CN109698464B - 一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法，属于半导体技术领域，本发明采用Ⅲ族氮化物作为增益介质，棱台形的金字塔微腔作为谐振腔，垂直结构的衬底作为底电极，在金字塔顶部制作顶电极，其可根据Ⅲ族氮化物中Ⅲ族元素(In，Ga，Al)可调的特点，覆盖从红外(InN)到深紫外(AlN)的波段，金字塔台微腔采用湿法刻蚀氮极性面得到，工艺简单，能提高晶体质量，利用金字塔侧壁和底面的金属反射镜层的光限制效应从而实现激射。本发明利用氮极性面的湿法蚀刻对垂直结构外延进行蚀刻，得到分立的金字塔台型微腔，采用电子束曝光、金属蒸镀等工艺在金字塔台顶部制作顶电极，在正向偏压下注入电流，实现电注入和金字塔台微腔定向光输出。

Description

一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，涉及一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法，特别涉及一种新型Ⅲ族氮化物垂直结构电注入金字塔台微腔激光器及其制备方法。
背景技术
激光二极管是当前最为常用的激光器之一，通过在二极管的PN结两侧电子与空穴的自发复合，从而产生自发辐射的荧光。激光器的小型化，即激光器具有接近或小于发射光波长的尺寸或模式体积；同电子产品的发展一样，光电子系统的升级也需要光电子器件和组件向小型化和集成化发展。微激光器具有特殊的应用前景，包括芯片上光通信和数据处理，有望突破电子器件数据速率的上限，同时，具有生物相容性和可植入性的微激光器可以在医学成像和传感中开辟新的应用领域。另外，三维(3D)显示器和高级全息术可以受益于微激光器的发展，而具有更高的显示精度，更宽的显示阈值等。
微激光器的实际应用，需要实现电注入激射。现有的关于III-Nitrides微激光器的报道绝大部分是光激励的，电注入激射报道较少，电注入激射存在较大技术困难。除了微腔本身的设计制造外，还需要考虑材料生长中的p，n型掺杂，有源区质量，散热管理和电极设计等。目前，激光器的微腔设计还存在许多不足之处，例如III-Nitrides微盘微腔激光器存在生长工艺复杂、不成熟，干法刻蚀损伤材料质量，底切结构不利于电注入实现等缺点，光子晶体激光器具有制作工艺复杂，需要高精加工设备的缺点，金属等离激元激光器的损耗大，实现要求高，电注入困难等缺点。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器及其制备方法，其制备工艺简单，能提高晶体质量，所得激光器有利于电注入激射的实现。
本发明提供的这种垂直结构电注入金字塔微腔激光器，包括底电极，所述底电极一侧由内至外依次设有金属反射镜层、垂直结构的Ⅲ族氮化物金字塔微腔、顶电极，金属反射镜层与垂直结构的Ⅲ族氮化物金字塔微腔底部连接，顶电极与垂直结构的Ⅲ族氮化物金字塔微腔顶部连接；
所述垂直结构的Ⅲ族氮化物金字塔微腔由p型Ⅲ族氮化物层、多量子阱、n型Ⅲ族氮化物层组成，其形貌为“金字塔台形”，上表面为平面，p型Ⅲ族氮化物层位于该金字塔微腔底部，n型Ⅲ族氮化物层位于金字塔微腔顶部，所述p型Ⅲ族氮化物层与金属反射镜层连接，所述n型Ⅲ族氮化物层与顶电极连接；
所述垂直结构的Ⅲ族氮化物金字塔微腔旁边设有绝缘介质层，绝缘介质层的顶部与顶电极连接，绝缘介质层的底部与金属反射镜层连接，绝缘介质层用于隔离顶电极与金属反射镜层。
作为优选，所述Ⅲ族氮化物包括GaN，InN，AlN，InxGa1-xN，AlxGa1-xN中的至少一种。
作为优选，所述衬底由Cu、Si、W、Ni、Cu、W中的一种元素组成，且衬底中各元素为零价；衬底的厚度为0.1～1000μm；进一步优选为50～150μm。
作为优选，所述金属反射镜层由Ni、Ag、Pt、Au、Al、Ti中至少一种元素组成，且金属反射镜层中各元素为零价。
作为优选，所述金属反射镜层由镍层、银层、铂层、金层依次平铺叠加而成，镍层与底电极接触，镍层的厚度为0.1～300nm，银层的厚度为0.1～1000nm，铂层的厚度为0.1～1000nm，金层的厚度为0.1～1000nm。
作为优选，所述绝缘电解质层为SiO2或Si3N4。
作为优选，所述顶电极为Cr/Pt/Au顶电极，Cr的厚度为20～100nm，Pt的厚度为20～100nm，Au的厚度为1000～2000nm。
作为一个总的发明构思，本发明提供所述垂直结构电注入金字塔微腔激光器的制备方法，包括以下步骤：
(1)在蓝宝石衬底上依次外延生长n型Ⅲ族氮化物层、多量子阱、p型Ⅲ族氮化物层；
(2)采用电子束蒸发法在p型Ⅲ族氮化物层上沉积金属反射镜层；
(3)在金属反射镜层上沉积底电极；
(4)采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底，得到剥离后的外延片；
(5)将剥离后的外延片进行ICP刻蚀，去除部分n型Ⅲ族氮化物层，得到刻蚀后的外延片；
(6)将刻蚀后的外延片放入预定浓度的酸液、碱液中进行湿法蚀刻，经过热处理，清洗干燥后，将金字塔微腔的顶部被蚀刻成平面，得到垂直结构的Ⅲ族氮化物金字塔微腔；
(7)在蚀刻后的金字塔微腔表面旋涂保护层，通过分解保护层使某一颗分立的金字塔微腔周围的部分区域露出，在金属反射镜层上沉积绝缘介质层，然后剥离其余保护层；
(8)继续在金字塔微腔表面旋涂保护层，通过分解保护层使绝缘介质层、n型Ⅲ族氮化物层的顶部区域刚好露出，再沉积顶电极，剥离残余保护层，得到所述垂直结构电注入金字塔微腔激光器。
进一步，步骤(1)中，采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上依次外延生长n-GaN层，GaN/InGaN多量子阱，p-GaN层，其厚度分别为2～4μm，50～100nm，100～300nm。
进一步，步骤(6)中，所述酸液为H3PO4，酸液的浓度为0.1～10mol/L；所述碱液为KOH或NaOH溶液，碱液的浓度为0.1～10mol/L；热处理的温度为60～95℃，热处理的时间为0.1～10h。
进一步，步骤(7)、(8)中，所述保护层为PMMA，其厚度为3～4μm。
进一步，步骤(7)中，通过电子束曝光使某一颗分立的金字塔微腔的周围部分露出面积约为500x500nm的区域。
进一步，步骤(7)中，采用PECVD方法沉积绝缘介质层。
进一步，步骤(8)中，通过电子束曝光使某一颗分立的金字塔微腔顶部和绝缘介质层的顶部刚好露出，再用电子束蒸发沉积Cr/Pt/Au顶电极，然后剥离PMMA，得到垂直结构电注入金字塔微腔激光器。
本发明一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器，采用Ⅲ族氮化物作为增益介质，棱台形的金字塔微腔作为谐振腔，垂直结构的衬底作为底电极，在金字塔顶部制作顶电极，其可根据Ⅲ族氮化物中Ⅲ族元素(In，Ga，Al)可调的特点，覆盖从红外(InN)到深紫外(AlN)的波段，金字塔台微腔采用湿法刻蚀氮极性面得到，不仅工艺简单，且能提高晶体质量，金字塔侧壁和底面的金属反射镜层实现良好的光限制，而平面的金字塔台上表面有利于制作电极，易实现电注入激射。
本发明的关键在于利用氮极性面的湿法蚀刻对垂直结构外延进行蚀刻，得到分立的金字塔台型微腔，采用电子束曝光、金属蒸镀等工艺在金字塔台顶部制作顶电极，在正向偏压下注入电流，实现电注入和金字塔台微腔定向光输出。
与现有技术相比，本发明的有益技术效果为：
(1)本发明采用的金字塔台微腔由湿法蚀刻得到，能在一定程度上“过滤掉”材料位错和缺陷，从而提高其晶体质量；由湿法蚀刻得到的金字塔台微腔具有光滑晶面，减少光散射损失；制作过程中，无需传统光刻制作蚀刻掩模；而平面的金字塔台上表面有利于制作电极，易实现电注入激射。
(2)本发明采用的金属反射镜层有利于实现电注入激射，形成良好垂直方向的光学限制，无需传统微腔制备的复杂底切蚀刻工艺；无需外延生长复杂的波导层、限制层结构，将大大简化外延结构的设计和生长等优点。
(3)本发明采用的垂直结构衬底具有散热性好，不存在解理问题，有利于在线检测和阵列集成化等优点。
附图说明
图1是本发明实施例中在蓝宝石衬底上生长的外延结构横截面示意图。
图2是本发明实施例中在p型Ⅲ族氮化物层上沉积金属反射镜层，再制作底电极之后的结构横截面示意图。
图3是本发明实施例中在激光剥离蓝宝石后的垂直结构横截面示意图。
图4是本发明实施例中利用氮极性面的湿法蚀刻后得到的金字塔微腔横截面示意图。
图5是本发明实施例中在得到金字塔微腔后，通过电子束曝光、PECVD等工艺制作绝缘介质层后的结构横截面示意图。
图6是本发明实施例中在得到绝缘介质层后，通过电子束曝光、蒸镀金属等工艺制作顶电极后的结构横截面示意图。
图7是本发明实施例中在湿法蚀刻后得到的金字塔微腔的扫描电镜图。
图中：1—蓝宝石衬底；2—n型Ⅲ族氮化物层；3—多量子阱；4—p型Ⅲ族氮化物层；5—金属反射镜层；6—底电极；7—绝缘介质层；8—顶电极。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合附图和实施例对本发明方案作进一步的阐述。
实施例1
本发明提供一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器的制备方法，包括以下步骤：
(1)采用MOCVD方法在蓝宝石衬底1上依次外延生长n-GaN层2，厚度约为3μm；GaN/In0.1Ga0.9N(8/2nm)多量子阱3，厚度约为50nm；p-GaN层4，厚度约为200nm，如图1所示；
(2)采用电子束蒸发法在p-GaN层4上沉积Ni/Ag/Pt/Au金属反射镜层5，其厚度分别为0.5/200/100/200nm；
(3)在金属反射镜层5上沉积Cu镀层，作为底电极6，其厚度约为100μm，如图2所示；
(4)采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底1，得到剥离后的外延片，如图3所示；
(5)将剥离后的外延片ICP刻蚀，去除1μm厚n-GaN层2；
(6)将剥离后的外延片放入2mol/L的KOH溶液中进行湿法蚀刻，加热至90℃恒温浸泡2h，清洗干燥后，将金字塔微腔的顶部被蚀刻成平面，得到分立的垂直结构Ⅲ族氮化物金字塔微腔，如图4所示；
(7)在蚀刻后的金字塔微腔表面旋涂一层3～4um的PMMA保护层，通过电子束曝光分解PMMA保护层使某一颗分立的金字塔微腔周围露出面积约为500x500nm的区域，采用PECVD在金属反射镜层5上的裸露区域沉积绝缘介质层7，绝缘电解质为SiO2，绝缘介质层的顶部与金字塔微腔的顶部相平，然后剥离残余PMMA保护层，完成绝缘介质层的制作，如图5所示；
(8)继续在金字塔微腔表面旋涂一层3～4um的PMMA保护层，通过电子束曝光分解PMMA保护层，使某一颗分立的金字塔台顶部和绝缘介质层的顶部刚好露出，再用电子束蒸发沉积Cr/Pt/Au顶电极8，厚度分别约为60/40/1500nm，如图6所示；然后剥离残余PMMA保护层，得到垂直结构电注入金字塔微腔紫外光激光器(350nm)。
实施例2
本发明提供一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器的制备方法，包括以下步骤：
(1)采用MOCVD方法在蓝宝石衬底1上依次外延生长n-GaN层2，厚度约为3μm；GaN/In0.06Ga0.94N(8/2nm)多量子阱3，厚度约为50nm；p-GaN层4，厚度约为200nm；
(2)采用电子束蒸发法在p-GaN层4上沉积Ni/Ag/Pt/Au金属反射镜层5，其厚度分别为0.5/200/100/200nm；
(3)在金属反射镜层5上沉积Cu镀层，作为底电极6，其厚度约为100μm；
(4)采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底1，得到剥离后的外延片；
(5)将剥离后的外延片ICP刻蚀，去除1μm厚n-GaN层2；
(6)将剥离后的外延片放入2mol/L的NaOH溶液中进行湿法蚀刻，加热至90℃恒温浸泡2h，清洗干燥后，使金字塔微腔的顶部被蚀刻成平面，得到分立的垂直结构Ⅲ族氮化物金字塔微腔，图7为其扫描电镜图；
(7)在蚀刻后的金字塔微腔表面旋涂一层3～4um的PMMA保护层，通过电子束曝光分解PMMA保护层使某一颗分立的金字塔微腔周围露出面积约为500x500nm的区域，采用PECVD在金属反射镜层5上的裸露区域沉积绝缘介质层7，绝缘电解质为SiO2，绝缘介质层的顶部与金字塔微腔的顶部相平，然后剥离残余PMMA保护层，完成绝缘介质层的制作；
(8)继续在金字塔微腔表面旋涂一层3～4um的PMMA保护层，通过电子束曝光分解PMMA保护层，使某一颗分立的金字塔台顶部和绝缘介质层的顶部刚好露出，再用电子束蒸发沉积Cr/Pt/Au顶电极8，厚度分别约为60/40/1500nm；然后剥离残余PMMA，得到垂直结构电注入金字塔微腔紫光激光器(405nm)。
实施例3
本发明提供一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器的制备方法，包括以下步骤：
(1)采用MOCVD方法在蓝宝石衬底1上依次外延生长n-GaN层2，厚度约为3μm；GaN/In0.22Ga0.78N(8/2nm)多量子阱3，厚度约为50nm；p-GaN层4，厚度约为200nm；
(2)采用电子束蒸发法在p-GaN层4上沉积Ni/Ag/Pt/Au金属反射镜层5，其厚度分别为0.5/200/100/200nm；
(3)在金属反射镜层5上沉积Cu镀层，作为底电极6，其厚度约为100μm；
(4)采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底1，得到剥离后的外延片；
(5)将剥离后的外延片ICP刻蚀，去除1μm厚n-GaN层2；
(6)将剥离后的外延片放入2mol/L的KOH溶液中进行湿法蚀刻，加热至90℃恒温浸泡2h，清洗干燥后，将金字塔微腔的顶部被蚀刻成平面，得到分立的垂直结构Ⅲ族氮化物金字塔微腔；
(7)在蚀刻后的金字塔微腔表面旋涂一层3～4um的PMMA保护层，通过电子束曝光分解PMMA保护层使某一颗分立的金字塔微腔周围露出面积约为500x500nm的区域，采用PECVD在金属反射镜层5上的裸露区域沉积绝缘介质层7，绝缘电解质为Si3N4，绝缘介质层的顶部与金字塔微腔的顶部相平，然后剥离残余PMMA保护层，完成绝缘介质层的制作；
(8)继续在金字塔微腔表面旋涂一层3～4um的PMMA保护层，通过电子束曝光分解PMMA保护层，使某一颗分立的金字塔台顶部和绝缘介质层的顶部刚好露出，再用电子束蒸发沉积Cr/Pt/Au顶电极8，厚度分别约为60/40/1500nm；然后剥离残余PMMA，得到垂直结构电注入金字塔微腔绿光激光器(505nm)。
实施例4
本发明提供一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器的制备方法，包括以下步骤：
(1)采用MOCVD方法在蓝宝石衬底1上依次外延生长n-Al0.38Ga0.62N层2，厚度约为3μm；Al0.38Ga0.62N/Al0.32Ga0.68N(8/2nm)多量子阱3，厚度约为50nm；p-Al0.38Ga0.62N层4，厚度约为200nm；
(2)采用电子束蒸发法在p-AlN层4上沉积Ni/Ag/Pt/Au金属反射镜层5，其厚度分别为0.5/200/100/200nm；
(3)在金属反射镜层5上沉积Cu镀层，作为底电极6，其厚度约为100μm；
(4)采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底1，得到剥离后的外延片；
(5)将剥离后的外延片ICP刻蚀，去除1μm厚n-GaN层2；
(6)将剥离后的外延片放入2mol/L的H3PO4溶液中进行湿法蚀刻，加热至90℃恒温浸泡2h，清洗干燥后，将金字塔微腔的顶部被蚀刻成平面，得到分立的垂直结构Ⅲ族氮化物金字塔微腔；
(7)在蚀刻后的金字塔微腔表面旋涂一层3～4um的PMMA保护层，通过电子束曝光分解PMMA保护层使某一颗分立的金字塔微腔周围露出面积约为500x500nm的区域，采用PECVD在金属反射镜层5上的裸露区域沉积绝缘介质层7，绝缘电解质为Si3N4，绝缘介质层的顶部与金字塔微腔的顶部相平，然后剥离残余PMMA保护层，完成绝缘介质层的制作；
(8)继续在金字塔微腔表面旋涂一层3～4um的PMMA保护层，通过电子束曝光分解PMMA保护层，使某一颗分立的金字塔台顶部和绝缘介质层的顶部刚好露出，再用电子束蒸发沉积Cr/Pt/Au顶电极8，厚度分别约为60/40/1500nm；然后剥离残余PMMA，得到垂直结构电注入金字塔微腔紫外光激光器(300nm)。
实施例5
本发明提供一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器的制备方法，包括以下步骤：
(1)采用MOCVD方法在蓝宝石衬底1上依次外延生长n-GaN层2，厚度约为3μm；GaN/In0.7Ga0.3N(8/2nm)多量子阱3，厚度约为50nm；p-GaN层4，厚度约为200nm；
(2)采用电子束蒸发法在p-GaN层4上沉积Ni/Ag/Pt/Au金属反射镜层5，其厚度分别为0.5/200/100/200nm；
(3)在金属反射镜层5上沉积Cu镀层，作为底电极6，其厚度约为100μm；
(4)采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底1，得到剥离后的外延片；
(5)将剥离后的外延片ICP刻蚀，去除1μm厚n-GaN层2；
(6)将剥离后的外延片放入2mol/L的KOH溶液中进行湿法蚀刻，加热至90℃恒温浸泡2h，清洗干燥后，将金字塔微腔的顶部被蚀刻成平面，得到分立的垂直结构Ⅲ族氮化物金字塔微腔；
(7)在蚀刻后的金字塔微腔表面旋涂一层3～4um的PMMA保护层，通过电子束曝光分解PMMA保护层使某一颗分立的金字塔微腔周围露出面积约为500x500nm的区域，采用PECVD在金属反射镜层5上的裸露区域沉积绝缘介质层7，绝缘电解质为Si3N4，绝缘介质层的顶部与金字塔微腔的顶部相平，然后剥离残余PMMA保护层，完成绝缘介质层的制作；
(8)继续在金字塔微腔表面旋涂一层3～4um的PMMA保护层，通过电子束曝光分解PMMA保护层，使某一颗分立的金字塔台顶部和绝缘介质层的顶部刚好露出，再用电子束蒸发沉积Cr/Pt/Au顶电极8，厚度分别约为60/40/1500nm；然后剥离残余PMMA，得到垂直结构电注入金字塔微腔红外光激光器(1000nm)。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例。对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明技术构思前提下所得到的改进和变换也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种垂直结构电注入金字塔微腔激光器，包括底电极，其特征在于，所述底电极一侧由内至外依次设有金属反射镜层、垂直结构的Ⅲ族氮化物金字塔微腔、顶电极，金属反射镜层与垂直结构的Ⅲ族氮化物金字塔微腔底部连接，顶电极与垂直结构的Ⅲ族氮化物金字塔微腔顶部连接；
所述垂直结构的Ⅲ族氮化物金字塔微腔由p型Ⅲ族氮化物层、多量子阱、n型Ⅲ族氮化物层组成，其形貌为“金字塔台形”，上表面为平面，p型Ⅲ族氮化物层位于该金字塔微腔底部，n型Ⅲ族氮化物层位于金字塔微腔顶部，所述p型Ⅲ族氮化物层与金属反射镜层连接，所述n型Ⅲ族氮化物层与顶电极连接；
所述垂直结构的Ⅲ族氮化物金字塔微腔旁边设有绝缘介质层，绝缘介质层的顶部与顶电极连接，绝缘介质层的底部与金属反射镜层连接，绝缘介质层用于隔离顶电极与金属反射镜层；
所述垂直结构电注入金字塔微腔激光器的制备方法，包括以下步骤：
(1) 在蓝宝石衬底上依次外延生长n型Ⅲ族氮化物层、多量子阱、p型Ⅲ族氮化物层；
(2) 采用电子束蒸发法在p型Ⅲ族氮化物层上沉积金属反射镜层；
(3) 在金属反射镜层上沉积底电极；
(4) 采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底，得到剥离后的外延片；
(5) 将剥离后的外延片进行ICP刻蚀，去除部分n型Ⅲ族氮化物层，得到刻蚀后的外延片；
(6) 将刻蚀后的外延片放入预定浓度的酸液或碱液中进行湿法蚀刻，经过热处理，清洗干燥后，将金字塔微腔的顶部蚀刻成平面，得到垂直结构的Ⅲ族氮化物金字塔微腔；
(7) 在蚀刻后的金字塔微腔表面旋涂保护层，通过分解保护层使某一颗分立的金字塔微腔周围金属反射层的部分区域露出，在金属反射镜层上沉积绝缘介质层，然后剥离其余保护层；
(8) 继续在金字塔微腔表面旋涂保护层，通过分解保护层使绝缘介质层和n型Ⅲ族氮化物层的顶部区域刚好露出，再沉积顶电极，剥离残余保护层，得到所述垂直结构电注入金字塔微腔激光器。
2.根据权利要求1所述的垂直结构电注入金字塔微腔激光器，其特征在于，所述Ⅲ族氮化物包括GaN，InN，AlN，InxGa1-xN，AlxGa1-xN中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的垂直结构电注入金字塔微腔激光器，其特征在于，所述金属反射镜层由Ni、Ag、Pt、Au、Al、Ti中至少一种元素组成，金属反射镜层中各元素为零价。
4.根据权利要求3所述的垂直结构电注入金字塔微腔激光器，其特征在于，所述金属反射镜层由镍层、银层、铂层、金层依次平铺叠加而成，镍层与底电极接触，镍层的厚度为0.1～300nm，银层的厚度为0.1～1000nm，铂层的厚度为0.1～1000nm，金层的厚度为0.1～1000nm。
5.根据权利要求1所述的垂直结构电注入金字塔微腔激光器，其特征在于，所述顶电极为Cr/Pt/Au顶电极，Cr的厚度为20~100nm，Pt的厚度为20~100nm，Au的厚度为1000~2000nm。
6.根据权利要求1所述垂直结构电注入金字塔微腔激光器，其特征在于，步骤(1)中，采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上依次外延生长n-GaN层，GaN/InGaN多量子阱，p-GaN层，其厚度分别为2～4μm，50～100nm，100～300nm。
7.根据权利要求1所述垂直结构电注入金字塔微腔激光器，其特征在于，步骤(6)中，所述酸液为H3PO4，酸液的浓度为0.1~10mol/L；所述碱液为KOH或NaOH溶液，碱液的浓度为0.1~10mol/L；热处理的温度为60~95℃，热处理的时间为0.1～10h。
8.根据权利要求1所述垂直结构电注入金字塔微腔激光器，其特征在于，步骤(7)、(8)中，所述保护层为PMMA，其厚度为3～4μm。
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