CN109657762A - 一种制卡基片，其制备方法和含有其的ic卡或电子标签 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种制卡基片，其制备方法和含有其的IC卡或电子标签，所述制卡基片包括依次叠合的镀铝膜层、粘接胶层和基材层，所述镀铝膜层表面存在至少一条连续的划痕，所述划痕的深度大于镀铝膜层中铝膜的厚度，划痕和镀铝膜层边缘将镀铝膜层中的铝膜分割为互不相连的至少2块区域；本发明通过简单的将普通制卡基片中的镀铝膜层表面添加至少一条连续的划痕，将其中的铝膜分割为互不相连的至少2块区域，能够使得由该制卡基片制得的非接触式IC卡或电子标签具有更长的读写距离，同时不损害具有镭射效果的镀铝膜的外观效果。

Description

一种制卡基片，其制备方法和含有其的IC卡或电子标签
技术领域
本发明属于IC卡制卡技术领域，尤其涉及一种制卡基片，其制备方法和含有其的IC卡或电子标签。
背景技术
近年来以镭射制卡基片为代表的具有鲜明个性化特点的新型制卡材料，受到了国内外相关企业的广泛关注，镭射制卡基片是一种将镭射镀铝膜与塑料(通常为PVC材料)片材复合在一起而得到的具有镭射外观效果的证卡材料，该材料可通过层压或热复合工艺与其他制卡材料结合，应用于制造金融卡、高端VIP卡及各种智能卡，但是，上述制卡材料中通常含有金属层，将其应用于非接触卡，如IC卡等领域时，会因金属层的存在产生金属屏蔽效果，降低非接触卡的读写距离等问题。
目前，因金属层的存在造成的非接触卡读写距离降低的问题尚无较好的解决方法。一种思路是通过改进IC卡芯片及其射频通讯电路的设计来提高IC卡的读写距离，例如，CN2898956Y中公开了一种能够改进非接触式IC卡操作距离的电路结构，其设计的电路为在集成电路芯片外通过并联天线线圈和一个电容的方式，通过减少线圈的绕圈数和增大电容来减少电路通讯过程中的电阻损耗来增大非接触卡的读写距离，上述方案会提高IC卡芯片的生产成本和IC卡的组装成本。
另一种思路是通过改进非接触卡的制卡材料的组分或结构来实现提高非接触卡读写距离的目的，例如，CN107529649A中公开了一种全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡，包括IC卡芯片和卡结构，其IC卡芯片设置于卡结构中，该卡结构包括上侧卡和下侧卡结构，上侧卡结构包括从内至外依次设于所述IC芯片上的全息PET/PVC镭射塑胶层组、印刷层、PET/PVC薄膜类层等，全息PET/PVC镭射塑胶层组包括从内至外依次设置的PET/PVC塑胶层、胶水层、组合层、镀金属层/纳米新材料层、PET/PVC基膜层等，在镀金属层/纳米新材料层上形成全息镭射图案，其通过设置镀金属层/纳米新材料层的厚度为150±50埃，替换普通的厚度为380±50埃的镀铝膜，能够在一定程度上提高得到的非接触式IC卡的读写距离，提升率为10～20％左右，虽然该方法有一定的增大非接触式卡的读写距离的效果，但其得到的IC卡的表观亮度会大打折扣，违背了将镭射镀铝膜应用于制卡领域，来提供个性化修饰效果的初衷，实际应用效果差。
因此，在现有技术的基础上，本领域的技术人员需要寻找一种能够在不损害镭射镀铝膜外观效果的前提下，提高含有其的非接触式卡的读写距离的镭射制卡基片。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种能够在不损害镭射镀铝膜外观效果的前提下，提高含有其的非接触式卡的读写距离的制卡基片，及其制备方法和含有其的非接触式IC卡(Integrated Circuit Card)或电子标签。
为达此目的，本发明的目的之一在于提供一种制卡基片，所述制卡基片包括依次叠合的镀铝膜层、粘接胶层和基材层。
所述制卡基片的用途为用于固定IC卡芯片及配套的射频通信电路，来生产非接触式IC卡或电子标签。
优选地，所述制卡基片中含有的镀铝膜层使其具有镭射效果。
所述镀铝膜层的铝膜表面存在至少一条连续的划痕，所述连续的划痕是指划痕为不重复经过路径上的任意一点的曲线或直线，例如，成十字型相交的两条直线属于由两条连续的划痕形成的图案。
所述划痕的深度大于镀铝膜层中铝膜的厚度，划痕和镀铝膜层边缘将镀铝膜层中的铝膜分割为互不相连的至少2块区域，所述互不相连是指在拓补结构上彼此互不相连。
本发明通过将制卡基片中镀铝膜层中的铝膜分割为互不相连的多个区域，能够降低铝膜表面因电磁涡流效应形成的感应电流，提高含有其的非接触式IC卡或电子标签中射频通讯电路接收到的电磁信号强度，由于制卡基片表面的镭射效果通常由镀铝膜层中的铝膜呈现，因此，本发明能够实现在不破坏镭射制卡基片表面的镭射效果和降低具有镭射效果的制卡基片的表面光泽度的前提下，提高含有其的非接触式IC卡或电子标签的读写距离。
对于镀铝膜层中的铝膜表面存在连续划痕但不含有镭射效果的制卡基片，亦属于本发明的保护范围，但提高含有其的非接触式IC卡或电子标签读写距离的效果略差于直接去除镀铝膜层中的铝膜。
优选地，所述镀铝膜层中的任意两块铝膜区域之间的面积之比为0.01～100:1，例如为0.02:1、0.05:1、0.1:1、0.2:1、0.4:1、0.6:1、0.8:1、1:1、1.2:1、1.5:1、2:1、2.5:1、4:1、5:1、7:1、8:1、9:1、10:1、12:1、15:1、20:1、25:1、40:1、50:1、60:1、70:1、80:1、90:1或95:1等，通过减少任意两块铝膜区域之间的面积之比，能够防止出现因区域之间面积相差过大导致降低电磁涡流效应的效果减弱，因此，进一步优选为0.1～10:1。
优选地，所述划痕和镀铝膜层边缘将镀铝膜层中的铝膜分割为互不相连的6～20块(例如为7块、8块、9块、10块、11块、12块、13块、14块、15块、16块、17块、18块或19块等)区域。
优选地，所述划痕和镀铝膜层边缘将镀铝膜层中的铝膜分割为互不相连的6～20块三角形、四边形或五边形区域。
优选地，所述划痕和镀铝膜层边缘将镀铝膜层中的铝膜分割为互不相连的6～20块三角形、矩形、正方形或菱形区域。
上述区域数量和区域形状的选择能够进一步提高含有本发明所述制卡基片的非接触式IC卡或电子标签的读写距离，区域数量的增多能够进一步提升读写距离，但在区域过多时，提升效果有限且会破坏制卡基片表面的镭射效果，当区域形状为具有较多尖锐边缘的形状时，能够进一步提升读写距离。
优选地，所述三角形、矩形、正方形或菱形区域的最小边的边长≥1mm，例如为1.5mm、2mm、2.5mm、3mm、3.5mm、5mm、7mm、10mm、12mm、15mm或20mm等。
出于保护制卡基片表面的镭射效果和光泽度的目的，本领域的技术人员可以根据实际情况选择任意一种宽度和深度的划痕来实现本发明。
优选地，所述划痕的宽度为0.001～10mm，例如为0.005mm、0.01mm、0.02mm、0.05mm、0.08mm、0.1mm、0.15mm、0.2mm、0.4mm、0.6mm、0.8mm、1mm、1.5mm、2mm、2.5mm、3mm、3.5mm、4mm、4.5mm、5mm、5.5mm、6mm、7mm、8mm或9mm等，进一步优选为0.01～1mm。
优选地，所述划痕的深度为镀铝膜层中铝膜厚度的101～4000％，例如为105％、110％、120％、135％、150％、165％、180％、200％、300％、400％、600％、800％、1000％、1400％、1800％、2300％、2800％、3200％、3500％、3600％、3700％、3800％、3900％或3950％等，进一步优选为101～200％。
优选地，所述镀铝膜层表面的划痕通过对镀铝膜层进行激光刻蚀、化学刻蚀或机械切割得到。
优选地，所述镀铝膜层包括单面镀有铝膜的聚合物膜。
优选地，所述聚合物膜的厚度为0.005～1mm，例如为0.008mm、0.01mm、0.015mm、0.02mm、0.03mm、0.05mm、0.07mm、0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm等，进一步优选为0.01～0.08mm。
优选地，所述聚合物聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。
优选地，所述镀铝膜层中铝膜的厚度为10～50nm，例如为12nm、15nm、18nm、22nm、26nm、30nm、33nm、36nm、39nm、42nm、45nm或48nm等。
优选地，所述粘接胶层的厚度为1～50μm，例如为2μm、4μm、6μm、10μm、15μm、20μm、25μm、30μm、35μm、40μm、45μm或48μm等。
优选地，所述基材层的厚度为0.1～0.5mm，例如为0.15mm、0.2mm、0.25mm、0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm或0.48mm等。
优选地，所述基材层包括基材以及包覆于基材上下表面的背胶。
优选地，所述基材为聚氯乙烯(PVC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、对苯二甲酸和乙二醇、1,4-环己烷二甲醇的缩聚共聚物(PETG)或聚苯乙烯(PS)树脂中的任意一种或至少两种的混合物。
优选地，所述背胶为水性聚氨酯粘结剂、水性环氧粘结剂、水性聚丙烯酸酯粘结剂或水性双马来酰亚胺粘结剂中的任意一种或至少两种的混合物。
本发明的目的之二在于提供一种所述制卡基片的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
步骤(1)，在镀铝膜含铝膜的一面涂覆粘接胶，待粘接胶干燥后，将镀铝膜中含有粘接胶的一面与基材层压合，切割得到预处理基片；
步骤(2)，对步骤(1)中得到的预处理基片中的镀铝膜层表面进行激光刻蚀处理，在铝膜表面形成连续的划痕，得到所述制卡基片。
优选地，步骤(1)中所述的基材层通过将基材的上下表面各自辊涂背胶，之后干燥、切割得到。
优选地，步骤(1)中所述的镀铝膜表面具有镭射效果。
本发明的目的之三在于提供另一种所述制卡基片的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
步骤(a)，在镀铝膜含铝膜的一面进行激光雕刻、化学蚀刻或机械切割处理，在铝膜表面形成连续的划痕，得到表面含有划痕的镀铝膜；
步骤(b)，在步骤(a)中得到的表面含有划痕的镀铝膜中的铝膜表面涂覆粘接胶，待粘接胶干燥后，将镀铝膜中含有粘接胶的一面与基材层压合，得到所述制卡基片。
优选地，步骤(a)中所述的基材层通过将基材的上下表面各自辊涂背胶，之后干燥、切割得到。
优选地，步骤(a)中所述的镀铝膜表面具有镭射效果。
本发明的目的之四在于提供一种非接触式IC卡或电子标签，所述非接触式IC卡或电子标签包括一片所述制卡基片以及固定在所述制卡基片的基材层中的IC芯片和射频通讯电路。
本发明的目的之五在于提供另一种非接触式IC卡或电子标签，所述非接触式IC卡或电子标签包括两片基材层相互贴合的所述制卡基片，以及固定在任意一片所述制卡基片的基材层中的IC芯片和射频通讯电路。
本发明所述的数值范围不仅包括上述例举的点值，还包括没有例举出的上述数值范围之间的任意的点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明通过简单的将普通制卡基片表面的镀铝膜层中的铝膜表面添加至少一条连续的划痕，将其中的铝膜分割为互不相连的至少两块区域，能够使得由该制卡基片制得的非接触式IC卡(或电子标签)具有更长的读写距离，同时不损害镭射镀铝膜的外观效果。
附图说明
图1为本发明具体实施方式中实施例1中得到镭射制卡基片1的结构示意图，图中：001为镀铝膜层；002为粘接胶层，003为基材层。
图2为本发明具体实施方式中实施例1得到的镭射制卡基片1的镀铝膜层中铝膜表面由划痕形成的图案。
图3为本发明具体实施方式中实施例2得到的镭射制卡基片2的镀铝膜层中铝膜表面由划痕形成的图案。
图4为本发明具体实施方式中实施例3得到的镭射制卡基片3的镀铝膜层中铝膜表面由划痕形成的图案。
图5为本发明具体实施方式中实施例4得到的镭射制卡基片4的镀铝膜层中铝膜表面由划痕形成的图案。
图6为本发明具体实施方式中实施例5得到的镭射制卡基片5的镀铝膜层中铝膜表面由划痕形成的图案。
图7为本发明具体实施方式中实施例6得到的镭射制卡基片6的镀铝膜层中铝膜表面由划痕形成的图案。
图8为本发明具体实施方式中实施例7得到的镭射制卡基片7的镀铝膜层中铝膜表面由划痕形成的图案。
图9为本发明具体实施方式中实施例8得到的镭射制卡基片8的镀铝膜层中铝膜表面由划痕形成的图案。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
实施例1
通过如下步骤制备镭射制卡基片1：
步骤(1)，在镀铝膜含铝膜的一面涂覆一层厚度为30μm的粘接胶，待粘接胶干燥后，将镀铝膜中含有粘接胶的一面与厚度为0.5mm的基材层003压合，切割得到预处理基片；
步骤(2)，对步骤(1)中得到的预处理基片中的镀铝膜层表面进行激光刻蚀处理，在铝膜表面形成连续的划痕，划痕的宽度为0.05mm，深度为55nm，该划痕将镀铝膜的铝膜分割为互不相连的20块边长为1mm的正方形区域，得到所述镭射制卡基片。
其中，步骤(1)中所述的镀铝膜为表面镀有铝膜的PET膜，PET膜的厚度为0.08mm，铝膜的厚度为35nm。
步骤(1)中所述的基材层003通过将PVC树脂片的上下表面各自辊涂一层水性环氧树脂粘结剂，之后干燥、切割得到。
步骤(1)中所述的镀铝膜表面具有镭射效果。
实施例1得到的镭射制卡基片1的结构示意图如图1所示，由依次叠合的镀铝膜层001、粘接胶层002和基材层003组成。
划痕使得实施例1得到的镭射制卡基片1的镀铝膜层中的铝膜表面具有如图2所示的图案。
实施例2
通过如下步骤制备镭射制卡基片2：
与实施例1的区别仅在于，划痕将镀铝膜的铝膜分割为互不相连的12块边长为1.29mm的正方形区域。
划痕使得实施例2得到的镭射制卡基片2的镀铝膜层中的铝膜表面具有如图3所示的图案。
实施例3
通过如下步骤制备镭射制卡基片3：
与实施例1的区别仅在于，划痕将镀铝膜的铝膜分割为互不相连的8块边长分别为2mm、2.5mm和3.2mm的直角三角形区域。
划痕使得实施例3得到的镭射制卡基片3的镀铝膜层中的铝膜表面具有如图4所示的图案。
实施例4
通过如下步骤制备镭射制卡基片4：
与实施例1的区别仅在于，划痕将镀铝膜的铝膜分割为互不相连的4块宽1mm、长5mm的矩形区域。
划痕使得实施例4得到的镭射制卡基片4的镀铝膜层中的铝膜表面具有如图5所示的图案。
实施例5
通过如下步骤制备镭射制卡基片5：
与实施例1的区别仅在于，划痕将镀铝膜的铝膜分割为互不相连的8块宽0.5mm、长5mm的矩形区域。
划痕使得实施例5得到的镭射制卡基片5的镀铝膜层中的铝膜表面具有如图6所示的图案。
实施例6
通过如下步骤制备镭射制卡基片6：
与实施例1的区别仅在于，划痕将镀铝膜的铝膜分割为互不相连的2块区域，一块区域为椭圆形，位于镀铝膜的铝膜中央，另一块区域环绕该椭圆形设置，二者的面积比为10:1。
划痕使得实施例6得到的镭射制卡基片6的镀铝膜层中的铝膜表面具有如图7所示的图案。
实施例7
通过如下步骤制备镭射制卡基片7：
与实施例1的区别仅在于，划痕将镀铝膜的铝膜分割为互不相连的2块梯形区域，两块区域的面积比为20:1。
划痕使得实施例7得到的镭射制卡基片7的镀铝膜层中的铝膜表面具有如图8所示的图案。
实施例8
通过如下步骤制备镭射制卡基片8：
与实施例1的区别仅在于，划痕将镀铝膜的铝膜分割为互不相连的一块梯形区域和一块三角形区域，两块区域的面积比为100:1。
划痕使得实施例8得到的镭射制卡基片8的镀铝膜层中的铝膜表面具有如图9所示的图案。
实施例9
通过如下步骤制备镭射制卡基片9：
与实施例1的区别仅在于，步骤(2)中划痕的深度为100nm，且步骤(1)中所述的镀铝膜为表面镀有铝膜的PET膜，PET膜的厚度为0.01mm，铝膜的厚度为50nm。
实施例10
通过如下步骤制备镭射制卡基片10：
步骤(a)，在镀铝膜含铝膜的一面进行机械切割处理，在铝膜表面形成连续的划痕，划痕的宽度为1mm，深度为1μm，该划痕将镀铝膜的铝膜分割为互不相连的20块边长为1mm的正方形区域，得到表面含有划痕的镀铝膜；
步骤(b)，在步骤(a)中得到的表面含有划痕的镀铝膜中的铝膜表面涂覆一层厚度为30μm的粘接胶，待粘接胶干燥后，将镀铝膜中含有粘接胶的一面与厚度为0.5mm的基材层003基材层压合，得到所述镭射制卡基片10。
其中，步骤(a)中所述的镀铝膜为表面镀有铝膜的PET膜，PET膜的厚度为0.3mm，铝膜的厚度为35nm。
步骤(b)中所述的基材层003通过将PVC树脂片的上下表面各自辊涂一层水性环氧树脂粘结剂，之后干燥、切割得到。
步骤(a)中所述的镀铝膜表面具有镭射效果。
对照例1
通过如下步骤制备镭射制卡基片11：
将镀铝膜中的铝膜表面涂覆一层厚度为30μm的粘接胶，待粘接胶干燥后，将镀铝膜中含有粘接胶的一面与厚度为0.5mm的基材层压合，得到所述镭射制卡基片11。
其中，所述镀铝膜为表面镀有铝膜的PET膜，PET膜的厚度为0.08mm，铝膜的厚度为35nm，所述基材层通过将PVC树脂片的上下表面各自辊涂一层水性环氧树脂粘结剂，之后干燥、切割得到。
对照例2
通过如下步骤制备镭射制卡基片12：
在厚度为0.08mm的PET膜表面涂覆一层厚度为30μm的粘接胶，待粘接胶干燥后，将镀铝膜中含有粘接胶的一面与厚度为0.5mm的基材层压合，得到所述镭射制卡基片12。
所述基材层通过将PVC树脂片的上下表面各自辊涂一层水性环氧树脂粘结剂，之后干燥、切割得到。
将三创公司生产的Inlay型IC芯片及其配套的射频通讯电路分别固定在上述实施例和对照例中得到的镭射制卡基片1～12的基材层中，得到非接触式IC卡1～12。
将三创公司生产的Inlay型IC芯片及其配套的射频通讯电路分别固定在上述实施例和对照例中得到的镭射制卡基片1～12的基材层中，之后将分别将固定有IC芯片的镭射制卡基片1～12的基材层与同种镭射制卡基片的基材层贴合，得到非接触式IC卡13～24。
通过肉眼观察得到的非接触式IC卡表面的镭射效果和光泽度，发现得到的非接触式IC卡1～24具有近似的光泽度，且表面的镭射效果均未被破坏。
分别测试得到的非接触式IC卡1～24的读写距离，使用的读写器的测试频率为13.56MHz，将结果列于表1。
表1 非接触式IC卡1～24的读写距离
非接触式IC卡 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
读写距离(mm) 43 43 43 41 40 40 40 38 43 42 34 45
非接触式IC卡 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
读写距离(mm) 36 35 35 33 31 32 29 24 36 35 20 38
从表1中可以看出，通过在镭射制卡基片的镀铝膜层表面简单的添加一道划痕，使得镀铝膜层中的铝膜被划分为两块不相连的区域，即可在一定程度上增大得到的非接触式IC卡的读写距离，而且，划痕的宽度和深度对于提高读写距离的效果影响较小，当划痕将铝膜分为较多块区域时，得到的非接触式IC卡具有更长的读写距离，但任意两块区域的面积之比最好控制在适当的范围内，过高的面积比会减弱划痕对于提高读写距离的技术效果。
综上所述，本发明通过简单的将普通制卡基片表面的镀铝膜层中的铝膜表面添加至少一条连续的划痕，将其中的铝膜分割为互不相连的至少两块区域，能够使得由该制卡基片制得的非接触式IC卡(或电子标签)具有更长的读写距离，同时不损害镭射镀铝膜的外观效果。
申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种制卡基片，其特征在于，所述制卡基片包括依次叠合的镀铝膜层(001)、粘接胶层(002)和基材层(003)；
所述镀铝膜层(001)的铝膜表面存在至少一条连续的划痕；
所述划痕的深度大于镀铝膜层(001)中铝膜的厚度，划痕和镀铝膜层(001)边缘将镀铝膜层(001)中的铝膜分割为互不相连的至少2块区域。
2.根据权利要求1所述的制卡基片，其特征在于，所述镀铝膜层(001)中的任意两块铝膜区域之间的面积之比为0.01～100:1，优选为0.1～10:1；
优选地，所述划痕和镀铝膜层(001)边缘将镀铝膜层(001)中的铝膜分割为互不相连的6～20块区域；
优选地，所述划痕和镀铝膜层(001)边缘将镀铝膜层(001)中的铝膜分割为互不相连的6～20块三角形、四边形或五边形区域；
优选地，所述划痕和镀铝膜层(001)边缘将镀铝膜层(001)中的铝膜分割为互不相连的6～20块三角形、矩形、正方形或菱形区域；
优选地，所述三角形、矩形、正方形或菱形区域的最小边的边长≥1mm。
3.根据权利要求1或2所述的制卡基片，其特征在于，所述划痕的宽度为0.001～10mm，优选为0.01～1mm；
优选地，所述划痕的深度为镀铝膜层(001)中铝膜厚度的101～4000％，进一步优选为101～200％；
优选地，所述镀铝膜层(001)表面的划痕通过对镀铝膜层(001)进行激光刻蚀、化学刻蚀或机械切割得到。
4.根据权利要求1～3之一所述的制卡基片，其特征在于，所述镀铝膜层(001)包括单面镀有铝膜的聚合物膜；
优选地，所述聚合物膜的厚度为0.005～1mm，进一步优选为0.01～0.08mm；
优选地，所述聚合物膜为PET膜；
优选地，所述镀铝膜层(001)中铝膜的厚度为10～50nm；
优选地，所述粘接胶层(002)的厚度为1～50μm；
优选地，所述基材层(003)的厚度为0.1～0.5mm；
优选地，所述基材层(003)包括基材以及包覆于基材上下表面的背胶；
优选地，所述基材为PVC、ABS、PC、PET、PETG或PS树脂中的任意一种或至少两种的混合物；
优选地，所述背胶为水性聚氨酯粘结剂、水性环氧粘结剂、水性聚丙烯酸酯粘结剂或水性双马来酰亚胺粘结剂中的任意一种或至少两种的混合物。
5.一种如权利要求1～4之一所述的制卡基片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
步骤(1)，在镀铝膜含铝膜的一面涂覆粘接胶，待粘接胶干燥后，将镀铝膜中含有粘接胶的一面与基材层(003)压合，切割得到预处理基片；
步骤(2)，对步骤(1)中得到的预处理基片中的镀铝膜层(001)表面进行激光刻蚀处理，在铝膜表面形成连续的划痕，得到所述制卡基片。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的基材层(003)通过将基材的上下表面各自辊涂背胶，之后干燥、切割得到；
优选地，步骤(1)中所述的镀铝膜表面具有镭射效果。
7.一种如权利要求1～4之一所述的制卡基片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
步骤(a)，在镀铝膜含铝膜的一面进行激光雕刻、化学蚀刻或机械切割处理，在铝膜表面形成连续的划痕，得到表面含有划痕的镀铝膜；
步骤(b)，在步骤(a)中得到的表面含有划痕的镀铝膜中的铝膜表面涂覆粘接胶，待粘接胶干燥后，将镀铝膜中含有粘接胶的一面与基材层(003)压合，得到所述制卡基片。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤(a)中所述的基材层(003)通过将基材的上下表面各自辊涂背胶，之后干燥、切割得到；
优选地，步骤(a)中所述的镀铝膜表面具有镭射效果。
9.一种IC卡或电子标签，其特征在于，所述IC卡或电子标签包括一片如权利要求1～4之一所述的制卡基片以及固定在所述制卡基片的基材层(003)中的IC芯片和射频通讯电路。
10.一种IC卡或电子标签，其特征在于，所述IC卡或电子标签包括两片基材层(003)相互贴合的如权利要求1～4之一所述的制卡基片，以及固定在任意一片所述制卡基片的基材层(003)中的IC芯片和射频通讯电路。
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