CN109710011A - 一种低功耗假负载电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种低功耗假负载电路，所述电路包括第一电阻模块、第二电阻模块、第三电阻模块、第一开关模块和第二开关模块；第一电阻模块的第一端与电路的第一端口连接，第一电阻模块的第二端与第一开关模块的控制端连接；第二电阻模块的第一端与电路的第二端口连接，第二电阻模块的第二端与第二开关模块的控制端连接；第三电阻模块的第一端与第二电阻模块的第一端连接，第三电阻模块的第二端与第二开关模块的第一端连接；第一开关模块的第一端与第二电阻模块的第二端连接，第一开关模块的第二端与电路的第三端口连接；第二开关模块的第二端与第三端口连接。本发明能够解决POE电路中PD受电设备的上电异常问题，并且电路简单，成本较低，功耗较小。

Description

一种低功耗假负载电路

技术领域

本发明涉及以太网供电技术领域，尤其涉及一种低功耗假负载电路。

背景技术

以太网供电(Power Over Ethernet，POE)标准802.3af/at中定义了MaintainPower Signature的概念，即MPS，PSE供电设备(Power Sourcing Equipment)在正常供电的过程中，会不断的对PI端口(Power Interface)进行MPS信号检测，一旦在要求的持续时间内无法检测到MPS信号，PSE供电设备将对连接的PD受电设备(Powered Device)进行断电处理。

对于一些PD受电设备的应用电路，如果负载电路的上电启动时间较长(如电源管理芯片)或者为非持续性负载电路(如可开关的负载电路)，那么在PSE供电设备进行MPS信号检测的过程中，PI端口的电流I_Port在MPS信号丢失限定时间内将会小于标准要求的最小电流，此时PSE供电设备认为PI端口不存在MPS信号，将对PD受电设备执行掉电操作，从而导致PD受电设备上电异常。

针对上述问题，现有技术提供了一种采用外部源提供周期性的电流脉冲以维持PSE不掉电的技术方案，但是，现有技术方案的实施需要采用MCU控制器、振荡器、脉冲发生器、比较器等多种复杂的电路元件来实现，电路元件的种类和数量较多，并且需要各电路元件一直保持在工作状态，从而导致电路复杂，成本较高，功耗较大。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种低功耗假负载电路，能够解决POE电路中PD受电设备的上电异常问题，并且电路简单，成本较低，功耗较小。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种低功耗假负载电路，所述电路包括第一电阻模块、第二电阻模块、第三电阻模块、第一开关模块和第二开关模块；其中，

所述第一电阻模块的第一端与所述电路的第一端口连接，所述第一电阻模块的第二端与所述第一开关模块的控制端连接；

所述第二电阻模块的第一端与所述电路的第二端口连接，所述第二电阻模块的第二端与所述第二开关模块的控制端连接；

所述第三电阻模块的第一端与所述第二电阻模块的第一端连接，所述第三电阻模块的第二端与所述第二开关模块的第一端连接；

所述第一开关模块的第一端与所述第二电阻模块的第二端连接，所述第一开关模块的第二端与所述电路的第三端口连接；

所述第二开关模块的第二端与所述第三端口连接。

进一步地，所述第一电阻模块包括第一电阻；所述第一电阻的第一端与所述第一电阻模块的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一电阻模块的第二端连接。

进一步地，所述第二电阻模块包括第二电阻；所述第二电阻的第一端与所述第二电阻模块的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二电阻模块的第二端连接。

进一步地，所述第三电阻模块包括n个电阻；每一所述电阻的第一端均与所述第三电阻模块的第一端连接，每一所述电阻的第二端均与所述第三电阻模块的第二端连接；其中，n≥1。

进一步地，所述第一开关模块包括第一开关管；所述第一开关管的控制端与所述第一开关模块的控制端连接，所述第一开关管的第一端与所述第一开关模块的第一端连接，所述第一开关管的第二端与所述第一开关模块的第二端连接。

进一步地，所述第一端口用于连接可变控制电源；所述第二端口用于连接供电电源；所述第三端口用于接地；

所述第一开关管为N沟道MOS管；所述第一开关管的控制端为N沟道MOS管的栅极，所述第一开关管的第一端为N沟道MOS管的漏极，所述第一开关管的第二端为N沟道MOS管的源极；或，

所述第一开关管为NPN型三极管；所述第一开关管的控制端为NPN型三极管的基极，所述第一开关管的第一端为NPN型三极管的集电极，所述第一开关管的第二端为NPN型三极管的发射极。

进一步地，所述第一端口用于连接可变控制电源；所述第二端口用于接地；所述第三端口用于连接供电电源；

所述第一开关管为P沟道MOS管；所述第一开关管的控制端为P沟道MOS管的栅极，所述第一开关管的第一端为P沟道MOS管的漏极，所述第一开关管的第二端为P沟道MOS管的源极；或，

所述第一开关管为PNP型三极管；所述第一开关管的控制端为PNP型三极管的基极，所述第一开关管的第一端为PNP型三极管的集电极，所述第一开关管的第二端为PNP型三极管的发射极。

进一步地，所述第二开关模块包括第二开关管；所述第二开关管的控制端与所述第二开关模块的控制端连接，所述第二开关管的第一端与所述第二开关模块的第一端连接，所述第二开关管的第二端与所述第二开关模块的第二端连接。

进一步地，所述第一端口用于连接可变控制电源；所述第二端口用于连接供电电源；所述第三端口用于接地；

所述第二开关管为N沟道MOS管；所述第二开关管的控制端为N沟道MOS管的栅极，所述第二开关管的第一端为N沟道MOS管的漏极，所述第二开关管的第二端为N沟道MOS管的源极；或，

所述第二开关管为NPN型三极管；所述第二开关管的控制端为NPN型三极管的基极，所述第二开关管的第一端为NPN型三极管的集电极，所述第二开关管的第二端为NPN型三极管的发射极。

进一步地，所述第一端口用于连接可变控制电源；所述第二端口用于接地；所述第三端口用于连接供电电源；

所述第二开关管为P沟道MOS管；所述第二开关管的控制端为P沟道MOS管的栅极，所述第二开关管的第一端为P沟道MOS管的漏极，所述第二开关管的第二端为P沟道MOS管的源极；或，

所述第二开关管为PNP型三极管；所述第二开关管的控制端为PNP型三极管的基极，所述第二开关管的第一端为PNP型三极管的集电极，所述第二开关管的第二端为PNP型三极管的发射极。

与现有技术相比，本发明实施例提供了一种低功耗假负载电路，包括第一电阻模块、第二电阻模块、第三电阻模块、第一开关模块和第二开关模块；第一电阻模块的第一端与电路的第一端口连接，第一电阻模块的第二端与第一开关模块的控制端连接；第二电阻模块的第一端与电路的第二端口连接，第二电阻模块的第二端与第二开关模块的控制端连接；第三电阻模块的第一端与第二电阻模块的第一端连接，第三电阻模块的第二端与第二开关模块的第一端连接；第一开关模块的第一端与第二电阻模块的第二端连接，第一开关模块的第二端与电路的第三端口连接；第二开关模块的第二端与第三端口连接，该低功耗假负载电路可以根据第一端口、第二端口和第三端口的电平状态控制第一开关模块以及第二开关模块的通断状态，以提供一个持续的电流负载满足MPS信号检测的要求，维持PSE不掉电，从而解决POE电路中PD受电设备的上电异常问题，并且电路简单，成本较低，功耗较小。

附图说明

图1是本发明提供的一种低功耗假负载电路的一个优选实施例的结构框图；

图2是本发明提供的一种低功耗假负载电路的一个优选实施例的具体电路图；

图3是本发明提供的一种低功耗假负载电路的另一个优选实施例的具体电路图；

图4是本发明提供的一种低功耗假负载电路的一个应用场景示意图；

图5是本发明提供的一种低功耗假负载电路的另一个应用场景示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本技术领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种低功耗假负载电路，参见图1所示，是本发明提供的一种低功耗假负载电路的一个优选实施例的结构框图，所述电路包括第一电阻模块100、第二电阻模块200、第三电阻模块300、第一开关模块400和第二开关模块500；其中，

所述第一电阻模块100的第一端与所述电路的第一端口连接，所述第一电阻模块100的第二端与所述第一开关模块400的控制端连接；

所述第二电阻模块200的第一端与所述电路的第二端口连接，所述第二电阻模块的第二端与所述第二开关模块500的控制端连接；

所述第三电阻300模块的第一端与所述第二电阻模块200的第一端连接，所述第三电阻模块300的第二端与所述第二开关模块500的第一端连接；

所述第一开关模块400的第一端与所述第二电阻模块200的第二端连接，所述第一开关模块400的第二端与所述电路的第三端口连接；

所述第二开关模块500的第二端与所述第三端口连接。

具体的，该低功耗假负载电路包括3个用于与外电路或设备连接的端口，分别为第一端口、第二端口和第三端口；其中，第一端口通过第一电阻模块100与第一开关模块400连接，第二端口通过第二电阻模块200分别与第一开关模块400和第二开关模块500连接，第二端口还通过第三电阻模块300与第二开关模块500连接，第三端口直接与第一开关模块400以及第二开关模块500连接。

在实际应用中，根据第一端口、第二端口和第三端口的电平状态可以控制第一开关模块400的闭合或断开，进而通过第一开关模块400的闭合或断开控制第二开关模块500的闭合或断开，从而可以根据实际需要实现该低功耗假负载电路的自动添加和自动去除，以在添加时维持MPS信号，在去除时节省电路功耗；需要说明的是，这里的添加和去除具体指该低功耗假负载电路是否起作用，即是否有电流流过第三电阻模块300。

例如，当需要添加该低功耗假负载电路(相当于该低功耗假负载电路起作用)，即需要提供一个持续的电流负载满足MPS信号检测的要求时，通过第一端口、第二端口和第三端口的电平状态控制第一开关模块400断开以及第二开关模块500闭合，使得由第二端口、第三电阻模块300、第二开关模块500、第三端口组成的通路上会有电流产生，通过设置第三电阻模块300的阻值控制上述电流的大小，从而为维持MPS信号检测所需的持续的电流负载提供了一条低阻抗回流路径，使得上述电流能够满足MPS信号检测的要求；当需要去除该低功耗假负载电路(相当于该低功耗假负载电路不起作用)，即不需要提供一个持续的电流负载满足MPS信号检测的要求时，通过第一端口、第二端口和第三端口的电平状态控制第一开关模块400闭合以及第二开关模块500断开，使得产生的电流直接从由第二端口、第二电阻模块200、第一开关模块400、第三端口组成的通路上流过，此时没有电流流过第三电阻模块300，并且由于第二电阻模块200的阻值一般设置的较大，流过第二电阻模块200的电流较小，达到节省电路功耗的目的。

本发明实施例所提供的一种低功耗假负载电路，无需采用多种复杂的电路元件，所使用的元件的种类和数量都大大减少，因此电路简单，成本较低，同时，该低功耗假负载电路可以根据第一端口、第二端口和第三端口的电平状态控制第一开关模块以及第二开关模块的通断状态，以在需要时使该低功耗假负载电路起作用，提供有效的MPS信号，维持PSE不掉电，从而解决POE电路中PD受电设备的上电异常问题，而在不需要时使该低功耗假负载电路不生效，无需各电路元件一直保持在工作状态，从而大大减少了电路的功耗。

作为优选方案，参见图2所示，是本发明提供的一种低功耗假负载电路的一个优选实施例的具体电路图，所述第一电阻模块100包括第一电阻R1；所述第一电阻R1的第一端与所述第一电阻模块100的第一端连接，所述第一电阻R1的第二端与所述第一电阻模块100的第二端连接。

具体的，可以通过第一电阻R1实现第一电阻模块100的功能，可选的，第一电阻R1的典型值为10KΩ。

作为优选方案，结合图2所示，所述第二电阻模块200包括第二电阻R2；所述第二电阻R2的第一端与所述第二电阻模块200的第一端连接，所述第二电阻R2的第二端与所述第二电阻模块200的第二端连接。

具体的，可以通过第二电阻R2实现第二电阻模块200的功能，可选的，第二电阻R2的典型值为10KΩ。

作为优选方案，结合图2所示，所述第三电阻模块300包括n个电阻r；每一所述电阻r的第一端均与所述第三电阻模块300的第一端连接，每一所述电阻r的第二端均与所述第三电阻模块300的第二端连接；其中，n≥1。

具体的，可以通过电阻r实现第三电阻模块300的功能，在本实施例中，第三电阻模块300由n个电阻r1、r2、······、rn并联组成，可以根据实际需要选择不同阻值、不同封装以及不同数量的电阻r并联组合，以在该低功耗假负载电路能够提供有效的MPS信号的同时，满足单个电阻的额定功率的要求。

例如，假设该低功耗假负载电路连接的供电电源VDD＝5.4V，第三电阻模块300的耗散功率大于0.57W(该0.57W为802.3af/at标准中规定的PSE供电设备的最大输出电压(57V)与判断MPS信号有效所要求的电流最大门限(10mA)的乘积)，则可以用3个1206封装的阻值为150Ω的电阻r并联组合成第三电阻模块300；可以理解的，对应于不同的VDD以及耗散功率，可以选择不同阻值、不同封装以及不同数量的电阻r并联组合。

在又一个优选实施例中，所述第一开关模块400包括第一开关管Q1；所述第一开关管Q1的控制端与所述第一开关模块400的控制端连接，所述第一开关管Q1的第一端与所述第一开关模块400的第一端连接，所述第一开关管Q1的第二端与所述第一开关模块400的第二端连接。

具体的，可以通过第一开关管Q1实现第一开关模块400的开关功能。

作为优选方案，结合图2所示，所述第一端口用于连接可变控制电源Control；所述第二端口用于连接供电电源VDD；所述第三端口用于接地GND/VSS；

所述第一开关管Q1为N沟道MOS管；所述第一开关管Q1的控制端为N沟道MOS管的栅极，所述第一开关管Q1的第一端为N沟道MOS管的漏极，所述第一开关管Q1的第二端为N沟道MOS管的源极；或，

所述第一开关管Q1为NPN型三极管；所述第一开关管Q1的控制端为NPN型三极管的基极，所述第一开关管Q1的第一端为NPN型三极管的集电极，所述第一开关管Q1的第二端为NPN型三极管的发射极。

具体的，如图2所示，该低功耗假负载电路的第一端口连接可变控制电源Control，其中，可变控制电源Control为普通的可变控制电源，例如PD受电设备的后级负载的最晚上电电源或者LED开关元器件之后的供电电源等；第二端口连接供电电源VDD，其中，供电电源VDD为普通的可持续供电电源，例如PSE供电设备的输出电源或者PD受电设备的后级负载输入电源等；第三端口接地GND/VSS；图2所示的第一开关管Q1为N沟道MOS管，第一开关管Q1的控制端为N沟道MOS管的栅极，与第一电阻R1的第二端连接；第一开关管Q1的第一端为N沟道MOS管的漏极，与第二电阻R2的第二端连接；第一开关管Q1的第二端为N沟道MOS管的源极，与第三端口即GND/VSS连接；当第一开关管Q1为NPN型三极管时，连接方式相似，这里不再赘述。

作为优选方案，参见图3所示，是本发明提供的一种低功耗假负载电路的另一个优选实施例的具体电路图，所述第一端口用于连接可变控制电源Control；所述第二端口用于接地GND/VSS；所述第三端口用于连接供电电源VDD；

所述第一开关管Q1为P沟道MOS管；所述第一开关管Q1的控制端为P沟道MOS管的栅极，所述第一开关管Q1的第一端为P沟道MOS管的漏极，所述第一开关管Q1的第二端为P沟道MOS管的源极；或，

所述第一开关管Q1为PNP型三极管；所述第一开关管Q1的控制端为PNP型三极管的基极，所述第一开关管Q1的第一端为PNP型三极管的集电极，所述第一开关管Q1的第二端为PNP型三极管的发射极。

具体的，如图3所示，该低功耗假负载电路的第一端口连接可变控制电源Control，同理，可变控制电源Control为普通的可变控制电源，例如PD受电设备的后级负载的最晚上电电源或者LED开关元器件之后的供电电源等；第二端口接地GND/VSS；第三端口连接供电电源VDD，同理，供电电源VDD为普通的可持续供电电源，例如PSE供电设备的输出电源或者PD受电设备的后级负载输入电源等；图3所示的第一开关管Q1为P沟道MOS管，第一开关管Q1的控制端为P沟道MOS管的栅极，与第一电阻R1的第二端连接；第一开关管Q1的第一端为P沟道MOS管的漏极，与第二电阻R2的第二端连接；第一开关管Q1的第二端为P沟道MOS管的源极，与第三端口即供电电源VDD连接；当第一开关管Q1为PNP型三极管时，连接方式相似，这里不再赘述。

需要说明的是，第一开关管Q1的漏极-源极之间的最大导通电流需要满足大于流过第三电阻模块300的电流，漏极-源极之间的最大耐压值需要满足大于供电电源VDD，栅极-源极之间的最大耐压值需要满足大于可变控制电源Contorl；另外，第一开关管Q1还可以是其他不同类型的具有开关功能的元器件，本发明不作具体限定，。

在又一个优选实施例中，所述第二开关模块500包括第二开关管Q2；所述第二开关管Q2的控制端与所述第二开关模块500的控制端连接，所述第二开关管Q2的第一端与所述第二开关模块500的第一端连接，所述第二开关管Q2的第二端与所述第二开关模块500的第二端连接。

具体的，可以通过第二开关管Q2实现第二开关模块500的开关功能。

作为优选方案，结合图2所示，所述第一端口用于连接可变控制电源Control；所述第二端口用于连接供电电源VDD；所述第三端口用于接地GND/VSS；

所述第二开关管Q2为N沟道MOS管；所述第二开关管Q2的控制端为N沟道MOS管的栅极，所述第二开关管Q2的第一端为N沟道MOS管的漏极，所述第二开关管Q2的第二端为N沟道MOS管的源极；或，

所述第二开关管Q2为NPN型三极管；所述第二开关管Q2的控制端为NPN型三极管的基极，所述第二开关管Q2的第一端为NPN型三极管的集电极，所述第二开关管Q2的第二端为NPN型三极管的发射极。

具体的，如图2所示，该低功耗假负载电路的第一端口连接可变控制电源Control，其中，可变控制电源Control为普通的可变控制电源，例如PD受电设备的后级负载的最晚上电电源或者LED开关元器件之后的供电电源等；第二端口连接供电电源VDD，其中，供电电源VDD为普通的可持续供电电源，例如PSE供电设备的输出电源或者PD受电设备的后级负载输入电源等；第三端口接地GND/VSS；图2所示的第二开关管Q2为N沟道MOS管，第二开关管Q2的控制端为N沟道MOS管的栅极，与第二电阻R2的第二端连接；第二开关管Q2的第一端为N沟道MOS管的漏极，与第三电阻模块300的第二端连接；第二开关管Q2的第二端为N沟道MOS管的源极，与第三端口即GND/VSS连接；当第二开关管Q2为NPN型三极管时，连接方式相似，这里不再赘述。

作为优选方案，结合图3所示，所述第一端口用于连接可变控制电源Control；所述第二端口用于接地GND/VSS；所述第三端口用于连接供电电源VDD；

所述第二开关管Q2为P沟道MOS管；所述第二开关管Q2的控制端为P沟道MOS管的栅极，所述第二开关管Q2的第一端为P沟道MOS管的漏极，所述第二开关管Q2的第二端为P沟道MOS管的源极；或，

所述第二开关管Q2为PNP型三极管；所述第二开关管Q2的控制端为PNP型三极管的基极，所述第二开关管Q2的第一端为PNP型三极管的集电极，所述第二开关管Q2的第二端为PNP型三极管的发射极。

具体的，如图3所示，该低功耗假负载电路的第一端口连接可变控制电源Control，同理，可变控制电源Control为普通的可变控制电源，例如PD受电设备的后级负载的最晚上电电源或者LED开关元器件之后的供电电源等；第二端口接地GND/VSS；第三端口连接供电电源VDD，同理，供电电源VDD为普通的可持续供电电源，例如PSE供电设备的输出电源或者PD受电设备的后级负载输入电源等；图3所示的第二开关管Q2为P沟道MOS管，第二开关管Q2的控制端为P沟道MOS管的栅极，与第二电阻R2的第二端连接；第二开关管Q2的第一端为P沟道MOS管的漏极，与第三电阻模块300的第二端连接；第二开关管Q2的第二端为P沟道MOS管的源极，与第三端口即供电电源VDD连接；当第二开关管Q2为PNP型三极管时，连接方式相似，这里不再赘述。

需要说明的是，第二开关管Q2的漏极-源极之间的最大导通电流需要满足大于流过第三电阻模块300的电流，漏极-源极之间的最大耐压值需要满足大于供电电源VDD，栅极-源极之间的最大耐压值需要满足大于供电电源VDD；另外，第二开关管Q2还可以是其他不同类型的具有开关功能的元器件，本发明不作具体限定。

结合上述实施例，该低功耗假负载电路的工作过程可以根据可变控制电源Contorl为低电平和高电平分为两种情况，以图2所示的具体电路图为例(图3所示的具体电路图的工作过程同理)：

当可变控制电源Control为低电平时，第一开关管Q1的栅极-源极之间的电压小于其开启电压，第一开关管Q1断开，第二开关管Q2的栅极-源极之间的电压为供电电源VDD，当供电电源VDD的电平大于第二开关管Q2的开启电压时，第二开关管Q2导通，供电电源VDD提供的负载电流分别经过并联电阻r1、r2、······、rn和第二开关管Q2的漏极-源极流向GND/VSS，从而可以提供一个持续的电流负载满足MPS信号检测的要求。

当可变控制电源Control为高电平时，第一开关管Q1的栅极-源极之间电压为可变控制电源Control，当可变控制电源Control的电平大于第一开关管Q1的开启电压时，第一开关管Q1导通，第二开关管Q2的栅极-源极之间的电压为0，小于其开启电压，第二开关管Q2断开，供电电源VDD提供的负载电流经过第二电阻R2、第一开关管Q1的漏极-源极流向GND/VSS，此时没有电流流过并联电阻r1、r2、······、rn，并且由于第二电阻R2的阻值一般设置的较大，流过第二电阻R2的电流较小，可以达到节省电路功耗的目的。

需要说明的是，根据不同的需求，可变控制电源Control可以是GND，以实现不可去除的负载电路，也可以是VDD，以实现无负载电路。

下面结合上述实施例以及具体的应用场景对本发明实施例所提供的低功耗假负载电路的工作原理进行具体描述：

参见图4所示，图4是本发明提供的一种低功耗假负载电路的一个应用场景示意图，该应用场景为POE系统，主要包括PSE供电设备、与PSE供电设备连接的PD受电设备、反激(fly-back)电路、一级直流-直流变换(DC-DC)电路、二级直流-直流变换(DC-DC)电路以及实际负载电路，其中，二级DC-DC电路的上电启动比较缓慢，因此需要低功耗假负载电路提供一个持续的电流负载满足PI端口的MPS信号检测的要求，防止上电异常。

图4中的U1为PSE供电设备的输出端或者为PD受电设备的输入端，低功耗假负载电路的第二端口连接的供电电源VDD为fly-back电路的输出端U2，低功耗假负载电路的第一端口连接的可变控制电源Control为二级DC-DC电路的输出端U3；当二级DC-DC电路还未启动完成时，可变控制电源Control为低电平，该低功耗假负载电路生效，供电电源VDD提供的负载电流会经过并联电阻r1、r2、······、rn流向地GND/VSS，为PSE供电设备的PI端口提供有效的MPS信号，也就是说，在实际负载未起作用时，低功耗假负载上消耗的功耗需要满足MPS信号检测的需求；当二级DC-DC电路启动完成后，该低功耗假负载电路自动失效，此时的MPS信号由POE系统的实际负载电路提供。

参见图5所示，是本发明提供的一种低功耗假负载电路的另一个应用场景示意图，该应用场景为带开关的LED系统，当开关K断开时，LED不工作，那么PI端口上就没有有效的MPS信号，如果不增加额外负载，PSE供电设备就会对PD受电设备进行断电操作，这时就需要本发明实施例中的低功耗假负载电路提供有效的MPS信号。

低功耗假负载电路的第一端口连接的可变控制电源Control为LED的阳极，当开关K断开时，可变控制电源Control为低电平，该低功耗假负载电路生效，相应产生电流通过并联电阻r1、r2、······、rn流向地GND/VSS，可以提供有效的MPS信号；当开关K闭合时，LED正常工作，会产生电流，相应就会提供有效的MPS信号，这时的低功耗假负载电路变成一个消耗功耗的电路，需要自动去除，即在开关K闭合后，可变控制电源Control为高电平，该低功耗假负载电路失效，从而减少系统的功耗。

需要补充的是，本发明实施例是以POE电路中的MPS信号检测为例进行说明，但不局限于POE电路，在其他功能电路，如电流检测电路中使用该低功耗假负载电路以实现类似的功能，均属于本发明的保护范围。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种低功耗假负载电路，其特征在于，所述电路包括第一电阻模块、第二电阻模块、第三电阻模块、第一开关模块和第二开关模块；其中，

所述第一电阻模块的第一端与所述电路的第一端口连接，所述第一电阻模块的第二端与所述第一开关模块的控制端连接；

所述第二电阻模块的第一端与所述电路的第二端口连接，所述第二电阻模块的第二端与所述第二开关模块的控制端连接；

所述第三电阻模块的第一端与所述第二电阻模块的第一端连接，所述第三电阻模块的第二端与所述第二开关模块的第一端连接；

所述第一开关模块的第一端与所述第二电阻模块的第二端连接，所述第一开关模块的第二端与所述电路的第三端口连接；

所述第二开关模块的第二端与所述第三端口连接。

2.如权利要求1所述的低功耗假负载电路，其特征在于，所述第一电阻模块包括第一电阻；所述第一电阻的第一端与所述第一电阻模块的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一电阻模块的第二端连接。

3.如权利要求1所述的低功耗假负载电路，其特征在于，所述第二电阻模块包括第二电阻；所述第二电阻的第一端与所述第二电阻模块的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二电阻模块的第二端连接。

4.如权利要求1所述的低功耗假负载电路，其特征在于，所述第三电阻模块包括n个电阻；每一所述电阻的第一端均与所述第三电阻模块的第一端连接，每一所述电阻的第二端均与所述第三电阻模块的第二端连接；其中，n≥1。

5.如权利要求1所述的低功耗假负载电路，其特征在于，所述第一开关模块包括第一开关管；所述第一开关管的控制端与所述第一开关模块的控制端连接，所述第一开关管的第一端与所述第一开关模块的第一端连接，所述第一开关管的第二端与所述第一开关模块的第二端连接。

6.如权利要求5所述的低功耗假负载电路，其特征在于，所述第一端口用于连接可变控制电源；所述第二端口用于连接供电电源；所述第三端口用于接地；

所述第一开关管为N沟道MOS管；所述第一开关管的控制端为N沟道MOS管的栅极，所述第一开关管的第一端为N沟道MOS管的漏极，所述第一开关管的第二端为N沟道MOS管的源极；或，

所述第一开关管为NPN型三极管；所述第一开关管的控制端为NPN型三极管的基极，所述第一开关管的第一端为NPN型三极管的集电极，所述第一开关管的第二端为NPN型三极管的发射极。

7.如权利要求5所述的低功耗假负载电路，其特征在于，所述第一端口用于连接可变控制电源；所述第二端口用于接地；所述第三端口用于连接供电电源；

所述第一开关管为P沟道MOS管；所述第一开关管的控制端为P沟道MOS管的栅极，所述第一开关管的第一端为P沟道MOS管的漏极，所述第一开关管的第二端为P沟道MOS管的源极；或，

所述第一开关管为PNP型三极管；所述第一开关管的控制端为PNP型三极管的基极，所述第一开关管的第一端为PNP型三极管的集电极，所述第一开关管的第二端为PNP型三极管的发射极。

8.如权利要求1所述的低功耗假负载电路，其特征在于，所述第二开关模块包括第二开关管；所述第二开关管的控制端与所述第二开关模块的控制端连接，所述第二开关管的第一端与所述第二开关模块的第一端连接，所述第二开关管的第二端与所述第二开关模块的第二端连接。

9.如权利要求8所述的低功耗假负载电路，其特征在于，所述第一端口用于连接可变控制电源；所述第二端口用于连接供电电源；所述第三端口用于接地；

所述第二开关管为N沟道MOS管；所述第二开关管的控制端为N沟道MOS管的栅极，所述第二开关管的第一端为N沟道MOS管的漏极，所述第二开关管的第二端为N沟道MOS管的源极；或，

所述第二开关管为NPN型三极管；所述第二开关管的控制端为NPN型三极管的基极，所述第二开关管的第一端为NPN型三极管的集电极，所述第二开关管的第二端为NPN型三极管的发射极。

10.如权利要求8所述的低功耗假负载电路，其特征在于，所述第一端口用于连接可变控制电源；所述第二端口用于接地；所述第三端口用于连接供电电源；

所述第二开关管为P沟道MOS管；所述第二开关管的控制端为P沟道MOS管的栅极，所述第二开关管的第一端为P沟道MOS管的漏极，所述第二开关管的第二端为P沟道MOS管的源极；或，

所述第二开关管为PNP型三极管；所述第二开关管的控制端为PNP型三极管的基极，所述第二开关管的第一端为PNP型三极管的集电极，所述第二开关管的第二端为PNP型三极管的发射极。