CN109654385A - 一种发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及光学技术领域，公开了一种发光装置，包括：光源、波长转换元件和光导，所述波长转换元件位于所述光源和所述光导之间；所述光源发出的激发光照射至所述波长转换元件，所述波长转换元件吸收至少部分所述激发光而将其转换为受激光；所述受激光和未转换的激发光输出至所述光导的光入射面，通过所述光入射面进入所述光导内部，并通过全内反射作用经所述光导的光出射面输出；所述光导的光入射面的面积大于所述光导的光出射面的面积，通过将波长转换元件和光导分开设置，光导只起到光聚集及匀光作用，避免了光导作为波长转换元件产生的热量对发光装置性能的影响；不用考虑波长转换的作用，使得光导的选择性更大，具有通用性，易于实现低成本批量化生产。

Description

一种发光装置
技术领域
本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种发光装置。
背景技术
在聚光照明、投影等领域，如何得到高亮度的光源特别是白光光源一直是研究的重点，飞利浦开发的HLD(High Lumen Density，高流明密度)光源利用高度透明的发光材料将具有较短波长的光转换为较长波长的光，并将较长波长的光从小的表面提取，由此打破了光学扩展量守恒，实现了高亮度、小光学扩展量的光输出。
专利EP2947484公开了一种发光装置，该发光装置包括至少两个光源，一个波导和一个位于光出射表面的发光元件。波导用于将第一光源发出的第一波长分布的光转换为第三波长分布的光并导出，同时将第二光源发出的第二波长分布的光导光至光出射表面处的发光元件，发光元件将第二波长分布的光转换为第四波长分布的光并导出，由此，可以实现白光输出。
专利WO2014198619公开了一种高效白光输出的发光装置，该发光装置包括光源和两个光导，第一光导将光源发出的第一波长分布的光一部分导光至端面输出，另一部分耦合至第二光导，并被第二光导转换为第二波长分布的光输出，由此减少光损耗，实现高效白光输出。
现有技术中，光导同时起到聚光和波长转换两个作用，多个光导联合使用，实现白光输出。由于光导同时起到波长转换作用，波长转换过程中斯托克斯位移引起的热量聚集在光导内部，会影响了整个器件的光学性能，因而要求光导具有良好的热学性能。此外，实现不同颜色的光输出需要使用不同的光导，为减少光损失，通常要求光导是不含散射粒子、高度透明的高性能发光材料，因而光导制备流程复杂。
发明内容
本发明的主要目的在于提出一种发光装置，通过将波长转换元件和光导分开设置，光导只起到光聚集及匀光作用，避免了光导作为波长转换元件产生的热量对发光装置性能的影响；不用考虑波长转换的作用，使得光导的选择性更大，具有通用性，易于实现低成本批量化生产。
为实现上述目的，本发明提供的一种发光装置，包括：光源、波长转换元件和光导，所述波长转换元件位于所述光源和所述光导之间；
所述光源发出的激发光照射至所述波长转换元件，所述波长转换元件吸收至少部分所述激发光而将其转换为受激光；
所述受激光和未转换的激发光输出至所述光导的光入射面，通过所述光入射面进入所述光导内部，并通过全内反射作用经所述光导的光出射面输出；所述光导的光入射面的面积大于所述光导的光出射面的面积。
可选地，所述波长转换元件输出所述受激光和未转换的激发光的输出面与所述光导的光入射面相对设置，且所述输出面的面积与所述光入射面的面积相当，二者的大小误差在预设的第一面积阈值内。
可选地，所述波长转换元件为面板状元件，其包括所述输出面和处于所述输出面的背面的接收面；
所述光源发出的激发光照射至所述接收面。
可选的，所述激发光照射至所述接收面的光斑覆盖所述接收面的面积大于预设的第二面积阈值。
可选地，所述光源与所述波长转换元件非光学接触，且所述波长转换元件与所述光导非光学接触。
可选地，所述波长转换元件包括第一波长转换元件和第二波长转换元件，所述第一波长转换元件与所述第二波长转换元件非光学接触；
所述第一波长转换元件与所述光源非光学接触，所述第一波长转换元件包括第一光入射面和第一光出射面；
所述第二波长转换元件与所述光导非光学接触，所述第二波长转换元件包括第二光入射面和第二光出射面；
所述激发光通过所述第一光入射面进入所述第一波长转换元件，所述第一波长转换元件吸收至少部分所述激发光而将其转换为第一受激光；
所述第一受激光和未转换的激发光从所述第一光出射面出射、通过所述第二光入射面进入所述第二波长转换元件，所述第二波长转换元件吸收至少部分未转换的激发光和/或所述第一受激光而将其转换为第二受激光，未转换的激发光、未转换的第一受激光、和所述第二受激光从所述第二光出射面出射，通过所述光导的光入射面进入所述光导。
可选地，面对所述光导的除所述光入射面和光出射面之外的部分或全部表面，设置有反射层；所述反射层与其所面对的表面之间设置有空气隙；所述反射层为镜面反射层或漫反射层。
可选地，所述光导的与所述光入射面相对的第一表面处设置有漫反射层，所述漫反射层与所述第一表面之间设置有空气隙。
可选地，所述光导的与光出射面相对的第二表面处设置有镜面反射层，所述镜面反射层与所述第二表面之间设置有空气隙。
可选地，所述光源与所述波长转换元件之间、所述波长转换元件与所述光导的光入射面之间、所述光导的光出射面处的至少一处设置有光耦合元件，所设置的光耦合元件与其所邻近的光学元件光学连接，且所设置的光耦合元件的折射率比其所邻近的光学元件的折射率低。
可选地，所述光源与所述第一波长转换元件之间、所述第一波长转换元件与所述第二波长转换元件之间、所述第二波长转换元件与所述光导的光入射面之间、所述光导的光出射面处的至少一处设置有光耦合元件，所设置的光耦合元件与其所邻近的光学元件光学连接，且所设置的光耦合元件的折射率比其所邻近的光学元件的折射率低。
可选地，所述波长转换元件的除接收光的接收面和输出光的输出面之外的部分或全部表面上设置有反射层。
可选地，所述光源为面光源，所述光源包括衬底和设置于衬底上的多个发光芯片。
可选地，所述衬底的反射率大于90％，所述发光芯片为激光光源、LED光源或OLED光源。
可选地，所述光导为透明光导，所述光导的折射率大于1.2。
可选地，所述光导的表面粗糙度小于100nm。
可选地，所述光导的材料为YAG单晶、蓝宝石、YAG透明陶瓷、Al2O3透明陶瓷、硅胶或玻璃。
可选地，所述第二波长转换元件与所述光导之间的距离范围为100μm-1000μm。
可选地，部分或者全部所述反射层的背对所述光导的表面上紧邻设置有热沉。
本发明提出的一种发光装置，包括：光源、波长转换元件和光导，所述波长转换元件位于所述光源和所述光导之间；所述光源发出的激发光照射至所述波长转换元件，所述波长转换元件吸收至少部分所述激发光而将其转换为受激光；所述受激光和未转换的激发光输出至所述光导的光入射面，通过所述光入射面进入所述光导内部，并通过全内反射作用经所述光导的光出射面输出；所述光导的光入射面的面积大于所述光导的光出射面的面积，通过将波长转换元件和光导分开设置，光导只起到光聚集及匀光作用，避免了光导作为波长转换元件产生的热量对发光装置性能的影响；不用考虑波长转换的作用，使得光导的选择性更大，具有通用性，易于实现低成本批量化生产。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种发光装置的结构及光传输示意图；
图2为本发明实施例二提供的一种发光装置的结构及光传输示意图；
图3为本发明实施例三提供的一种发光装置的结构及光传输示意图；
图4为本发明实施例四提供的一种发光装置的结构及光传输示意图。
附图标记为：
1-光源，10-衬底，11-发光芯片；
2-波长转换元件，21-第一波长转换元件，22-第二波长转换元件，211-第一光入射面，212-第一光出射面，221-第二光入射面，222-第二光出射面；
3-光导，31-光入射面，32-第一表面，33-光出射面；
41-漫反射层，42-镜面反射层；
5-反射层；6-第一光耦合元件，7-第二光耦合元件，8-第三光耦合元件，9-第四光耦合元件。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图1所示，在一个实施例中，一种发光装置，包括：光源1、波长转换元件2和光导3，所述波长转换元件2位于所述光源1和所述光导3之间；
所述光源1发出的激发光照射至所述波长转换元件2，所述波长转换元件2吸收至少部分所述激发光而将其转换为受激光；
所述受激光和未转换的激发光输出至所述光导3的光入射面31，通过所述光入射面31进入所述光导3内部，并通过全内反射作用经所述光导3的光出射面33输出；所述光导3的光入射面31的面积大于所述光导3的光出射面33的面积。
在本实施例中，通过将波长转换元件2和光导3分开设置，光导3只起到光聚集及匀光作用，避免了光导3作为波长转换元件2产生的热量对发光装置性能的影响；不用考虑波长转换的作用，使得光导3的选择性更大，具有通用性，易于实现低成本批量化生产。
在一个实施例中，所述波长转换元件2输出所述受激光和未转换的激发光的输出面与所述光导3的光入射面31相对设置，且所述输出面的面积与所述光入射面31的面积相当，二者的大小误差在预设的第一面积阈值内。例如，输出面的面积与光入射面的面积的大小误差小于二者中任意一个的1％。
在一个实施例中，所述波长转换元件2为面板状元件，其包括所述输出面和处于所述输出面的背面的接收面；
所述光源1发出的激发光照射至所述接收面，且所述激发光照射至所述接收面的光斑覆盖所述接收面的面积大于预设的第二面积阈值，可以理解为，光斑基本覆盖所述接收面，未覆盖的面积在预设范围内。
在一个实施例中，所述光源1与所述波长转换元件2非光学接触，且所述波长转换元件2与所述光导3非光学接触。在一种实施方式中，本文所述的两个部件之间非光学接触，可以理解为该两个部件之间的距离大于在该两个部件之间传导的光的波长。在一种实施方式中，本文所述的两个部件之间非光学接触，可以理解为两个部件之间的距离大于可见光的波长。在一种实施方式中，本文所述的两个部件之间非光学接触，可以理解为两个部件之间的距离大于800nm。
在一个实施例中，所述波长转换元件2包括第一波长转换元件21和第二波长转换元件22，所述第一波长转换元件21与所述第二波长转换元件22非光学接触；
所述第一波长转换元件21与所述光源1非光学接触，所述第一波长转换元件21包括第一光入射面211和第一光出射面212；所述第一光入射面211即为上述的波长转换元件的接收面；
所述第二波长转换元件22与所述光导3非光学接触，所述第二波长转换元件22包括第二光入射面221和第二光出射面222；所述第二光出射面222即为上述的波长转换元件的输出面；
所述激发光通过所述第一光入射面211进入所述第一波长转换元件21，所述第一波长转换元件21吸收部分所述激发光而将其转换为第一受激光；
所述第一受激光和未转换的激发光从所述第一光出射面212出射、通过所述第二光入射面221进入所述第二波长转换元件22，所述第二波长转换元件22吸收至少部分未转换的激发光和/或所述第一受激光而将其转换为第二受激光，未转换的激发光、未转换的第一受激光、和所述第二受激光从所述第二光出射面222出射，并通过所述光导3的光入射面31进入所述光导3。
作为另一种实施例，所述波长转换元件2的数量可以为一个或大于等于三个，由用户或厂家根据需要自行设置。
在一个实施例中，激发光为图1中的L1，优选为波长范围为400-500nm的光，所述第一受激光为图1中的L2，L2的波长大于L1的波长，优选为460-560nm，比如可以为绿光，所述第二受激光为图3中的L3，L3的波长大于L2的波长，优选为500-660nm，比如可以为红光，L1、L2和L3的混合光经光入射面31进入光导3，在全内反射的作用下，被导光至光出射面33出射，得到高亮度的L1+L2+L3混合光。
在一个实施例中，改变波长转换元件2的组成材料中的参杂浓度、波长转换元件2的厚度等参数，可以调节L1+L2+L3混合光中L1、L2、L3的相对比例，实现高显色指数的白光输出。
在一个实施例中，所述波长转换元件2的组成材料可以为发光单晶或陶瓷，玻璃或硅胶等封装的无机荧光粉、有机荧光粉、有机荧光染料，发光量子点等。
在一个实施例中，所述光源1为面光源，所述光源1包括衬底10和设置于衬底10上的多个发光芯片11，所述衬底10为高反射率材料制成，所述衬底10的反射率大于90％，可同时起到热沉的作用，所述发光芯片11为激光光源、LED光源或OLED光源。
在一个实施例中，所述光导3为透明非波长转换光导3，由在可见光区域透明的材料制成，比如YAG单晶、蓝宝石、YAG透明陶瓷、Al2O3透明陶瓷、硅胶等有机聚合物、玻璃等，为增加入射光在光导3与周围介质的界面处的全反射，光导3优选使用高折射率材料制备，所述光导3的折射率大于1.2，优选为大于1.5，所述光导3的表面粗糙度小于100nm，优选的小于50nm。
在一个实施例中，所述第二波长转换元件22与所述光导3之间的距离范围为50μm-2000μm。优选的，所述第二波长转换元件22与所述光导3之间的距离范围为100μm-1000μm，距离太小不利于散热，距离太大则会增加发光装置的尺寸。
在一个实施例中，面对所述光导3的除所述光入射面31和光出射面33之外的部分或全部表面，设置有反射层5；所述反射层5与其所面对的表面之间设置有空气隙；所述反射层5为镜面反射层42或漫反射层41。
在一个实施例中，所述光导3是个六面体，除了光入射面31和光出射面33，其他4个表面都可以设置反射层5。
在一个实施例中，所述光导3的与所述光入射面31相对的第一表面32处设置有漫反射层41，所述漫反射层41与所述第一表面32之间设置有空气隙。
在一个实施例中，所述光导3的与光出射面33相对的第二表面处设置有镜面反射层42，所述镜面反射层42与所述第二表面之间设置有空气隙。
在一个实施例中，由图2可知，所述光导3的光入射面31与所述光出射面33并非是相对的，而是垂直的，而与所述光入射面31相对的表面为所述第一表面32，与所述光出射面33相对的表面为所述第二表面。
所述漫反射层41的反射率为大于90％；所述漫反射层41与所述第一表面32之间设置有空气隙，也即非光学接触，原因是因为漫反射层41有一定的吸收率，如果直接将漫反射层41设置的与第一表面32光学接触的话，漫反射层41会吸收较多的光；而在漫反射层41和第一表面32之间设置了空气隙的话，部分光已经被第一表面32反射回光导3内，只有出射的那部分光会照射至漫反射层41，可以减少漫反射层41的吸收。漫反射层41与第一表面32之间设置空气隙，相当于有了两层保障，第一层是光导3的第一表面32的反射，第二层漫反射层41。
设置漫反射层41可以减少从光导3的光入射面31和光出射面33以外的表面逸出的光，提高从光出射面33出射的白光的强度。
所述镜面反射层42的反射率大于95％，其与第二表面之间也非光学接触，原因同上，兹不赘述。
在一个实施例中，所述光源1与所述波长转换元件2之间、所述波长转换元件2与所述光导3的光入射面31之间、所述光导3的光出射面33处的至少一处设置有光耦合元件，所设置的光耦合元件与其所邻近的光学元件光学连接，且所设置的光耦合元件的折射率比其所邻近的光学元件的折射率低。
在一个实施例中，所述光源1与所述波长转换元件2之间也可以理解为在光源1与波长转换元件2的接收面之间；所述波长转换元件2与所述光导3的光入射面31之间也可以理解为在波长转换元件2的输出面与光导3的光入射面31之间；所述光源1、波长转换元件2和光导3都属于光学元件。
在一个实施例中，所述光源1与所述第一波长转换元件21之间、所述第一波长转换元件21与所述第二波长转换元件22之间、所述第二波长转换元件22与所述光导3的光入射面31之间、所述光导3的光出射面33处的至少一处设置有光耦合元件，所设置的光耦合元件与其所邻近的光学元件光学连接，且所设置的光耦合元件的折射率比其所邻近的光学元件的折射率低。
在本实施例中，光耦合元件的作用是使得更多的入射光L1耦合进入波长转换元件2，并使得更多的混合光L1+L2+L3从波长转换元件2中出射，经光导3导光到光导3的光出射面33，通过光耦合元件，进一步提高出光效率，得到高亮度的白光。
在一个实施例中，光耦合元件可以是透镜或透镜阵列，也可以是耦合结构，光耦合元件可以设置在上述任一一处或多处光耦合元件安装位，优选为每个位置上都设置有光耦合元件，这样可以最大提高出光效率。
在一个实施例中，如图3所示，光源1与所述第一波长转换元件21之间的光耦合元件为第一光耦合元件6，第一波长转换元件21与所述第二波长转换元件22之间的光耦合元件为第二光耦合元件7，第二波长转换元件22与所述光导3之间的光耦合元件为第三光耦合元件8，所述光导3的光出射面33上的光耦合元件为第四光耦合元件9；各个光耦合元件的折射率与光源1、波长转换元件2和光导3的折射率有关，优选的，第一光耦合元件6的折射率低于光源1及第一波长转换元件21的折射率，第二光耦合元件7的折射率低于第一波长转换元件21和第二波长转换元件22的折射率，第三光耦合元件8的折射率低于第二波长转换元件22和光导3的折射率，第四光耦合元件9的折射率低于光导3的折射率。
如图4所示，在一个实施例中，所述波长转换元件2的除接收光的接收面和输出光的输出面之外的部分或全部表面上设置有反射层5；所述反射层5位于所述波长转换元件2的至少一个侧面上，所述侧面与所述波长转换元件2的光入射面31及光出射面33垂直。
在一个实施例中，反射层5为镜面反射或漫反射，反射层5与波长转换元件2非光学接触，反射率为大于90％。
如图4所示，反射层5可以设置在波长转换元件2的两个非光出射和入射表面上，也可以设置在所有4个非光出射和入射表面上。
作为另一种实施例，反射层5还可以设置在发光装置的热沉上，以改善波长转换元件2的散热功能；所谓热沉是指它的温度不随传递到它的热能的大小变化，它可以是大气、大地等物体，目前LED照明封装中，由于LED发光时会产生高热量，会使用高导热率的铜柱，使热量导向封装体外面。此LED铜柱也叫热沉。
在一个实施例中，部分或者全部所述反射层5的背对所述光导3的表面上紧邻设置有热沉。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (20)

1.一种发光装置，其特征在于，包括：光源、波长转换元件和光导，所述波长转换元件位于所述光源和所述光导之间；
所述光源发出的激发光照射至所述波长转换元件，所述波长转换元件吸收至少部分所述激发光而将其转换为受激光；
所述受激光和未转换的激发光输出至所述光导的光入射面，通过所述光入射面进入所述光导内部，并通过全内反射作用经所述光导的光出射面输出；所述光导的光入射面的面积大于所述光导的光出射面的面积。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换元件输出所述受激光和未转换的激发光的输出面与所述光导的光入射面相对设置，且所述输出面的面积与所述光入射面的面积相当，二者的大小误差在预设的第一面积阈值内。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述波长转换元件为面板状元件，其包括所述输出面和处于所述输出面的背面的接收面；
所述光源发出的激发光照射至所述接收面。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，所述激发光照射至所述接收面的光斑覆盖所述接收面的面积大于预设的第二面积阈值。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光源与所述波长转换元件非光学接触，且所述波长转换元件与所述光导非光学接触。
6.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于，所述波长转换元件包括第一波长转换元件和第二波长转换元件，所述第一波长转换元件与所述第二波长转换元件非光学接触；
所述第一波长转换元件与所述光源非光学接触，所述第一波长转换元件包括第一光入射面和第一光出射面；
所述第二波长转换元件与所述光导非光学接触，所述第二波长转换元件包括第二光入射面和第二光出射面；
所述激发光通过所述第一光入射面进入所述第一波长转换元件，所述第一波长转换元件吸收至少部分所述激发光而将其转换为第一受激光；
所述第一受激光和未转换的激发光从所述第一光出射面出射、通过所述第二光入射面进入所述第二波长转换元件，所述第二波长转换元件吸收至少部分未转换的激发光和/或所述第一受激光而将其转换为第二受激光，未转换的激发光、未转换的第一受激光、和所述第二受激光从所述第二光出射面出射，并通过所述光导的光入射面进入所述光导。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，面对所述光导的除所述光入射面和光出射面之外的部分或全部表面，设置有反射层；所述反射层与其所面对的表面之间设置有空气隙；所述反射层为镜面反射层或漫反射层。
8.根据权利要求7所述的一种发光装置，其特征在于，所述光导的与所述光入射面相对的第一表面处设置有漫反射层，所述漫反射层与所述第一表面之间设置有空气隙。
9.根据权利要求7所述的一种发光装置，其特征在于，所述光导的与光出射面相对的第二表面处设置有镜面反射层，所述镜面反射层与所述第二表面之间设置有空气隙。
10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光源与所述波长转换元件之间、所述波长转换元件与所述光导的光入射面之间、所述光导的光出射面处的至少一处设置有光耦合元件，所设置的光耦合元件与其所邻近的光学元件光学连接，且所设置的光耦合元件的折射率比其所邻近的光学元件的折射率低。
11.根据权利要求2所述的一种发光装置，其特征在于，所述光源与所述第一波长转换元件之间、所述第一波长转换元件与所述第二波长转换元件之间、所述第二波长转换元件与所述光导的光入射面之间、所述光导的光出射面处的至少一处设置有光耦合元件，所设置的光耦合元件与其所邻近的光学元件光学连接，且所设置的光耦合元件的折射率比其所邻近的光学元件的折射率低。
12.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于，所述波长转换元件的除接收光的接收面和输出光的输出面之外的部分或全部表面上设置有反射层。
13.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于，所述光源为面光源，所述光源包括衬底和设置于衬底上的多个发光芯片。
14.根据权利要求13所述的一种发光装置，其特征在于，所述衬底的反射率大于90％，所述发光芯片为激光光源、LED光源或OLED光源。
15.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于，所述光导为透明光导，所述光导的折射率大于1.2。
16.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于，所述光导的表面粗糙度小于100nm。
17.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于，所述光导的材料为YAG单晶、蓝宝石、YAG透明陶瓷、Al2O3透明陶瓷、硅胶或玻璃。
18.根据权利要求6所述的一种发光装置，其特征在于，所述第二波长转换元件与所述光导之间的距离范围为50μm-2000μm。
19.根据权利要求18所述的一种发光装置，其特征在于，所述第二波长转换元件与所述光导之间的距离范围为100μm-1000μm。
20.根据权利要求7所述的一种发光装置，其特征在于，部分或者全部所述反射层的背对所述光导的表面上紧邻设置有热沉。
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CN101539270B (zh) * 2008-03-17 2011-06-08 绎立锐光科技开发(深圳)有限公司 具有发射角度选择特性的光波长转换方法
TWI408415B (zh) * 2009-06-22 2013-09-11 Delta Electronics Inc 複合光源系統
CN102721005B (zh) * 2012-02-11 2014-02-12 深圳市光峰光电技术有限公司 波长转换装置和发光装置
JP2013225473A (ja) * 2012-03-21 2013-10-31 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
CN104020633B (zh) * 2013-02-28 2015-12-09 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 发光装置及相关投影系统
CN103615671B (zh) * 2013-10-28 2018-04-13 杨毅 光源
JP2016157096A (ja) * 2015-02-20 2016-09-01 株式会社リコー 照明装置及び画像投射装置
CN207364677U (zh) * 2017-10-10 2018-05-15 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 一种发光装置

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