋转式驱动机构
130～加热器
134～升降机构
140～承载件
150、250、750～支撑部
160、260、760～销
162、262、762～倾斜部
164、264、764、α～角度
166、266、766～间隙
170、270、770～承载夹
172、272、772～夹持部
400～方法
410、420、430、440～方块
600～鳍式场效应晶体管装置
610～鳍片
612、614～源极/漏极区
620～栅极结构
622～侧壁间隔物
624～栅极介电质
626～栅极
628～掩模
630～浅沟槽隔离
具体实施方式
以下公开许多不同的实施方法或是范例来实行所提供的标的的不同特征，以下描述具体的元件及其排列的实施例以阐述本发明。当然这些实施例仅用以例示，且不该以此限定本发明的范围。举例来说，在说明书中提到第一特征形成于第二特征之上，其包括第一特征与第二特征是直接接触的实施例，另外也包括于第一特征与第二特征之间另外有其他特征的实施例，亦即，第一特征与第二特征并非直接接触。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示，这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。
此外，其中可能用到与空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，这些空间相关用词为了便于描述图示中一个(些)元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系，这些空间相关用词包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则其中所使用的空间相关形容词也将依转向后的方位来解释。
本文描述的实施例提供承载件，用以承载在其上配送有处理流体的基板。承载件承载基板且同时允许配送到基板上的处理流体的厚度更加地均匀。可以通过加热基板蒸发处理流体而去除配送到基板上的处理流体。
图1是基板处理设备100的侧视剖面示意图，基板处理设备100用于处理(例如清洁及/或干燥)具有处理流体104的基板102(包括施加一或多种流体到基板102)。基板102可为半导体基板，如硅、锗、硅锗、碳化硅、砷化镓、砷化铟、磷化铟及/或其它合适的材料。基板102可为非半导体基板，例如玻璃、二氧化硅、石英、氧化铝、蓝宝石、氮化铝及/或其他合适的材料。基板102可为绝缘体上硅(silicon-on-insulator，SOI)基板。基板102可以包括多个膜层(如导电层、半导体层、绝缘层和其它合适的膜层)及/或形成在基板中、上(on)及/或上方(over)的特征(如掺杂区或阱、鳍、源极/漏极区、隔离区、浅沟槽隔离特征、栅极结构、内连线、通孔和其它合适的特征)。上述膜层及/或特征用于制造半导体装置和集成电路。在本文所述的方法的方块中和附图中，上述基板还可以包括在基板中、上(on)及/或上方(over)形成的后续材料。基板102可为例如具有任何直径的晶圆，如18英寸、12英寸、8英寸等。
基板处理设备100包括旋转式固定座120，以将基板102承载在夹持基板位置和未夹持基板位置。基板处理设备100还包括位于装载在旋转固定座120上的基板102上方的处理流体供给设备，例如圆形板110及/或喷嘴臂118。圆形板110可以包括耦接至通道处理流体源113的一个或多个通道 112，以向基板102提供如液体、气体或其组合的处理流体104。如图1所示，圆形板110的尺寸可为具有与基板102相似的直径，以将处理流体限制在圆形板110与基板102间。在其他实施例中，圆形板110的尺寸可以小于基板102。
圆形板110附接到轴114。轴114可为中空的以容纳一个或多个通道112。圆形板110的轴114耦接到升降机构115以上下移动圆形板110而提供圆形板110与旋转式固定座120间的相对运动，并控制旋转式固定座120上的基板102与圆形板110之间的距离。在其他实施例中，旋转式固定座120 可上下移动以提供圆形板110与旋转式固定座120之间的相对运动，或者圆形板110与旋转式固定座120均可上下移动。轴114可耦接至旋转式驱动机构116以使圆形板110以期望的旋转速度沿顺时针方向及/或逆时针方向旋转。
基板处理设备100的处理流体供给设备可以包括一个或多个喷嘴臂118，其耦接到喷嘴处理流体源119，以向基板102提供如液体、气体或其组合的处理流体。除了圆形板110的一个或多个通道112外或者作为其替代，基板处理设备100的处理流体供给设备可以包括一个或多个喷嘴臂118。举例来说，在一实施例中，喷嘴臂118可向基板102提供第一处理流体(例如去离子水)，通道112可向基板102提供第二处理流体((例如异丙醇 (isopropylalcohol，IPA))。在另一个实施例中，第一喷嘴臂可以将例如去离子水的第一处理流体提供给基板102，并且第二喷嘴臂可以将例如异丙醇的第二处理流体提供给基板102。在又一实施例中，圆形板110的第一通道可以向基板102提供如去离子水的第一处理流体，并且圆形板110的第二通道可以向基板102提供如异丙醇的第二处理流体。
旋转式固定座120包括多个与旋转式基座122耦接的承载件140。承载件140将基板102承载在夹持基板位置和未夹持基板位置中。旋转式基座 122附接到轴124，轴124耦接到旋转式驱动机构126。旋转式驱动机构126 使旋转固定座120和装载在旋转固定座120上的基板102以期望的旋转速度顺时针及/或逆时针旋转。
旋转式固定座120包括加热器130。加热器130包括嵌入式加热元件，例如电阻加热元件或加热控制流体，以将加热器130加热到期望的温度。加热器130耦接至轴132。轴132耦接至升降机构134，以提供加热器130 与装载于旋转式固定座120上的基板102之间的相对运动。在特定方面，升降机构134可移动加热器130接触基板102及移动加热器130远离基板102，以控制装载在旋转式固定座120上的基板102的加热。在特定方面，升降机构134可以移动加热器130以远离基板102，以转动旋转式基座122 以及将基板102承载在夹持基板位置的承载件140。
在其他实施例中，旋转式基座可以耦接到升降机构以提供加热器130 与装载在旋转式固定座120上的基板102之间的相对运动。在其他实施例中，也可使用其他类型的加热器。举例来说，温度控制流体可以直接喷洒或提供到基板102背离圆形板110的相反侧。在其他实施例中，多个加热灯(heating lamp)可以朝向基板102，以加热承载在旋转固定座120上的基板102。
图2A和图2B是图1的承载件140的一个实施例的侧面剖视示意图。承载件140包括支撑部150，用以支撑基板102的底缘106。支撑部150可为倾斜的(如图所示)或者可为平坦的。承载件140包括支撑承载夹170 的销(pin)160。
图2A示出通过转动销160将承载夹170朝向基板102，而被致动至夹持基板位置的承载件140。承载夹170的夹持部172接触或接近基板102的上缘108以夹持基板102。在夹持基板位置，基板102可以通过与旋转式基座122耦接的承载件140以所需的速度旋转。加热器130可远离基板102，以避免在基板102旋转时与基板102接触。在其他方面，当基板102位于夹持基板位置时，可以在其他步骤中处理基板102，例如其他流体处理步骤及/或加热步骤。
图2B示出通过转动销160将承载夹170远离基板102，而被致动至未夹持基板位置的承载件140。承载夹170的夹持部172远离基板102的上缘 108。如图2B所示，可以升高加热器130以接触基板102进而加热基板102。在其他方面，当在未夹持基板位置时，可以在其他步骤(例如其他流体处理步骤)中处理基板102，并且基板102可以在承载件140上被装载和卸载。
如图2A和图2B所示，承载件140的销160包括倾斜部162，用以在基板102的上缘108和销160之间提供间隙166。在特定实施例中，倾斜部 162的角度164介于从大约45度到大约89度的范围内。在其他实施例中，倾斜部的角度164介于从大约50度到大约80度的范围内。在夹持基板位置和未夹持基板位置，销160的倾斜部162面朝基板102的侧缘103。承载件140的倾斜部162改善了基板102靠近承载件140的上缘108处的处理流体104(如异丙醇)的厚度。
一般相信倾斜部162减少或消除处理流体104进入在销160与基板102 的上缘108间形成之间隙166中的毛细现象，除非在权利要求中具体阐述，否则不受理论的限制。一般相信毛细现象可将处理流体104拉入间隙166 中，从而可使基板102靠近承载件140的上缘108处的处理流体变薄。减少在基板102的上缘108处的处理流体量可能会降低处理流体的功能，例如基板102的异丙醇干燥。随着减少的异丙醇干燥，水残留物和颗粒可能残留在基板102上而导致颗粒缺陷。此外，减少的异丙醇干燥可能导致在基板102上形成的特征图案坍塌。销160的倾斜部162使基板102与销160 之间的间隙166扩大，以减少因毛细现象将处理流体104拉入间隙166中所导致的在基板102的上缘108处的处理流体的薄化。承载件140的销160 的倾斜部162增加处理流体104工艺的均匀性，例如清洁和干燥的均匀性。
图2C和图2D是图1的承载件140的另一实施例的侧面剖视示意图。承载件140包括支撑部250以支撑基板102的底缘106。支撑部250可为倾斜的(如图所示)或者可为平坦的。承载件140包括支撑承载夹270的销 260。承载夹270在夹持基板位置和未夹持基板位置之间旋转，同时销260 相对于承载夹270的旋转保持静止。
图2C示出通过朝向基板102转动承载夹270而被致动至夹持基板位置的承载件140。承载夹270的夹持部272接触或接近基板102的上缘108以夹持基板102。图2D示出通过将承载夹270转离基板102而被致动至未夹持基板位置的承载件140。承载夹270的夹持部272位在远离基板102的上缘108处。
如图2C和图2D所示，承载件140的销260包括倾斜部262，以在基板102的上缘108和销260之间提供间隙266。由于销260不旋转，在夹持基板位置及未夹持基板位置皆可在销260面朝基板102的侧缘103的一侧提供倾斜部262。在特定实施例中，倾斜部262的角度264介于45度和89 度之间。在其他实施例中，倾斜部262的角度264介于50度和80度之间。承载件140的倾斜部262改善了基板102靠近承载件140的上缘108处的异丙醇等处理流体104的厚度。
一般相信倾斜部262减少或消除了处理流体104进入在销260与基板 102的上缘108间形成之间隙266中的毛细现象，除非在权利要求中具体阐述，否则不受理论的限制。一般相信毛细现象可以将处理流体104拉入间隙266中，其可使基板102靠近承载件140的上缘108处的处理流体变薄。减少在基板102的上缘108处的处理流体量可能会降低处理流体的功能，例如基板102的异丙醇干燥。随着减少的异丙醇干燥，水残留物和颗粒可能残留在基板102上而导致颗粒缺陷。此外，减少的异丙醇干燥可能导致在基板102上形成的特征图案坍塌。销260的倾斜部262使基板102与销 260之间的间隙266扩大，以减少因毛细现象将处理流体104拉入间隙266 中所导致的在基板102的上缘108处的处理流体薄化。承载件140的销260 的倾斜部262增加处理流体104工艺的均匀性，例如清洁和干燥的均匀性。
在其他实施例中，销160、260的倾斜部162、262可为弯曲，以增加基板102的上缘108与销160、260间的间隙166、266的尺寸。
图3A和图3B示出图1及图2A-2D的旋转式固定座120的一个实施例的俯视示意图。旋转式固定座120包括四个承载件140。在其他实施例中，旋转式固定座120可以包括其他数量的承载件140，例如三个、五个或更多个承载件140。如图3A所示，承载件140的承载夹位于夹持基板位置。如图3B 所示，承载件140的承载夹位于未夹持基板位置。
图3A和3B更显示出具有一个喷嘴臂118的基板处理设备的一个实施例，虽然其也可具有多于一个的喷嘴臂118。可旋转喷嘴臂118以将其定位在基板102的任何部分之上。
图4是示出使用图1的基板处理设备100清洁和干燥基板102的方法 400的一个实施例的流程图。在方法400的方块410中，将基板102装载到基板处理设备100中。基板102由多个承载件140承载在基板处理设备100 的旋转式固定座120上。每个承载件140包括具有倾斜部162的销160，以在基板102的上缘和销160之间提供间隙。
在方法400的方块420中，将如去离子水的第一处理流体例如通过设置在基板102上方的喷嘴臂118喷洒或配送到基板102。在将第一处理流体配送到基板102上的时或之后，可以转动旋转式固定座120。举例来说，旋转式固定座120可以使基板102以每分钟约300转至约3000转的速度旋转。在其他实施例中，在将第一处理流体配送到基板102上的过程的时和之后，旋转式固定座120可以是静止的。
在方法400的方块430中，通过圆形板110的通道112将如异丙醇的第二处理流体喷洒或配送到基板102。第二处理流体可由与氮气(N2)的混合物或与其他流体一起配送。旋转式固定座120可以在将第二处理流体配送到基板102上的过程的时或的后旋转。举例来说，旋转式固定座120可以使基板102以每分钟约300转至约3000转的速度旋转。
在方法400的方块440中，加热基板102以蒸发配送到基板上任何剩余的第二处理流体(例如异丙醇)，进而提供干净且干燥的基板102。在至少一部分方块420、430及/或440的期间，每个承载件140包括具有倾斜部的销，上述倾斜部面朝基板的侧缘103。在方块420、430和440中，当处理流体保留在基板102上，销的倾斜部减少在方块420及/或方块430中配送的处理流体的毛细现象，并有助于保持基板102靠近承载件140的上缘 108处的处理流体的厚度，除非在权利要求中具体阐述，否则不受理论的限制。方法400提供了更均匀清洁和干燥的基板102，从而减少形成在基板上的特征图案塌陷。
图5A-图5C是图1的基板处理设备100的侧视示意图，其示出清洁和干燥基板102的方法的一个实施例。图5A中，将基板102装载到旋转固定座120上。旋转式固定座120的承载件140卡合在夹持基板位置，以夹持基板102的上缘108。去离子水通过位于基板102上方的喷嘴臂118，被喷洒或配送至基板102上。在将去离子水配送到基板102上的时或之后，可用期望的速度转动旋转式基座122。加热器130位于远离基板102的下方位置，以允许旋转式基座122、承载件140以及基板102旋转。
在图5B中，异丙醇通过圆形板110的通道112，被喷洒或配送至基板 102上。异丙醇也可与氮气混合而被喷洒或配送。在将异丙醇配送到基板 102上的时或之后，可以转动旋转式基座122。加热器130可位于远离基板 102的下方位置，以允许旋转式基座122、承载件140及基板102旋转。
异丙醇向基板102提供清洁效应和干燥效应。清洁和干燥的一部分是由马伦哥尼(Marangoni)效应所造成。马伦哥尼效应是由于两种流体间界面的表面张力梯度所造成的沿着两种流体间界面的质传(mass transfer)。由于具有高表面张力的流体对周围流体的拉力比具有低表面张力的流体更强，所以存在表面张力的梯度会自然导致流体从低表面张力的区域流走。
举例来说，由于马伦哥尼效应，当配送异丙醇到基板102上时，基板 102的表面上残留的去离子水会从基板102的特征被推出并朝向基板102的周边。异丙醇沿着基板102的表面横向移动去离子水，并且将去离子水与其中的颗粒一起从基板的边缘排出。在施用异丙醇期间或施用异丙醇的后旋转基板102可有助于将去离子水从基板的表面排出。与异丙醇一起配送氮气或在从通道112配送异丙醇的后再配送氮气可帮助将去离子水和异丙醇从基板的边缘推出。圆形板110可位在较低的位置以将处理流体(异丙醇及/或氮气)限制在圆形板110与基板102之间。在特定实施例中，圆形板110可用例如与基板102一致或不同的速度旋转。
如图5C所示，加热器130位在与基板102接触的上部位置，以将基板 102加热到期望的温度。基板102上的剩余异丙醇由于基板102的加热而被气化。蒸发基板102上剩余的异丙醇以去除异丙醇并因此干燥基板102。旋转式固定件120的承载件140可以位在未夹持基板位置以助于均匀蒸发异丙醇。举例来说，可以将加热器130的温度设定为约摄氏40度至70度范围内的加热器温度，以提供约摄氏30度至约60度范围内的基板温度，进而蒸发在基板102上剩余的异丙醇。如果在基板处理设备100内施加真空，则可以使用较低的加热器温度。在其他实施例中，可以使用更高或更低的加热器温度和基板温度。
基板102可以经受吹扫工艺(purging process)以帮助去除去离子水、颗粒、碎片、污染物和异丙醇。在吹扫工艺中，通过圆形板的一个或多个通道112将吹扫气体(purginggas)(例如氮气)喷洒或配送到基板102上，以从基板102大抵去除去离子水、颗粒、碎片、污染物、和异丙醇。圆形板110可朝向基板102降低，以将吹扫气体保持在圆形板110与基板102之间，进而帮助去离子水、颗粒、碎片、污染物朝向和离开基板102的边缘横向地移动。吹扫气体的例子包括氮气、氩气、氦气、异丙醇蒸气、空气、其他惰性气体及其混合物。
除非在权利要求中具体阐述，否则不受理论的限制，由承载件140承载基板102，其中每个承载件140包括具有倾斜部的销。销的倾斜部减少了在图5A及/或图5B中配送的处理流体的毛细现象，并且有助于维持基板 102靠近承载件140的上缘108处的处理流体厚度。包含具有倾斜部的销的承载件140提供了更均匀地清洁和干燥的基板102，从而减少形成在基板上的特征图案塌陷。
已参照图4的方法400及第5A-5C图的清洁和干燥基板的方法描述了处理流体104(如去离子水与异丙醇)。其他处理流体104可用于对基板进行工艺，例如蚀刻、剥离、清洁及/或干燥基板102。举例来说，处理流体 104包括异丙醇、去离子水、NH4OH、KOH、四甲基氢氧化铵 (tetramethylammonium hydroxide，TMAH)、四丁基氢氧化铵(tetrabutylammonium hydroxide，TBAH)、H2O、NH4OH/H2O2/H2O、 NH4OH/H2O、HCl/H2O2/H2O、HCl/H2O、H2O4/H2O2、HF/H2O、HF/H2O2/H2O、 HF/NH4/H2O、乙酸、HNO3/H2O、HNO3/HCl/H2O、H3PO4/H2O等、其混合物或组合。可以在一个或多个工艺中将一种或多种处理流体配送到基板上。
基板处理设备100和旋转固定座120可用于处理用于形成先进半导体装置的特征。基板处理设备100和旋转式固定座120可用于在制造鳍式场效应晶体管装置(例如图6所示的鳍式场效应晶体管装置600)时清洗和干燥基板。图6是示出基板102的一个实施例的局部立体图，其上形成有鳍式场效应晶体管装置600。鳍式场效应晶体管装置600包括形成在具有源极 /漏极区612和源极/漏极区614的两个鳍片610上的栅极结构620。浅沟槽隔离630分隔主动区，例如鳍片610。栅极结构620包括侧壁间隔物622、栅极介电质624、栅极626及掩模628。由于鳍片之间的高深宽比沟槽，颗粒可能位在鳍式场效应晶体装置600的鳍片610的底部。由于鳍片610间的毛细现象，鳍片610也可能倾向于塌陷。通过在基板的上方以及上缘108 处提供更均匀的处理流体，基板处理设备100和旋转式固定座120可用于更彻底和更均匀地清洁和干燥鳍式场效应晶体管装置600的鳍片610。
基板处理设备100和旋转固定座120可以在多个半导体制造步骤的后用于清洁和干燥。举例来说，可以在沉积膜层的后使用基板处理设备100 和旋转固定座120，例如在膜层的化学气相沉积(chemical vapor deposition)、物理气相沉积(physical vapordeposition)、磊晶沉积(epitaxial deposition) 或电沉积(electrodeposition)的后；在以化学机械研磨(chemical mechanical polishing)去除材料层后；在蚀刻以在基板内或上方形成特征的后；以及在半导体装置的其他制造步骤使用基板处理设备100和旋转固定座120。
图7A及图7B是图1的承载件140的另一实施例的剖面示意图。承载件140包括支撑部750以支撑基板102的底缘106。支撑部750可以为倾斜的(如图所示)或者可为平坦的。承载件140包括支撑承载夹770的销760。
图7A示出通过朝向基板102转动承载夹770而被致动至夹持基板位置的承载件140。承载夹770横向移动朝向基板102的中心，使得夹持部772 接触或接近基板102的上缘108。图7B示出通过将承载夹770远离基板102 的中心而被致动至未夹持基板位置的承载件140。承载夹770横向移动远离基板，使得夹持部772远离基板102的上缘108。
承载件140的销760包括倾斜部762，以在基板102的上缘108和销 760间提供间隙766。在某些实施例中，倾斜部162的角度764介于45度与89度间。在其他实施例中，倾斜部的角度764介于50度和80度间。承载件140的倾斜部762提高了承载件140附近基板102的上缘108处的处理流体104(如异丙醇)的厚度。
承载件140可以安装在一臂上以将承载件140定位在夹持基板位置和未夹持基板位置间。上述臂可为线性臂及/或枢转臂以横向移动承载件140。由于承载件140附近的处理流体104提高的厚度，承载件140可以减少基板缺陷(颗粒、残渣、图案倒塌)的发生。
此处描述的实施例已将基板定位在水平位置。在其他实施例中，基板可以定位在倾斜位置或垂直位置。本公开所述的实施例在同一基板处理设备中配送去离子水和异丙醇。在其他实施例中，可以使用多个基板处理设备分别配送去离子水和异丙醇。实施例还包括以不同的方向、角度、位置并通过使用不同的喷嘴、通道和入口来配送处理流体。在配送期间可移动或静止喷嘴、通道和入口。
本公开描述的实施例提供了承载件，用于承载在其上设置有处理流体的基板。在承载件承载基板的同时也允许配送到基板上的处理流体的厚度更均匀。因为处理流体的厚度在基板上可以保持更均匀，所以处理流体可以更均匀地清洁及/或干燥基板，从而减少了基板的缺陷，例如减少了污染和图案塌陷。
在一实施例中，提供了一种基板处理设备，包括旋转式固定座以及处理流体供给设备。旋转式固定座包括承载件以及旋转机构，耦接至旋转式基座，每个承载件包括销，销有倾斜部，用以在基板的上缘及销间提供间隙。旋转机构用以转动旋转式基座。处理流体供给设备在旋转式固定座上。
在另一实施例中，提供了一种旋转式固定座，用以处理一基板，包括承载件、加热器以及旋转机构。承载件耦接至旋转式基座，每个承载件包括销，销有倾斜部，用以在基板的上缘及销间提供间隙。旋转机构耦接至旋转式基座。
在又一实施例中，提供了一种基板处理方法，包括：以承载件在旋转式固定座上承载基板，每个承载件包括销，销有倾斜部，用以在基板的上缘及销间提供间隙；配送第一处理流体到基板上；以及配送第二处理流体到基板上。
如本发明一实施例所述的基板处理设备，其中承载件中的每一者还包括承载夹，设置在销上，且是配置以定位在邻接基板的上缘的夹持位置。
如本发明一实施例所述的基板处理设备，其中承载件中的每一者还包括支撑部，用以支撑基板的下缘。
如本发明一实施例所述的基板处理设备，其中处理流体供给设备是择自包括具有一或多个通道的圆形板、或多个喷嘴臂及其组合的群中。
如本发明一实施例所述的基板处理设备，其中处理流体供给设备耦接至异丙醇源。
如本发明一实施例所述的基板处理设备，其中销的倾斜部是介于45度及89度间。
如本发明一实施例所述的基板处理设备，其中销的倾斜部是介于50度及80度间。
如本发明另一实施例所述的旋转式固定座，其中承载件中的每一者是配置以锁固基板，使得销的倾斜部面朝基板的侧缘。
如本发明另一实施例所述的旋转式固定座，其中旋转式固定座包括耦接至加热器的升降机构。
如本发明另一实施例所述的旋转式固定座，其中承载件中的每一者还包括承载夹，设置在销上，且被配置以定位在邻接基板的上缘的夹持位置。
如本发明另一实施例所述的旋转式固定座，其中承载件中的每一者还包括支撑部，用以支撑基板的下缘。
如本发明另一实施例所述的旋转式固定座，其中销的倾斜部是介于45 度及89度间。
如本发明另一实施例所述的旋转式固定座，其中销的倾斜部是介于50 度及80度间。
如本发明又一实施例所述的基板处理方法，还包括加热基板以从基板蒸发所配送的第二处理流体。
如本发明又一实施例所述的基板处理方法，其中在配送第一处理流体时旋转该基板。
如本发明又一实施例所述的基板处理方法，其中在配送第二处理流体时旋转基板。
如本发明又一实施例所述的基板处理方法，其中第一处理流体包括去离子水，且其中第二处理流体包括异丙醇。
如本发明又一实施例所述的基板处理方法，其中承载件的销的倾斜部在基板的上缘及倾斜部间提供间隙。
上述内容概述许多实施例的特征，因此任何所属技术领域中技术人员，可更加理解本发明的各面向。任何所属技术领域中技术人员，可能无困难地以本发明为基础，设计或修改其他工艺及结构，以达到与本发明实施例相同的目的及/或得到相同的优点。任何所属技术领域中技术人员也应了解，在不脱离本发明的构思和范围内做不同改变、代替及修改，如这些效的创造并没有超出本发明的构思及范围。

Claims (19)

1.一种基板处理设备，包括：
一旋转式固定座，包括：
多个承载件，耦接至一旋转式基座，所述承载件中的每一者包括一销以及一支撑部，该销能转动地连接该支撑部，该销具有一倾斜部，用以在该基板的一上缘及该销间提供一间隙，该间隙从该销的一下表面至该销的一上表面连续地增大，以及
一旋转驱动机构，用以转动该旋转式基座；以及
一处理流体供给设备，设置在该旋转式固定座上。
2.如权利要求1所述的基板处理设备，其中所述承载件中的每一者还包括一承载夹，设置在该销上，且是配置以定位在邻接该基板的该上缘的一夹持位置。
3.如权利要求1所述的基板处理设备，其中该支撑部用以支撑该基板的一下缘。
4.如权利要求1所述的基板处理设备，其中该处理流体供给设备是择自包括具有一或多个通道的一圆形板、一或多个喷嘴臂及其组合的群中。
5.如权利要求1所述的基板处理设备，其中该处理流体供给设备耦接至一异丙醇源。
6.如权利要求1所述的基板处理设备，其中该销的该倾斜部是介于45度及89度间。
7.如权利要求1所述的基板处理设备，其中该销的该倾斜部是介于50度及80度间。
8.一种旋转式固定座，用以处理一基板，包括：
多个承载件，耦接至一旋转式基座，所述承载件中的每一者包括一销以及一支撑部，该销能转动地连接该支撑部，该销具有一倾斜部，用以在该基板的一上缘及该销间提供一间隙，该间隙从该销的一下表面至该销的一上表面连续地增大；
一加热器；以及
一旋转机构，耦接至该旋转式基座。
9.如权利要求8所述的旋转式固定座，其中所述承载件中的每一者是配置以锁固一基板，使得该销的该倾斜部面朝该基板的一侧缘。
10.如权利要求8所述的旋转式固定座，其中该旋转式固定座包括耦接至该加热器的一升降机构。
11.如权利要求8所述的旋转式固定座，其中所述承载件中的每一者还包括一承载夹，设置在该销上，且被配置以定位在邻接该基板的该上缘的一夹持位置。
12.如权利要求8所述的旋转式固定座，其中该支撑部用以支撑该基板的一下缘。
13.如权利要求8所述的旋转式固定座，其中该销的该倾斜部是介于45度及89度间。
14.如权利要求8所述的旋转式固定座，其中该销的该倾斜部是介于50度及80度间。
15.一种基板处理方法，包括：
以多个承载件在一旋转式固定座上承载一基板，所述承载件中的每一者包括一销、一夹持部、以及一支撑部，该销附接到该支撑部，该销具有一倾斜部，用以在该基板的一上缘及该销的该倾斜部间提供一间隙，该间隙从该销的一下表面至该销的一上表面连续地增大，其中固定该基板的操作包括相对于该支撑部旋转该销，且该夹持部延伸到该基板的一上表面上方；
配送一第一处理流体至该基板上；以及
配送一第二处理流体至该基板上。
16.如权利要求15所述的基板处理方法，还包括加热该基板以从该基板蒸发所配送的该第二处理流体。
17.如权利要求16所述的基板处理方法，其中在配送该第一处理流体时旋转该基板。
18.如权利要求16所述的基板处理方法，其中在配送该第二处理流体时旋转该基板。
19.如权利要求15所述的基板处理方法，其中该第一处理流体包括去离子水，且其中该第二处理流体包括异丙醇。
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