CN109671833B - 一种倒装cob及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种倒装COB及其制造方法，包括基板、设在基板上的线路层和LED芯片，所述基板从下往上依次包括铝基层、第一三氧化二铝层、二氧化钛层、银层和透明绝缘层，所述透明绝缘层为第二三氧化二铝层；所述线路层设在第二三氧化二铝层上，所述LED芯片为倒装LED芯片，所述倒装LED芯片固在第二三氧化二铝层上，且倒装LED芯片底部的电极与线路层电性连接。本发明的基板相当于镜面铝基板，其反射率高，可以有效的将倒装芯片底部的出光反射出去，从而提高COB的出光效率；本发明在基板的顶面增加了加厚的三氧化二铝层，三氧化二铝为透明结构，且一定厚度下能够绝缘，所以能够将线路层座在三氧化二铝层上，即可实现绝缘，又可使光线穿透进行反射。
Description
技术领域
本发明涉及LED领域，尤其是一种倒装COB及其制造方法。
背景技术
随着LED(LightEmittingDiode，发光二极管)技术的发展，其在照明行业中广泛应用的同时，市场对LED的亮度、可靠性、安装便捷性等提出更高要求，这样COB(ChipOnBoard，芯片集成到基板)的封装形式便应运而生。目前比较成熟的是正装结构的COB，将正装芯片固定在基板上，使用金线(或合金线)完成芯片间和芯片与基板线路间的电气连接，再涂覆含有荧光粉的荧光胶合成需要的光色及保护内部器件，这种结构的COB缺点非常明显：容易断线死灯、耐温低、功率密度低、固晶(将芯片贴装在基板上)工艺耗时长等。
为解决正装COB存在的问题，市面上也出现倒装COB，其COB基板包括基材层、上绝缘层、线路层、镀金层和阻焊层，基材层、上绝缘层和线路层从下至上依次设置，该种基板的表面反射率低，倒装芯片底部出光无法有效利用，导致整个倒装COB的出光效率偏低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种倒装COB及其制造方法，能够提高倒装COB的出光效率。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种倒装COB，包括基板、设在基板上的线路层和LED芯片，所述基板从下往上依次包括铝基层、第一三氧化二铝层、二氧化钛层、银层和透明绝缘层，所述透明绝缘层为第二三氧化二铝层；所述线路层设在第二三氧化二铝层上，所述LED芯片为倒装LED芯片，所述倒装LED芯片固在第二三氧化二铝层上，且倒装LED芯片底部的电极与线路层电性连接。本发明的基板相当于镜面铝基板，其反射率高，可以有效的将倒装芯片底部的出光反射出去，从而提高COB的出光效率；本发明在基板的顶面增加了加厚的三氧化二铝层，三氧化二铝为透明结构，且一定厚度下能够绝缘，所以能够将线路层座在三氧化二铝层上，即可实现绝缘，又可使光线穿透进行反射。
作为改进，所述线路层包括烧结银层和设在烧结银层上的沉金层。
作为改进，所述基板上沿其边缘设有围堰，所述倒装LED芯片设在所述围堰内，且所述围堰内设有将倒装LED芯片覆盖的荧光胶体。
作为改进，围堰内设有若干相互并联的LED串联支路，每条LED串联支路由若干倒装LED芯片串联而成。
作为改进，所述线路层包括设在基板两侧且位于围堰底部的集电线路，其中一侧的集电线路与COB的正极连接，另一侧的集电线路与COB的负极连接，所述LED串联支路的两端分别与两侧人的集电线路连接。
本发明的制造方法，包括以下步骤：
（1）制作基板；
（2）在基板上固晶焊线；
（3）在基板上做围堰；
（4）在围堰内点荧光胶；
其中制造基板的具体步骤包括：
（1.1）将纳米氧化铝透明液体和胶水均匀混合后，喷涂在镜面铝基材上进行固化处理；
（1.2）液体挥发后在镜面铝基材的顶面形成第二三氧化二铝层，第二三氧化二铝层与镜面铝基材结合形成 基板，所述镜面铝基材下往上依次包括铝基层、第一三氧化二铝层、二氧化钛层、银层。
本发明与现有技术相比所带来的有益效果是：
本发明的基板相当于镜面铝基板，其反射率高，可以有效的将倒装芯片底部的出光反射出去，从而提高COB的出光效率；本发明在基板的顶面增加了加厚的三氧化二铝层，三氧化二铝为透明结构，且一定厚度下能够绝缘，所以能够将线路层座在三氧化二铝层上，即可实现绝缘，又可使光线穿透进行反射。
附图说明
图1为基板局部剖视图。
图2为倒装COB俯视图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本发明作进一步说明。
如图1所示，一种倒装COB，包括基板1、设在基板1上的线路层2和LED芯片7。所述基板1从下往上依次包括铝基层11、第一三氧化二铝层12、二氧化钛层13、银层14和透明绝缘层15。所述透明绝缘层15为第二三氧化二铝层，第二三氧化二铝层的厚度为500-600nm，该厚度下的三氧化铝不仅透光，而且具有绝缘性能。所述线路层2设在第二三氧化二铝层上，所述线路层2包括烧结银层21和设在烧结银层21上的沉金层22，线路沉金可以抗硫化和增加导电率。所述LED芯片7为倒装LED芯片，所述倒装LED芯片固在第二三氧化二铝层上，且倒装LED芯片底部的电极与线路层2电性连接。
如图2所示，所述基板1上沿其边缘设有围堰5，所述倒装LED芯片设在所述围堰5内，且所述围堰5内设有将倒装LED芯片覆盖的荧光胶体。围堰5内设有若干相互并联的LED串联支路6，每条LED串联支路6由若干倒装LED芯片串联而成；所述线路层2包括设在基板1两侧且位于围堰5底部的集电线路23，其中一侧的集电线路23与COB的正极3连接，另一侧的集电线路23与COB的负极4连接，所述LED串联支路6的两端分别与两侧人的集电线路23连接。
本发明的制造方法，包括以下步骤：
（1）制作基板；
（2）在基板上固晶焊线；
（3）在基板上做围堰；
（4）在围堰内点荧光胶。
其中制造基板的具体步骤包括：
（1.1）将纳米氧化铝透明液体和胶水均匀混合后，喷涂在镜面铝基材上进行固化处理；
（1.2）液体挥发后在镜面铝基材的顶面形成第二三氧化二铝层，第二三氧化二铝层与镜面铝基材结合形成 基板，所述镜面铝基材下往上依次包括铝基层、第一三氧化二铝层、二氧化钛层、银层。
本发明的基板1相当于镜面铝基板1，其反射率高，可以有效的将倒装芯片底部的出光反射出去，从而提高COB的出光效率；本发明在基板1的顶面增加了加厚的三氧化二铝层，三氧化二铝为透明结构，且一定厚度下能够绝缘，所以能够将线路层2座在三氧化二铝层上，即可实现绝缘，又可使光线穿透进行反射。
Claims (6)
1.一种倒装COB，包括基板、设在基板上的线路层和LED芯片，其特征在于：所述基板从下往上依次包括铝基层、第一三氧化二铝层、二氧化钛层、银层和透明绝缘层，所述透明绝缘层为第二三氧化二铝层；所述线路层设在第二三氧化二铝层上，所述LED芯片为倒装LED芯片，所述倒装LED芯片固设在第二三氧化二铝层上，且倒装LED芯片底部的电极与线路层电性连接；第二三氧化二铝的厚度为500-600nm。
2.根据权利要求1所述的一种倒装COB，其特征在于：所述线路层包括烧结银层和设在烧结银层上的沉金层。
3.根据权利要求1所述的一种倒装COB，其特征在于：所述基板上沿其边缘设有围堰，所述倒装LED芯片设在所述围堰内，且所述围堰内设有将倒装LED芯片覆盖的荧光胶体。
4.根据权利要求3所述的一种倒装COB，其特征在于：围堰内设有若干相互并联的LED串联支路，每条LED串联支路由若干倒装LED芯片串联而成。
5.根据权利要求4所述的一种倒装COB，其特征在于：所述线路层包括设在基板两侧且位于围堰底部的集电线路，其中一侧的集电线路与COB的正极连接，另一侧的集电线路与COB的负极连接，所述LED串联支路的两端分别与两侧的集电线路连接。
6.一种如权利要求1所述倒装COB的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）制作基板；
（2）在基板上固晶焊线；
（3）在基板上做围堰；
（4）在围堰内点荧光胶；
其中制造基板的具体步骤包括：
（1.1）将纳米氧化铝透明液体和胶水均匀混合后，喷涂在镜面铝基材上进行固化处理；
（1.2）液体挥发后在镜面铝基材的顶面形成第二三氧化二铝层，第二三氧化二铝层与镜面铝基材结合形成基板，所述镜面铝基材从下往上依次包括铝基层、第一三氧化二铝层、二氧化钛层、银层。
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