CN109690794B - 用于显示象形图的器件和用于制造器件的方法 - Google Patents

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Abstract

提出一种器件(100)，所述器件具有载体(1)、半导体本体(2)和位于其间的镜层(3)，其中半导体本体具有有源层(23)，所述有源层设计成在器件运行时产生光。器件具有主面(101)，所述主面在器件运行时发光，其中主面的发光区域描绘呈象形图(P)的形式的视觉可检测的信息，其中象形图在主面的俯视图中具有轮廓，所述轮廓至少部分地通过镜层的轮廓限定，并且其中在对主面的俯视图中，器件具有如下外形，所述外形不同于象形图的轮廓。此外，提出一种适合于制造这种器件的方法。

Description

用于显示象形图的器件和用于制造器件的方法
技术领域
提出一种用于显示象形图(Piktogramm)的器件、尤其是光电子半导体芯片。此外提出一种用于制造器件的方法。
背景技术
为了显示象形图，通常使用传统的未结构化的光源来产生光，所述光经由掩模和光学装置投影成象形图。
发明内容
目的是，提出一种用于显示象形图的、具有特别紧凑的结构形式的器件，其中尤其放弃形成象形图的掩模。另一目的在于，提出一种简化的和有效的用于制造器件的方法。
在器件的至少一个实施方式中，所述器件具有载体、半导体本体和位于其间的镜层。半导体本体具有有源层，所述有源层在器件运行时构建为产生光，尤其在可见光谱范围中的光。器件具有主面，所述主面在器件运行时发光，其中主面的发光区域描绘呈象形图的形式的视觉可检测的信息。在主面的俯视图中，象形图具有如下轮廓，所述轮廓至少部分地通过镜层的轮廓限定。在主面的俯视图中，器件具有如下外形，所述外形不同于象形图的轮廓。
尤其是，器件的外形和象形图的外部轮廓具有不同的几何形状。器件的主面形成为辐射穿透面，尤其是形成为器件的辐射出射面。器件的主面可以具有半导体本体的表面和/或器件的载体的表面。在器件运行时，主面至少局部地发光，其中主面的发光区域优选限定形象图的形状。优选地，几何形状、尤其是主面的发光区域的外部轮廓在俯视图中通过半导体本体的有源层的形状预设。有源层的外部轮廓和主面的发光区域的外部轮廓可以基本上全等。尤其是，器件是光电子半导体芯片，如呈发光二极管(LED)的形式，其中器件的载体在此情况下构成为芯片载体，尤其是构成为半导体芯片的唯一的芯片载体。镜层可以直接邻接于半导体本体和/或载体。镜层尤其是p型镜层。换言之，镜层设置在p型侧，使得至少一个p型导电的半导体层设置在n型导电的半导体层和镜层之间。
通过镜层一方面至少部分地确定或限定象形图的轮廓并且另一方面在竖直方向上设置在半导体本体和载体之间从而在中部集成在器件中的方式，用于显示预设的象形图的器件可以特别紧凑地设计。镜层尤其在其材料方面构成为，使得射到其上的由有源层产生的光朝向主面射回。优选地，镜层在其材料选择方面构成为，使得所述镜层具有至少60％的反射率，例如至少70％、80％、90％或至少95％的反射率。例如，镜层由银形成。
竖直方向通常理解为如下方向，所述方向横向于、例如垂直于器件的或半导体本体的主延伸面定向。横向方向通常理解为如下方向，所述方向沿着尤其平行于器件的或半导体本体的主延伸面伸展。竖直方向例如是半导体本体的生长方向。竖直方向和横向方向尤其彼此垂直定向。
根据器件的至少一个实施方式，镜层和象形图在主面的俯视图中具有同种外部轮廓。这意味着，镜层和象形图或主面上的发光区域除了制造公差之外可以具有相同的几何形状的外部轮廓。在主面的俯视图中，半导体本体和象形图可以具有同种或不同的外部轮廓。半导体本体、尤其是半导体本体的第一半导体层和镜层在主面的俯视图中可以具有几何形状不同的形状和/或外部轮廓。替选地也可行的是，半导体本体、尤其是半导体本体的有源层、象形图和/或镜层在主面的俯视图中具有同种外部轮廓。如果半导体本体、如半导体本体的有源层和象形图在主面的俯视图中具有同种外部轮廓，则半导体本体本身结构化并且大致匹配于要成像的象形图的几何形状。在此情况下，象形图的轮廓基本上通过半导体本体的外部轮廓预设。优选地，半导体本体和镜层在俯视图中具有基本上同种外部轮廓，其在器件运行时确定象形图的外部轮廓。
根据器件的至少一个实施方式，所述器件具有框架状的结构，所述结构在主面的俯视图中至少局部地在横向上包围镜层和/或要成像的象形图。优选地，框架状的结构至少局部地具有吸收辐射的材料从而优选吸收辐射地构成。由此，可以实现在主面的发光区域和不发光区域之间的特别高的对比度。尤其是，框架状的结构在横向方向上对半导体本体限界。在此可行的是，半导体本体在俯视图中局部地覆盖框架状的结构或框架状的结构的一部分。框架状的结构通常可以理解为如下结构，所述结构构成为闭合的或敞开的框架，所述框架在横向方向上至少包围有源层或半导体本体。
根据器件的至少一个实施方式，框架状的结构至少部分地构成为用于电接触半导体本体的第一半导体层的接触结构。在竖直方向上，有源层例如设置在第一半导体层和镜层之间。半导体本体可以具有第二半导体层，其中第一半导体层和第二半导体层能够n型导电地或p型导电地构成，或者反之。有源层尤其是在第一半导体层和第二半导体之间的过渡区，在所述过渡区中在器件运行时产生电磁辐射。在此，有源层和/或半导体层能够分别具有唯一的层或多个层。
根据器件的至少一个实施方式，框架状的结构的接触结构构成为，使得接触结构在竖直方向上从载体延伸至第一半导体层。接触结构能够构成为闭合的框架，所述框架在横向方向上包围有源层和第二半导体层。也可行的是，接触结构构成为敞开的框架或具有多个彼此横向间隔开的子区域，所述子区域围绕第二半导体层或围绕有源层设置。接触结构例如与第一半导体层直接电接触。适宜地，接触结构与镜层如通过绝缘结构电绝缘，所述镜层尤其构建为电接触第二半导体层。接触结构可以构成为，使得其穿过第二半导体层和有源层延伸至第一半导体层或设置在有源层、第二半导体层以及镜层的侧面。在俯视图中，第一半导体层可以部分地或完全地覆盖接触结构。
根据器件的至少一个实施方式，框架状的结构至少部分地由吸收辐射的材料形成。优选地，框架状的结构具有如下材料，所述材料具有最高60％、尤其最高50％、30％或最高20％的反射率。这引起在器件的主面的发光区域和不发光区域之间的提高的对比度。通过主面的发光区域显示的象形图可以特别锐利地实现并且相应锐利地成像。
根据器件的至少一个实施方式，所述器件具有穿通接触部，所述穿通接触部延伸穿过镜层和有源层，以电接触半导体本体的第一半导体层。器件能够具有多个这种穿通接触部。可行的是，为了电接触第一半导体层，器件不仅具有一个穿通接触部或多个穿通接触部，而且具有边缘侧的框架状的接触结构，由此特别提高关于第一半导体层中的电流分布以及器件亮度的均匀性。与大致横向于有源层设置的、边缘侧的接触结构不同，一个或多个穿通接触部在横向方向上全面地由半导体本体包围。
根据器件的至少一个实施方式，半导体本体在载体的俯视图中完全覆盖镜层。在此，半导体本体能够具有外部轮廓，所述外部轮廓不同于镜层的外部轮廓，尤其是几何形状不同。这意味着：半导体本体和镜层在俯视图中能够具有不同的几何形状。半导体本体与镜层相比能够具有更大的面积。在例如未由镜层覆盖的区域上，尤其在半导体本体的边缘侧的区域上，优选设置不能电接触的材料。半导体本体的不与镜层重叠的区域因此不直接由镜层电接触。
由于半导体本体的相对差的横向导电性和由于通过不能电接触的材料覆盖，在器件运行时主要或仅仅在有源层的在俯视图中与镜层有重叠的区域中产生电磁辐射。因此，象形图的轮廓基本上通过镜层的几何形状限定，即使镜层和半导体本体具有不同的外部轮廓时也如此。不能电接触的材料在此能够是本征电绝缘的材料。
替选地也可行的是，半导体本体的表面的区块局部地——如通过离子轰击——电钝化，使得施加到所述电钝化的区块上的能导电的层、如金属层至少局部地与半导体本体不能充分电连接。通过将半导体本体的表面的特定的区块有针对性地电钝化，同样能够限定象形图的形状。在此情况下，尽管在半导体本体和能导电的层之间能够存在直接的机械接触，然而半导体本体由于提高的电阻局部地、尤其在电钝化的区块处不与能导电的层电连接或仅差地电连接。能导电的层可以具有金属、尤其是强烈吸收辐射的金属。此外，这种金属以名称添加金属已知。与本征电绝缘的材料相比，可以尤其简化地将这种添加金属施加到半导体本体上。
在半导体本体的俯视图中，构建为电接触第二半导体层的镜层在横向方向上部分地或完全地由不能电接触的材料包围。在此，不能电接触的材料在横向上直接邻接于镜层或通过绝缘结构和/或通过框架状的结构与镜层在横向上间隔开。
根据器件的至少一个实施方式，载体具有金属载体层、第一过孔和第二过孔。第一过孔尤其通过中间区域与第二过孔在横向上间隔开。优选地，中间区域在主面的俯视图中由金属载体层在横向上跨接。在俯视图中，金属载体层可以完全覆盖第一过孔和/或第二过孔。
根据器件的至少一个实施方式，载体具有电绝缘的成形体，所述成形体在横向上包围、尤其全面包围第一过孔和/或第二过孔。在竖直方向上，过孔尤其延伸穿过成形体。设置在过孔之间的中间区域可以由成形体或由成形体的材料填充、尤其完全填充。成形体尤其是模制体，所述模制体可以通过浇注方法制造。尤其是，半导体本体在此可以由塑料、例如由可浇注的聚合物、例如树脂、环氧化物或硅树脂环绕浇注。半导体本体尤其由成形体和过孔机械承载。由于中间区域由优选构成为金属自承载的层的金属载体层跨接，器件尤其也在中间区域的区域中保持没有机械薄弱部位。因此，金属载体层附加地稳定器件并且有助于提高器件的机械稳定性。在横向方向上，半导体本体可以由金属载体层部分地或完全地围绕。
金属载体层能够与边缘侧的接触结构和/或与一个穿通接触部或与多个穿通接触部导电地连接。此外，金属载体层能够与过孔之一导电地连接并且与其他过孔如借助于绝缘结构电绝缘。尤其是，金属载体层可以具有开口，例如与金属载体层电绝缘的过孔穿过开口大致延伸至镜层。金属载体层在此可以连通地构成。替选地可行的是，金属载体层具有彼此在横向上间隔开的子区域，所述子区域能够分别与过孔之一导电地连接。替选地也可行的是，金属载体层构成为，使得其不贡献于半导体本体的电接触从而与过孔、边缘侧的接触结构和/或穿通接触部电绝缘。
根据器件的至少一个实施方式，所述器件构成为发射辐射的光电子半导体芯片。器件在此可以具有载体作为半导体芯片的唯一的载体。在此情况下，半导体芯片的唯一的载体可以由成形体、过孔和金属载体层形成，其中镜层除了可能的绝缘结构之外邻接于载体和半导体本体。
根据器件的至少一个实施方式，象形图是一个标志或一系列标志，其选自：字母、数字、日常符号、图标、公司标记、警示牌、字符、交通标志、禁止标志和指示标志。象形图的可能的实施方案可以包括：短词语、例如“EXIT(出口)”，符号、如例如箭头、十字和惊叹号、表示性别的符号、禁烟区、表情符号或用户特定的设计、如例如图标或公司标记。
根据至少一个实施方式，器件具有光学元件，所述光学元件构建为投影象形图。光学元件因此设计用于放大或成像象形图，所述象形图通过器件的主面的发光区域限定。光学元件可以设置在半导体本体上。也可行的是，光学元件直接在半导体本体上、如在晶片复合件中借助于模制工艺(英语：molding process)形成，从而与半导体本体一体化。光学元件在此可以是透镜、透镜系统、镜或镜系统。尤其是，光学元件构建为放大象形图和/或调节投影方向。器件优选是与光学元件一体化的半导体芯片。替选地也可行的是，器件具有壳体，在所述壳体中设置有半导体芯片，所述半导体芯片具有这里所描述的镜层和这里所描述的载体以及半导体本体，其中在半导体芯片上设置光学元件，尤其与半导体芯片分开制造的光学元件。
在至少一个用于制造器件、尤其这里所描述的器件或多个器件的方法中，将半导体本体以晶片级结构化，使得镜层和半导体本体具有同种外部轮廓，所述外部轮廓限定要显示的象形图的轮廓。以晶片级表示：半导体本体尤其还处于半导体本体复合件中，如处于晶片复合件中，其中半导体本体复合件在后续的方法步骤中能够通过多个分离沟槽结构化成多个半导体本体。这种分离沟槽的走向例如确定待制造的半导体本体的形状或轮廓。分离沟槽通常在构成成形体、过孔和/或金属载体层之前、尤其在分离生长衬底之前产生。金属载体层和/或成形体能够部分地在分离沟槽的区域中形成从而至少部分地或完全地填充分离沟槽。
直接在例如沿着分离沟槽将整个半导体本体复合件分割成多个器件之后，由此形成的器件可以分别具有这里所描述的半导体本体、这里所描述的所属的载体和这里所描述的镜层。换言之，载体直接在半导体本体上产生并且例如不与半导体本体分开地单独制造并且与半导体本体机械连接。当代替借助固定的掩模例如用于构成分离沟槽的光刻通过激光工艺、例如通过LDI工艺(英语：Laser Direct Imager(激光直接成像))限定时，具有任意轮廓的象形图可以简化地并且有效地制造。对于镜层和半导体本体具有同种外部轮廓的情况，镜层可以构成为，使得所述镜层和要显示的象形图具有同种外部轮廓，以至于能够简化地执行沿着镜层的外部轮廓用于构成分离沟槽的激光工艺。激光工艺同样可以用于构成或结构化限定象形图的结构。这种结构例如是镜层、分离沟槽或台面沟槽
Figure GDA0002942131960000061
)。
根据用于制造一个器件或多个器件的方法的至少一个实施方式，构建为电接触要制造的器件的半导体本体的镜层在晶片级构成为，使得镜层具有限定要显示的象形图的轮廓的外部轮廓，其中镜层的外部轮廓不同于半导体的外部轮廓。
在载体的俯视图中，半导体本体可以完全覆盖镜层。在未由镜层覆盖的区域上，尤其在半导体本体的边缘侧的区域上，尤其施加不能电接触的材料。由于半导体本体、尤其第二半导体层的相对小的横向电导率，可以保证：仅仅半导体本体的在俯视图中与镜层有重叠的区域在器件运行时贡献于光的产生。替选地或补充地可行的是，至少部分电绝缘地和/或吸收辐射地构成的框架状的结构在横向方向上在由镜层覆盖的区域和半导体本体的由不能电接触的材料覆盖的区域之间构成。在竖直方向上，框架状的结构可以延伸穿过第二半导体层、有源层和/或第一半导体层。
根据方法的至少一个实施方式，将半导体本体的朝向载体的表面局部地——例如通过离子轰击——电钝化，以确定象形图的轮廓。在此，轮廓可以是象形图的内部轮廓和/或外部轮廓。半导体本体的所述表面因此具有能电接触的和不能电接触的区块。在半导体本体的表面上可以施加能导电的层，例如金属层。在可电接触的区块上因此形成电接触部。在不能电接触的区块上相应地不形成电接触部或仅仅形成具有高电阻的电接触部。由于半导体本体的相对小的横向电导率，尤其仅仅或主要在有源层的如下区域中产生电磁辐射，所述区域在俯视图中与半导体本体的朝向载体的表面的可电接触的区块有重叠从而限定象形图的形状。
上文所描述的方法特别适合于制造一个或多个这里所描述的器件。结合器件所描述的特征因此也可以用于该方法，反之亦然。
附图说明
器件及方法的其他优点、优选的实施方式和改进方案从以下结合图1A至5D所阐述的实施例中得到。附图示出：
图1A和1B以剖视图或以俯视图示出根据第一实施例的器件的示意图，
图2A、2B、3和4分别以示意剖视图或以俯视图示出器件的其他实施例，以及
图5A、5B、5C和5D示出象形图的示例性的实施方案。
相同的、同种或作用相同的元件在附图中设有相同的附图标记。这些附图分别是示意图从而不一定合乎比例。更确切而言，相对小的元件和尤其层厚度为了图解说明而夸大地示出。
具体实施方式
器件100的实施例在图1A中以剖视图并且在图1B中以俯视图示意地示出。
器件100具有载体1和设置在载体上的半导体本体2。在竖直方向上，镜层3设置在载体和半导体本体2之间。
载体1尤其不同于生长衬底。载体1具有载体层4、成形体5、第一过孔41和第二过孔42。在竖直方向上，过孔41和42延伸穿过成形体5。在横向方向上，过孔41和42尤其由成形体5全面包围。第一过孔41通过中间区域40与第二过孔在横向上间隔开。中间区域40尤其由成形体5的材料填充。在俯视图中，中间区域40优选由金属载体层4在横向上遮盖，尤其完全覆盖。载体1具有绝缘结构9，所述绝缘结构将金属载体层与镜层3电绝缘。金属层4尤其与第一过孔41导电地连接并且与第二过孔42电绝缘。金属载体层4具有开口，第二过孔42穿过所述开口延伸至镜层3。
器件具有前侧的第一主面101，所述第一主面尤其形成为器件的辐射穿透面或辐射出射面。主面101尤其是器件的前侧。器件100可以经由后侧的第二主面102、即经由器件的后侧102、例如经由过孔41和42在外部电接触。换言之，器件100构成为可表面安装的器件并且经由其后侧可外部电接触。
在俯视图中，前侧的主面101具有器件本体2的第一边界面201和载体1的表面11，尤其是金属载体层4的表面11。半导体本体2的第一边界面201将半导体本体2与周围环境限界。在图1A中，半导体本体2的第一边界面201结构化地构成。与之不同，第一边界面201可以是未结构化的。半导体本体2具有背离第一边界面201的第二边界面202。在竖直方向上，尤其仅仅具有半导体材料的半导体本体2由边界面201和202限界。第一边界面201尤其是第一载流子类型的第一半导体层21的表面。第二边界面202尤其是第二载流子类型的第二半导体层22的表面。
半导体本体具有用于产生电磁辐射的有源层23。有源层23在竖直方向上设置在第一半导体层21和第二半导体层22之间。半导体本体2可以基于III-V族半导体化合物材料，例如基于InGaN。替选地，半导体本体2可以基于II-VI族半导体化合物材料。可行的是，有源层23构成为，使得其构建为产生单色光，例如蓝色光、绿色光或红色光。替选地可行的是，有源层23构建为产生混合光。器件100可以构成为，使得其在运行时发射单色光、混合光或白光。在此，器件100可以具有带有磷光体的转换层或没有转换层。
器件100具有框架状的结构6，所述结构在俯视图中在横向上部分地或全面地包围半导体本体2。尤其是，框架状的结构6由吸收辐射的材料形成。例如，框架状的结构6具有强烈吸收辐射的、能导电的材料，如Ti、W、TiW、TiWN、Ta、Au或Pt或电绝缘的材料。
在图1A中，框架状的结构6具有接触结构61和电绝缘的框架状的层62。在横向方向上，电绝缘的框架状的层62和/或接触结构61可以部分地或全面地包围半导体本体2。接触结构61例如设置用于电接触第一半导体层21。在竖直方向上，接触结构61从金属载体层4延伸直至第一半导体层21。接触层61设置在有源层23和第二半导体层22侧面。在图1A中，接触结构61与金属载体层4导电连接。在俯视图中，第一半导体层可以部分地或完全地覆盖接触结构61。接触结构61在此可以构成为围绕第二半导体层22和有源层23的闭合的或敞开的框架。
载体1具有绝缘结构9，其中根据图1A的绝缘结构9将金属载体层4与有源层23、第二半导体层22、镜层3和第二过孔42电绝缘。经由接触结构61、金属载体层4和第一过孔41于是从外部电接触第一半导体层21。通过绝缘结构9，接触结构61在侧向与第二半导体层22和有源层23电绝缘。第二半导体层22根据图1A能够经由镜层3和第二过孔42从外部电接触。
不同于图1A可行的是，金属载体层4与过孔41和42电绝缘，使得载体层4在此情况下尤其不贡献于电接触半导体本体2。作为金属载体层4的另一替选的设计方案，所述金属载体层可以具有子区域，其中金属载体层4的子区域分别构建为电接触半导体层21和22中的一个。也可考虑的是，金属层4与接触结构61电绝缘而与镜层3导电地连接。在此情况下，接触结构61可以构成为，使得其穿过金属层4延伸至过孔中的一个过孔41或42。在此情况下，金属载体层4例如用于电接触第二半导体层22。
在图1B中以俯视图示出器件100。器件的第一主面101具有半导体本体2的第一边界面201和载体1的表面11，尤其是金属载体层4的表面11。如在图1B中所示的那样，半导体本体2在俯视图中具有呈箭头的形式的象形图P的轮廓。换言之，半导体本体2和要显示的象形图P在主面101的俯视图中具有同种外部轮廓。镜层3和半导体本体2以及象形图P同样可以具有同种外部轮廓。在器件100运行时，主面101尤其仅仅在边界面201的区域中发光。表面11在器件100运行时不发光并且在俯视图中尤其不与有源层23或半导体本体2重叠。象形图P的形状进而还有轮廓通过主面101的所有发光区域限定。象形图P因此能够直接地、即不经由附加的掩模由主面101的发光区域产生。器件100尤其没有掩模，所述掩模设置用于显示象形图或象形图的投影器。
在图1B中，半导体本体2由框架状的结构6完全围绕。框架状的结构6、尤其电绝缘层62因此形成框架，这里尤其形成围绕半导体本体2的闭合的框架。在横向方向上，框架状的结构6因此将半导体本体2或象形图P与器件的主面101的不发光的区域限界。主面101的不发光的区域尤其通过金属载体层4的表面11形成。在俯视图中，器件100具有如下外形，所述外形尤其通过金属载体层4的与象形图P的轮廓不同的外形限定。在图1B中，器件100具有四边形的、尤其正方形的外形，而象形图P具有箭头的轮廓。框架状的结构6因此将主面101的发光区域与主面101的不发光的区域限界。象形图P的轮廓在此情况下基本上通过半导体本体2的几何形状和镜层3的轮廓、尤其外部轮廓限定。
在图2A中所示的实施例基本上对应于器件100的在图1A中所示的实施例。与之不同，框架状的结构6没有电绝缘层62，所述电绝缘层在横向方向上设置在接触结构61和金属载体层4之间。接触结构61可以在横向方向上直接邻接于金属载体层4。接触结构61可以构成为闭合的或敞开的框架或者具有多个彼此在横向上间隔开的子区域。载体层4优选连通地构成。在俯视图中，第一半导体层21至少部分地或完全地覆盖构成为接触结构61的框架状的结构6。
在图2B中所示的实施例基本上对应于器件的在图1B中所示的实施例。与之不同，器件100具有光学元件7，所述光学元件设置在半导体本体2上或与半导体本体2一体化。光学元件7尤其设置用于投影象形图P。因为第一主面101的发光区域已经具有要成像的象形图P的形状，器件100尤其没有用于显示象形图P的掩模，所述掩模例如设置在半导体本体2和光学元件7之间。设置用于显示象形图P的器件100可以特别紧凑地设计。光学元件7可以预制地制造并且施加到半导体本体2上。替选地，也可行的是，光学元件7与半导体本体2或与金属载体层4一体化，其中光学元件7例如借助于模制工艺直接施加到半导体本体2或金属载体层4上。
器件的在图3中所示的实施例基本上对应于在图1A中所示的实施例。与之不同，器件100具有一个或多个穿通接触部81。穿通接触部81设置用于电接触第一半导体层21并且在竖直方向上从金属载体层4穿过镜层3、第二半导体层22和有源层23延伸至第一半导体层21。在横向方向上，过孔81由绝缘结构9或半导体本体2全面包围。与图3不同，也可行的是，器件100除了一个穿通接触部81或多个穿通接触部81之外具有接触结构61，如其在图1A和2A中所示的那样。
器件的在图4中所示的实施例基本上对应于在图1B中所示的实施例。与之不同，半导体本体2和镜层3在俯视图中具有不同的外部轮廓。半导体本体2、尤其半导体本体2的有源层23和/或第二半导体层22在俯视图中具有矩形形状，而镜层3具有箭头形状。
镜层3优选仅仅覆盖半导体本体2的在器件100运行时发光的且设置用于显示象形图P的区域。半导体本体2的在器件100运行时不应发光的区域24尤其由不能电接触的材料遮盖。由于半导体本体2的相对小的横向电导率，仅仅在有源层23的如下区域中产生电磁辐射，所述区域在俯视图中与镜层3有重叠。优选地，器件100在此情况下具有至少部分电绝缘的框架状的结构6，所述结构设置在半导体本体2的发光区域和不发光的区域之间。框架状的结构6在俯视图中因此可以将未由镜层3覆盖的区域24与半导体本体2的由镜层3覆盖从而优选直接与镜层3电接触的区域限界。
也可行的是，半导体本体2的未由镜层3覆盖的区域24结构化为，使得所述区域24没有第二半导体层22和/或没有有源层23。区域24因此可以仅具有第一半导体层21的子区域并且例如可以通过用能导电的材料填充而用作为用于第一半导体层21的面状的接触区域。也可行的是，区域24对应于半导体本体2的第二边界面202的电钝化区。
在图5A至5D中，示出主面101上的象形图P的示例性的轮廓。象形图P的可能的实施方案是用于性别的符号(图5A和图5B)、例如用于生物危害的警示牌(图5C)、出口符号(图5D)或其他日常符号或这里未示出的客户特定的符号。
通过有针对性地设计表面发射的器件、例如半导体芯片或发光二极管的半导体本体和/或镜层，可以简化地实现象形图的简单投影，因为光源尤其本身成形为，使得不需要进行成像的掩模，而是仅仅需要用于投影的进行成像的光学装置。
本申请要求德国专利申请10 2016 116 986.2的优先权，其公开内容通过引用结合于此。
本发明并不局限于根据实施例的描述。更确切地说，本发明包括任意新特征以及特征的任意组合，这尤其包含实施例中的特征的任意组合，即使这些特征或组合本身并未明确地在实施例中予以说明也如此。
附图标记表
100 器件
101 器件的第一主面/前侧
102 器件的第二主面/后侧
1 载体
11 载体的表面
2 半导体本体
21 第一半导体层
22 第二半导体层
23 有源层
24 未由镜层覆盖的子区域
201 半导体本体的第一边界面
202 半导体本体的第二边界面
3 镜层
4 载体层
40 中间区域
41 第一过孔
42 第二过孔
5 成形体
6 框架状的结构
61 框架状的结构的接触结构
62 电绝缘的、框架状的层
7 光学元件
81 穿通接触部
9 绝缘结构
P 象形图

Claims (18)

1.一种器件(100)，所述器件具有载体(1)、半导体本体(2)和位于其间的镜层(3)，其中
-所述半导体本体具有有源层(23)，所述有源层构建为在所述器件运行时产生光，
-所述器件具有主面(101)，所述主面在所述器件运行时发光，其中所述主面的发光区域描绘呈象形图(P)的形式的视觉可检测的信息，
-所述象形图在所述主面的俯视图中具有轮廓，所述轮廓至少部分地通过所述镜层的轮廓限定，以及
-在所述主面的俯视图中，所述器件具有如下外形，所述外形不同于所述象形图的轮廓。
2.根据权利要求1所述的器件，
其中所述半导体本体(2)和所述象形图(P)在所述主面(101)的俯视图中具有同种外部轮廓。
3.根据权利要求1所述的器件，
其中所述半导体本体(2)和所述象形图(P)在所述主面(101)的俯视图中具有不同的外部轮廓。
4.根据权利要求1所述的器件，
其中所述镜层(3)和所述象形图(P)在所述主面(101)的俯视图中具有同种外部轮廓。
5.根据权利要求1所述的器件，
所述器件具有框架状的结构(6，61，62)，所述框架装的结构在所述主面(101)的俯视图中至少局部地横向包围所述镜层(3)和/或所述象形图(P)。
6.根据权利要求5所述的器件，
其中所述框架状的结构(6，61，62)至少局部地构成为用于电接触所述半导体(2)的第一半导体层(21)的接触结构(61)，其中所述有源层(23)在竖直方向上设置在所述第一半导体层和所述镜层(3)之间。
7.根据权利要求6所述的器件，
其中所述半导体本体(2)具有第二半导体层(22)，其中所述有源层(23)设置在所述第一半导体层(21)和所述第二半导体层之间，并且所述接触结构(61)在竖直方向上从所述载体(1)延伸至所述第一半导体层。
8.根据权利要求5所述的器件，
其中所述框架状的结构(6，61，62)至少部分地由吸收辐射的材料形成。
9.根据权利要求1所述的器件，
所述器件具有穿通接触部(81)，所述穿通接触部延伸穿过所述镜层(3)和所述有源层(23)，以电接触所述半导体本体(2)的第一半导体层(21)。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的器件，其中
-所述半导体本体(2)在所述载体(1)的俯视图中完全地覆盖所述镜层(3)并且具有外部轮廓，所述外部轮廓不同于所述镜层的外部轮廓，和
-至少在所述半导体本体的未由所述镜层覆盖的边缘侧的区域上设置有不能电接触的材料。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的器件，
其中所述载体(1)具有金属载体层(4)、第一过孔(41)和第二过孔(42)，其中
-所述第一过孔通过中间区域(40)与所述第二过孔横向间隔开，和
-所述金属载体层在所述主面(101)的俯视图中横向地跨接所述中间区域。
12.根据权利要求11所述的器件，
其中所述载体(1)具有电绝缘的成形体(5)，所述成形体横向地包围所述第一过孔(41)和所述第二过孔(42)并且填充所述中间区域(40)。
13.根据权利要求1至9中任一项所述的器件，
所述器件构成为发射辐射的光电子半导体芯片，其中所述器件具有载体(1)作为所述半导体芯片的唯一的载体。
14.根据权利要求1至9中任一项所述的器件，
其中所述象形图(P)是一个标志或一系列标志，所述标志选自：字母、数字、日常符号、图标、公司标记、警示牌、字符、交通标志、禁止标志和指示标志。
15.根据权利要求1至9中任一项所述的器件，
其中光学元件(7)设置在所述半导体本体(2)上，其中所述光学元件构建为投影所述象形图。
16.一种用于制造一个或多个根据权利要求1所述的器件(100)的方法，
其中将所述半导体本体(2)在晶片级结构化，使得所述镜层(3)和所述半导体本体具有同种外部轮廓，所述外部轮廓限定要显示的所述象形图(P)的轮廓。
17.一种用于制造一个或多个根据权利要求1所述的器件(100)的方法，
其中所述镜层(3)构建为电接触要制造的器件的半导体本体(2)并且在晶片级构成为，使得所述镜层具有外部轮廓，所述外部轮廓限定要显示的象形图(P)的轮廓，其中
-所述半导体本体在载体(1)的俯视图中完全地覆盖所述镜层并且具有外部轮廓，所述外部轮廓不同于所述镜层的外部轮廓，和
-将不能电接触的材料至少施加到所述半导体本体的未由所述镜层覆盖的边缘侧的区域上。
18.一种用于制造一个或多个根据权利要求1所述的器件(100)的方法，
其中将所述半导体本体(3)的朝向所述载体(2)的表面局部电钝化，以确定所述象形图(P)的轮廓。
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