CN109694518A - 一种双键聚合物量子点膜及其制备方法 - Google Patents

一种双键聚合物量子点膜及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109694518A
CN109694518A CN201811614023.6A CN201811614023A CN109694518A CN 109694518 A CN109694518 A CN 109694518A CN 201811614023 A CN201811614023 A CN 201811614023A CN 109694518 A CN109694518 A CN 109694518A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
double
basement membrane
mass parts
level
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811614023.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109694518B (zh
Inventor
舒维
赵贵红
马雅琳
罗春明
唐安斌
李建学
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SICHUAN DONGFANG INSULATING MATERIAL CO Ltd
Original Assignee
SICHUAN DONGFANG INSULATING MATERIAL CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SICHUAN DONGFANG INSULATING MATERIAL CO Ltd filed Critical SICHUAN DONGFANG INSULATING MATERIAL CO Ltd
Priority to CN201811614023.6A priority Critical patent/CN109694518B/zh
Publication of CN109694518A publication Critical patent/CN109694518A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109694518B publication Critical patent/CN109694518B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L23/10—Homopolymers or copolymers of propene
    • C08L23/12—Polypropene
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/302—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising aromatic vinyl (co)polymers, e.g. styrenic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/304—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl halide (co)polymers, e.g. PVC, PVDC, PVF, PVDF
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B33/00—Layered products characterised by particular properties or particular surface features, e.g. particular surface coatings; Layered products designed for particular purposes not covered by another single class
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00—Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/12—Chemical modification
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L23/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08L23/06—Polyethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L27/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L27/02—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L27/12—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08L27/16—Homopolymers or copolymers or vinylidene fluoride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D129/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal, or ketal radical; Coating compositions based on hydrolysed polymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D129/02—Homopolymers or copolymers of unsaturated alcohols
    • C09D129/04—Polyvinyl alcohol; Partially hydrolysed homopolymers or copolymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D175/00—Coating compositions based on polyureas or polyurethanes; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D175/04—Polyurethanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/40—Symmetrical or sandwich layers, e.g. ABA, ABCBA, ABCCBA
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/10—Coating on the layer surface on synthetic resin layer or on natural or synthetic rubber layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/26—Polymeric coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
    • B32B2307/7242—Non-permeable
    • B32B2307/7246—Water vapor barrier
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/202—LCD, i.e. liquid crystal displays
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2323/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers
    • C08J2323/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers not modified by chemical after treatment
    • C08J2323/04—Homopolymers or copolymers of ethene
    • C08J2323/06—Polyethene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2323/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers
    • C08J2323/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Derivatives of such polymers not modified by chemical after treatment
    • C08J2323/10—Homopolymers or copolymers of propene
    • C08J2323/12—Polypropene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2327/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers
    • C08J2327/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08J2327/12—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08J2327/16—Homopolymers or copolymers of vinylidene fluoride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
    • C08K2003/2241—Titanium dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/003—Additives being defined by their diameter
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/011—Nanostructured additives

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明公开了一种双键聚合物量子点膜及其制备方法，其特征是：该双键聚合物量子点膜是由A层材料和B层材料经三层共挤流涎或双向拉伸后制得的A层厚度为10～200μm、B层厚度为18～300μm的ABA三层薄膜结构的量子点一级基膜，再在量子点一级基膜双表面上进行氟化技术处理后制得ABA三层薄膜结构的量子点二级基膜，再在量子点二级基膜双表面上涂布热固性树脂并形成烘干厚度为1～10μm涂层而制备得到的双键聚合物量子点膜；该膜的水蒸气透过率为0.01～0.1g/m2·24h，在85℃、85%湿度或60℃、90%湿度下处理1000h，边缘失效0～0.2mm，用于各种显示领域，可增加发光效果，使色彩更加艳丽。

Description

一种双键聚合物量子点膜及其制备方法
技术领域
本发明属于光学有机高分子复合薄膜及其制备，涉及一种双键聚合物量子点膜及其制备方法。本发明双键聚合物量子点膜是以聚烯烃树脂及偏二氯乙烯(简称VDC)-丙烯酸甲酯(简称MA)共聚物(即简称的PVDC树脂)薄膜为基材的双键聚合物量子点膜，该双键聚合物量子点膜可应用于各种显示领域，起到增加发光效果，使其色彩更加艳丽的效果。
背景技术
近年来液晶显示屏全面普及，为进一步提高其色域，可采用量子点发光技术来达到目的。由于量子点发光更为纯净，经蓝光激发红、绿量子点后，可使色域覆盖率提高到110％NTSC(美国电视标准委员会制定的色域空间标准)。但由于量子点本身在有水和氧的条件下不稳定，为保证其活性，通常采用包裹(如制成含有量子点夹心层的复合多层薄膜)的形式进行保护。
现有技术中，制造量子点膜主要通过涂布的方法，将量子点置于涂料形成的涂层中，再在涂层两边复合磁控溅射阻隔保护膜——聚对苯二甲酸乙二醇酯(简称PET，下同)薄膜进行固化，制成三明治形式的薄膜——量子点膜。该方法采用的磁控溅射阻隔膜主要采用光学级高透明PET薄膜作为基膜，在其表面通过磁控溅射的工艺添加一层或多层无机氧化物，多为氧化硅类化合物(SiOX)。通过此种方法加工阻隔膜难度较大，收率低，成本十分高。同时，该方法在量子点膜夹层边缘涂料层会与空气接触，导致量子点膜的量子点发光失真或不发光(边缘失效)，即在85℃温度、85％湿度或60℃温度、90％湿度条件下处理1000小时后，边缘失效超过0.5mm的宽度。
发明内容
本发明的目的旨在克服上述现有技术中的不足，提供一种双键聚合物量子点膜及其制备方法。本发明将量子点置于特殊树脂中进行保护，通过采用三层共挤的方式，制得ABA结构薄膜(其中：A层树脂具有很好的阻隔效果，B层树脂中添加量子点)，再对薄膜进行表面氟化处理，提高表面张力及阻隔能力，最后对氟化后的薄膜表面涂布一层热固性树脂，进一步提高阻隔能力，从而提供一种性能良好的双键聚合物量子点膜及其制备方法。
本发明的内容是：一种双键聚合物量子点膜，其特征是：该双键聚合物量子点膜是由A层材料和B层材料经三层共挤流涎或双向拉伸后制得的A层厚度为10～200μm、B层厚度为18～300μm的ABA三层薄膜结构的量子点一级基膜，再在量子点一级基膜双表面上进行氟化技术处理后制得ABA三层薄膜结构的量子点二级基膜，再在量子点二级基膜双表面上涂布热固性树脂并形成烘干厚度为1～10μm涂层而制备得到的双键聚合物量子点膜；
所述A层材料为0.1～5质量份的微米级光扩散剂、0～95质量份的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(简称PVDC树脂)和0～95质量份的聚烯烃树脂组成的混合物，其中偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物和聚烯烃树脂的用量不同时为零且总用量为95质量份；
所述B层材料为0.02～2质量份的量子点、0.1～10质量份的微米级光扩散剂和80～99质量份的聚烯烃树脂混合组成；
所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的(粉体材料)混合物；所述有机硅光扩散剂可以是涌奇材料技术(上海)有限公司提供的EL201、EL202、EL300、以及EL500中的一种或两种以上的混合物；
所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物。
本发明的内容中：所述双键聚合物量子点膜的厚度为40μm～450μm，水蒸气透过率为0.01～0.1g/m2·24h，在85℃温度、85％湿度或60℃温度、90％湿度两种条件下处理1000h后，边缘失效都为0～0.2mm。
本发明的内容中：所述聚烯烃树脂是双环庚烯、降冰片烯、二聚环二戊烯、苯乙烯、丁二烯、丙烯、以及乙烯中的一种或两种以上聚合而形成的聚烯烃树脂中的一种或两种以上的混合物。
本发明的内容中：所述纳米级半导体化合物包括(但不限于)IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物，例如：CdZn/ZnS、InP/ZnS、PbS等；所述金属纳米粒子包括(但不限于)Cr(铬)、Mo(钼)、W(钨)、Ru(钌)、Rh(铑)、Ni(镍)、Ag(银)、Cu(铜)、Zn(锌)、Pd(钯)、Au(金)、Os(锇)、Re(铼)、Ir(铱)、Pt(铂)的纳米粒子；所述金属氧化物纳米粒子包括(但不限于)TiO2、NiO、ZnO、MgO等。
本发明的内容中：所述热固性树脂为采用蒙脱土改性的聚乙烯醇、聚氨酯、环氧树脂中的一种或多种；例如：蒙脱土改性聚乙烯醇可以用海南必凯水性新材料有限公司提供的F11和F12；蒙脱土改性聚氨酯可以采用CN104087141A公开的“一种有机蒙脱土/聚氨酯自修复涂料的制备方法”制备；蒙脱土改性环氧可以用《功能材料》2011，第53期，万勇，林生岭“蒙脱土/环氧树脂复合材料的制备与研究”一文中所提到的方法制备。
本发明的另一内容是：一种双键聚合物量子点膜的制备方法，其特征是步骤为：
a、制备量子点一级基膜：
先把0.1～5质量份的微米级光扩散剂、0～95质量份的聚烯烃树脂和0～95质量份的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(简称PVDC树脂)共混为A层材料，再把0.02～2质量份的量子点、0.1～10质量份的微米级光扩散剂和80～99质量份的聚烯烃树脂共混为B层材料；将A层材料和B层材料分别在挤出机1中的220℃～280℃温度下和挤出机2中的220℃～280℃温度下融熔后，经220℃～280℃温度下的三层共挤模口挤出，在60～100℃温度下的冷鼓上流涎制成A层厚度为10～200μm、B层厚度为18～300μm的ABA结构薄膜或在20～30℃温度下的冷鼓上铸片制成ABA结构厚片并经双向拉伸制成A层厚度为10～200μm、B层厚度为18～300μm的ABA结构薄膜，收卷，即制得(厚度为38μm～430μm的)量子点一级基膜；
所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的(粉体材料)混合物；所述有机硅光扩散剂可以是涌奇材料技术(上海)有限公司提供的EL201、EL202、EL300、以及EL500中的一种或两种以上的混合物；
所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物；
A层材料中所述的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物和聚烯烃树脂的质量份用量不同时为零且总用量为95质量份；
b、量子点一级基膜经表面氟化技术处理制备量子点二级基膜：
用氟气的体积百分比含量为20％且氟气初始分压为3～80kPa的氟气/氮气混合气作为氟化试剂，以1～20℃/min的升温速率升温至60～100℃，并保温60～120分钟对步骤a制备的量子点一级基膜双表面进行直接氟化，使量子点一级基膜双表面形成0.5～1.5纳米(1纳米左右)厚度的氟化层，制得(厚度为38μm～430μm的)量子点二级基膜；
c、制备双键聚合物量子点膜：
取步骤b制备的量子点二级基膜，先通过上胶机的常温微凹辊进行热固性树脂涂料的双表面涂布，再经均分为四段且各段温度依次为70～90℃、110～120℃、110～120℃、60～80℃的16m长烘道烘干，得到单层表面的热固性树脂涂料涂层厚度为1μm～10μm，收卷，即制得(厚度为40μm～450μm的)双键聚合物量子点膜。
本发明的另一内容中：步骤c所述制得双键聚合物量子点膜的水蒸气透过率为0.01～0.1g/m2·24h，在85℃温度、85％湿度或60℃温度、90％湿度两种条件下处理1000h后，边缘失效都为0～0.2mm。
本发明的另一内容中：步骤a所述聚烯烃树脂是双环庚烯、降冰片烯、二聚环二戊烯、苯乙烯、丁二烯、丙烯、以及乙烯中的一种或两种以上聚合而形成的聚烯烃树脂中的一种或两种以上的混合物。
本发明的另一内容中：步骤a所述所述纳米级半导体化合物包括(但不限于)IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物，例如：CdZn/ZnS、InP/ZnS、PbS等；所述金属纳米粒子包括(但不限于)Cr(铬)、Mo(钼)、W(钨)、Ru(钌)、Rh(铑)、Ni(镍)、Ag(银)、Cu(铜)、Zn(锌)、Pd(钯)、Au(金)、Os(锇)、Re(铼)、Ir(铱)、Pt(铂)的纳米粒子；所述金属氧化物纳米粒子包括(但不限于)TiO2、NiO、ZnO、MgO等。
本发明的另一内容中：步骤a所述热固性树脂涂料为采用蒙脱土改性的聚乙烯醇、聚氨酯、环氧的树脂涂料中的一种或两种以上的混合物；其中：蒙脱土改性聚乙烯醇可以是海南必凯水性新材料有限公司提供的F11和F12；蒙脱土改性聚氨酯可以是采用CN104087141A公开的“一种有机蒙脱土/聚氨酯自修复涂料的制备方法”制备；蒙脱土改性环氧可以是采用《功能材料》2011，第53期，万勇，林生岭“蒙脱土/环氧树脂复合材料的制备与研究”一文中所公开的方法制备。
本发明的内容和另一内容中：所述表面氟化技术为现有技术，采用“直接氟化表面改性技术研究”(高分子通报，2010，王旭，刘向阳)文中所提到的各种方法均可。表面氟化技术是直接用氟气作为氟化试剂对高聚物进行表面改性的方法。其在聚合物表面形成纳米级的氟化层，使得聚合物在其本体力学性能不受影响的情况下阻隔性、表面可粘接性等性能得到明显提高。
与现有技术相比，本发明具有下列特点和有益效果：
(1)本发明双键聚合物量子点膜，与传统的将量子点分散于涂料中不同，是将量子点分散于阻隔性好的树脂中，降低了量子点与空气、水的接触，减少了量子点膜边缘失效的范围；本发明的实施例数据表明：经本发明得到的双键聚合物量子点膜在双85处理(即：85℃温度、85％湿度)1000h后，边缘失效0～0.2mm；在60/90处理(即：60℃温度、90％湿度)1000h后，边缘失效0～0.2mm；
(2)本发明双键聚合物量子点膜，可在基膜表面形成纳米级氟化层，在氟化层膜表面形成树脂涂层，极大的提高双键聚合物薄膜的阻隔能力；本发明实施例数据表明：经本发明得到的双键聚合物量子点膜水蒸气透过率为0.01～0.1g/m2·24h；
(3)本发明双键聚合物量子点膜放弃使用现技术中采用的磁控溅射阻隔薄膜，极大的降低了制造成本，简化了工艺，实用性强。
具体实施方式
下面给出的实施例拟对本发明作进一步说明，但不能理解为是对本发明保护范围的限制，该领域的技术人员根据上述本发明的内容对本发明作出的一些非本质的改进和调整，仍属于本发明的保护范围。
1、实施例1～20：一种双键聚合物量子点膜的制备方法，步骤为：
步骤a：先把0.1～5质量份的微米级光扩散剂、0～95质量份的聚烯烃树脂和0～95质量份的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(即PVDC树脂)共混为A层材料，再把0.02～2质量份的量子点和0.1～10质量份的微米级光扩散剂和80～99质量份的聚烯烃树脂共混为B层材料；将A层材料和B层材料分别在挤出机1中的220℃～280℃(温度1)下和挤出机2中的220℃～280℃(温度2)下融熔后，经220℃～280℃(温度3)下的三层共挤模口挤出，在60～100℃(温度4)下的冷鼓上流涎制成A层厚度为10～200μm、B层厚度为18～300μm的ABA结构薄膜或在20～30℃(温度5)下的冷鼓上铸片制成ABA结构厚片并经双向拉伸制成A层厚度为10～200μm、B层厚度为18～300μm厚度的ABA结构薄膜，收卷，即制得38μm～430μm厚度量子点一级基膜；
微米级光扩散剂采用1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、EL201、EL202；
聚烯烃树脂采用聚丙烯、聚乙烯、聚乙烯-双环庚烯共聚物、聚丙烯-丁二烯共聚物、聚苯乙烯-丁二烯共聚物；
量子点采用纳米级的CdZn/ZnS、InP/ZnS、PbS、ZnO、Ag/Au；
所述A层材料中的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物和聚烯烃树脂的用量不同时为零且总用量为95质量份；
制备的步骤b：用氟气体积分数为20％且氟气初始分压为3～80kPa的氟气/氮气混合气作为氟化试剂，以1～20℃/min的升温速率升温至60～100℃(温度6)，并保温60～120分钟(时间)对步骤一制备的量子点一级基膜双表面进行直接氟化，使量子点一级基膜双表面形成1纳米左右厚度的氟化层，制得厚度为38μm～430μm量子点二级基膜；
制备的步骤c：将步骤b制备的量子点二级基膜，先通过上胶机的常温微凹辊进行热固性树脂涂料的双表面涂布，再经均分为四段且各段温度以次为70～90℃(温度7)、110～120℃(温度8)、110～120℃(温度9)、60～80℃(温度10)的16m长烘道烘干，得到单层表面的热固性树脂涂料涂层厚度为1μm～10μm，收卷，即制得厚度为40μm～450μm的双键聚合物量子点膜；
热固性树脂涂料采用按前述现有技术自制的：蒙脱土改性聚乙烯醇DB1、DB5，蒙脱土改性聚氨酯DA2，蒙脱土改性环氧DH6、DH9。
2、实施例1～20制备双键聚合物量子点膜
表1：实施例1～20制备双键聚合物量子点膜的步骤、工艺参数与原料质量配比表
表1(续)：
表2：实施例1～20制备的双键聚合物量子点膜厚度及其对应的性能表
注：*为在85℃、85％湿度，1000h后的条件下的边缘失效数据；
**为在60℃、90％湿度，1000h后的条件下的边缘失效数据。
表2(续)：
实施例21：
一种双键聚合物量子点膜，该双键聚合物量子点膜是由A层材料和B层材料经三层共挤流涎或双向拉伸后制得的A层厚度为10μm、B层厚度为300μm的ABA三层薄膜结构的量子点一级基膜，再在量子点一级基膜双表面上进行氟化技术处理后制得ABA三层薄膜结构的量子点二级基膜，再在量子点二级基膜双表面上涂布热固性树脂并形成烘干厚度为1μm涂层而制备得到的双键聚合物量子点膜；
所述A层材料为0.1质量份的微米级光扩散剂和95质量份的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(简称PVDC树脂)组成的混合物；
所述B层材料为0.02质量份的量子点、0.1质量份的微米级光扩散剂和80质量份的聚烯烃树脂混合组成；
所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的(粉体材料)混合物；所述有机硅光扩散剂可以是涌奇材料技术(上海)有限公司提供的EL201、EL202、EL300、以及EL500中的一种或两种以上的混合物；
所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物。
实施例22：
一种双键聚合物量子点膜，该双键聚合物量子点膜是由A层材料和B层材料经三层共挤流涎或双向拉伸后制得的A层厚度为200μm、B层厚度为18μm的ABA三层薄膜结构的量子点一级基膜，再在量子点一级基膜双表面上进行氟化技术处理后制得ABA三层薄膜结构的量子点二级基膜，再在量子点二级基膜双表面上涂布热固性树脂并形成烘干厚度为10μm涂层而制备得到的双键聚合物量子点膜；
所述A层材料为5质量份的微米级光扩散剂和95质量份的聚烯烃树脂组成的混合物；
所述B层材料为2质量份的量子点、10质量份的微米级光扩散剂和99质量份的聚烯烃树脂混合组成；
所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的(粉体材料)混合物；所述有机硅光扩散剂可以是涌奇材料技术(上海)有限公司提供的EL201、EL202、EL300、以及EL500中的一种或两种以上的混合物；
所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物。
实施例23：
一种双键聚合物量子点膜，该双键聚合物量子点膜是由A层材料和B层材料经三层共挤流涎或双向拉伸后制得的A层厚度为105μm、B层厚度为159μm的ABA三层薄膜结构的量子点一级基膜，再在量子点一级基膜双表面上进行氟化技术处理后制得ABA三层薄膜结构的量子点二级基膜，再在量子点二级基膜双表面上涂布热固性树脂并形成烘干厚度为5μm涂层而制备得到的双键聚合物量子点膜；
所述A层材料为2.5质量份的微米级光扩散剂、48质量份的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(简称PVDC树脂)和47质量份的聚烯烃树脂组成的混合物，其中偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物和聚烯烃树脂的用量不同时为零且总用量为95质量份；
所述B层材料为1质量份的量子点、5质量份的微米级光扩散剂和89质量份的聚烯烃树脂混合组成；
所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的(粉体材料)混合物；所述有机硅光扩散剂可以是涌奇材料技术(上海)有限公司提供的EL201、EL202、EL300、以及EL500中的一种或两种以上的混合物；
所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物。
实施例24：
一种双键聚合物量子点膜，该双键聚合物量子点膜是由A层材料和B层材料经三层共挤流涎或双向拉伸后制得的A层厚度为10～200μm中之一、B层厚度为18～300μm中之一的ABA三层薄膜结构的量子点一级基膜，再在量子点一级基膜双表面上进行氟化技术处理后制得ABA三层薄膜结构的量子点二级基膜，再在量子点二级基膜双表面上涂布热固性树脂并形成烘干厚度为1～10μm中之一涂层而制备得到的双键聚合物量子点膜；
所述A层材料为0.1～5质量份中之一的微米级光扩散剂、0～95质量份中之一的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(简称PVDC树脂)和0～95质量份的聚烯烃树脂组成的混合物，其中偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物和聚烯烃树脂的质量份用量不同时为零且总用量为95质量份；
所述B层材料为0.02～2质量份中之一的量子点、0.1～10质量份中之一的微米级光扩散剂和80～99质量份的聚烯烃树脂混合组成；
所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的(粉体材料)混合物；所述有机硅光扩散剂可以是涌奇材料技术(上海)有限公司提供的EL201、EL202、EL300、以及EL500中的一种或两种以上的混合物；
所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物。
上述实施例21-24中：所述聚烯烃树脂是双环庚烯、降冰片烯、二聚环二戊烯、苯乙烯、丁二烯、丙烯、以及乙烯中的一种或两种以上聚合而形成的聚烯烃树脂中的一种或两种以上的混合物。
上述实施例21-24中：所述纳米级半导体化合物包括(但不限于)IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物，例如：CdZn/ZnS、InP/ZnS、PbS等；所述金属纳米粒子包括(但不限于)Cr(铬)、Mo(钼)、W(钨)、Ru(钌)、Rh(铑)、Ni(镍)、Ag(银)、Cu(铜)、Zn(锌)、Pd(钯)、Au(金)、Os(锇)、Re(铼)、Ir(铱)、Pt(铂)的纳米粒子；所述金属氧化物纳米粒子包括(但不限于)TiO2、NiO、ZnO、MgO等。
上述实施例21-24中：所述热固性树脂为采用蒙脱土改性的聚乙烯醇、聚氨酯、环氧树脂中的一种或多种；例如：蒙脱土改性聚乙烯醇可以用海南必凯水性新材料有限公司提供的F11和F12；蒙脱土改性聚氨酯可以用CN104087141A公开的“一种有机蒙脱土/聚氨酯自修复涂料的制备方法”制备；蒙脱土改性环氧可以用《功能材料》2011，第53期，万勇，林生岭“蒙脱土/环氧树脂复合材料的制备与研究”一文中所提到的方法制备。
上述实施例21-24所述双键聚合物量子点膜的厚度为40μm～450μm，水蒸气透过率为0.01～0.1g/m2·24h，在85℃温度、85％湿度或60℃温度、90％湿度两种条件下处理1000h后，边缘失效都为0～0.2mm。
实施例25：
一种双键聚合物量子点膜的制备方法，步骤为：
a、制备量子点一级基膜：
先把0.1质量份的微米级光扩散剂和95质量份的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(简称PVDC树脂)共混为A层材料，再把0.02质量份的量子点、0.1质量份的微米级光扩散剂和80质量份的聚烯烃树脂共混为B层材料；将A层材料和B层材料分别在挤出机1中的220℃温度下和挤出机2中的220℃温度下融熔后，经220℃温度下的三层共挤模口挤出，在60温度下的冷鼓上流涎制成A层厚度为10μm、B层厚度为18μm的ABA结构薄膜或在20℃温度下的冷鼓上铸片制成ABA结构厚片并经双向拉伸制成A层厚度为10μm、B层厚度为18μm的ABA结构薄膜，收卷，即制得量子点一级基膜；
所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的(粉体材料)混合物；所述有机硅光扩散剂可以是涌奇材料技术(上海)有限公司提供的EL201、EL202、EL300、以及EL500中的一种或两种以上的混合物；
所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物；
b、量子点一级基膜经表面氟化技术处理制备量子点二级基膜：
用氟气的体积百分比含量为20％且氟气初始分压为3kPa的氟气/氮气混合气作为氟化试剂，以1℃/min的升温速率升温至60℃，并保温120分钟对步骤a制备的量子点一级基膜双表面进行直接氟化，使量子点一级基膜双表面形成0.5纳米厚度的氟化层，制得量子点二级基膜；
c、制备双键聚合物量子点膜：
取步骤b制备的量子点二级基膜，先通过上胶机的常温微凹辊进行热固性树脂涂料的双表面涂布，再经均分为四段且各段温度依次为70℃、110℃、110℃、60℃的16m长烘道烘干，得到单层表面的热固性树脂涂料涂层厚度为1μm，收卷，即制得双键聚合物量子点膜。
实施例26：
一种双键聚合物量子点膜的制备方法，步骤为：
a、制备量子点一级基膜：
先把5质量份的微米级光扩散剂和95质量份的聚烯烃树脂共混为A层材料，再把2质量份的量子点、10质量份的微米级光扩散剂和99质量份的聚烯烃树脂共混为B层材料；将A层材料和B层材料分别在挤出机1中的280℃温度下和挤出机2中的280℃温度下融熔后，经280℃温度下的三层共挤模口挤出，在100℃温度下的冷鼓上流涎制成A层厚度为200μm、B层厚度为18μm的ABA结构薄膜或在30℃温度下的冷鼓上铸片制成ABA结构厚片并经双向拉伸制成A层厚度为200μm、B层厚度为18μm的ABA结构薄膜，收卷，即制得量子点一级基膜；
所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的(粉体材料)混合物；所述有机硅光扩散剂可以是涌奇材料技术(上海)有限公司提供的EL201、EL202、EL300、以及EL500中的一种或两种以上的混合物；
所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物；
b、量子点一级基膜经表面氟化技术处理制备量子点二级基膜：
用氟气的体积百分比含量为20％且氟气初始分压为80kPa的氟气/氮气混合气作为氟化试剂，以20℃/min的升温速率升温至100℃，并保温60分钟对步骤a制备的量子点一级基膜双表面进行直接氟化，使量子点一级基膜双表面形成1.5纳米厚度的氟化层，制得(厚度为38μm～430μm的)量子点二级基膜；
c、制备双键聚合物量子点膜：
取步骤b制备的量子点二级基膜，先通过上胶机的常温微凹辊进行热固性树脂涂料的双表面涂布，再经均分为四段且各段温度依次为70～90℃、110～120℃、110～120℃、60～80℃的16m长烘道烘干，得到单层表面的热固性树脂涂料涂层厚度为1μm～10μm，收卷，即制得(厚度为40μm～450μm的)双键聚合物量子点膜。
实施例27：
一种双键聚合物量子点膜的制备方法，步骤为：
a、制备量子点一级基膜：
先把2.6质量份的微米级光扩散剂、47质量份的聚烯烃树脂和48质量份的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(简称PVDC树脂)共混为A层材料，再把1质量份的量子点、5质量份的微米级光扩散剂和90质量份的聚烯烃树脂共混为B层材料；将A层材料和B层材料分别在挤出机1中的250℃温度下和挤出机2中的250℃温度下融熔后，经250℃温度下的三层共挤模口挤出，在80℃温度下的冷鼓上流涎制成A层厚度为105μm、B层厚度为159μm的ABA结构薄膜或在25℃温度下的冷鼓上铸片制成ABA结构厚片并经双向拉伸制成A层厚度为105μm、B层厚度为159μm的ABA结构薄膜，收卷，即制得量子点一级基膜；
所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的(粉体材料)混合物；所述有机硅光扩散剂可以是涌奇材料技术(上海)有限公司提供的EL201、EL202、EL300、以及EL500中的一种或两种以上的混合物；
所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物；
b、量子点一级基膜经表面氟化技术处理制备量子点二级基膜：
用氟气的体积百分比含量为20％且氟气初始分压为41kPa的氟气/氮气混合气作为氟化试剂，以10℃/min的升温速率升温至80℃，并保温80分钟对步骤a制备的量子点一级基膜双表面进行直接氟化，使量子点一级基膜双表面形成1纳米厚度的氟化层，制得量子点二级基膜；
c、制备双键聚合物量子点膜：
取步骤b制备的量子点二级基膜，先通过上胶机的常温微凹辊进行热固性树脂涂料的双表面涂布，再经均分为四段且各段温度依次为80℃、115℃、115℃、70℃的16m长烘道烘干，得到单层表面的热固性树脂涂料涂层厚度为5μm，收卷，即制得双键聚合物量子点膜。
实施例28：
一种双键聚合物量子点膜的制备方法，步骤为：
a、制备量子点一级基膜：
先把0.1～5质量份中之一的微米级光扩散剂、0～95质量份的聚烯烃树脂和0～95质量份中之一的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(简称PVDC树脂)共混为A层材料，再把0.02～2质量份中之一的量子点、0.1～10质量份中之一的微米级光扩散剂和80～99质量份中之一的聚烯烃树脂共混为B层材料；将A层材料和B层材料分别在挤出机1中的220℃～280℃中之一温度下和挤出机2中的220℃～280℃中之一温度下融熔后，经220℃～280℃中之一温度下的三层共挤模口挤出，在60～100℃中之一温度下的冷鼓上流涎制成A层厚度为10～200μm中之一、B层厚度为18～300μm中之一的ABA结构薄膜或在20～30℃中之一温度下的冷鼓上铸片制成ABA结构厚片并经双向拉伸制成A层厚度为10～200μm中之一、B层厚度为18～300μm中之一的ABA结构薄膜，收卷，即制得量子点一级基膜；
所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的(粉体材料)混合物；所述有机硅光扩散剂可以是涌奇材料技术(上海)有限公司提供的EL201、EL202、EL300、以及EL500中的一种或两种以上的混合物；
所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物；
A层材料中所述的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物和聚烯烃树脂的质量份用量不同时为零且总用量为95质量份；
b、量子点一级基膜经表面氟化技术处理制备量子点二级基膜：
用氟气的体积百分比含量为20％且氟气初始分压为3～80kPa中之一的氟气/氮气混合气作为氟化试剂，以1～20℃/min中之一的升温速率升温至60～100℃中之一，并保温60～120分钟中之一对步骤a制备的量子点一级基膜双表面进行直接氟化，使量子点一级基膜双表面形成0.5～1.5纳米中之一厚度的氟化层，制得量子点二级基膜；
c、制备双键聚合物量子点膜：
取步骤b制备的量子点二级基膜，先通过上胶机的常温微凹辊进行热固性树脂涂料的双表面涂布，再经均分为四段且各段温度依次为70～90℃中之一、110～120℃中之一、110～120℃中之一、60～80℃中之一的16m长烘道烘干，得到单层表面的热固性树脂涂料涂层厚度为1μm～10μm中之一，收卷，即制得双键聚合物量子点膜。
实施例29：
一种双键聚合物量子点膜的制备方法，步骤为：
a、制备量子点一级基膜：
先把1.5质量份的微米级光扩散剂、35质量份的聚烯烃树脂和60质量分数的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物(简称PVDC树脂)共混为A层材料，再把0.8质量份的量子点、4质量份的微米级光扩散剂和85质量份的聚烯烃树脂共混为B层材料；将A层材料和B层材料分别在挤出机1中的240℃温度下和挤出机2中的240℃温度下融熔后，经240℃温度下的三层共挤模口挤出，在70℃温度下的冷鼓上流涎制成A层厚度为50μm、B层厚度为100μm的ABA结构薄膜或在23℃温度下的冷鼓上铸片制成ABA结构厚片并经双向拉伸制成A层厚度为50μm、B层厚度为100μm的ABA结构薄膜，收卷，即制得量子点一级基膜；
所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的(粉体材料)混合物；所述有机硅光扩散剂可以是涌奇材料技术(上海)有限公司提供的EL201、EL202、EL300、以及EL500中的一种或两种以上的混合物；
所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物；
b、量子点一级基膜经表面氟化技术处理制备量子点二级基膜：
用氟气的体积百分比含量为20％且氟气初始分压为30kPa的氟气/氮气混合气作为氟化试剂，以8℃/min的升温速率升温至70℃，并保温90分钟对步骤a制备的量子点一级基膜双表面进行直接氟化，使量子点一级基膜双表面形成1纳米厚度的氟化层，制得量子点二级基膜；
c、制备双键聚合物量子点膜：
取步骤b制备的量子点二级基膜，先通过上胶机的常温微凹辊进行热固性树脂涂料的双表面涂布，再经均分为四段且各段温度依次为78℃、112℃、112℃、68℃的16m长烘道烘干，得到单层表面的热固性树脂涂料涂层厚度为3μm，收卷，即制得双键聚合物量子点膜。
上述实施例25-29中：步骤a所述聚烯烃树脂是双环庚烯、降冰片烯、二聚环二戊烯、苯乙烯、丁二烯、丙烯、以及乙烯中的一种或两种以上聚合而形成的聚烯烃树脂中的一种或两种以上的混合物。
上述实施例25-29中：步骤a所述所述纳米级半导体化合物包括(但不限于)IV族、II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物，例如：CdZn/ZnS、InP/ZnS、PbS等；所述金属纳米粒子包括(但不限于)Cr(铬)、Mo(钼)、W(钨)、Ru(钌)、Rh(铑)、Ni(镍)、Ag(银)、Cu(铜)、Zn(锌)、Pd(钯)、Au(金)、Os(锇)、Re(铼)、Ir(铱)、Pt(铂)的纳米粒子；所述金属氧化物纳米粒子包括(但不限于)TiO2、NiO、ZnO、MgO等。
上述实施例25-29中：步骤a所述热固性树脂涂料为采用蒙脱土改性的聚乙烯醇、聚氨酯、环氧的树脂涂料中的一种或两种以上的混合物；其中：蒙脱土改性聚乙烯醇可以是海南必凯水性新材料有限公司提供的F11和F12；蒙脱土改性聚氨酯可以是采用CN104087141A公开的“一种有机蒙脱土/聚氨酯自修复涂料的制备方法”制备；蒙脱土改性环氧可以是采用《功能材料》2011，第53期，万勇，林生岭“蒙脱土/环氧树脂复合材料的制备与研究”一文中所公开的方法制备。
上述实施例25-29中：所述表面氟化技术为现有技术，采用“直接氟化表面改性技术研究”(高分子通报，2010，王旭，刘向阳)文中所提到的各种方法均可。表面氟化技术是直接用氟气作为氟化试剂对高聚物进行表面改性的方法。其在聚合物表面形成纳米级的氟化层，使得聚合物在其本体力学性能不受影响的情况下阻隔性、表面可粘接性等性能得到明显提高。
上述实施例25-29步骤c所述制得双键聚合物量子点膜的水蒸气透过率为0.01～0.1g/m2·24h，在85℃温度、85％湿度或60℃温度、90％湿度两种条件下处理1000h后，边缘失效都为0～0.2mm。
上述实施例中：所采用的百分比例中，未特别注明的，均为质量(重量)百分比例或本领域技术人员公知的百分比例；所采用的比例中，未特别注明的，均为质量(重量)比例；所述重量份可以均是克或千克。
上述实施例中：各步骤中的工艺参数(温度、时间、浓度等)和各组分用量数值等为范围的，任一点均可适用。
本发明内容及上述实施例中未具体叙述的技术内容同现有技术，所述原材料均为市售产品。
本发明不限于上述实施例，本发明内容所述均可实施并具有所述良好效果。

Claims (10)

1.一种双键聚合物量子点膜，其特征是：该双键聚合物量子点膜是由A层材料和B层材料经三层共挤流涎或双向拉伸后制得的A层厚度为10～200μm、B层厚度为18～300μm的ABA三层薄膜结构的量子点一级基膜，再在量子点一级基膜双表面上进行氟化技术处理后制得ABA三层薄膜结构的量子点二级基膜，再在量子点二级基膜双表面上涂布热固性树脂并形成烘干厚度为1～10μm涂层而制备得到的双键聚合物量子点膜；
所述A层材料为0.1～5质量份的微米级光扩散剂、0～95质量份的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物和0～95质量份的聚烯烃树脂组成的混合物，其中偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物和聚烯烃树脂的用量不同时为零且总用量为95质量份；
所述B层材料为0.02～2质量份的量子点、0.1～10质量份的微米级光扩散剂和80～99质量份的聚烯烃树脂混合组成；
所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的混合物；
所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物。
2.按权利要求1所述的双键聚合物量子点膜，其特征是：所述双键聚合物量子点膜的厚度为40μm～450μm，水蒸气透过率为0.01～0.1g/m2·24h，在85℃温度、85%湿度或60℃温度、90%湿度两种条件下处理1000h后，边缘失效都为0～0.2mm。
3.按权利要求1或2所述的双键聚合物量子点膜，其特征是：所述聚烯烃树脂是双环庚烯、降冰片烯、二聚环二戊烯、苯乙烯、丁二烯、丙烯、以及乙烯中的一种或两种以上聚合而形成的聚烯烃树脂中的一种或两种以上的混合物。
4.按权利要求1或2所述的双键聚合物量子点膜，其特征是：所述纳米级半导体化合物包括IV族、 II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物；所述金属纳米粒子包括Cr、Mo、W、Ru、Rh、Ni、Ag、Cu、Zn、Pd、Au、Os、Re、Ir、Pt的纳米粒子；所述金属氧化物纳米粒子包括TiO2、NiO、ZnO、MgO。
5.按权利要求1或2所述的双键聚合物量子点膜，其特征是：所述热固性树脂为采用蒙脱土改性的聚乙烯醇、聚氨酯、环氧树脂中的一种或多种。
6.一种双键聚合物量子点膜的制备方法，其特征是步骤为：
a、制备量子点一级基膜：
先把0.1～5质量份的微米级光扩散剂、0～95质量份的聚烯烃树脂和0～95质量份的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物共混为A层材料，再把0.02～2质量份的量子点、0.1～10质量份的微米级光扩散剂和80～99质量份的聚烯烃树脂共混为B层材料；将A层材料和B层材料分别在挤出机1中的220℃～280℃温度下和挤出机2中的220℃～280℃温度下融熔后，经220℃～280℃温度下的三层共挤模口挤出，在60～100℃温度下的冷鼓上流涎制成A层厚度为10～200μm、B层厚度为18～300μm的ABA结构薄膜或在20～30℃温度下的冷鼓上铸片制成ABA结构厚片并经双向拉伸制成A层厚度为10～200μm、B层厚度为18～300μm的ABA结构薄膜，收卷，即制得量子点一级基膜；
所述微米级光扩散剂是粒径为1～10μm的二氧化钛、二氧化硅、以及有机硅光扩散剂中的一种或两种以上的混合物；
所述量子点是纳米级半导体化合物、金属纳米粒子、以及金属氧化物纳米粒子中的一种或两种以上的混合物；
A层材料中所述的偏二氯乙烯-丙烯酸甲酯共聚物和聚烯烃树脂的质量份用量不同时为零且总用量为95质量份；
b、量子点一级基膜经表面氟化技术处理制备量子点二级基膜：
用氟气的体积百分比含量为20%且氟气初始分压为3～80kPa的氟气/氮气混合气作为氟化试剂，以1～20℃/min的升温速率升温至60～100℃，并保温60～120分钟对步骤a制备的量子点一级基膜双表面进行直接氟化，使量子点一级基膜双表面形成0.5～1.5纳米厚度的氟化层，制得量子点二级基膜；
c、制备双键聚合物量子点膜：
取步骤b制备的量子点二级基膜，先通过上胶机的常温微凹辊进行热固性树脂涂料的双表面涂布，再经均分为四段且各段温度依次为70～90℃、110～120℃、110～120℃、60～80℃的16m长烘道烘干，得到单层表面的热固性树脂涂料涂层厚度为1μm～10μm，收卷，即制得双键聚合物量子点膜。
7.按权利要求6所述双键聚合物量子点膜的制备方法，其特征是：步骤c所述制得双键聚合物量子点膜的水蒸气透过率为0.01～0.1g/m2·24h，在85℃温度、85%湿度或60℃温度、90%湿度两种条件下处理1000h后，边缘失效都为0～0.2mm。
8.按权利要求6或7所述双键聚合物量子点膜的制备方法，其特征是：步骤a所述聚烯烃树脂是双环庚烯、降冰片烯、二聚环二戊烯、苯乙烯、丁二烯、丙烯、以及乙烯中的一种或两种以上聚合而形成的聚烯烃树脂中的一种或两种以上的混合物。
9.按权利要求6或7所述双键聚合物量子点膜的制备方法，其特征是：步骤a所述所述纳米级半导体化合物包括IV族、 II-VI族、II-V族、III-V族、III-VI族、I-III-VI族、II-IV-VI族、II-IV-V族二元或多元半导体化合物；所述金属纳米粒子包括Cr、Mo、W、Ru、Rh、Ni、Ag、Cu、Zn、Pd、Au、Os、Re、Ir、Pt的纳米粒子；所述金属氧化物纳米粒子包括TiO2、NiO、ZnO、MgO。
10.按权利要求6或7所述双键聚合物量子点膜的制备方法，其特征是：步骤a所述热固性树脂涂料为采用蒙脱土改性的聚乙烯醇、聚氨酯、环氧的树脂涂料中的一种或两种以上的混合物。
CN201811614023.6A 2018-12-27 2018-12-27 一种双键聚合物量子点膜及其制备方法 Active CN109694518B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811614023.6A CN109694518B (zh) 2018-12-27 2018-12-27 一种双键聚合物量子点膜及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811614023.6A CN109694518B (zh) 2018-12-27 2018-12-27 一种双键聚合物量子点膜及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109694518A true CN109694518A (zh) 2019-04-30
CN109694518B CN109694518B (zh) 2022-01-28

Family

ID=66232175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811614023.6A Active CN109694518B (zh) 2018-12-27 2018-12-27 一种双键聚合物量子点膜及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109694518B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112126151A (zh) * 2019-06-25 2020-12-25 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点-聚合物复合体的制备方法及量子点膜的制备方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105093381A (zh) * 2015-09-24 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 量子点偏光片及其制作方法
EP3070109A1 (en) * 2015-03-16 2016-09-21 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Multilayer polymer composite for encapsulating quantum dots
CN106154364A (zh) * 2015-04-07 2016-11-23 宁波长阳科技股份有限公司 一种背光模组用量子点广色域聚酯膜、增亮膜及扩散膜
WO2017031074A1 (en) * 2015-08-17 2017-02-23 3M Innovative Properties Company Nanoclay filled barrier adhesive compositons
CN106773290A (zh) * 2016-12-15 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 一种量子点薄膜及其制作方法
JP2017101128A (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 株式会社クラレ 蒸着用基材フィルムおよびガスバリア性フィルム
WO2017137843A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-17 Nanoco Technologies Ltd. Highly stable quantum dot-containing polymer films
CN107256902A (zh) * 2016-09-08 2017-10-17 合肥智慧殿投资管理有限公司 一种太阳能电池背板膜及其制备方法
CN107402416A (zh) * 2017-08-31 2017-11-28 深圳市华星光电技术有限公司 量子扩散膜及其制作方法
CN107650452A (zh) * 2017-01-05 2018-02-02 武汉保丽量彩科技有限公司 一种抗氧化的量子点聚合物光学膜及其制备方法和用途
CN107975763A (zh) * 2017-11-28 2018-05-01 宁波激智科技股份有限公司 一种具有防蓝光效果的量子点膜
CN108136726A (zh) * 2015-09-24 2018-06-08 3M创新有限公司 量子点制品的基体

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3070109A1 (en) * 2015-03-16 2016-09-21 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Multilayer polymer composite for encapsulating quantum dots
CN106154364A (zh) * 2015-04-07 2016-11-23 宁波长阳科技股份有限公司 一种背光模组用量子点广色域聚酯膜、增亮膜及扩散膜
WO2017031074A1 (en) * 2015-08-17 2017-02-23 3M Innovative Properties Company Nanoclay filled barrier adhesive compositons
CN105093381A (zh) * 2015-09-24 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 量子点偏光片及其制作方法
CN108136726A (zh) * 2015-09-24 2018-06-08 3M创新有限公司 量子点制品的基体
JP2017101128A (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 株式会社クラレ 蒸着用基材フィルムおよびガスバリア性フィルム
WO2017137843A1 (en) * 2016-02-12 2017-08-17 Nanoco Technologies Ltd. Highly stable quantum dot-containing polymer films
CN107256902A (zh) * 2016-09-08 2017-10-17 合肥智慧殿投资管理有限公司 一种太阳能电池背板膜及其制备方法
CN106773290A (zh) * 2016-12-15 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 一种量子点薄膜及其制作方法
CN107650452A (zh) * 2017-01-05 2018-02-02 武汉保丽量彩科技有限公司 一种抗氧化的量子点聚合物光学膜及其制备方法和用途
CN107402416A (zh) * 2017-08-31 2017-11-28 深圳市华星光电技术有限公司 量子扩散膜及其制作方法
CN107975763A (zh) * 2017-11-28 2018-05-01 宁波激智科技股份有限公司 一种具有防蓝光效果的量子点膜

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
王旭: "直接氟化表面改性技术研究进展", 《高分子通报》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112126151A (zh) * 2019-06-25 2020-12-25 苏州星烁纳米科技有限公司 量子点-聚合物复合体的制备方法及量子点膜的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109694518B (zh) 2022-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103539365B (zh) 一种反射性阳光控制低辐射镀膜玻璃及其制备方法
CN106848092B (zh) 有机发光二极管装置及其制作方法
TWI299419B (en) Liquid crystal cell substrate and liquid crystal displays
CN106903954B (zh) 一种水汽氧气阻隔膜及其制备方法
TW201423142A (zh) 防污性抗反射膜、物品及其製造方法
CN105174739B (zh) 具有抗菌防指纹增透三重功效的玻璃及其制备方法
CN106904842A (zh) 一种香槟金色双银低辐射镀膜玻璃及制备方法
CN104835870B (zh) 一种太阳能电池背板
CN109694518A (zh) 一种双键聚合物量子点膜及其制备方法
CN104570534B (zh) 全固态无机电致变色器件及其制备方法
CN106876598B (zh) 有机发光二极管装置及其制作方法
CN106853706A (zh) 一种高透过高反射隔热膜
WO2005072947A1 (en) Solar control films composed of metal oxide heterostructures, and method of making same
KR102020990B1 (ko) 스마트 윈도우용 투명전극필름, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 pdlc 스마트 윈도우
CN103760695A (zh) 一种采用纳米银导电层的调光玻璃及其制造方法
CN103804963A (zh) 一种具备较高饱和度的光学干涉变色颜料的制备方法
CN113291010A (zh) 一种免维护透明薄膜、制备方法及其用途
CN107540243A (zh) 一种兼具防眩光和减反射玻璃的制作工艺
CN103692728B (zh) 一种低辐射镀膜玻璃及其制备工艺
CN206301130U (zh) 一种高红外反射电致变色玻璃
CN204958727U (zh) 高耐候性减反射玻璃
CN105291499A (zh) 一种pe或pvc基材装饰膜
CN107586047A (zh) 一种天空蓝双银低辐射镀膜玻璃及制备方法
CN104559338A (zh) 一种具表面包覆膜的珠光颜料
CN212684942U (zh) 一种透明高阻隔蒸镀尼龙薄膜

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant