CN109657384B - 一种tft模型参数的提取方法 - Google Patents
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Abstract
一种TFT模型参数的提取方法,包括:接收并处理测量数据,生成提取电路;选择TFT模型种类,将输入的电流数据划分为多个电流区域,并得到各电流区域的电流区域模型方程;预定义所述测量数据和所述TFT模型的误差计算方案;基于所述电流区域模型方程和电流数据分布计算模型参数的初始值;进行模型的参数优化,计算误差数据和所述模型结果之间的关系;进行错误检查。本发明的TFT模型参数的提取方法,可以准确有效地对平板设计进行电路仿真,并验证其设计。
Description
技术领域
本发明涉及平板设计技术领域,特别是涉及一种TFT模型参数的提取方法。
背景技术
目前, 传统的 RPI TFT 模型利用器件端点的电压进行电流及电容计算,主要用于描述大尺寸TFT,已经提出并延续使用了 30多年, 期间其模型并没有任何进一步的改进与创新。面对当今TFT 器件,尽管传统RPI TFT模型仍然在用,但其已经不能对许多高阶的电流行为正确建模。
如今, 随着平板显示器设计越来越复杂, 对功耗边缘设计的要求也越来越高,当前许多TFT器件进行了技术上的创新,传统的RPI TFT模型已完全不能满足设计人员进行准确有效仿真验证及设计的需求。
发明内容
为了解决现有技术存在的不足,本发明的目的在于提供一种TFT模型参数的提取方法,基于传统RPI TFT模型,提供大多数特殊电流行为,可以准确有效地对平板设计进行电路仿真,验证其设计。
为实现上述目的,本发明提供的TFT模型参数的提取方法,包括:
1)接收并处理测量数据,生成提取电路;
2)选择TFT模型种类,将输入的电流数据划分为多个电流区域,并得到各电流区域的电流区域模型方程;
3)预定义所述测量数据和所述TFT模型的误差计算方案;
4)基于所述电流区域模型方程和电流数据分布计算模型参数的初始值;
5)进行模型的参数优化,计算误差数据和所述模型结果之间的关系;
6)进行错误检查。
进一步地,步骤1)所述的生成提取电路,是根据TFT的器件尺寸参数、工艺参数、介电常数及数据量测温度,自动生成提取工具可以读取并操作的提取电路。
进一步地,步骤2)所述的输入的电流数据划分为多个电流区域,是根据输入的电流数据和器件电流特性,将输入电流数据划分为多个电流区域。
进一步地,步骤3)所述误差计算方案,包括,线性均方根计算,线性平均误差,线性最大误差,对数均方根计算,对数平均误差,对数最大误差。
进一步地,所述步骤3)进一步包括:根据各电流区域的电流分布和当前趋势,计算各区域电流所涉及的初始模型参数。
更进一步地,所述步骤6)进一步包括:
重新计算电流及电容并与原始数据进行误差计算;
并对模型参数优化前后的误差进行比较。
为实现上述目的,本发明还提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机指令,所述计算机指令运行时执行如上文所述的TFT模型参数的提取方法得步骤。
为实现上述目的,本发明还提供一种终端设备,包括存储器和处理器,所述存储器上储存有在所述处理器上运行的计算机指令,所述处理器运行所述计算机指令时执行上述的TFT模型参数的提取方法的步骤。
本发明的TFT模型参数的提取方法,具有以下有益效果:
1)提供了传统RPI TFT模型中未包含到的大多数特殊电流行为。通过优化的模型提取流程,可以准确提取用于模拟新的创新电流行为的新增模型参数。
2)利用本创新型 TFT 先进模型所采用提取的模型参数集,设计人员可以准确有效地对其平板设计进行电路仿真,验证其设计,并且能够基于当今先进的TFT技术对其设计进行进一步分析。
3)提高平板设计中使用的TFT器件的模型精度,以帮助用户缩小当今TFT技术与设计工具之间的差距。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,并与本发明的实施例一起,用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为根据本发明的TFT模型及模型提取方法流程图;
图2为根据本发明的先进模型ID-VG电流特性;
图3为传统RPI模型ID-VG电流特性;
图4为根据本发明的创新模型提取流程数据划分功能显示;
图5为根据本发明的创新提取流程的误差计算菜单;
图6为根据本发明的模型参数定义表。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。
图1为根据本发明的TFT模型及模型提取方法流程图,如图1所示,本发明的TFT模型及模型提取方法包括:
首先,在步骤101,接收输入的测量数据并进行处理,生成提取电路。该步骤中,打开提取工具,读入“测量数据”,处理接收的电流和电容测量数据,根据相关的TFT参数:器件尺寸参数W、L、工艺参数Tox、介电常数EPSI及数据量测温度,生成提取工具可以读取并操作的提取电路。
在步骤102,选择TFT模型种类,根据所述测量数据中的电流数据和器件电流特性,将输入的电流数据划分为多个电流区域,并得到各电流区域的模型方程。该步骤中,根据器件的物理特性, 电流可根据其外部偏置电压分为几部分电流区域 (泄漏电流、亚阈区...)。该步骤中,根据广为运用于电子、半导体器件物理教科书中对于电流操作区间划分的解释说明,自动将电流划分为几个电流区域。
在步骤103,预定义测量数据和模型的误差计算方案,误差计算方案包括线性均方根计算,线性平均误差,线性最大误差,对数均方根计算,对数平均误差,对数最大误差。
在步骤104,基于模型方程和电流数据分布计算模型参数的初始值。该步骤中,基于步骤103划分的电流区域定义,可以在电流模型方程中找到对应的电流区域模型方程。根据各电流区域的电流分布和当前趋势,该工具将自动计算该区域电流所涉及的初始模型参数。通过这种自动初始模型计算, 可以缩短模型优化过程, 快速获得准确提取结果。
在步骤105,启动所述模型的参数优化,计算误差数据和所述模型结果之间的关系。在优化过程中, 所选择的模型参数和测量数据将作为输入加载到优化数值包中。优化数值包将自动进行优化并返回优化结果。
在步骤106,利用步骤105得到的模型参数重新计算电流及电容并和原始数据进行误差计算,并对模型参数优化前后的误差进行比较,当所述错误有变化则返回步骤105,否则结束流程。
优选地,所述错误误差降低,保持优化趋势,返回所述步骤105;所述错误误差增加,更改优化趋势,返回所述步骤105。该步骤中,进行错误检查,当错误变得更小,说明模型模型参数优化方向正确,保持优化趋势,返回步骤105继续进行优化。当错误变得更糟,说明模型参数优化方向不正确,更改优化趋势,返回步骤105继续进行优化。直至错误无变化,结束优化流程。
优选地,所述步骤105进一步包括,根据电流的区域划分,自动选择误差计算方法;根据权重、所述误差计算方法和所述区域划分,计算每个数据点的误差;根据所述数据点的数值方法和所述误差,计算各部分电流区域误差;根据所述各部分电流区域误差计算所述电流数据曲线的总误差。
优选地,根据所述模型参数的定义及用法,将所述模型参数划分为不同颜色区域。该步骤中,图6为根据本发明的模型参数定义表,如图6所示,根据模型参数的定义及其用法, 将模型参数划分为几个不同颜色的部分, 方便用户对其进行管理。
在本申请中,针对不同区域,模型参数设置有多种颜色, 可帮助用户轻松理解参数的含义及其主要影响的区域。采用灵活的误差计算方法, 加速了模型参数优化过程, 提高了提取数据精度。自动电流区域划分,根据物理性质分别计算可以帮助工具进行初始模型参数计算, 加快模型提取, 提高精度。
本申请对传统 RPI TFT模型的改进,包括:(1)增强漏电电流效应(front和 backchannel漏电电流的准确性)(2)增强亚阈区摆幅效应 (考虑VD的二次效应对DIBL)(3)增强温度效应 (考虑温度的非线性效应)(4)增强模型连续性。
在这些新的增强模型方程的基础上,建立了新的模型参数提取方案。包括:提供了两种数据输入的方法,使用工具提供的输入数据模板加载测量数据,直接从我们的GUI界面加载测量数据,有了这个GUI接口,用户可以轻松地处理和进一步修改数据。自动生成提取电路,该工具将根据新导出的模型方程,自动将测量数据划分为多个部分,根据模型方程,工具将自动选取适当的数据部分,生成初始模型参数值,以提高提取效率。
这样,本申请的创新的TFT模型具有以下优点:
1. 新添加的模型效果可用于解释当今先进技术的TFT器件的大量测量数据中观察到的先进电流行为。大多数新观测到的器件电流行为,传统RPI TFT模型无法正确解释。
2. 新建立的模型方程可以帮助用户了解先进器件的电流行为,缩短实际器件与仿真模型之间的差距。
改进后的TFT模型参数提取流程具有以下优点:
1. 提取工具的设计目的是提供一个用户友好的GUI界面,帮助用户轻松地处理整个模型的提取。
2. 在提取过程中,该工具可以根据当前数据及其物理意义,自动筛选输入测量数据,并将数据划分为多个数据区域。这种自动化可以降低提取的复杂性。
3. 在提取主窗口中,模型方程中使用的模型参数分为多个部分,并以各种颜色表示,以帮助用户在提取过程中轻松进行检查。
4. 此提取工具提供了许多有用的选项来帮助用户验证提取结果。它可以自动生成各种验证仿真电路的模拟器,来运行该仿真电路并生成仿真结果。仿真结果可以重新加载到我们的提取工具中,对测量数据、提取结果和仿真结果进行最终模型验证验证。
5. 在提取过程中,只要修改了任何模型参数,提取结果就会自动更新。这将帮助用户了解模型参数优化趋势。
图2为根据本发明的先进模型ID-VG电流特性,图3为传统RPI模型ID-VG电流特性,如图2和图3所示,可以看出新设计的增强型亚阈区摆幅模型和DIBL模型,可以准确地仿真器件的电流行为。这种准确的模型可以提供合理的亚阈值电流特性,帮助使用者决定如何设计平板电路,以避免不必要的电流,从而减小那些用传统模型所不可预知的功耗。同时,新设计的漏电电流模型可以说明用户更好地分析功耗。在传统 RPI TFT 模型的基础上进行上述模型的适当增强,新的创新模型不仅与传统的 RPI TFT 模型兼容,而且提供了更合理的新器件技术的模型信息。
图4为根据本发明的创新模型提取流程数据划分功能显示,如图4所示,在新的创新模型提取流程中,根据器件物理性质和众所周知的电流定义,自动将输入测量数据划分为多个部分。通过该创新模型提取流程,在模型参数提取过程中,可以根据各部分区域模型与数据之间的精度,轻松完成提取优化过程。
图5为根据本发明的创新提取流程的误差计算菜单,如图5所示,创新的提取流程提供了灵活的误差计算和检查方案。通过这种创新而灵活的误差计算,用户可以在这种创新误差计算系统的基础上,决定以何种方式计算测量数据与模型计算结果之间的误差,以加快优化过程,增加提取值精度。
为实现上述目的,本发明还提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机指令,其特征在于,所述计算机指令运行时执行如上文所述的TFT模型及模型提取方法步骤。
为实现上述目的,本发明还提供一种终端设备,包括存储器和处理器,所述存储器上储存有在所述处理器上运行的计算机指令,所述处理器运行所述计算机指令时执行如上文所述的TFT模型及模型提取方法步骤。
本领域普通技术人员可以理解:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种TFT模型参数的提取方法,其特征在于,包括:
1)接收并处理测量数据,生成提取电路;
2)选择TFT模型种类,将输入的电流数据划分为多个电流区域,并得到各电流区域的电流区域模型方程;
3)预定义所述测量数据和所述TFT模型的误差计算方案;
4)基于所述电流区域模型方程和电流数据分布计算模型参数的初始值;
5)进行模型的参数优化,计算误差数据和模型结果之间的关系;
6)进行错误检查,
步骤2)所述的输入的电流数据划分为多个电流区域,是根据输入的电流数据和器件电流特性,将输入电流数据划分为多个电流区域,电流区域包括:泄漏电流、亚阈区。
2.根据权利要求1所述的TFT模型参数的提取方法,其特征在于,步骤1)所述的生成提取电路,是根据TFT的器件尺寸参数、工艺参数、介电常数及数据量测温度,自动生成提取工具可以读取并操作的提取电路。
3.根据权利要求1所述的TFT模型参数的提取方法,其特征在于,步骤3)所述误差计算方案,包括,线性均方根计算,线性平均误差,线性最大误差,对数均方根计算,对数平均误差,对数最大误差。
4.根据权利要求1所述的TFT模型参数的提取方法,其特征在于,所述步骤3)进一步包括:根据各电流区域的电流分布和当前趋势,计算各区域电流所涉及的初始模型参数。
5.根据权利要求1所述的TFT模型参数的提取方法,其特征在于,所述步骤6)进一步包括:
重新计算电流及电容并与原始数据进行误差计算;
并对模型参数优化前后的误差进行比较。
6.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机指令,其特征在于,所述计算机指令运行时执行权利要求1至5任一项所述的TFT模型参数的提取方法的步骤。
7.一种终端设备,其特征在于,包括存储器和处理器,所述存储器上储存有在所述处理器上运行的计算机指令,所述处理器运行所述计算机指令时执行权利要求1至5任一项所述的TFT模型参数的提取方法的步骤。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101236572A (zh) * | 2007-01-30 | 2008-08-06 | 北京大学 | 一种半导体器件模型自适应参数提取方法 |
CN101853322A (zh) * | 2010-06-08 | 2010-10-06 | 北京华大九天软件有限公司 | 电路仿真中模型计算的检查方法 |
CN102375895A (zh) * | 2010-08-09 | 2012-03-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种自动构建器件模型参数优化提取过程的方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8271256B2 (en) * | 2009-08-13 | 2012-09-18 | Oracle America, Inc. | Physics-based MOSFET model for variational modeling |
-
2018
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101236572A (zh) * | 2007-01-30 | 2008-08-06 | 北京大学 | 一种半导体器件模型自适应参数提取方法 |
CN101853322A (zh) * | 2010-06-08 | 2010-10-06 | 北京华大九天软件有限公司 | 电路仿真中模型计算的检查方法 |
CN102375895A (zh) * | 2010-08-09 | 2012-03-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种自动构建器件模型参数优化提取过程的方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
基于器件仿真的参数提取方法研究;方勇等;《现代电子技术》;20100415(第08期);全文 * |
多晶硅薄膜晶体管RPI模型的直流参数提取;邓婉玲;《半导体技术》;20110303(第03期);全文 * |
Also Published As
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