CN109656845A - 带数据调试功能的ecc存储控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于数字芯片开发技术领域,具体涉及一种带数据调试功能的ECC存储控制方法。所述方法基于ECC存储控制系统来实施,所述ECC存储控制系统包括:EMIF接口处理模块、RAM_I模块、ECC编码模块、Flash Control模块、ECC解码模块、FIFO_O模块;与现有技术相比较,本发明在传统的ECC存储控制器实现方法的基础上,改进了数据接收接口的接收缓存设计,使用双口ram替代原来的FIFO作为数据缓存,双口ram能够提供数据的单路输入,双路输出功能,这样DSP可以通过ram的其中一路数据输出接口读取双口ram的数据,完成开发阶段的数据通道调试功能。
Description
技术领域
本发明属于数字芯片开发技术领域,具体涉及一种带数据调试功能的ECC存储控制方法。
背景技术
DSP可以用来快速的实现各种数字信号处理算法。在当今的数字化时代背景下,DSP已成为通信、计算机、消费类电子产品等领域的基础器件。而在DSP应用时,避免不了处理大量的数据,这样就需要大容量的数据存储器。目前的数据存储器通常采用NAND Flash闪存存储器,而NAND Flash存在产生缺陷的可能,所以普遍采用ECC纠错算法模块完成数据检错与纠错处理。
在DSP系统使用ECC存储控制器做数据存储时,开发调试阶段往往需要确定数据存储路径上传输的数据与DSP发送的原始数据一致性。ECC存储控制器接收数据的接口数据是关键数据之一,传统的ECC存储控制器在数据接收接口处一般都使用FIFO模块来缓存数据,如图1所示,为传统ECC存储控制器的实现方法。该传统方法的实现过程如下:(以下包含了数据编码流程和解码流程)
1.通过EMIF接口处理模块接收DSP发送的数据,发送给FIFO_I模块;
2.FIFO_I模块接收EMIF接口处理模块的数据,进行缓存,存储到一个页(页大小根据Nand Flash具体器件定义)大小数据时,将数据发送给ECC编码模块;
3.ECC编码模块接收FIFO_I发送的数据,进行ECC编码,将编码后的数据发送给Flash Control模块;
4.Flash Control模块接收ECC编码模块发送的数据,转换成Nand Flash闪存接口协议数据发送给NandFlash模块。
5.Flash Control模块读取Nand FLash闪存模块数据,将数据发送给ECC解码模块;
6.ECC解码模块接收Flash Control模块发送的数据并对其进行解码,将解码后的数据发送给FIFO_O模块;
7.FIFO_O模块缓存ECC解码模块发送的数据,存储到一个页(页大小根据NandFlash具体器件定义)大小数据时,将数据发送给EMIF接口处理模块;
8.EMIF接口处理模块接收FIFO_O模块发送的数据,处理为EMIF接口协议数据发送给DSP。
由上述技术方案可以看出,由于FIFO模块是单路输入单路输出,DSP无法读取ECC存储控制器的接收接口处理后的数据,对于DSP使用ECC存储控制器的开发调试,会造成一定的影响。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是:如何提供一种带数据调试功能的ECC存储控制方案。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明提供一种带数据调试功能的ECC存储控制方法,所述方法基于ECC存储控制系统来实施,所述ECC存储控制系统包括:EMIF接口处理模块、RAM_I模块、ECC编码模块、Flash Control模块、ECC解码模块、FIFO_O模块;
所述方法包括如下步骤:
编码阶段为:
步骤1:通过EMIF接口处理模块接收DSP发送的数据,并转发给RAM_I模块;
步骤2:RAM_I模块接收EMIF接口处理模块的数据,进行缓存,存储到一个页大小数据后:
步骤21:将数据发送给ECC编码模块;
步骤22:响应EMIF接口处理模块的读取命令,将数据发送给EMIF接口处理模块,然后EMIF接口处理模块将数据发送给DSP;
步骤3:ECC编码模块接收RAM_I发送的数据,进行ECC编码,将编码后的数据发送给Flash Control模块;
步骤4:Flash Control模块接收ECC编码模块发送的数据,转换成Nand Flash闪存接口协议数据发送给Nand Flash闪存模块;
解码阶段为:
步骤5:Flash Control模块读取Nand FLash闪存模块的数据,将数据发送给ECC解码模块;
步骤6:ECC解码模块接收Flash Control模块发送的数据进行解码,将解码后的数据发送给FIFO_O模块;
步骤7:FIFO_O模块缓存ECC解码模块发送的数据,存储到一个页大小数据时,将数据发送给EMIF接口处理模块;
步骤8:EMIF接口处理模块接收FIFO_O模块发送的数据,处理为EMIF接口协议数据发送给DSP。
其中,所述步骤2中,一个页大小根据NandFlash具体器件定义。
其中,所述步骤7中,一个页大小根据NandFlash具体器件定义。
其中,所述RAM_I模块为双口RAM模块。
其中,由步骤2可以看到,EMIF接口处理模块后的缓存RAM_I模块的读取数据接口,实现了EMIF接口处理模块后的数据读取通道,达到DSP调试阶段对该位置数据的读取功能。
(三)有益效果
与现有技术相比较,本发明在传统的ECC存储控制器实现方法的基础上,改进了数据接收接口的接收缓存设计,使用双口ram替代原来的FIFO作为数据缓存,双口ram能够提供数据的单路输入,双路输出功能,这样DSP可以通过ram的其中一路数据输出接口读取双口ram的数据,完成开发阶段的数据通道调试功能。
附图说明
图1为传统ECC存储控制方案示意图。
图2为本发明ECC存储控制方案示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、内容、和优点更加清楚,下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。
为解决现有技术问题,本发明提供一种带数据调试功能的ECC存储控制方法,如图2所示,所述方法(包含数据编码流程和解码流程)基于ECC存储控制系统来实施,所述ECC存储控制系统包括:EMIF接口处理模块、RAM_I模块、ECC编码模块、Flash Control模块、ECC解码模块、FIFO_O模块;
所述方法包括如下步骤:
编码阶段为:
步骤1:通过EMIF接口处理模块接收DSP发送的数据,并转发给RAM_I模块;
步骤2:RAM_I模块接收EMIF接口处理模块的数据,进行缓存,存储到一个页大小数据后:
步骤21:将数据发送给ECC编码模块;
步骤22:响应EMIF接口处理模块的读取命令,将数据发送给EMIF接口处理模块,然后EMIF接口处理模块将数据发送给DSP;
步骤3:ECC编码模块接收RAM_I发送的数据,进行ECC编码,将编码后的数据发送给Flash Control模块;
步骤4:Flash Control模块接收ECC编码模块发送的数据,转换成Nand Flash闪存接口协议数据发送给Nand Flash闪存模块;
解码阶段为:
步骤5:Flash Control模块读取Nand FLash闪存模块的数据,将数据发送给ECC解码模块;
步骤6:ECC解码模块接收Flash Control模块发送的数据进行解码,将解码后的数据发送给FIFO_O模块;
步骤7:FIFO_O模块缓存ECC解码模块发送的数据,存储到一个页大小数据时,将数据发送给EMIF接口处理模块;
步骤8:EMIF接口处理模块接收FIFO_O模块发送的数据,处理为EMIF接口协议数据发送给DSP。
其中,所述步骤2中,一个页大小根据NandFlash具体器件定义。
其中,所述步骤7中,一个页大小根据NandFlash具体器件定义。
其中,所述RAM_I模块为双口RAM模块。
其中,由步骤2可以看到,相比于传统方法,增加了EMIF接口处理模块后的缓存RAM_I模块的读取数据接口,实现了EMIF接口处理模块后的数据读取通道,达到DSP调试阶段对该位置数据的读取功能。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种带数据调试功能的ECC存储控制方法,其特征在于,所述方法基于ECC存储控制系统来实施,所述ECC存储控制系统包括:EMIF接口处理模块、RAM_I模块、ECC编码模块、Flash Control模块、ECC解码模块、FIFO_O模块;
所述方法包括如下步骤:
编码阶段为:
步骤1:通过EMIF接口处理模块接收DSP发送的数据,并转发给RAM_I模块;
步骤2:RAM_I模块接收EMIF接口处理模块的数据,进行缓存,存储到一个页大小数据后:
步骤21:将数据发送给ECC编码模块;
步骤22:响应EMIF接口处理模块的读取命令,将数据发送给EMIF接口处理模块,然后EMIF接口处理模块将数据发送给DSP;
步骤3:ECC编码模块接收RAM_I发送的数据,进行ECC编码,将编码后的数据发送给Flash Control模块;
步骤4:Flash Control模块接收ECC编码模块发送的数据,转换成Nand Flash闪存接口协议数据发送给Nand Flash闪存模块;
解码阶段为:
步骤5:Flash Control模块读取Nand FLash闪存模块的数据,将数据发送给ECC解码模块;
步骤6:ECC解码模块接收Flash Control模块发送的数据进行解码,将解码后的数据发送给FIFO_O模块;
步骤7:FIFO_O模块缓存ECC解码模块发送的数据,存储到一个页大小数据时,将数据发送给EMIF接口处理模块;
步骤8:EMIF接口处理模块接收FIFO_O模块发送的数据,处理为EMIF接口协议数据发送给DSP。
2.如权利要求1所述的带数据调试功能的ECC存储控制方法,其特征在于,所述步骤2中,一个页大小根据NandFlash具体器件定义。
3.如权利要求1所述的带数据调试功能的ECC存储控制方法,其特征在于,所述步骤7中,一个页大小根据NandFlash具体器件定义。
4.如权利要求1所述的带数据调试功能的ECC存储控制方法,其特征在于,所述RAM_I模块为双口RAM模块。
5.如权利要求1所述的带数据调试功能的ECC存储控制方法,其特征在于,由步骤2可以看到,EMIF接口处理模块后的缓存RAM_I模块的读取数据接口,实现了EMIF接口处理模块后的数据读取通道,达到DSP调试阶段对该位置数据的读取功能。
Priority Applications (1)
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