CN109690809B - 掩模清洗装置以及掩模清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种掩模清洗装置以及掩模清洗方法，其能够清洗残留在有机发光装置用金属掩模表面上的有机物。所述掩模清洗装置可以包括：真空腔室，在内部形成有能够收纳掩模的收纳空间，并且在内部形成真空环境，从而易于去除残留在所述掩模上的有机物；第一清洗光照射装置，能够向收纳于所述真空腔室中的所述掩模照射清洗光，从而在所述真空环境下对所述有机物施加光能，以便能够从所述掩模分解并分离所述有机物以进行去除；以及控制部，能够向所述第一清洗光照射装置提供脉冲波电源。
Description
技术领域
本发明涉及一种掩模清洗装置以及掩模清洗方法，更具体而言，涉及一种能够清洗残留在有机发光装置用金属掩模表面上的有机物的掩模的清洗装置以及掩模清洗方法。
背景技术
平板显示装置中的有机电致发光显示装置具有较高的响应速度，耗电量低，并且由于是自发光，不存在视野角度问题，因此与装置的大小无关地胜任动态图像显示介质。此外，可低温制作，制造工艺基于现有的半导体工艺技术并且简单，因此作为下一代平板显示装置备受瞩目。此外，有机电致发光显示装置所使用的有机膜进行自发光，因此将多层有机膜蒸镀在正面上之后对上下端施加电场即可用于OLED照明装置中。现有的LED照明使用点光源，而与此相反，OLED照明使用面光源，因此作为下一代照明装置受到极大的关注。
这种有机电致发光显示装置以及OLED照明制造工艺中形成的有机薄膜，根据所使用的材料和工艺，可以大致分为采用湿法工艺的高分子型元件以及采用蒸镀工艺的低分子型元件。例如，对于高分子或者低分子发光层的形成方法中的喷墨印刷方法来说，发光层以外的有机层的材料有限制，并且存在需要在基板上形成用于进行喷墨印刷的结构的麻烦。此外，当通过蒸镀工艺形成发光层时，可使用额外的金属掩模。
发明内容
技术问题
这种以往的有机发光装置用金属掩模的表面容易被有机物或者异物污染。
以往，为了重新利用这种金属掩模，使用了湿法清洗方法，该方法利用各种酸性溶液或碱性溶液等清洗液，将残留在表面有机物或者异物溶解去除。
但是，这种以往的湿法清洗方法存在诸多问题，如必然因废弃的清洗液而引起环境污染，并且由于金属掩模的表面被清洗液溶解，会缩短掩模的寿命，且大幅增加清洗后进行干燥等清洗操作时所需的时间和成本，降低生产性。
本发明旨在解决包含如上问题的各种问题，其目的在于提供一种掩模清洗装置以及掩模清洗方法，利用使有机物或者异物瞬间清洗的清洗光，减少清洗时间和成本，从而大幅提升生产性，并且尽量减小金属掩模的损伤，由此能够增加掩模的寿命，而且由于能够回收因清洗光而蒸发的有机物，因此具有经济性，不产生废弃物，所以环保，能够容易应用于现有的掩模回收线，因而缩减额外设置成本。但是这些技术问题只是例示性的，并不由此限定本发明的范围。
技术方案
用于解决上述技术问题的本发明的思想涉及的掩模清洗装置可以包括：真空腔室，在内部形成有能够收纳掩模的收纳空间，并且在内部形成真空环境，从而易于去除残留在所述掩模上的有机物；第一清洗光照射装置，能够向收纳于所述真空腔室中的所述掩模照射清洗光，从而在所述真空环境下对所述有机物施加光能，以便能够从所述掩模分解并分离所述有机物以进行去除；以及控制部，能够向所述第一清洗光照射装置提供脉冲波电源。
此外，根据本发明，所述掩模可以是有机电致发光显示装置制造用精细金属掩模(FMM)，所述第一清洗光照射装置中，可以由第一氙灯接收来自所述控制部的具有第一强度或者第一脉冲施加时间的第一脉冲波电源，从而产生第一强脉冲光(Intense PulseLight，IPL)，以便能够去除残留在所述掩模上的所述有机物。
此外，根据本发明，所述第一清洗光照射装置中，可以由所述第一氙灯接收来自所述控制部的具有第二强度或者第二脉冲施加时间的第二脉冲电源，从而产生第二强脉冲光，以便能够去除残留在用于支撑所述掩模的框架上的有机物，其中，所述第二强度大于第一强度，所述第二脉冲施加时间长于所述第一脉冲施加时间。
此外，本发明涉及的掩模清洗装置可以进一步包括：掩模移动装置，其用于使所述掩模或者所述第一清洗光照射装置进行相对移动，以使所述第一清洗光照射装置所产生的所述清洗光能够对所述掩模进行局部照射或者扫描照射。
此外，本发明涉及的掩模清洗装置可以进一步包括：转台装置，其设置于所述真空腔室或者所述掩模移动装置，能够使所述掩模以及所述框架进行角旋转，从而在向支撑所述掩模的所述框架照射所述清洗光时，使所述掩模以及所述框架旋转为第一角度，以便进行相当于第一宽度的局部照射或者扫描照射，而向所述掩模照射所述清洗光时，使所述掩模以及支撑所述掩模的框架旋转为第二角度，以便进行相当于第二宽度的局部照射或者扫描照射。
此外，根据本发明，当向整体上呈四边形环状的所述框架照射清洗光时，所述转台装置可以每次使所述掩模以及所述框架旋转90度，以便分别对四个框架构件进行相当于各自宽度的局部照射或者扫描照射。
此外，本发明涉及的掩模清洗装置可以进一步包括：第二清洗光照射装置，用于使第二氙灯接收来自所述控制部的具有第二强度或者第二脉冲施加时间的第二脉冲电源，从而产生第二强脉冲光(Intense Pulse Light，IPL)，以便能够去除残留在用于支撑所述掩模的框架上的有机物，其中，所述第二强度大于第一强度，所述第二脉冲施加时间长于所述第一脉冲施加时间。
此外，本发明涉及的掩模清洗装置可以进一步包括：其第一带通滤波器，能够设置在所述清洗光的光路上，使对于第一有机物的分解能力优异的第一波段的光通过。
此外，本发明涉及的掩模清洗装置可以进一步包括：第二带通滤波器，其能够设置在所述清洗光的光路上，使对于第二有机物的分解能力优异的第二波段的光通过。
此外，本发明涉及的掩模清洗装置可以进一步包括：滤波器更换装置，其将设置在所述光路上的所述第一带通滤波器搬送至待机位置，并将设置在所述待机位置上的所述第二带通滤波器搬送至所述光路上。
此外，根据本发明，所述第一清洗光照射装置可以与使所述清洗光朝向所述真空腔室方向反射的第一反射器一同设置在所述真空腔室的外部，所述真空腔室的内部可以设置有真空泵，以便形成真空环境，所述真空腔室的一侧可以形成有使所述清洗光透过的第一透明窗，以使所述第一清洗光照射装置的所述清洗光能够进入并照射在所述掩模上。
此外，本发明涉及的掩模清洗装置可以进一步包括：有机物回收板，其设置在所述真空腔室的内部或者所述第一透明窗与所述掩模之间，从而使所述有机物被所述有机物回收板的表面捕集而进行回收，且不污染所述第一透明窗。
此外，根据本发明，所述第一清洗光照射装置可以与使所述清洗光朝向所述掩模方向反射的第二反射器一同设置在所述真空腔室的内部，所述第二反射器上可以形成有使所述清洗光通过的带通滤波器或者第二透明窗，以便保护设置在内部的所述第一清洗光照射装置。
另一方面，用于解决所述技术问题的本发明的思想涉及的掩模清洗方法可以包括：第1步骤，将掩模收纳在真空腔室中，以便去除残留在所述掩模上的有机物；以及第2步骤，在所述真空环境下向所述有机物照射强脉冲光(Intense Pulse Light，IPL)，从而从所述掩模分解并分离所述有机物以进行去除。
此外，根据本发明，所述第2步骤可以包括：第2-1步骤，利用转台装置使支撑所述掩模的框架每次旋转90度，从而分别对四个框架构件进行相当于各自宽度的局部照射或者扫描照射；以及第2-2步骤，利用掩模移动装置移动所述掩模，从而对所述掩模分阶段进行局部照射或者扫描照射。
此外，根据本发明，在所述第2-1步骤中照射的强脉冲光和在所述第2-2步骤中照射的强脉冲光具有不同的脉冲强度或者脉冲施加时间。
此外，根据本发明，在所述第2步骤中，根据所述有机物的种类，将至少一个处于待机中的带通滤波器搬送至光路上，并进行所述强脉冲光的照射。
有益效果
根据如上构成的本发明的部分实施例，利用瞬间分解去除有机物或者异物的干法的清洗光，减少清洗时间和成本，从而大幅提升生产性，并且尽量减小金属掩模的损伤，由此能够增加掩模的寿命，而且由于能够回收因清洗光而蒸发的有机物，具有经济性，不产生废弃物，所以环保，能够容易应用于现有的掩模回收线，因而缩减额外设置成本。当然，本发明的范围并不被这些效果限定。
附图说明
图1是概念性地示出本发明的部分实施例涉及的掩模清洗装置的剖视图。
图2是示出施加于图1的掩模清洗装置的第一氙灯的脉冲波的一例的曲线图。
图3是示出施加于图1的掩模清洗装置的第一氙灯的脉冲波的另一例的曲线图。
图4至图7是示出图1的掩模清洗装置的框架清洗模式的俯视图。
图8至图10是示出图1的掩模清洗装置的掩模清洗模式的俯视图。
图11是概念性地示出本发明的部分其它实施例涉及的掩模清洗装置的剖视图。
图12是示出施加于图11的掩模清洗装置的第一氙灯以及第二氙灯的脉冲波的一例的曲线图。
图13是概念性地示出本发明的部分其它实施例涉及的掩模清洗装置的剖视图。
图14是概念性地示出本发明的部分其它实施例涉及的掩模清洗装置的剖视图。
图15是概念性地示出本发明的部分其它实施例涉及的掩模清洗装置的剖视图。
图16是示出本发明的部分实施例涉及的掩模清洗方法的流程图。
图17是更加详细地示出图16的掩模清洗方法中的框架照射过程的一例的流程图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的各种优选实施例进行详细的说明。
提供本发明的实施例的目的在于，向本领域技术人员更加完整地说明本发明，下述的实施例可以变形为各种不同的形式，并非旨在限定本发明的范围。相反，提供这些实施例的目的在于，使本公开更加充实且完整，并且向本领域技术人员完整地传达本发明的思想。此外，为了说明的便利性以及明确性，附图中各层的厚度或大小会有夸张。
图1是概念性地示出本发明的部分实施例涉及的掩模清洗装置100的剖视图。
首先，如图1所示，本发明的部分实施例涉及的掩模清洗装置100可以大致包括真空腔室10以及第一清洗光照射装置20。
例如，如图1所示，所述真空腔室10可以是可密闭的一种箱型结构体，在其内部形成有能够收纳掩模FMM的收纳空间，并且在内部形成真空环境以便容易去除残留在所述掩模FMM上的有机物1。
所述真空腔室10的内部可以设置有真空泵P，以便形成真空环境。但是，所述真空腔室10无需局限于附图，例如，虽未图示，但可以形成有各种门或窗，以便所述掩模FMM进出，此外，为了进行连续的工艺，可以与各种形式的工艺腔室、缓冲腔室或者负载锁定(loadlock)腔室连接。
其中，所述掩模FMM是有机电致发光显示装置制造用精细金属掩模(FMM)，可以是为了在有机发光装置用基板上蒸镀有机物而使用的不胀钢材料的金属掩模。
进行蒸镀工艺后，在所述掩模FMM的表面上残留所述有机物1，可以是无需框架F即具有足够的强度和耐久性的单一掩模，也可以如图1所示，当所述掩模FMM为极薄的片材类型时，设置能够支撑所述掩模FMM的四边形环状的框架F，以使所述掩模FMM能够保持足够的强度和耐久性。虽然图1中例示了具有所述框架F的掩模FMM，但是所述掩模FMM并不局限于附图所示，可以采用各种形式的所有掩模。
此外，例如，所述第一清洗光照射装置20可以是向收纳在所述真空腔室10中的所述掩模FMM照射清洗光L的光照射装置，其在形成于上述的所述真空腔室10内部的所述真空环境下对所述有机物1施加光能，从而如图1的放大部分所示，从所述掩模FMM将所述有机物1分解并分离为例如氧或氢原子或分子或离子等第1-1物质1-1以及碳原子或分子或离子等第1-2物质1-2以进行去除。
例如，氙闪光灯可以具有200至1100nm的带宽，可以使用带通滤波器等来选择性地仅使用想要的区域的光。此外，例如，施加于氙灯的电源可以是连续(continuous)形式的功率或是脉冲(pulsed)形式的功率。
此外，例如，所述清洗光L可以在所述掩模FMM的全部区域整体照射，或者以线束方式，使所述掩模FMM进行相对移动，从而通过扫描过程进行照射。
更具体而言，例如，所述第一清洗光照射装置20可以与使所述清洗光L朝向所述真空腔室10方向反射的第一反射器R1一同设置在所述真空腔室10的外部。如此，所述第一清洗光照射装置20设置在所述真空腔室10的外部时，所述第一清洗光照射装置20易于进行修理、替换、管理或者运行，并且容易将从装置产生的各种热量排出到外部。
为此，所述真空腔室10可以在其一侧形成有使所述清洗光L透过的第一透明窗11，以使所述第一清洗光照射装置20的所述清洗光L能够进入并照射在所述掩模FMM上。
所述第一透明窗11可采用能够保持所述真空腔室10内部的真空或者气密性的同时使所述清洗光L通过的石英或玻璃或蓝宝石等各种透光性材料。
此外，所述第一反射器R1是强脉冲光(Intense Pulse Light，IPL)反射器(reflector)，即采用高级光学设计以及成熟的光学面加工技术，能够尽量减小光损失，能在整个光能照射区域都保持10％以上的均匀的能量密度(uniformity)，最高能保持10J/cm2以上的高能量密度，可获得认证，能够设置在狭窄的空间中，而且能够根据材料特性以及清洗条件优化工艺环境。
此外，如图1所示，所述第一清洗光照射装置20可以采用第一氙灯LAMP1，以便去除残留在所述掩模FMM上的所述有机物1。但是，除了氙灯之外，还可以采用能够产生可分解所述有机物1的各种形式或波长的光能的各种灯。
图2是示出施加于图1的掩模清洗装置100的第一氙灯LAMP1的脉冲波的一例的曲线图。
如图2所示，本发明的部分实施例涉及的掩模清洗装置100可以进一步包括控制部30，所述控制部30可向所述第一清洗光照射装置20提供脉冲波电源。
因此，如图1以及图2所示，当所述第一清洗光照射装置20处于去除残留在所述掩模FMM上的所述有机物1的掩模清洗模式时，由第一氙灯LAMP1接收来自所述控制部30的具有第一强度V1或者第一脉冲施加时间T1的第一强脉冲光L1。
此时，所述第一强脉冲光L1可以包括根据所述有机物1的种类进行优化的波段的光，例如，可以包括紫外线区域的光。但是，并不局限于此，可以包括可见光线、红外线等宽波长的光。
图3是示出施加于图1的掩模清洗装置100的第一氙灯LAMP1的脉冲波的另一例的曲线图。
如图3所示，当处于对支撑所述掩模FMM的框架F进行清洗的框架清洗模式时，比起所述掩模FMM的情况，可能需要强度更高的清洗光L。
即，所述第一清洗光照射装置20可以在处于如上所述的去除残留在所述掩模FMM上的所述有机物1的掩模清洗模式时，由第一氙灯LAMP1接收来自所述控制部30的具有第一强度V1或者第一脉冲施加时间T1的第一脉冲电源，从而产生第一强脉冲光L1，当处于去除残留在支撑所述掩模FMM的框架F上的有机物1的框架清洗模式时，由第一氙灯LAMP1接收来自所述控制部30的具有第二强度V2或者第二脉冲施加时间T2的第二脉冲电源，产生第二强脉冲光L2，其中所述第二强度V2大于第一强度V1，所述第二脉冲施加时间T2长于所述第一脉冲施加时间T1。
其中，当处于去除残留在支撑所述掩模FMM的框架F上的残留有机物1的框架清洗模式时，使上述的强清洗光L仅照射在所述框架F上，这在经济性方面以及防止所述掩模FMM损伤方面都为优选。
此外，一般来说，所述框架F的厚度远大于所述掩模FMM的厚度，因此为了去除残留在所述框架F上的有机物1，需要更大量的能量，而与此相反，由于所述掩模FMM的厚度极薄，当施加过大的能量时，会存在所述掩模FMM容易发生热变形或者破损或燃烧等副作用。
因此，例如，首先进行框架清洗模式，接着进行掩模清洗模式，如此能够尽量减小清洗所述框架F清洗时残留的有机物1对所述掩模FMM造成的影响。
但是，本发明无需局限于首先进行框架清洗，可以采用相反的首先进行掩模FMM清洗的方法或者同时进行框架清洗和掩模清洗等各种方法来清洗所述掩模FMM和所述框架F。
另一方面，本发明的技术思想并不局限于附图，例如，不仅可以采用附图所示的朝下照射型灯，还可以采用朝上照射型灯，或者，可以采用所述掩模FMM以及所述框架F的污染面如图所示地朝向上方的朝上型，除此之外也可以采用污染面朝向下方的朝下型等各种各样的形式。
下面，首先对上述的框架清洗模式进行更为详细的说明。
图4至图7是示出图1的掩模清洗装置100的框架清洗模式的俯视图。
如图1至图7所示，本发明的部分实施例涉及的掩模清洗装置100可以进一步包括掩模移动装置40以及转台装置50，所述掩模移动装置40在所述掩模清洗模式或者所述框架清洗模式下移动所述掩模FMM以及所述框架F，所述转台装置50在所述框架清洗模式下使所述掩模FMM以及所述框架F进行角旋转。
例如，如图4所示，所述掩模移动装置40使所述掩模FMM或者所述第一清洗光照射装置20进行相对移动，从而使所述第一清洗光照射装置20产生的所述清洗光L能够对所述掩模FMM进行局部照射或者扫描照射，可以是利用电动机、线性电动机或者油压/气压缸来使对象物体进行移动的各种传送装置、带式装置、滚筒装置、搬送机器人、搬送线、搬送转向架等各种形式的移动装置。
此外，例如，如图4至图7所示，所述转台装置50可以设置于所述真空腔室10或者所述掩模移动装置40，能够使所述掩模FMM以及所述框架F进行角旋转，从而在向支撑所述掩模FMM的所述框架F照射所述清洗光L时，使所述掩模FMM以及所述框架F旋转为第一角度，以便进行相当于第一宽度(W1-1、W1-2、W1-3、W1-4)的局部照射或者扫描照射，而向所述掩模FMM照射所述清洗光L时，使所述掩模以及支撑所述掩模的框架F旋转为第二角度，以便进行相当于第二宽度W2的局部照射或者扫描照射。
所述转台装置50可以是利用电动机、旋转动力传递装置或者油压/气压缸来使对象物体进行旋转的各种基座、旋转器、旋转机器人、旋转台或者旋转盘等各种形式的旋转装置。
因此，例如，当初于框架清洗模式时，特别是，当向整体上呈四边形环状的所述框架F照射清洗光时，利用所述掩模移动装置40，例如，如图4所示，首先在所述掩模FMM以及所述框架构件F1处于0度的状态下，所述第一氙灯LAMP1可以对所述第一框架构件F1进行相当于包含宽度W1-1的局部照射或者扫描照射。
接着，如图5所示，利用所述转台装置50，使所述掩模FMM以及所述框架F旋转为90度的状态，以使所述第一氙灯LAMP1能够对所述第二框架构件F2进行相当于包含宽度W1-2的局部照射或者扫描照射。
此时，避免所述掩模FMM包含在清洗光照射的区域内，从而尽量减小所述掩模FMM的损伤。
接着，如图6所示，利用所述转台装置50，使所述掩模FMM以及所述框架F旋转为180度的状态，以使所述第一氙灯LAMP1能够对所述第三框架构件F3进行相当于包含宽度W1-3的局部照射或者扫描照射。
接着，如图7所示，利用所述转台装置50，使所述掩模FMM以及所述框架F旋转为270度的状态，以使所述第一氙灯LAMP1能够对所述第四框架构件F4进行相当于包含宽度W1-4的局部照射或者扫描照射。
即，利用所述掩模移动装置40和所述转台装置50使所述掩模FMM以及所述框架F分别进行90度的旋转，从而对四个框架构件F1、F2、F3、F4分别进行相当于各自宽度(W1-1、W1-2、W1-3、W1-4)的局部照射或者扫描照射。在该过程中即使向各框架构件照射的光的区域相互重叠，也能够避免所述清洗光照射到所述掩模FMM上，从而尽量减小由所述清洗光的过度照射引起的所述掩模FMM的热变形、局部加热或者图案损伤等。
此时，所述第一氙灯LAMP1可以是位置不移动的固定型。但是，无须局限于此，所述第一氙灯LAMP1也可以是进行移动或旋转的活动型。
图8至图10是示出图1的掩模清洗装置100的掩模清洗模式的俯视图。
如上所述，当对各个所述框架构件F1、F2、F3、F4进行充分的清洗后，如图8至图10所示，可以进行掩模清洗模式。
继图7以后，如图8所示，使所述掩模FMM以及所述框架F在保持270度的状态的同时，利用所述掩模移动装置40使所述掩模FMM前进到第一阶段，所述第一氙灯LAMP1对所述掩模FMM的1/3部分进行局部照射或者扫描照射。
接着，如图9所示，利用所述掩模移动装置40使所述掩模FMM前进到第二阶段，所述第一氙灯LAMP1对所述掩模FMM的2/3部分进行局部照射或者扫描照射。
接着，如图10所示，利用所述掩模移动装置40使所述掩模FMM前进到第三阶段，所述第一氙灯LAMP1对所述掩模FMM的3/3部分进行局部照射或者扫描照射。为了方便，附图中例示了所述第一氙灯LAMP1分三步阶段性地清洗所述掩模FMM，但是除此之外根据所述掩模FMM的面积或者所述有机物1的残留量，可以通过一步或者多步来进行综合或者分阶段清洗。
此时，即使所述第一氙灯LAMP1在照射所述掩模FMM时侵犯到所述框架F的区域，也不会对所述框架F产生不良影响。其理由在于，不同于要求图案精密度高的所述掩模FMM的区域，所述框架F的区域即使表面出现细微的损伤，也不会对工序产生大的影响，而且所述框架F形成为又厚又强，以便具有高强度和高耐久性，因此不容易受到损伤。
因此，利用使所述有机物1或者异物瞬间分解及蒸发的清洗光L，减少清洗时间和成本，大幅提高生产性，尽量减小所述掩模FMM的损伤，从而延长所述掩模FMM的寿命，并且由于能够回收因所述清洗光L而蒸发的有机物，因此具有经济性，不产生废弃物，所以环保，能够容易应用于现有的掩模回收线，因而缩减额外设置成本。
另一方面，如图1所示，本发明的部分实施例涉及的掩模清洗装置100可以设置在所述清洗光L的光路上，可以进一步包括第一带通滤波器FT1，所述第一带通滤波器FT1能够设置在所述清洗光L的光路上，使对于第一有机物1的分解能力优异的第一波段的光通过。
因此，本发明的部分实施例涉及的掩模清洗装置100能够利用所述第一带通滤波器FT1，有选择地使用在抑制所述掩模FMM的损伤的同时对于所述有机物1的分解能力高的波段的光。
例如，所述第一带通滤波器FT1可以是UV带通滤波器，比起引发所述掩模FMM的热变形的红外线区域的波长，该UV带通滤波器仅使对于所述有机物1的分解能力优异的紫外线区域的波长有选择地通过。但是，无须局限于此，可以选择性地采用各种区域的波长。
例如，所述有机物1为红色电致发光用有机物时，所述第一带通滤波器FT1可以使对于红色电致发光用有机物的分解能力优异的光，例如，红外线区域或者近红外线区域的光通过，从而提高清洗效率。但是，无须局限于此，可以采用使各种形式的光通过的各种形式的带通滤波器。
图11是概念性地示出本发明的部分其它实施例涉及的掩模清洗装置200的剖视图。
如图11所示，除了所述第一清洗光照射装置20之外，本发明的部分其它实施例涉及的掩模清洗装置200可以进一步包括第二清洗光照射装置60，以便分别独立地清洗所述掩模FMM和所述框架F。
例如，所述第一清洗光照射装置20中，可以由第一氙灯LAMP1接收具有第一强度V1或者第一脉冲施加时间T1的第一脉冲波电源，从而产生第一强脉冲光L1，以便去除残留在所述掩模FMM上的有机物1，所述第二清洗光照射装置60中，可以由第二氙灯LAMP2接收具有第二强度V2或者第二脉冲施加时间T2的第二脉冲电源，从而产生第二强脉冲光L2，以便去除残留在支撑所述掩模FMM的框架F上的有机物1，其中，所述第二强度V2大于第一强度V1，所述第二脉冲施加时间T2长于所述第一脉冲施加时间T1。
图12是示出分别施加于图11的掩模清洗装置的第一氙灯LAMP1以及第二氙灯LAMP2上的脉冲波的一例的曲线图。
如图11以及图12所示，可以利用所述第一氙灯LAMP1以及所述第二氙灯LAMP2，分别对所述掩模FMM以及所述框架F同时或者依次进行清洗。此时，自然可以如上所述地使所述框架F每次旋转90度并进行清洗。
图13是概念性地示出本发明的部分其它实施例涉及的掩模清洗装置300的剖视图。
如图13所示，除了所述第一带通滤波器FT1之外，本发明的部分其它实施例涉及的掩模清洗装置300可以进一步包括第二带通滤波器FT2以及滤波器更换装置70，所述第二带通滤波器FT2可以设置在所述清洗光L的光路上，使对于第二有机物1的分解能力优异的第二波段的光通过，所述滤波器更换装置70将设置在所述光路上的所述第一带通滤波器FT1搬送至待机位置，并将设置在所述待机位置上的所述第二带通滤波器FT2搬送至所述光路上。
因此，当多种所述有机物1、2混合并残留在所述掩模FMM上或者对残留有一种有机物的掩模进行清洗后接着需要对残留有其它种类的有机物的掩模进行清洗时，利用所述滤波器更换装置70将所述带通滤波器更换为各种组合，从而在尽量减小对所述掩模造成的损伤的同时尽量提高针对不同种类有机物的分解性能。
图13例示了能够将2个带通滤波器在滑动的同时更换的滑槽方式的所述滤波器更换装置70，但是除此之外也可以采用以旋转方式更换多个带通滤波器的旋转型滤波器更换装置，或者其它盒型(Cartridge)方式等各种形式的滤波器更换装置。
图14是概念性地示出本发明的部分其它实施例涉及的掩模清洗装置400的剖视图。
如图14所示，本发明的部分其它实施例涉及的掩模清洗装置400可以进一步包括有机物回收板12，所述有机物回收板12设置在所述真空腔室10的内部或者所述第一透明窗11与所述掩模FMM之间，从而使所述有机物1被所述有机物回收板的表面捕集而进行回收，且不污染所述第一透明窗。
因此，能够在保护所述第一透明窗11的同时，对积累在所述有机物回收板12的表面上的高价的所述有机物1进行回收再利用。其中，所述有机物回收板12上设置有冷却装置，以使所述有机物1凝聚在冰冷的表面上，由此实现冷捕集。除此之外，还可以采用各种形式的捕集装置。
图15是概念性地示出本发明的部分其它实施例涉及的掩模清洗装置500的剖视图。
如图15所示，本发明的部分其它实施例涉及的掩模清洗装置500的第一清洗光照射装置20中，为了向所述掩模FMM或者支撑所述掩模FMM的框架F照射所述清洗光，以对所述掩模FMM的全部区域或者支撑所述掩模FMM的框架F的全部区域同时进行清洗，灯LAMP1的长度至少大于所述掩模FMM的宽度W3或者所述框架F的宽度W4，并且沿着所述掩模FMM或者所述框架F的宽度方向彼此平行地配置有多个所述灯LAMP1，所述灯LAMP1的设置数量为所述掩模FMM的长度L3或者所述框架F的整体长度L4除以灯照射区域的最小宽度W2而得出的最小设置数量以上，从而使所述清洗光能够同时到达所述掩模FMM或者所述框架F的全部区域。
例如，当所述框架F的宽度W4为10000mm时，所述灯LAMP1的长度至少可以是10000mm以上，当所述框架F的整体长度L4为8000mm，灯照射区域的最小宽度W2为2000mm时，沿着所述掩模FMM或者所述框架F的宽度方向彼此平行地配置的所述灯LAMP1的最小设置数量可以是8000除以2000而获得的4以上，从而使所述清洗光能够到达所述掩模FMM或者所述框架F的全部区域。
因此，通过调节如此彼此平行设置的所述灯的宽度和设置数量，使所述清洗光同时照射所述掩模FMM的全部区域或者支撑所述掩模FMM的框架F的全部区域，以便同时对全部区域进行清洗。
所以，例如，在进行后面部分的局部照射或者扫描照射时能够防止所分解的所述有机物1的一部分对完成清洗的前面部分造成不良影响的现象，由此能够提升清洗性能，并且由于对全部区域进行同时清洗，大幅减少清洗时间和成本，从而能够尽量提高清洗效率。
但是，这种同时清洗并不局限于附图，例如，可以将四个框架用灯配置成四边形状，并在其内部平行地配置多个掩模用灯，或者竖直地设置多个短棒型灯，或者利用其它的进行额外的控制以便具有高分辨率的像素的显示器形式的灯模块，对掩模或者框架分别充分地照射适当的清洗光。
图16是示出本发明的部分实施例涉及的掩模清洗方法的流程图。
如图1至图16所示，本发明的部分实施例涉及的掩模清洗方法可以包括：第1步骤S1，将掩模FMM收纳在真空腔室10中，以便去除残留在所述掩模FMM上的有机物1；以及第2步骤S2，在所述真空环境下向所述有机物1照射强脉冲光(Intense Pulse Light，IPL)，从而从所述掩模FMM分解并分离所述有机物1以进行去除。
其中，所述第2步骤S2可以包括：第2-1步骤S2-1，利用转台装置50使支撑所述掩模FMM的框架F每次旋转90度，从而分别对四个框架构件F1、F2、F3、F4进行相当于各自宽度的局部照射或者扫描照射；以及第2-2步骤S2-2，利用掩模移动装置40移动所述掩模FMM，从而对所述掩模FMM分阶段进行局部照射或者扫描照射。
其中，在所述第2-1步骤S2-1中照射的强脉冲光和在所述第2-2步骤S2-2中照射的强脉冲光可以具有不同的脉冲强度或者脉冲施加时间。
此外，在所述第2步骤S2中，根据所述有机物1的种类，可以将至少一个处于待机中的带通滤波器FT1、FT2搬送至光路上，并进行所述强脉冲光的照射。
图17是更加详细地示出图16的掩模清洗方法中的第2-1步骤S2-1的一例的流程图。
如图1至图17所示，可以利用所述掩模移动装置40，例如，首先在所述掩模FMM以及所述框架构件F1处于0度的状态下，所述第一氙灯LAMP1对所述第一框架构件F1进行照射。
接着，可以利用所述转台装置50，使所述掩模FMM以及所述框架F旋转为90度的状态，从而使所述第一氙灯LAMP1对所述第二框架构件F2进行照射。
接着，可以利用所述转台装置50，使所述掩模FMM以及所述框架F旋转为180度的状态，从而使所述第一氙灯LAMP1对所述第三框架构件F3进行照射。
接着，可以利用所述转台装置50，使所述掩模FMM以及所述框架F旋转为270度的状态，从而使所述第一氙灯LAMP1对所述第四框架构件F4进行照射。
因此，当利用这种本发明的掩模清洗方法时，即使所述掩模FMM的面积实现大型化，也能够对所述掩模FMM和所述框架的全部区域分阶段进行均匀的清洗。
参考附图中所示的实施例对本发明进行了说明，但这只是例示性的，本领域技术人员能够理解，可以基于此进行各种变形以及等同的其它实施例。因此本发明真正的技术保护范围应当通过所附的权利要求书中的技术思想来确定。
工业实用性
根据如上构成的本发明的部分实施例，利用瞬间分解来去除有机物或者异物的干法的清洗光，减少清洗时间和成本，从而大幅提升生产性，并且尽量减小金属掩模的损伤，由此能够增加掩模的寿命，而且由于能够回收因清洗光而蒸发的有机物，具有经济性，不产生废弃物，所以环保，能够容易应用于现有的掩模回收线，因而缩减额外设置成本。
Claims (14)
1.一种掩模清洗装置，其特征在于，包括：
真空腔室，在内部形成有能够收纳有机电致发光显示装置制造用精细金属掩模的收纳空间，并且在内部形成真空环境，从而易于去除残留在所述掩模上的有机物；
第一清洗光照射装置，能够向收纳于所述真空腔室中的所述掩模照射清洗光，从而在所述真空环境下施加光能，以便能够从所述掩模分解或分离所述有机物以进行去除；
第二清洗光照射装置，能够向用于支撑所述掩模的框架照射清洗光，以便能够去除残留在所述框架上的有机物；以及
控制部，能够向所述第一清洗光照射装置或所述第二清洗光照射装置提供脉冲波电源，
所述第一清洗光照射装置中，由第一氙灯接收来自所述控制部的具有第一强度或者第一脉冲施加时间的第一脉冲电源，从而产生第一强脉冲光，
所述第二清洗光照射装置中，由第二氙灯接收来自所述控制部的具有第二强度或者第二脉冲施加时间的第二脉冲电源，从而产生第二强脉冲光，
其中，所述第二强度大于所述第一强度，所述第二脉冲施加时间长于所述第一脉冲施加时间。
2.根据权利要求1所述的掩模清洗装置，其特征在于，进一步包括：
掩模移动装置，其用于使所述掩模或者所述第一清洗光照射装置进行相对移动，以使所述第一清洗光照射装置所产生的所述第一强脉冲光能够对所述掩模进行局部照射或者扫描照射。
3.根据权利要求2所述的掩模清洗装置，其特征在于，进一步包括：
转台装置，设置于所述真空腔室或者所述掩模移动装置，能够使所述掩模以及所述框架进行角旋转，从而在向支撑所述掩模的所述框架照射所述第二强脉冲光时，使所述掩模以及所述框架旋转为第一角度，以便进行相当于第一宽度的局部照射或者扫描照射，而向所述掩模照射所述第一强脉冲光时，使所述掩模以及支撑所述掩模的框架旋转为第二角度，以便进行相当于第二宽度的局部照射或者扫描照射。
4.根据权利要求3所述的掩模清洗装置，其特征在于，
当向整体上呈四边形环状的所述框架照射所述第二强脉冲光时，所述转台装置每次使所述掩模以及所述框架旋转90度，以便分别对四个框架构件进行相当于各自宽度的局部照射或者扫描照射。
5.根据权利要求1所述的掩模清洗装置，其特征在于，进一步包括：
第一带通滤波器，其能够设置在所述第一强脉冲光的光路上，使对于第一有机物的分解能力优异的第一波段的光通过。
6.根据权利要求5所述的掩模清洗装置，其特征在于，进一步包括：
第二带通滤波器，其能够设置在所述第一强脉冲光的光路上，使对于第二有机物的分解能力优异的第二波段的光通过。
7.根据权利要求6所述的掩模清洗装置，其特征在于，进一步包括：
滤波器更换装置，其将设置在所述光路上的所述第一带通滤波器搬送至待机位置，并将设置在所述待机位置上的所述第二带通滤波器搬送至所述光路上。
8.根据权利要求1所述的掩模清洗装置，其特征在于，
所述第一清洗光照射装置与使所述第一强脉冲光朝向所述真空腔室方向反射的第一反射器一同设置在所述真空腔室的外部，所述真空腔室设置有真空泵，以便形成真空环境，所述真空腔室的一侧形成有使所述清洗光透过的第一透明窗，以使所述第一清洗光照射装置的所述清洗光能够进入并照射在所述掩模上。
9.根据权利要求8所述的掩模清洗装置，其特征在于，进一步包括：
有机物回收板，其设置在所述真空腔室的内部或者所述第一透明窗与所述掩模之间，从而使所述有机物被所述有机物回收板的表面捕集而进行回收，且不污染所述第一透明窗。
10.根据权利要求1所述的掩模清洗装置，其特征在于，
在所述第一清洗光照射装置中，为了向所述掩模照射所述第一强脉冲光，以对所述掩模的全部区域同时进行清洗，所述第一氙灯的长度至少大于所述掩模的宽度，并且沿着所述掩模的宽度方向彼此平行地配置有多个所述第一氙灯，所述第一氙灯的设置数量为所述掩模的整体长度除以灯照射区域的最小宽度而得出的最小设置数量以上，从而使所述第一强脉冲光能够到达所述掩模的全部区域。
11.一种掩模清洗方法，使用权利要求1至10中任一项所述的掩模清洗装置，其特征在于，包括：
第1步骤，将掩模收纳在真空腔室中，以便去除残留在所述掩模上的有机物；以及
第2步骤，在真空环境下向所述掩模照射第一强脉冲光，而向用于支撑所述掩模的框架照射第二强脉冲光，从而从所述掩模或所述框架分解或分离所述有机物以进行去除。
12.一种掩模清洗方法，使用权利要求3或4所述的掩模清洗装置，其特征在于，包括：
第1步骤，将掩模收纳在真空腔室中，以便去除残留在所述掩模上的有机物；以及
第2步骤，在真空环境下向所述掩模照射第一强脉冲光，而向用于支撑所述掩模的框架照射第二强脉冲光，从而从所述掩模或所述框架分解或分离所述有机物以进行去除，
所述第2步骤包括：
第2-1步骤，利用转台装置使支撑所述掩模的所述框架每次旋转90度，并使用所述第二强脉冲光分别对四个框架构件进行相当于各自宽度的局部照射或者扫描照射；以及
第2-2步骤，利用掩模移动装置移动所述掩模，并使用所述第一强脉冲光对所述掩模分阶段进行局部照射或者扫描照射。
13.根据权利要求12所述的掩模清洗方法，其特征在于，
在所述第2-1步骤中照射的所述第二强脉冲光和在所述第2-2步骤中照射的所述第一强脉冲光具有不同的脉冲强度或者脉冲施加时间。
14.根据权利要求12所述的掩模清洗方法，其特征在于，
在所述第2步骤中，根据所述有机物的种类，将至少一个处于待机中的带通滤波器搬送至光路上，并进行所述第一强脉冲光的照射。
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