CN109686861B - 一种环套式分立控制图案化有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种环套式分立控制图案化有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种环套式分立控制图案化有机电致发光器件的制备方法，先制备内层电极，再完成内外分立的ITO电极、可分立控制的图案化电极的制备，最后依次蒸镀有机层、金属电极，得到环套式分立控制图案化有机电致发光器件。本发明提供的制备方法工艺简单，成本低，通过对图案化电极的叠层设计，使得有机电致发光器件具有环套结构，且精度高、体积小，能够实现有机电致发光器件图案的内外可分立发光；本发明无需灯罩的辅助工艺，可以节约有机电致发光器件的体积。

Description

一种环套式分立控制图案化有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件技术领域，特别涉及一种环套式分立控制图案化有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
近些年来，有机电致发光器件已经普遍应用于实际生产生活中，尤其是在照明显示领域已然大放异彩，相比较于传统的无机电致发光器件，其研究、制备和应用已成为当今最为活跃的研究领域之一。有机电子器件是以能够导电的有机材料为基础制备的具有特定功能的半导体器件。由于有机电子器件中的有机材料大部分是由碳和氢组成的，用它们来做电子器件具有很多好处，例如易制作、成本低、化学可调、透明易弯曲等。利用有机电子器件的这些优点可以将其应用于图案化大面积显示领域(如汽车尾灯、灯牌等)。
有时根据实际需求，需要设计具有环套结构且可以实现内外分立发光的图案。以往对于这种图案在有机发光领域需要运用微显示技术，分立控制每一个像素点，再将其组装后发光显示。但这种技术通常用于显示领域，如果将其引入照明领域，每一个像素点无法保证足够稳定的亮度且制备成本高。在无机照明领域，通常则是采用拼接发光的方法，即内外分别制备不同图案的独立器件，且运用灯罩或拼接单个LED灯泡实现图案化。但这种方法精度不够高，会造成体积浪费。
发明内容
有鉴于此，本发明目的在于提供一种环套式分立控制图案化有机电致发光器件及其制备方法。本发明提供的有机电致发光器件具有环套结构，且精度高，成本低，体积小，能够实现图案化电致发光器件的内外可分立发光。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
一种环套式分立控制图案化有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
(1)在ITO导电玻璃上依次制备第一金属导电层和透明绝缘层，并对透明绝缘层进行图案化刻蚀，得到内层电极；
(2)在所述内层电极上溅射ITO层，对所述ITO层进行模块化刻蚀，得到内外分立的ITO电极；
(3)在所述内外分立的ITO电极表面制备第二金属导电层，然后在所述第二金属导电层表面旋涂光刻胶，对所述光刻胶进行图案化光刻后固化，得到可分立控制的图案化电极；
(4)在所述可分立控制的图案化电极上蒸镀有机层，所述有机层自下而上依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
(5)在所述有机层表面蒸镀金属电极，得到环套式分立控制图案化有机电致发光器件。
优选的，所述步骤(1)中第一金属导电层的材质为钼铝钼、银和铜中的一种或几种，所述第一金属导电层的厚度为130～170nm；所述第一金属导电层通过磁控溅射法制备得到，所述磁控溅射的功率为150W，退火温度为250℃，溅射时间为30min。
优选的，所述步骤(1)中透明绝缘层的材质为SiO2和/或Si3N4，所述透明绝缘层的厚度为90～110nm；所述透明绝缘层通过原子层沉积法制备得到，所述原子层沉积的温度为140～160℃。
优选的，所述步骤(1)中对透明绝缘层进行图案化刻蚀的方法包括以下步骤：
(1)在透明绝缘层上旋涂光刻胶后进行前烘，形成光刻胶层；
(2)在所述光刻胶层上放置图案电极菲林板后进行曝光；
(3)将曝光后的光刻胶层浸泡于显影液中进行显影，然后依次进行洗涤和后烘，得到图案化的光刻胶层；
(4)对暴露区域的透明绝缘层进行刻蚀后清洗光刻胶，得到图案化透明绝缘层。
优选的，所述步骤(2)中溅射ITO层的方式为磁控溅射，所述磁控溅射的功率为150W，退火温度为250℃，溅射时间为30min；所述ITO层的厚度为140～160nm。
优选的，所述步骤(2)中对ITO层进行模块化刻蚀的方法包括以下步骤：
(1)在ITO层上旋涂光刻胶后进行前烘，形成光刻胶层；
(2)在所述光刻胶层上放上图案电极菲林板后进行曝光；
(3)将曝光后的光刻胶浸泡于显影液中进行显影，然后依次进行洗涤和后烘，得到图案化的光刻胶层；
(4)对暴露区域的ITO层进行刻蚀后清洗光刻胶，得到模块化刻蚀的ITO层。
优选的，当可分立控制的图案化电极为多层环套式图案化电极时，在所述步骤(3)固化后所得光刻胶层表面重复进行步骤(2)～(3)的操作，直至得到所需层数。
优选的，所述步骤(4)中有机层的总厚度为90～110nm；所述有机层的蒸镀方式为真空蒸镀，所述真空蒸镀的真空度小于10-4mbar。
优选的，所述步骤(5)中金属电极的材质为铝、银和金中的一种或几种，所述金属电极的厚度为180～220nm；所述金属电极的蒸镀方式为真空蒸镀，所述真空蒸镀的温度为金属的升华温度，所述真空蒸镀的真空度小于10-4mbar。
本发明提供了上述制备方法制备的环套式分立控制图案化有机电致发光器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃、环套式分立控制图案化电极、有机层和金属电极。
本发明提供了一种环套式分立控制图案化有机电致发光器件的制备方法，先制备内层电极，再完成内外分立的ITO电极、可分立控制的图案化电极的制备，最后依次蒸镀有机层、金属电极，得到环套式分立控制图案化有机电致发光器件。本发明提供的制备方法工艺简单，成本低，所得有机电致发光器件具有环套结构，且精度高、体积小，能够实现有机电致发光器件图案的内外可分立发光；本发明无需灯罩的辅助工艺，可以节约有机电致发光器件的体积。
附图说明
图1为内外分立的ITO电极的制备流程截面图；
图1中：a-沉积透明绝缘层，b-图案化绝缘层，c-溅射上层全面ITO，d-图案化上层ITO，e-旋涂光刻胶，f-图案化光刻胶；
图2为内外分立的ITO电极的制备流程俯视图；
图3为实施例1制备的光电器件各层实际覆盖区域图。
具体实施方式
本发明提供了一种环套式分立控制图案化有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
(1)在ITO导电玻璃上依次制备第一金属导电层和透明绝缘层，并对透明绝缘层进行图案化刻蚀，得到内层电极；
(2)在所述内层电极上溅射ITO层，对所述ITO层进行模块化刻蚀，得到内外分立的ITO电极；
(3)在所述内外分立的ITO电极表面制备第二金属导电层，然后在所述第二金属导电层表面旋涂光刻胶，对所述光刻胶进行图案化光刻后固化，得到可分立控制的图案化电极；
(4)在所述可分立控制的图案化电极上蒸镀有机层，所述有机层自下而上依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
(5)在所述有机层表面蒸镀金属电极，得到环套式分立控制图案化有机电致发光器件。
本发明在ITO导电玻璃上依次制备第一金属导电层和透明绝缘层，并对透明绝缘层进行图案化刻蚀，得到内层电极。在本发明中，所述ITO导电玻璃的厚度优选为140～160nm，更优选为150nm；所述第一金属导电层的材质优选为钼铝钼、银和铜中的一种或几种，所述第一金属导电层的厚度优选为130～170nm，更优选为150nm；在本发明中，所述第一金属导电层优选通过磁控溅射法制备得到，所述磁控溅射的功率优选为150W，退火温度优选为250℃，溅射时间优选为30min；在本发明中，制备第一金属导电层时需要避让外层图形发光区。
在本发明中，所述透明绝缘层的材质优选为SiO2和/或Si3N4，所述透明绝缘层的厚度优选为90～110nm，更优选为100nm；在本发明中，所述透明绝缘层优选通过原子层沉积法制备得到，所述原子层沉积的温度优选为140～160℃，更优选为150℃。
在本发明中，所述对透明绝缘层进行图案化刻蚀的方法优选包括以下步骤：
(1)在透明绝缘层上旋涂光刻胶后进行前烘，形成光刻胶层；
(2)在所述光刻胶层上放置图案电极菲林板后进行曝光；
(3)将曝光后的光刻胶层浸泡于显影液中进行显影，然后依次进行洗涤和后烘，得到图案化的光刻胶层；
(4)对暴露区域的透明绝缘层进行刻蚀后清洗光刻胶，得到图案化透明绝缘层。
本发明优选在透明绝缘层上旋涂光刻胶后进行前烘，形成光刻胶层。在本发明中，所述旋涂的转速优选为800～1200rpm，更优选为1000rpm；所述旋涂的时间优选为50～70s，更优选为60s；所述光刻胶的厚度优选为180～220nm，更优选为200nm。在本发明中，所述前烘的温度优选为120～130℃，更优选为125℃；所述前烘的时间优选为80～100s，更优选为90s。
得到光刻胶层后，本发明优选在所述光刻胶层上放置图案电极菲林板后进行曝光。在本发明中，所述曝光的时间优选为80～100s，更优选为90s。在本发明中，所述菲林板的图案根据实际需求确定；本发明对菲林版的种类和来源没有特殊要求，使用本领域常规市售的菲林版即可。
光刻胶层进行曝光后，本发明优选将曝光后的光刻胶层浸泡于显影液中进行显影，然后依次进行洗涤和后烘，得到图案化的光刻胶层。在本发明中，所述浸泡的时间优选为60s；本发明对显影液的种类没有特殊要求，使用本领域技术人员熟知的显影液即可。在本发明中，所述洗涤用洗涤剂优选为去离子水；本发明对所述洗涤的具体方式没有特殊要求，使用本领域熟知的洗涤方式将光刻胶层表面的显影液洗涤干净即可。在本发明中，所述后烘的温度优选为120～140℃，更优选为130℃，所述后烘的时间优选为2min。
得到图案化的光刻胶层后，本发明优选对暴露区域的透明绝缘层进行刻蚀后清洗光刻胶，得到图案化透明绝缘层。在本发明中，所述刻蚀用刻蚀液优选为氢氟酸，所述刻蚀的时间优选为2min；在本发明中，所述清洗光刻胶用洗涤剂优选为丙酮。在本发明中，对透明绝缘层进行图案化刻蚀可以暴露内层电极与外侧ITO电极的连接区域。
得到内层电极后，本发明在所述内层电极上溅射ITO层，对所述ITO层进行模块化刻蚀，得到内外分立的ITO电极。在本发明中，所述溅射ITO层的方式优选为磁控溅射，所述磁控溅射的功率优选为150W，退火温度优选为250℃，溅射时间优选为为30min；在本发明中，所述ITO层的厚度优选为为140～160nm，更优选为150nm。
在本发明中，对ITO层进行模块化刻蚀的方法优选包括以下步骤：
(1)在ITO层上旋涂光刻胶后进行前烘，形成光刻胶层；
(2)在所述光刻胶层上放上图案电极菲林板后进行曝光；
(3)将曝光后的光刻胶浸泡于显影液中进行显影，然后依次进行洗涤和后烘，得到图案化的光刻胶层；
(4)对暴露区域的ITO层进行刻蚀后清洗光刻胶，得到模块化刻蚀的ITO层。
本发明优选在ITO层上旋涂光刻胶后进行前烘，形成光刻胶层。在本发明中，所述所述旋涂的转速优选为800～1200rpm，更优选为1000rpm；所述旋涂的时间优选为50～70s，更优选为60s；所述光刻胶层的厚度优选为180～220nm，更优选为200nm。在本发明中，所述前烘的温度优选为120～130℃，更优选为125℃；所述前烘的时间优选为80～100s，更优选为90s。
得到光刻胶层后，本发明优选在所述光刻胶层上放上图案电极菲林板后进行曝光。在本发明中，所述曝光的时间优选为80～100s，更优选为90s。本发明对菲林版的种类和来源没有特殊要求，使用本领域常规市售的菲林版即可。
光刻胶层进行曝光后，本发明优选将曝光后的光刻胶层浸泡于显影液中进行显影，然后依次进行洗涤和后烘，得到图案化的光刻胶层。在本发明中，所述浸泡的时间优选为60s；本发明对显影液的种类没有特殊要求，使用本领域熟知的显影液即可。在本发明中，所述洗涤的洗涤液优选为去离子水；本发明对洗涤的方式没有特殊要求，使用本领域熟知的洗涤方式将光刻胶层表面的显影液洗涤干净即可。在本发明中，所述后烘的温度优选为120～140℃，更优选为130℃，所述后烘的时间优选为2min。
得到图案化的光刻胶层后，本发明优选对暴露区域的ITO层进行刻蚀后清洗光刻胶，得到模块化刻蚀的ITO层。在本发明中，所述刻蚀用刻蚀液优选为王水，所述刻蚀的时间优选为3min；在本发明中，所述清洗光刻胶用洗涤剂优选为丙酮。
得到内外分立的ITO电极后，本发明在所述内外分立的ITO电极表面制备第二金属导电层，然后在所述第二金属导电层表面旋涂光刻胶，对所述光刻胶进行图案化光刻后固化，得到可分立控制的图案化电极。在本发明中，所述第二金属导电层的材质优选为钼铝钼、银和铜中的一种或几种；所述对光刻胶进行图案化光刻的方法和上述方案所述步骤(2)中对ITO层进行模块化刻蚀的方法相同，在此不再赘述；在本发明中，所述固化优选使用退火固化的方式，所述退火的温度优选为190～210℃，更优选为200℃；所述退火的时间优选为20min。在本发明中，所述图案化后的光刻胶作为不透明绝缘层。
在本发明中，当可分立控制的图案化电极为多层环套式图案化电极时，本发明优选在所述步骤(3)固化后所得光刻胶层表面重复进行步骤(2)～(3)的操作，直至得到所需层数。
得到可分立控制的图案化电极后，本发明在所述可分立控制的图案化电极上蒸镀有机层，所述有机层自下而上依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。本发明对所述有机层的材料没有特殊要求，使用本领域技术人员熟知的有机电致发光器件的有机层材料即可；在本发明中，所述有机层的总厚度优选为90～110nm，更优选为100nm；所述有机层的蒸镀方式优选为真空蒸镀，所述真空蒸镀的温度优选为每种有机材料的升华温度，所述真空蒸镀的真空度优选小于10-4mbar。
蒸镀有机层后，本发明在所述有机层表面蒸镀金属电极，得到环套式分立控制图案化有机电致发光器件。在本发明中，所述金属电极的材质优选为铝、银和金中的一种或几种，所述金属电极的厚度优选为180～220nm，更优选为200nm；所述金属电极的蒸镀方式优选为真空蒸镀，所述真空蒸镀的温度优选为金属的升华温度，所述真空蒸镀的真空度优选小于10-4mbar。
在本发明中，所述环套式分立控制图案化有机电致发光器件的内层图案对应一个电极，外层图案对应一个电极，通过电极实现开关的功能，从而实现图案化电致发光器件的内外分立控制。
本发明提供了上述制备方法制备的环套式分立控制图案化有机电致发光器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃、环套式分立控制图案化电极、有机层和金属电极。本发明提供的环套式分立控制图案化有机电致发光器件精度高，成本低，体积小，能够实现图案化电致发光器件的内外可分立发光。
下面结合实施例对本发明提供的环套式分立控制图案化有机电致发光器件及其制备方法进行详细的说明，但是不能把它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
(1)在清洗干燥后的ITO导电玻璃上磁控溅射150nm厚的金属钼铝钼导电层，并避让外层图形发光区，之后沉积100nm厚的SiO2透明绝缘层，并利用光刻技术，刻蚀出图案化的透明绝缘层，得到内层电极；
所述对透明绝缘层进行图案化刻蚀的方法包括以下步骤：
①在透明绝缘层上旋涂200nm厚的光刻胶，然后在125℃的条件下前烘90s，形成光刻胶层。
②在所述光刻胶层上放置图案电极菲林板后曝光90s；
③将曝光后的光刻胶层在显影液中浸泡60s后，用去离子水冲洗，在130℃条件下后烘2min，得到图案化的光刻胶层，光刻胶层的厚度为300nm；
④用刻蚀液刻蚀暴露的透明绝缘层，并用丙酮清洗光刻胶，得到图案化透明绝缘层。
(2)在此前得到的内层电极上磁控溅射150nm厚的ITO，并对ITO层进行模块化刻蚀，得到内外分立的ITO电极，其中，内外分立的ITO电极的制备流程截面图如图1所示，制备流程俯视图如图2所示。
所述对ITO层进行模块化刻蚀的方法包括以下步骤：
①在ITO层上旋涂200nm厚的光刻胶，然后在125℃的条件下前烘90s，形成光刻胶层；
②在所述光刻胶层上放上图案电极菲林板后曝光90s；
③将曝光后的光刻胶层在显影液中浸泡60s后，用去离子水冲洗，在130℃条件下后烘2min，得到图案化的光刻胶层，光刻胶层的厚度为300nm；
④在王水中浸泡3min，刻蚀暴露的ITO，并用丙酮清洗光刻胶，得到模块化刻蚀的ITO层。
(3)在所述内外分立的ITO电极表面制备金属钼铝钼导电层，然后在金属钼铝钼导电层表面旋涂光刻胶，对光刻胶进行图案化光刻后在200℃条件下退火固化20min，得到可分立控制的图案化电极。
(4)在所述可分立控制的图案化电极上真空蒸镀100nm的有机层，所述有机层自下而上依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中真空蒸镀的温度为每种有机材料的升华温度，真空蒸镀的真空度小于10-4mbar。
(5)在所述有机层表面真空蒸镀200nm厚的金属铝电极，得到环套式分立控制图案化有机电致发光器件，其中真空蒸镀的温度为金属铝的升华温度，真空蒸镀的真空度小于10-4mbar。
本实施例发光器件的各层实际覆盖区域图如图3所示。
实施例2
(1)在清洗干燥后的ITO导电玻璃上磁控溅射130nm厚的金属银导电层，并避让外层图形发光区，之后沉积90nm厚的Si3N4透明绝缘层，并利用光刻技术，刻蚀出图案化的透明绝缘层，得到内层电极；
所述对透明绝缘层进行图案化刻蚀的方法包括以下步骤：
①在透明绝缘层上旋涂180nm厚的光刻胶，然后在120℃的条件下前烘80s，形成光刻胶层。
②在所述光刻胶层上放置图案电极菲林板后曝光80s；
③将曝光后的光刻胶层在显影液中浸泡60s后，用去离子水冲洗，在120℃条件下后烘2min，得到图案化的光刻胶层，光刻胶层的厚度为300nm；
④用刻蚀液刻蚀暴露的透明绝缘层，并用丙酮清洗光刻胶，得到图案化透明绝缘层。
(2)在此前得到的内层电极上磁控溅射140nm厚的ITO，并对ITO层进行模块化刻蚀，得到内外分立的ITO电极；
所述对ITO层进行模块化刻蚀的方法包括以下步骤：
①在ITO层上旋涂200nm厚的光刻胶，然后在120℃的条件下前烘80s，形成光刻胶层；
②在所述光刻胶层上放上图案电极菲林板后曝光80s；
③将曝光后的光刻胶层在显影液中浸泡60s后，用去离子水冲洗，在120℃条件下后烘2min，得到图案化的光刻胶层，光刻胶层的厚度为300nm；
④在王水中浸泡3min，刻蚀暴露的ITO，并用丙酮清洗光刻胶，得到模块化刻蚀的ITO层。
(3)在所述内外分立的ITO电极表面制备金属银导电层，然后在金属钼铝钼导电层表面旋涂光刻胶，对光刻胶进行图案化光刻后在190℃条件下退火固化20min，得到可分立控制的图案化电极。
(4)在所述可分立控制的图案化电极上真空蒸镀90nm的有机层，所述有机层自下而上依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中真空蒸镀的温度为每种有机材料的升华温度，真空蒸镀的真空度小于10-4mbar。
(5)在所述有机层表面真空蒸镀180nm厚的金属银电极，得到环套式分立控制图案化有机电致发光器件，其中真空蒸镀的温度为金属银的升华温度，真空蒸镀的真空度小于10-4mbar。
实施例3
(1)在清洗干燥后的ITO导电玻璃上磁控溅射170nm厚的金属铜导电层，并避让外层图形发光区，之后沉积110nm厚的Si3N4透明绝缘层，并利用光刻技术，刻蚀出图案化的透明绝缘层，得到内层电极；
所述对透明绝缘层进行图案化刻蚀的方法包括以下步骤：
①在透明绝缘层上旋涂220nm厚的光刻胶，然后在130℃的条件下前烘80s，形成光刻胶层。
②在所述光刻胶层上放置图案电极菲林板后曝光100s；
③将曝光后的光刻胶层在显影液中浸泡60s后，用去离子水冲洗，在140℃条件下后烘2min，得到图案化的光刻胶层，光刻胶层的厚度为300nm；
④用刻蚀液刻蚀暴露的透明绝缘层，并用丙酮清洗光刻胶，得到图案化透明绝缘层。
(2)在此前得到的内层电极上磁控溅射160nm厚的ITO，并对ITO层进行模块化刻蚀，得到内外分立的ITO电极；
所述对ITO层进行模块化刻蚀的方法包括以下步骤：
①在ITO层上旋涂200nm厚的光刻胶，然后在130℃的条件下前烘90s，形成光刻胶层；
②在所述光刻胶层上放上图案电极菲林板后曝光90s；
③将曝光后的光刻胶层在显影液中浸泡60s后，用去离子水冲洗，在140℃条件下后烘2min，得到图案化的光刻胶层，光刻胶层的厚度为300nm；
④在王水中浸泡3min，刻蚀暴露的ITO，并用丙酮清洗光刻胶，得到模块化刻蚀的ITO层。
(3)在所述内外分立的ITO电极表面制备金属银导电层，然后在金属钼铝钼导电层表面旋涂光刻胶，对光刻胶进行图案化光刻后在210℃条件下退火固化20min，得到可分立控制的图案化电极。
(4)在所述可分立控制的图案化电极上真空蒸镀110nm的有机层，所述有机层依次自下而上包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中真空蒸镀的温度为每种有机材料的升华温度，真空蒸镀的真空度小于10-4mbar。
(5)在所述有机层表面真空蒸镀220nm厚的金属金电极，得到环套式分立控制图案化有机电致发光器件，其中真空蒸镀的温度为金属金的升华温度，真空蒸镀的真空度小于10-4mbar。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种环套式分立控制图案化有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
(1)在ITO导电玻璃上依次制备第一金属导电层和透明绝缘层，并对透明绝缘层进行图案化刻蚀，得到图案化刻蚀后的结构；
(2)在所述图案化刻蚀后的结构上溅射ITO层，对所述ITO层进行模块化刻蚀，得到内外分立的ITO电极，所述内外分立的ITO电极包括内层ITO层和外层ITO层；
(3)在所述内外分立的ITO电极表面制备第二金属导电层，然后在所述第二金属导电层表面旋涂光刻胶，对所述光刻胶进行图案化光刻后固化，得到利用第一金属导电层和第二金属导电层作为电极引线的可分立控制的图案化电极；
(4)在所述可分立控制的图案化电极上蒸镀有机层，所述有机层自下而上依次包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
(5)在所述有机层表面蒸镀金属电极，得到环套式分立控制图案化有机电致发光器件。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中第一金属导电层的材质为钼铝钼、银和铜中的一种或几种，所述第一金属导电层的厚度为130～170nm；所述第一金属导电层通过磁控溅射法制备得到，所述磁控溅射的功率为150W，退火温度为250℃，溅射时间为30min。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中透明绝缘层的材质为SiO2和/或Si3N4，所述透明绝缘层的厚度为90～110nm；所述透明绝缘层通过原子层沉积法制备得到，所述原子层沉积的温度为140～160℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中对透明绝缘层进行图案化刻蚀的方法包括以下步骤：
(1)在透明绝缘层上旋涂光刻胶后进行前烘，形成光刻胶层；
(2)在所述光刻胶层上放置图案电极菲林板后进行曝光；
(3)将曝光后的光刻胶层浸泡于显影液中进行显影，然后依次进行洗涤和后烘，得到图案化的光刻胶层；
(4)对暴露区域的透明绝缘层进行刻蚀后清洗光刻胶，得到图案化透明绝缘层。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中溅射ITO层的方式为磁控溅射，所述磁控溅射的功率为150W，退火温度为250℃，溅射时间为30min；所述ITO层的厚度为140～160nm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中对ITO层进行模块化刻蚀的方法包括以下步骤：
(1)在ITO层上旋涂光刻胶后进行前烘，形成光刻胶层；
(2)在所述光刻胶层上放上图案电极菲林板后进行曝光；
(3)将曝光后的光刻胶浸泡于显影液中进行显影，然后依次进行洗涤和后烘，得到图案化的光刻胶层；
(4)对暴露区域的ITO层进行刻蚀后清洗光刻胶，得到模块化刻蚀的ITO层。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，当可分立控制的图案化电极为多层环套式图案化电极时，在所述步骤(3)固化后所得光刻胶层表面重复进行步骤(2)～(3)的操作，直至得到所需层数。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中有机层的总厚度为90～110nm；所述有机层的蒸镀方式为真空蒸镀，所述真空蒸镀的真空度小于10-4mbar。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中金属电极的材质为铝、银和金中的一种或几种，所述金属电极的厚度为180～220nm；所述金属电极的蒸镀方式为真空蒸镀，所述真空蒸镀的温度为金属的升华温度，所述真空蒸镀的真空度小于10-4mbar。
10.权利要求1～9任意一项所述制备方法制备的环套式分立控制图案化有机电致发光器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃、环套式分立控制图案化电极、有机层和金属电极。
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