CN109671466B - 一种阈值电压调试方法、装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提出一种阈值电压调试方法、装置及电子设备，涉及存储数据纠错领域。该方法包括：获取步骤以及校验步骤，获取步骤包括依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据。校验步骤包括对存储数据进行校验纠错。当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整阈值电压并重新执行获取步骤和校验步骤直至存储数据校验纠错成功。在纠错编码对存储数据进行差错检测失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，由于通过调整阈值电压直至校验纠错成功，解决仅采用纠错编码进行差错检测会导致纠错性能变差甚至不能纠错的问题。

Description

一种阈值电压调试方法、装置及电子设备

技术领域

本发明涉及存储数据纠错领域，具体而言，涉及一种阈值电压调试方法、装置及电子设备。

背景技术

基于闪存的固态硬盘具有容量较大，改写速度快等优点，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。固态硬盘在读取存储单元中的数据时，通常依据阈值电压读取存储单元中的电压数据获得存储数据，并采用纠错编码对存储数据进行差错检测以纠正错误。

但随着存储单元的擦除次数增加，依旧仅采用纠错编码进行差错检测会导致纠错性能变差甚至不能纠错的问题。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种阈值电压调试方法、装置及电子设备，在纠错编码对存储数据进行差错检测失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，通过调整阈值电压直至校验纠错成功，解决仅采用纠错编码进行差错检测会导致纠错性能变差甚至不能纠错的问题。

为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提出一种阈值电压调试方法，方法包括：获取步骤以及校验步骤，获取步骤包括依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据。校验步骤包括对存储数据进行校验纠错。当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整阈值电压并重新执行获取步骤和校验步骤直至存储数据校验纠错成功；当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数大于预设阈值时，则判断存储单元失效，结束阈值电压地调试。

第二方面，本发明实施例还提出一种阈值电压调试装置，包括获取模块，用于执行获取步骤：依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据；校验模块，用于执行校验步骤：对存储数据进行校验纠错；阈值电压调整模块，用于当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整阈值电压，并控制获取模块重新执行获取步骤，以及控制校验模块重新执行校验步骤，直至存储数据校验纠错成功；阈值电压调整模块，还用于当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数大于预设阈值时，则判断存储单元失效，结束阈值电压地调试。

第三方面，本发明实施例还提出一种电子设备，包括控制芯片、存储器、通信端口，实现上述阈值电压调试方法。

本发明实施例所提供的一种阈值电压调试方法、装置及电子设备，该方法包括：获取步骤以及校验步骤，获取步骤包括依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据。校验步骤包括对存储数据进行校验纠错。当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整阈值电压并重新执行获取步骤和校验步骤直至存储数据校验纠错成功。该电子设备包括该装置，该装置可以通过执行上述方法完成阈值电压的调试。在纠错编码对存储数据进行差错检测失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，由于通过调整阈值电压直至校验纠错成功，或者判断存储单元失效，结束阈值电压地调试，解决仅采用纠错编码进行差错检测会导致纠错性能变差甚至不能纠错的问题。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明实施例了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本发明实施例所提供的原始电压数据以及阈值电压的坐标示意图。

图2示出了本发明实施例所提供的原始电压数据以及阈值电压偏移前后的坐标示意图。

图3示出了本发明实施例所提供的一种阈值电压调试方法的流程示意图。

图4示出了本发明实施例所提供的另一种阈值电压调试方法的流程示意图。

图5示出了基于图4新增第一修正阈值电压的坐标示意图。

图6示出了基于图4新增第二修正阈值电压的坐标示意图。

图7示出了基于图5的第一比特翻转数的坐标示意图。

图8示出了基于图6的第二比特翻转数的坐标示意图。

图9示出了本发明实施例所提供的阈值电压调试装置的功能模块示意图。

图10示出了本发明实施例所提供的电子设备的结构框图。

图标：100-阈值电压调试装置；101-获取模块；102-校验模块；103-阈值电压调整模块；200-电子设备；210-存储器；220-控制芯片；230-通信接口。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

现有技术在实现读取存储于存储单元的电压数据以获得存储数据的过程中，通常依据阈值电压获取存储单元中电压数据对应的存储数据，如图1所示，通常设置一个原始阈值电压V0，将对读取到的小于V0的电压数据对应bit为“0”的存储数据，将读取到的大于V0的电压数据对应bit为“1”的存储数据。由于存储于存储单元中的电压数据可能出错，因此需要对获得的存储数据进行校验纠错。以NAND闪存(Nand-flash，Nand flash)为例，通常通过低密度奇偶校验码(Low Density Parity Check Code，LDPC)或BCH码(Bose、Ray、Hocquenghem，BCH)对从NAND闪存的存储单元中获得的存储数据进行校验纠错。

由于随着NAND Flash的写入擦除次数的增加，阈值电压会发生偏移，如图2所示，原始阈值电压V0发生偏移，实际阈值电压VT位于原始阈值电压V0的右边，如果现在仍然使用原始阈值电压V0去读取并使用LDPC或BCH对存储数据进行纠错，会出现校验纠错失败的概率增加，甚至不能校验纠错的问题。

为了解决上述技术问题，下面给出一种阈值电压调试方法的可能的实现方式，具体的，请参照图3，为本发明实施例所提供的一种阈值电压调试方法的流程示意图。方法包括如下步骤：

S10，获取步骤：依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据。

S20，校验步骤：对存储数据进行校验纠错，判断校验纠错是否失败。

S30，当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整阈值电压并重新执行获取步骤和校验步骤直至存储数据校验纠错成功。

S40，当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数大于预设阈值时，则判断存储单元失效，结束阈值电压地调试。

具体的，在依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据后，使用LDPC或BCH对得到的存储数据进行校验纠错，并判断校验纠错是否失败，当校验纠错失败时，依据预设值对阈值电压进行调整，其中，调整后的阈值电压可以大于或小于原来的阈值电压。然后再重新执行S11以及S12，当再次校验纠错失败时，再依据预设值对阈值电压进行调整。可知，S11、S12以及S13是一个循环执行的步骤，在纠错编码对存储数据进行差错检测失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，循环调整阈值电压，直至依据调整后的阈值电压获取的存储数据能够校验纠错成功，即最终找到实际的阈值电压，在纠错编码对存储数据进行差错检测失败且校验纠错的累计失败次数大于预设阈值时，则判断存储单元失效，结束阈值电压地调试从而避免一直循环寻找存储单元的阈值电压。

可以理解，当校验纠错未失败时，则判断实际阈值电压没有发生偏移，不对阈值电压进行调整。

基于上述图3所提供的实施例，在纠错编码对存储数据进行差错检测失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，由于通过循环执行S11、S12以及S13，即通过连续调整阈值电压使得调整后的阈值电压逼近实际阈值电压，直至校验纠错成功，或者判断存储单元失效，结束阈值电压地调试，解决了仅采用纠错编码进行差错检测会导致纠错性能变差甚至不能纠错的问题。

在图3的基础上，下面给出一种完整方案可能的实现方式，具体的，请参照图4，为本发明实施例所提供的另一种阈值电压调试方法的流程示意图。需要说明的是，本发明实施例提供的阈值电压调试方法并不以图4以及以下的具体顺序为限制，应当理解，在其它实施例中，本发明实施例提供的阈值电压调试方法其中部分步骤的顺序可以根据实际需要相互交换，或者其中的部分步骤也可以省略或删除。下面将对图4所示的具体流程进行详细阐述，该具体流程包括三轮调试：

第一轮调试的步骤包括：

S101，依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据。

具体的，以NAND flash为例，当需要读取NAND flash的一页存储单元中存储的原始电压数据时，将原始电压数据与阈值电压比较，高于阈值电压的数据对应bit为“0”的存储数据，低于阈值电压的数据对应bit为“1”的存储数据，从而得到一页存储单元中存储的原始电压数据对应的存储数据。

可以理解的是，还可以依据阈值电压获取存储于NOR flash等存储设备的存储单元中存储的原始电压数据对应的存储数据，本发明不对存储设备类型作限制。

S201，对存储数据进行校验纠错，判断校验纠错是否失败。

具体的，校验纠错可以采用多种校验纠错码实现，例如LDPC硬解码、BHC等，当判断出校验纠错成功时，则说明实际的阈值电压没有发生偏移，无需调整阈值电压，执行步骤S302；当判断出校验纠错失败时，则说明实际的阈值电压发生偏移，需调整阈值电压，执行步骤S301。

S301，依据第一预设值调整阈值电压以得到第一修正阈值电压。

具体的，如图5所示，假设第一预设值为0.5V，将阈值电压V0减去第一预设值，获得第一修正阈值电压V1。

S302，依据阈值电压获取正确阈值电压。

具体的，不对阈值电压进行调整。

第二轮调试的步骤包括：

S102，依据第一修正阈值电压获取原始电压数据对应的第一存储数据。

具体的，依据第一修正阈值电压再次读取同一页存储单元中存储的原始电压数据，获得该原始电压数据对应的第一存储数据。

S202，对第一存储数据进行校验纠错，判断校验纠错是否失败。

具体的，当判断出校验纠错成功时，则说明实际的阈值电压与第一修正阈值电压相同，只需将阈值电压设置为第一修正阈值电压，执行步骤S304；当判断出校验纠错失败时，则说明实际的阈值电压发生偏移，需再调整阈值电压，执行S303。

S303，依据第二预设值调整阈值电压以得到第二修正阈值电压。

具体的，如图6所示，将阈值电压V0加上第二预设值，获得第二修正阈值电压V2。优选的，第一预设值与第二预设值相同，以便V0与V1的差值与V2与V0的差值相同。

S304，依据第一修正阈值电压获取正确阈值电压。

具体的，将阈值电压设置为第一修正阈值电压。

第三轮调试的步骤包括：

S103，依据第二修正阈值电压获取原始电压数据对应的第二存储数据。

具体的，依据第二修正阈值电压再次读取同一页存储单元中存储的原始电压数据，获得该原始电压数据对应的第二存储数据。

S203，对第二存储数据进行校验纠错，判断校验纠错是否失败。

具体的，当判断出校验纠错成功时，则说明实际的阈值电压与第二修正阈值电压相同，只需将阈值电压设置为第二修正阈值电压，执行步骤S305；当判断出校验纠错失败时，需要进一步判断校验纠错的累计失败次数是否大于预设阈值，执行步骤S402。

S401，判断校验纠错的累计失败次数是否大于预设阈值。

具体的，假设校验纠错的累计失败次数为3次，预设阈值为10次，则3<10，执行S306，此时实际的阈值电压发生偏移，需再调整阈值电压；假设校验纠错的累计失败次数为11次，预设阈值为10次，判断存储单元失效，执行S402。

S402，判断存储单元失效，结束阈值电压地调试。

S305，依据第二修正阈值电压获取正确阈值电压。

具体的，将阈值电压设置为第二修正阈值电压。

S306，依据第一修正阈值电压获取的存储数据和原始电压数据获取的存储数据得到第一比特翻转数。

具体的，如图7所示，依据第一修正阈值电压获取的存储数据，记为第一数据，包括V1左边的“0”bit数据以及V1右边的“1”bit数据，依据原始电压数据获取的存储数据记为原始数据，包括V0左边的“0”bit数据以及V0右边的“1”bit数据。可以清楚的看到，网格部分的数据为第一数据与原始数据的数据不同部分，即第一比特翻转数。

S307，依据第二修正阈值电压获取的存储数据和原始电压数据获取的存储数据得到第二比特翻转数。

具体的，如图8所示，依据第二修正阈值电压获取的存储数据，记为第二数据，包括V2左边的“0”bit数据以及V2右边的“1”bit数据，依据原始电压数据获取的存储数据记为原始数据，包括V0左边的“0”bit数据以及V0右边的“1”bit数据。可以清楚的看到，网格部分的数据为第二数据与原始数据的数据不同部分，即第二比特翻转数。

S308，依据第一比特翻转数以及第二比特翻转数获取第三修正阈值电压。

进一步的，当第一比特翻转数小于第二比特翻转数时，获取阈值电压以及第一修正阈值电压的中间值，得到第三修正阈值电压；当第一比特翻转数大于第二比特翻转数时，获取阈值电压以及第二修正阈值电压的中间值，得到第三修正阈值电压。

具体的，例如，当第一比特翻转数不大于第二比特翻转数时，依据公式第三修正阈值电压V3＝(第一修正阈值电压V1+阈值电压V0)÷预设数，得到第三修正阈值电压；当第一比特翻转数大于第二比特翻转数时，依据公式第三修正阈值电压V3＝(第二修正阈值电压V2+阈值电压V0)÷预设数，得到第三修正阈值电压。优选的，预设数取2，以便得到的第三修正阈值电压V3为第一修正阈值电压V1与阈值电压V0的中间值，或者第三修正阈值电压V3为第二修正阈值电压V2与阈值电压V0的中间值，从而更快地将阈值电压调整为实际阈值电压。

可以理解的是，当在第三轮调试中依旧出现存储数据校验纠错失败时，可以将阈值电压设置为第三修正阈值电压再重新重第一轮调试开始执行，直至将阈值电压调整为实际阈值电压，或者判断存储单元失效，结束阈值电压地调试。

基于上述图4所提供的实施例，在纠错编码对存储数据进行差错检测失败时，通过循环执行第一轮调试、第二轮调试以及第三轮调试，直至将阈值电压调整为实际阈值电压，或者判断存储单元失效，结束阈值电压地调试，可以更加快速、精确地将阈值电压调整至实际阈值电压，解决了仅采用纠错编码进行差错检测会导致纠错性能变差甚至不能纠错的问题。

请参照图9，为本发明实施例所提供的阈值电压调试装置100的功能模块示意图。需要说明的是，本实施例所提供的阈值电压调试装置100可执行上述图4所示的阈值电压调试方法，其基本原理及产生的技术效果与前述方法实施例相同，为简要描述，本实施例中未提及部分，可参考前述方法实施例中的相应内容。其包括获取模块101、校验模块102、阈值电压调整模块103。

获取模块101用于执行获取步骤：依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据。

可以理解的是，该获取模块101可以执行上述S10。

校验模块102用于执行校验步骤：对存储数据进行校验纠错，判断校验纠错是否失败。

可以理解的是，该校验模块102可以执行上述S20。

阈值电压调整模块103用于当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整阈值电压，并控制获取模块101重新执行获取步骤，以及控制校验模块102重新执行校验步骤，直至存储数据校验纠错成功；当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数大于预设阈值时，则判断存储单元失效，结束阈值电压地调试。

可以理解的是，该阈值电压调整模块103可以执行上述S30、S40。

获取模块101还用于执行第一轮调试的获取步骤：依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据。

可以理解的是，该获取模块101可以执行上述S101。

校验模块102还用于执行第一轮调试的校验步骤：对存储数据进行校验纠错，判断校验纠错是否失败。

可以理解的是，该校验模块102可以执行上述S201。

阈值电压调整模块103还用于当第一轮调试的校验纠错失败时，依据第一预设值调整阈值电压以得到第一修正阈值电压，并控制获取模块101以及校验模块102进行第二轮调试；当第一轮调试的校验纠错成功时，依据阈值电压获取正确阈值电压。

可以理解的是，该阈值电压调整模块103可以执行上述S301、S302。

获取模块101还用于当第一轮调试的校验纠错失败时，执行第二轮调试的获取步骤：依据第一修正阈值电压获取原始电压数据对应的第一存储数据。

可以理解的是，该获取模块101可以执行上述S102。

校验模块102还用于在获得第一存储数据后，执行第二轮调试的校验步骤：对第一存储数据进行校验纠错，判断校验纠错是否失败。

可以理解的是，该校验模块102可以执行上述S202。

阈值电压调整模块103还用于当第二轮调试的校验纠错失败时，依据第二预设值调整阈值电压以得到第二修正阈值电压，并控制获取模块101以及校验模块102进行第三轮调试；当第二轮调试的校验纠错成功时，依据第一修正阈值电压获取正确阈值电压。

可以理解的是，该阈值电压调整模块103可以执行上述S303以及S304。

获取模块101还用于当第二轮调试的校验纠错失败时，执行第三轮调试的获取步骤：依据第二修正阈值电压获取原始电压数据对应的第二存储数据。

可以理解的是，该获取模块101可以执行上述S103。

校验模块102还用于在获得第二存储数据后，执行第三轮调试的校验步骤：对第二存储数据进行校验纠错，判断校验纠错是否失败。

可以理解的是，该校验模块102可以执行上述S203。

阈值电压调整模块103还用于当第三轮调试的校验纠错成功时，依据第二修正阈值电压获取正确阈值电压；当第三轮调试的校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，依据第一修正阈值电压获取的存储数据和原始电压数据获取的存储数据得到第一比特翻转数，然后依据第二修正阈值电压获取的存储数据和原始电压数据获取的存储数据得到第二比特翻转数，然后依据第一比特翻转数以及第二比特翻转数获取第三修正阈值电压。

可以理解的是，该阈值电压调整模块103可以执行上述S305、S306、S307以及S308。

阈值电压调整模块103还用于当第三轮调试的校验纠错失败时，判断校验纠错的累计失败次数是否大于预设阈值，以及用于在校验纠错的累计失败次数大于预设阈值时，判断存储单元失效，结束阈值电压地调试。

可以理解的是，该阈值电压调整模块103可以执行上述S401以及S402。

需要说明的是，当在第三轮调试中依旧出现存储数据校验纠错失败时，阈值电压调试装置100可以用于将阈值电压设置为第三修正阈值电压再重新进行上述的三轮调试，直至将阈值电压调整为实际阈值电压或者判断存储单元失效，结束阈值电压地调试。

基于图3、图4以及图9所提供的实施例，本发明实施例还提供一种包括上述阈值电压调试装置100的电子设备200，如图10所示，为本发明实施例所提供的电子设备200的结构框图。该电子设备200可以包括存储器210、控制芯片220、通信接口230，该存储器210、控制芯片220、通信接口230，各元件相互之间直接或间接地电性连接，以实现数据的传输或交互。例如，这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。阈值电压调试装置可以包括至少一个可以以软件形式存储于存储器210或是固化在电子设备200的操作系统(operating system，OS)中的软件功能模块，或者以固件(firmware)的形式固化在控制芯片220中。存储器210中的数据可通过总线发送至控制芯片220，该通信接口230可用于接收输入的数据并发送至存储器210。

当阈值电压调试装置以软件形式存储于存储器210或者是固化在电子设备200的操作系统中的软件功能模块时，存储器210可用于存储软件程序及模块，如本发明实施例所提供的阈值电压调试方法及装置对应的程序指令/模块，控制芯片220通过执行存储在存储器210内的软件程序及模块，从而执行各种功能应用以及数据处理，即对原始阈值电压调试直至调试后的阈值电压接近或等于实际电压；当阈值电压调试装置以固件(firmware)的形式固化在控制芯片220中时，控制芯片220可以接收通过总线输入的存储数据，并对通过阈值电压调试方法对原始阈值电压进行调试直至调试后的阈值电压接近或等于实际电压。

其中，存储器210可以是但不限于，NAND flash、NOR flash，随机存取存储器210(Random Access Memory，RAM)，只读存储器210(Read Only Memory，ROM)，可编程只读存储器210(Programmable Read-Only Memory，PROM)，可擦除只读存储器210(ErasableProgrammable Read-Only Memory，EPROM)，电可擦除只读存储器210(Electric ErasableProgrammable Read-Only Memory，EEPROM)等。

控制芯片220可能是一种集成电路芯片，具有信号处理能力。该控制芯片220可以是通用控制芯片220，包括中央控制芯片220(Central Processing Unit，CPU)、网络控制芯片220(Network Processor，NP)等，还可以是数字信号控制芯片220(DSP))、专用集成电路(ASIC)、现成可编程门阵列(FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。

可以理解，图10所示的结构仅为示意，电子设备200还可包括比图10中所示更多或者更少的组件，或者具有与图10所示不同的配置。图10中所示的各组件可以采用硬件、软件或其组合实现。

综上所述，本发明实施例所提供的一种阈值电压调试方法、装置及电子设备，该方法包括：获取步骤以及校验步骤，获取步骤包括依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的输入数据。校验步骤包括对输入数据进行校验纠错。当校验纠错失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，调整阈值电压并重新执行获取步骤和校验步骤直至输入数据校验纠错成功，或者判断存储单元失效，结束阈值电压地调试。该电子设备包括该装置，该装置可以通过执行上述方法完成阈值电压的调试。由于在纠错编码对存储数据进行差错检测失败且校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，通过调整阈值电压直至校验纠错成功，或者判断存储单元失效，结束阈值电压地调试，解决仅采用纠错编码进行差错检测会导致纠错性能变差甚至不能纠错的问题。

本领域内的技术人员应明白，本发明实施例可提供为方法、装置、设备或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、装置、设备和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

在本发明实施例所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置和方法实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本发明的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

另外，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅为本发明的可选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

Claims (5)

1.一种阈值电压调试方法，其特征在于，所述方法包括：

获取步骤：依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据；

校验步骤：对所述存储数据进行校验纠错；

当所述校验纠错失败且所述校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，依据第一预设值调整所述阈值电压以得到第一修正阈值电压，并重新执行所述获取步骤和所述校验步骤直至所述存储数据校验纠错成功；其中，所述第一修正阈值电压小于所述阈值电压；

当依据所述第一修正阈值电压获取的存储数据校验纠错失败时，依据第二预设值调整所述阈值电压以得到第二修正阈值电压，其中,所述第二修正阈值电压大于所述阈值电压；

当依据所述第二修正阈值电压获取的存储数据校验纠错失败时，依据所述第一修正阈值电压获取的存储数据和所述原始电压数据获取的存储数据得到第一比特翻转数；依据所述第二修正阈值电压获取的存储数据和所述原始电压数据获取的存储数据得到第二比特翻转数；依据所述第一比特翻转数以及所述第二比特翻转数获取第三修正阈值电压；

当所述校验纠错失败且所述校验纠错的累计失败次数大于所述预设阈值时，则判断所述存储单元失效，结束阈值电压地调试。

2.如权利要求1所述的阈值电压调试方法，其特征在于，所述依据所述第一比特翻转数以及所述第二比特翻转数获取第三修正阈值电压的步骤包括：

当所述第一比特翻转数小于所述第二比特翻转数时，获取所述阈值电压以及所述第一修正阈值电压的中间值，得到所述第三修正阈值电压；

当所述第一比特翻转数大于所述第二比特翻转数时，获取所述阈值电压以及所述第二修正阈值电压的中间值，得到所述第三修正阈值电压。

3.如权利要求1-2任意一项所述的阈值电压调试方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述校验纠错成功时，依据所述阈值电压或经过调整的阈值电压获取正确阈值电压。

4.一种阈值电压调试装置，其特征在于，包括：

获取模块，用于执行获取步骤：依据阈值电压获取存储于存储单元的原始电压数据对应的存储数据；

校验模块，用于执行校验步骤：对所述存储数据进行校验纠错；

阈值电压调整模块，用于当所述校验纠错失败且所述校验纠错的累计失败次数不大于预设阈值时，依据第一预设值调整所述阈值电压以得到第一修正阈值电压，并控制所述获取模块重新执行所述获取步骤，以及控制所述校验模块重新执行所述校验步骤，直至所述存储数据校验纠错成功；其中，所述第一修正阈值电压小于所述阈值电压；

所述阈值电压调整模块，还用于当依据所述第一修正阈值电压获取的存储数据校验纠错失败时，依据第二预设值调整所述阈值电压以得到第二修正阈值电压，其中,所述第二修正阈值电压大于所述阈值电压；

所述阈值电压调整模块，还用于当依据所述第二修正阈值电压获取的存储数据校验纠错失败时，依据所述第一修正阈值电压获取的存储数据和所述原始电压数据获取的存储数据得到第一比特翻转数；依据所述第二修正阈值电压获取的存储数据和所述原始电压数据获取的存储数据得到第二比特翻转数；依据所述第一比特翻转数以及所述第二比特翻转数获取第三修正阈值电压；

所述阈值电压调整模块，还用于当所述校验纠错失败且所述校验纠错的累计失败次数大于所述预设阈值时，则判断所述存储单元失效，结束阈值电压地调试。

5.一种电子设备，其特征在于，包括：控制芯片、存储器、通信端口；

实现如权利要求1-3任一项所述的阈值电压调试方法。

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