CN109713005A - 一种白光Micro LED结构的工艺实现方式 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，包括：步骤100、在电路基板上等间距地均匀固晶若干蓝光芯片；步骤200、将掩膜板覆盖于已固晶的电路基板上；步骤300、利用喷涂法将一种量子点材料覆盖于蓝光芯片的表面；步骤400、用胶带去除溢出所述掩膜板表面的量子点；步骤500、移除该掩膜板；步骤600、并更换一块全新的掩膜板，重复步骤200至步骤500，在其他未覆盖量子点材料的蓝光芯片上通过喷涂法覆盖另一种量子点材料，通过该方法实现白光Micro LED，其工艺更为简单，可以有效节约生产成本，提高生产效率、减少不良。
Description
技术领域
本发明涉及半导体显示技术领域，具体为一种白光Micro LED结构的工艺实现方式。
背景技术
Micro LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED尺寸，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，将像素等级由毫米级降低至微米级。Micro LED不仅继承了传统LED高效率、高亮度、高可靠性和反应时间快的优点，还具有节能、机构简单、体积小、薄型以及发光无需背光源的特点。
量子点，又称纳米晶，是一种由Ⅱ～Ⅳ族或Ⅲ～Ⅴ族元素组成的纳米颗粒。量子点粒径一般介于1～100nm之间，可适用于小尺寸的micro-display。量子点具有电致发光与光致发光的效果，受激后可以发射荧光，颜色由材料和尺寸决定，因此，可以通过调控量子点粒径大小来改变其不同发光的波长。当量子点粒径越小，发光颜色越偏蓝色，反之越偏红色。
量子点的化学成分多样，发光颜色可以覆盖整个可见区和红外光谱，且具有高能力的吸光-发光效率、很窄的半高宽、宽吸收频谱等特性，因此具有很高的色纯度和色饱和度。量子点尺寸小在纳米级别，非常适用于micro LED的白光转换应用，因此，将量子点实现在micro LED上的白光转换应用，具有很大的开发意义。
发明内容
为了克服现有技术方案的不足，本发明提供一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，通过该方法实现白光Micro LED，其工艺更为简单，可以有效节约生产成本，提高生产效率、减少不良，能有效的解决背景技术提出的问题。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，包括：
步骤100、在电路基板上等间距地均匀固晶若干蓝光芯片；
步骤200、将掩膜板覆盖于已固晶的电路基板上；
步骤300、利用喷涂法将一种量子点材料覆盖于蓝光芯片的表面；
步骤400、用胶带去除溢出所述掩膜板表面的量子点；
步骤500、移除该掩膜板；
步骤600、并更换一块全新的掩膜板，重复步骤200至步骤500，在其他未覆盖量子点材料的蓝光芯片上通过喷涂法覆盖另一种量子点材料。
进一步地，所述电路基板上的蓝光芯片每相邻的三颗视为一个芯片组，各个芯片组的蓝光芯片不重复，整个所述电路基板上的蓝光芯片可视为单个芯片组的阵列。
进一步地，所述步骤200中掩膜板上的开窗位置对应每个芯片组的第一颗蓝光芯片。
进一步地，所述步骤600中掩膜板上的开窗位置对应每个芯片组的第二颗蓝光芯片。
进一步地，所述掩膜板上的开窗位置比所述蓝光芯片略大。
进一步地，所述量子点材料包括红色量子点材料和绿色量子点材料，在所述步骤300中喷涂的是红色量子点材料，在所述步骤600中喷涂的是绿色量子点材料。
进一步地，所述步骤300还包括：
所述喷涂法具体为使用喷涂设备在掩膜板开窗位置喷涂包含红色量子点的溶剂，从而在每个芯片组的第一颗蓝光芯片处涂覆上红色量子点材料。
进一步地，所述步骤600还包括：
所述喷涂法具体为使用喷涂设备在掩膜板开窗位置喷涂包含绿色量子点的溶剂，从而在每个芯片组的第二颗蓝光芯片处涂覆上绿色量子点材料。
进一步地，所述红色量子点材料和绿色量子点材料的喷涂量一致。
进一步地，所述红色量子点材料和绿色量子点材料的材质包括但不限于Ⅱ～Ⅳ族、Ⅲ～Ⅴ族或Ⅳ～Ⅴ的半导体材料。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明通过该方法实现白光Micro LED，其工艺更为简单，可以有效节约生产成本，提高生产效率、减少不良。
附图说明
图1为本发明固精后电路基板的局部俯视图；
图2为本发明掩膜板的局部俯视图；
图3为本发明红色量子点材料的喷涂过程示意图；
图4为本发明绿色量子点材料的喷涂过程示意图；
图5为本发明成品局部测试图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图3和图4所示，本实施方式提供一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，包括如下步骤：
步骤100、将蓝光芯片(B)按合适距离等间距地均匀固晶到电路基板上(如图1所示)，其中，每3颗芯片可视为一个芯片组，整个基板上所有芯片可视为单个芯片组的阵列；
步骤200、将特制的掩膜板覆盖于已固晶的基板上，其中，掩膜板上开窗位置对应每个芯片组的第一颗芯片，且尺寸比蓝光芯片略大(如图2所示)；
步骤300、利用喷涂法将红、绿量子点材料(R-QD、G-QD)分别覆盖到芯片表面，具体的，使用精度较高的喷涂设备在掩膜板开窗位置喷涂包含红色量子点的溶剂，从而在每个芯片组的第一颗蓝光芯片处涂覆上红色量子点材料(R-QD)；喷涂过程中，量子点溶剂中的液体部分会在空气中挥发，
步骤400、使用特制胶带去除溢出掩膜板表面平面的量子点；
步骤500、移除该掩膜板；
步骤600、并更换一块全新的掩膜板，该掩膜板的开窗位置对应每个芯片组的第二颗蓝光芯片，重复步骤200至步骤500，在每个芯片组的第二颗芯片处涂覆上绿色量子点材料，具体为使用精度较高的喷涂设备在掩膜板开窗位置喷涂包含绿色量子点的量子点溶剂，从而在每个芯片组的第一颗蓝光芯片处涂覆上绿色量子点材料(G-QD)，喷涂过程中，量子点溶剂中的液体部分会在空气中挥发，留下覆盖在蓝光芯片上量子点材料。
最后，制作完成，成品局部侧视图如图5所示。
在本实施方式中，特制胶带的使用是为了保证相同颜色量子点溶剂高度的平整。
本实施方式中，红色量子点及绿色量子点的喷涂量保持一致。
在本实施方式中，红色、绿色量子点材料，其材质包括但不限于Ⅱ～Ⅳ族、Ⅲ～Ⅴ族或Ⅳ～Ⅴ的半导体材料，例如：CdS、ZnS、GaAs、InSb等。
该方法工艺更为简单，可以有效节约生产成本，提高生产效率、减少不良。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (10)
1.一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，其特征在于，包括：
步骤100、在电路基板上等间距地均匀固晶若干蓝光芯片；
步骤200、将掩膜板覆盖于已固晶的电路基板上；
步骤300、利用喷涂法将一种量子点材料覆盖于蓝光芯片的表面；
步骤400、用胶带去除溢出所述掩膜板表面的量子点；
步骤500、移除该掩膜板；
步骤600、并更换一块全新的掩膜板，重复步骤200至步骤500，在其他未覆盖量子点材料的蓝光芯片上通过喷涂法覆盖另一种量子点材料。
2.根据权利要求1所述的一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，其特征在于，所述电路基板上的蓝光芯片每相邻的三颗视为一个芯片组，各个芯片组的蓝光芯片不重复，整个所述电路基板上的蓝光芯片可视为单个芯片组的阵列。
3.根据权利要求1所述的一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，其特征在于，所述步骤200中掩膜板上的开窗位置对应每个芯片组的第一颗蓝光芯片。
4.根据权利要求1所述的一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，其特征在于，所述步骤600中掩膜板上的开窗位置对应每个芯片组的第二颗蓝光芯片。
5.根据权利要求3或4所述的一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，其特征在于，所述掩膜板上的开窗位置比所述蓝光芯片略大。
6.根据权利要求1所述的一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，其特征在于，所述量子点材料包括红色量子点材料和绿色量子点材料，在所述步骤300中喷涂的是红色量子点材料，在所述步骤600中喷涂的是绿色量子点材料。
7.根据权利要求1所述的一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，其特征在于，所述步骤300还包括：
所述喷涂法具体为使用喷涂设备在掩膜板开窗位置喷涂包含红色量子点的溶剂，从而在每个芯片组的第一颗蓝光芯片处涂覆上红色量子点材料。
8.根据权利要求1所述的一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，其特征在于，所述步骤600还包括：
所述喷涂法具体为使用喷涂设备在掩膜板开窗位置喷涂包含绿色量子点的溶剂，从而在每个芯片组的第二颗蓝光芯片处涂覆上绿色量子点材料。
9.根据权利要求7所述的一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，其特征在于，所述红色量子点材料和绿色量子点材料的喷涂量一致，形式包括但不限于量子点溶剂液态形式。
10.根据权利要求7所述的一种白光Micro LED结构的工艺实现方式，其特征在于，所述红色量子点材料和绿色量子点材料的材质包括但不限于Ⅱ～Ⅳ族、Ⅲ～Ⅴ族或Ⅳ～Ⅴ的半导体材料。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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