CN109671825B - 一种极性半导体发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种极性半导体发光二极管，属于半导体器件技术领域，在不需要采用非极性AlInGaN半导体衬底材料的基础上，解决极性半导体发光二极管的发光效率退化问题。所述极性半导体发光二极管包括依次布置的重掺杂的N型接触层、重掺杂的P型有源区和肖特基金属层，所述重掺杂的P型有源区和所述肖特基金属层之间为肖特基接触。本发明提供的极性半导体发光二极管适用于强光照明和强光显示的设备，对节能和有效利用资源有重大意义。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种极性半导体发光二极管。
背景技术
目前，极性半导体发光二极管主要包括N型接触层、重掺杂的P型接触层以及位于N型接触层和重掺杂的P型接触层之间的有源区；其中，重掺杂的P型接触层的外侧和N型接触层的外侧分别设置有欧姆金属层，重掺杂的P型接触层的内侧和N型接触层的内侧分别设置有用于包裹有源区的宽禁带包裹层。工作时，示例性的，空穴从高掺杂的P型接触层注入到有源区，电子从N型接触层注入到有源区，空穴和电子能够在有源区中通过辐射复合发光。
理论上，极性半导体发光二极管的发光效率与正向电流密度成正比。但是，在实际应用中，当极性半导体发光二极管由于需要具有较大的发光强度而注入大电流时，发光效率反而会如图1所示的大幅度减小，这个现象被称为发光效率退化现象。
现有技术中，一般采用非极性铝铟镓氮(AlInGaN)半导体衬底材料来改善发光效率退化现象。但是，在非极性铝铟镓氮半导体衬底材料的制备过程中，采用金属有机化合物化学气相沉淀技术(MOCVD)生长氮化铝(AlN)材料需要高温，而生长氮化铟(InN)材料需要低温，氮化铝(AlN)和氮化铟(InN)在生长温度上的差异导致生长非极性铝铟镓氮(AlInGaN)半导体衬底材料非常困难。而且，MOCVD技术通常采用蓝宝石或硅<111>作为衬底，生长的氮化物需要与蓝宝石或硅<111>兼容，而这些与蓝宝石或硅<111>兼容的氮化物生长出来的晶体结构大部分都是六方晶格结构，这种六方晶格结构的氮化物具有很强的内建极化电场，很难达到作为非极性半导体衬底材料的要求。因此，高质量的非极性铝铟镓氮(AlInGaN)半导体衬底材料仅限于实验阶段，还无法实现工业化和商业应用。
发明内容
本发明提供了一种极性半导体发光二极管，在不需要采用非极性铝铟镓氮(AlInGaN)半导体衬底材料的基础上，解决极性半导体发光二极管的发光效率退化的问题，使得极性半导体发光二极管具有高效能、高亮度的特点。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
本发明提供了一种极性半导体发光二极管，包括依次布置的重掺杂的N型接触层、重掺杂的P型有源区和肖特基金属层，重掺杂的P型接触层和肖特基金属层之间为肖特基接触。
与现有技术相比，本实施例提供的极性半导体发光二极管包括依次布置的重掺杂的N型接触层、重掺杂的P型有源区和肖特基金属层。经试验证明，在本发明提供的极性半导体发光二极管中，极化引起的电荷并不位于重掺杂的P型有源区的外表面，而是位于重掺杂的P型有源区接近表面的体内，这样就可以使得肖特基金属层向重掺杂的P型有源区内注入少数空穴载流子。这与现有技术中非极性半导体的肖特基接触有着本质的区别(非极性半导体的肖特基接触通常会注入多数空穴载流子)，少数空穴载流子的注入并不会在极性半导体发光二极管内部引起较大的空穴电流，因此，本发明提供的极性半导体发光二极管的结构可以大大减少流过重掺杂的P型有源区的空穴电流密度，从而避免在大电流注入时出现极性半导体发光二极管发光效率退化的现象。
而且，由于重掺杂的P型有源区的两侧没有设置宽禁带包裹层，也不存在现有技术中的重掺杂的P型接触层，这样空穴载流子能够直接从肖特基金属层注入到重掺杂的P型有源区，使得注入的空穴电流密度大小不再受重掺杂的P型接触层的饱和电流限制，这样在大电流注入时极性半导体发光二极管的发光效率的退化可以小到忽略不计，在不需要采用非极性铝铟镓氮(AlInGaN)半导体衬底材料的基础上，有效地解决了极性半导体发光二极管的发光效率退化现象。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为现有极性半导体发光二极管中发光效率与电流密度的关系示意图；
图2为本发明所提供的极性半导体发光二极管的结构示意图一；
图3为本发明所提供的极性半导体发光二极管的结构示意图二；
图4为本发明所提供的极性半导体发光二极管中重掺杂的P型有源区为多量子阱结构的结构示意图。
附图标记：
1-重掺杂的N型接触层， 2-重掺杂的P型有源区，
3-肖特基金属层， 4-N型宽禁带包裹层，
5-窄禁带层， 6-量子阱，
l1～l5-各层量子阱的宽度。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
经发明人研究发现，极性半导体发光二极管的带电载流子的浓度分布已经不符合常规掺杂半导体载流子所采用的费米统计分布，而是由极性半导体发光二极管中的内建极化电场决定。现有技术中，重掺杂的P型接触层的两端会同时出现相反的电子或者空穴的注入。具体地，有源区中的电子会注入到宽禁带包裹层里，再在强极化电场的作用下通过重掺杂的P型接触层进入欧姆金属层，这就等价于空穴从欧姆金属层注入到重掺杂的P型接触层，极性半导体内部会引起很大的空穴电流，这个空穴电流密度的大小等于空穴浓度与饱和速度的乘积。同时，在重掺杂的P型接触层与有源区相邻边界的电子在强内建电场的作用下，也会跨过边界进入到耗尽了的重掺杂的P型接触层中。那么，流过重掺杂的P型接触层的电流由电子电流和空穴电流组成，电子电流密度和空穴电流密度之和一旦达到或超过重掺杂的P型接触层的饱和电流密度，宽禁带包裹层就不能有效地限制注入到有源区的带电载流子，极性半导体发光二极管的发光效率就会从峰值下降近50％。
请参见图2，本发明实施例提供了一种极性半导体发光二极管，包括依次布置的重掺杂的N型接触层1、重掺杂的P型有源区2和肖特基金属层3，重掺杂的P型有源区2和肖特基金属层3之间为肖特基接触。
在上述极性半导体发光二极管的发光过程中，空穴载流子直接从肖特基金属层3注入到重掺杂的P型有源区2，电子载流子从重掺杂的N型接触层1注入到重掺杂的P型有源区2，空穴载流子和电子载流子在重掺杂的P型有源区2中通过辐射复合发光。
与现有技术相比，本发明实施例提供的极性半导体发光二极管包括依次布置的重掺杂的N型接触层1、重掺杂的P型有源区2和肖特基金属层3。经试验证明，在本发明实施例提供的极性半导体发光二极管中，极化引起的电荷并不位于重掺杂的P型有源区2的外表面，而是位于重掺杂的P型有源区2接近表面的体内，这样就可以使得肖特基金属层3向重掺杂的P型有源区2内注入少数空穴载流子。这与现有技术中非极性半导体的肖特基接触有本质的区别(非极性半导体的肖特基接触通常会注入多数空穴载流子)，少数空穴载流子的注入并不会在极性半导体发光二极管内部引起较大的空穴电流，因此，本发明实施例提供的极性半导体发光二极管的结构可以大大减少了流过重掺杂的P型有源区2的空穴电流密度，从而避免在大电流注入时出现极性半导体发光二极管发光效率退化的现象。
并且，在本发明实施例提供的极性半导体发光二极管中，由于重掺杂的P型有源区2的两侧没有设置宽禁带包裹层，也不存在现有技术中的重掺杂的P型接触层，这样空穴载流子就能直接从肖特基金属层3注入到重掺杂的P型有源区2，使得注入的空穴电流密度大小不再受重掺杂的P型接触层的饱和电流限制，在大电流注入时确保极性半导体发光二极管的发光效率的退化可以小到忽略不计，在不需要采用非极性铝铟镓氮(AlInGaN)半导体衬底材料的基础上，有效地解决了极性半导体发光二极管的发光效率退化现象。
可以理解的是，为了电子与空穴能够充分有效地发生辐射复合发光，重掺杂的P型有源区2的宽度L需要精确计算方能获取，其中，所述重掺杂的P型有源区的宽度方向与从肖特基金属层3到重掺杂的N型接触层1的指向平行。由于在极性半导体发光二极管的工作过程中，电子载流子从重掺杂的N型接触层1注入到重掺杂的P型有源区2，而空穴载流子从肖特基金属层3注入到重掺杂的P型有源区2，因此，重掺杂的P型有源区2的宽度L设定，应该以确保电子载流子和空穴载流子能够在重掺杂的P型有源区2中有较长的时间和较大的空间发生带带跃迁为准，以便进一步提高极性半导体发光二极管的发光效率。
可选的，重掺杂的N型接触层1的主体材料为氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(GaN)或铝镓氮(AlGaN)；重掺杂的P型有源区2的主体材料为氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(GaN)或铝镓氮(AlGaN)。这是由于氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(GaN)或铝镓氮(AlGaN)均为直接带隙半导体，带隙从1.8eV-6.2eV连续可调，具有宽直接带隙、强化学键、耐高温、抗腐蚀等优良性能，更适合作为大发光强度的极性半导体发光二极管。
进一步地，对于掺杂材料，重掺杂的P型有源区2优选为镁(Mg)重掺杂的P型有源区，重掺杂的N型接触层1优选为硅(Si)重掺杂的N型接触层。目前，镁(Mg)作为掺杂剂进行P型化，以及硅(Si)作为掺杂剂进行N型化，均可以采用MOCVD技术进行，由于此项技术已经非常成熟，有利于本实施例的极性半导体发光二极管的工业化和商业应用。
值得一提的是，请参见图4，上述实施例中的重掺杂的P型有源区2可以采用多量子阱结构，这样可以明显提高本实施例极性半导体发光二极管的发光效率，且其发光波长具有可调制性。具体的，该多量子阱结构可以为氮化镓(GaN)/氮化铟镓(InGaN)多量子阱结构，也可以是其他现有的多量子阱结构，在此不一一列举。
需要补充的是，请继续参阅图4，上述多量子阱结构包括多层量子阱6；其中，沿肖特基金属层3到重掺杂的N型接触层1的指向，各层量子阱6的宽度递增；所述量子阱6的宽度方向与从肖特基金属层3到重掺杂的N型接触层1的指向平行。以上述多量子阱结构包括5层量子阱6为例，沿肖特基金属层3到重掺杂的N型接触层1的指向，各层量子阱6的宽度分别为l1，l2，l3，l4和l5，其中，l1＜l2＜l＜l4＜l5，这样利用各层量子阱6，可以逐渐提高空穴载流子的势垒高度，有效阻止空穴载流子越过重掺杂的P型有源区2，确保注入重掺杂的P型有源区2的空穴载流子能被限制在重掺杂的P型有源区2中与电子载流子发生辐射复合而发光，有利于提高极性半导体发光二极管的发光效率。
需要说明的是，为了使本实施例提供的极性半导体发光二极管既能够适用于发光强度大的情况，也能够适用于发光强度小的情况，请参阅图3，在上述实施例提供的极性半导体发光二极管中，重掺杂的N型接触层1和重掺杂的P型有源区2之间设有N型宽禁带包裹层4；或，重掺杂的N型接触层1和重掺杂的P型有源区2之间依次设有N型宽禁带包裹层4和窄禁带层5。可选的，N型宽禁带包裹层4的材料优选为发光二极管中常用的铝镓氮(AlGaN)，窄禁带层5的材料优选为发光二极管中常用的铟镓氮(InGaN)。
这样当极性半导体发光二极管适用于发光强度小的情况时，由于注入的空穴电流较小，利用设在重掺杂的N型接触层1和重掺杂的P型有源区2之间的N型宽禁带包裹层4，或者依次设在重掺杂的N型接触层1和重掺杂的P型有源区2之间的N型宽禁带包裹层4和窄禁带层5，能够进一步提高空穴载流子的势垒高度，以便将注入重掺杂的P型有源区2中的空穴载流子限制住，以确保空穴载流子和电子载流子能够在重掺杂的P型有源区2中有较长的时间和较大的空间发生带带跃迁为准，进而提高极性半导体发光二极管的发光效率。
需要补充的是，上述实施例中，掺杂元素在主体材料中的掺杂浓度超过10％～18％的掺杂状况为重掺杂；宽禁带的禁带宽度Eg大于或等于3.2ev；窄禁带的禁带宽度Eg小于0.26eV。
以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (6)
1.一种极性半导体发光二极管，其特征在于，包括依次布置的重掺杂的N型接触层、重掺杂的P型有源区和肖特基金属层，所述重掺杂的P型有源区和所述肖特基金属层之间为肖特基接触，且所述重掺杂的P型有源区和所述肖特基金属层之间不存在重掺杂的P型接触层；
所述重掺杂的P型有源区的结构为多量子阱结构；所述多量子阱结构包括多层量子阱；其中，沿所述肖特基金属层到所述重掺杂的N型接触层的指向，各层所述量子阱的宽度递增；所述量子阱的宽度方向与从所述肖特基金属层到所述重掺杂的N型接触层的指向平行。
2.根据权利要求1所述的极性半导体发光二极管，其特征在于，所述多量子阱结构为氮化镓/氮化铟镓多量子阱结构。
3.根据权利要求1所述的极性半导体发光二极管，其特征在于，所述重掺杂的N型接触层的主体材料为氮化铟镓、氮化镓或铝镓氮；所述重掺杂的P型有源区的主体材料为氮化铟镓、氮化镓或铝镓氮。
4.根据权利要求3所述的极性半导体发光二极管，其特征在于，所述重掺杂的P型有源区为镁重掺杂的P型有源区，所述重掺杂的N型接触层为硅重掺杂的N型接触层。
5.根据权利要求1所述的极性半导体发光二极管，其特征在于，所述重掺杂的N型接触层和所述重掺杂的P型有源区之间设有N型宽禁带包裹层；或
所述重掺杂的N型接触层和所述重掺杂的P型有源区之间依次设有N型宽禁带包裹层和窄禁带层。
6.根据权利要求5所述的极性半导体发光二极管，其特征在于，所述宽禁带包裹层的材料为铝镓氮；所述窄禁带层的材料为铟镓氮。
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN115842078B (zh) * | 2023-02-10 | 2023-05-02 | 江西兆驰半导体有限公司 | 深紫外led外延片及其制备方法、led |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021689A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
| CN101150154A (zh) * | 2006-09-18 | 2008-03-26 | 中国科学院半导体研究所 | 硅基高效等电子掺杂发光器件及制作方法 |
| CN101442092A (zh) * | 2008-11-14 | 2009-05-27 | 厦门乾照光电有限公司 | 一种高亮度发光二极管及其制造方法 |
| CN101982240A (zh) * | 2010-09-21 | 2011-03-02 | 淮北师范大学 | 可选择性氧化醇和还原硝基化合物的高活性窄带隙光催化剂的设计与制备 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1956227A (zh) * | 2005-10-24 | 2007-05-02 | 中国科学院半导体研究所 | 背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器 |
| CN101101935A (zh) * | 2006-07-06 | 2008-01-09 | 中国科学院半导体研究所 | 提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 |
| CN101118937A (zh) * | 2006-08-02 | 2008-02-06 | 中国科学院半导体研究所 | 一种照明用氮化镓基发光二极管器件 |
| CN101901850A (zh) * | 2009-05-27 | 2010-12-01 | 中国科学院半导体研究所 | 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 |
| CN203871359U (zh) * | 2014-01-10 | 2014-10-08 | 中国科学院物理研究所 | 光电子器件 |
| CN106033105A (zh) * | 2015-03-09 | 2016-10-19 | 中国农业大学 | 一种判断p型铝镓氮材料的方法 |
| CN205211763U (zh) * | 2015-12-01 | 2016-05-04 | 成都九十度工业产品设计有限公司 | 一种高压肖特基二极管 |
| CN105355666B (zh) * | 2015-12-01 | 2018-06-26 | 成都九十度工业产品设计有限公司 | 一种高压肖特基二极管 |
| CN105679890A (zh) * | 2016-02-29 | 2016-06-15 | 中山大学 | 一种半导体薄膜型器件的制备方法 |
| CN206490069U (zh) * | 2017-01-24 | 2017-09-12 | 深圳基本半导体有限公司 | 一种宽禁带半导体器件 |
-
2017
- 2017-10-17 CN CN201710977998.4A patent/CN109671825B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021689A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
| CN101150154A (zh) * | 2006-09-18 | 2008-03-26 | 中国科学院半导体研究所 | 硅基高效等电子掺杂发光器件及制作方法 |
| CN101442092A (zh) * | 2008-11-14 | 2009-05-27 | 厦门乾照光电有限公司 | 一种高亮度发光二极管及其制造方法 |
| CN101982240A (zh) * | 2010-09-21 | 2011-03-02 | 淮北师范大学 | 可选择性氧化醇和还原硝基化合物的高活性窄带隙光催化剂的设计与制备 |
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