CN109599313A - 一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法 - Google Patents
一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109599313A CN109599313A CN201811489468.6A CN201811489468A CN109599313A CN 109599313 A CN109599313 A CN 109599313A CN 201811489468 A CN201811489468 A CN 201811489468A CN 109599313 A CN109599313 A CN 109599313A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mxene
- field emission
- preparation
- cathode material
- flexible field
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法,是将Mxene材料超声分散于分散剂中,得到均一的Mxene分散液;分散液经真空抽滤后与滤膜剥离得到自由Mxene膜;Mxene分散液经真空抽滤至不锈钢网,剥离除去滤膜与不锈钢网后获得具有微纳结构的自由Mxene膜。所得Mxene具有良好的柔韧性和可弯曲特性,导电性良好,发射电流密度高,可作为柔性场发射体以应用于以冷阴极为电子源的真空电子器件。
Description
技术领域
本发明涉及MXene柔性冷阴极场发射材料的制备,尤其涉及一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法,属于电子材料与真空器件领域。
背景技术
场致电子发射,通常指在强电场作用下,电子克服材料表面势垒而隧穿至真空的一种发射过程。场发射冷阴极的研究在真空微电子学中十分重要,并可以应用于多种真空微电子器件中,包括冷阴极平板显示、x射线源、传感器、高速开关器件、脉冲电子枪和微波发生器等,场发射电子器件不仅在军用和民用方面均有着重要的应用前景。场发射冷阴极材料对场发射在真空微电子器件方面的应用具有至关重要的作用,场发射阴极材料决定了整个发射体器件的寿命和质量。一个理想的场发射阴极材料应该具备较低的开启电压、阈值电压和高的发射电流密度,以确保器件的电子发射性能,也应该具有稳定的化学物理性能以提高材料电子发射的稳定性。目前,场发射材料的研究主要集中在金属、半导体、碳材料等纳米材料。
纳米材料具有多样的结构、优异的物理和化学性质,同时由于独特的结构和优异的性能,作为场发射冷阴极电子源显示出巨大应用前景。同时,随着柔性显示技术和柔性电子学的发展,柔性电子产品层出不穷。柔性场发射阴极材料也显示出越来越广阔的应用前景。冷阴极材料是柔性场发射平板显示及其他柔性场发射真空微纳器件的核心。因此,制备出具有低开启低阈值场强且具有高电流密度发射的柔性冷阴极材料是获得完美柔性场发射电子器件的关键。同时,冷阴极发射体的表面形貌和阴极形状也是材料场发射性能的重要影响因素
MXene材料是一系列二维过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物,其厚度为几个纳米,其具有独特的二维层状结构、高的比表面积及良好的导电性、稳定性、以及优异机械特性,在储能、催化、吸附等领域应用前景广泛。由于其独特的二维结构,同时具有良好的导电性和导热性、较低的功函数以及较高的场增强因子使得Mxene展现出优异的电子发射性能。且Mxene具有良好的机械特性,且易于成膜,可作为柔性场发射体以应用于以冷阴极为电子源的真空电子器件。
发明内容
本发明的目的是提供一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法。
本发明制备Mxene柔性场发射阴极材料的方法,是将Mxene材料超声分散于分散剂中,得到均一的Mxene分散液;分散液经真空抽滤后与滤膜剥离得到自由Mxene膜;
所述Mxene材料为MnXn-1,其中,n为整数且大于1; M为钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、铪(Hf)或钽(Ta),X为碳(C)或氮(N)。
所述分散剂为蒸馏水或去离子水;Mxene分散液的浓度为0.1~20 mg/mL。
为了得到具有微纳突起结构的场发射冷阴极,Mxene分散液经真空抽滤至不锈钢网(不锈钢网的目数为100~1000目);剥离除去滤膜与不锈钢网后获得具有微纳结构的自由Mxene膜。
本发明制得的Mxene膜可制作成具有一定形状的冷阴极场发射体(点、线及面发射体)。
综上所述,本发明采用Mxene为原料,水为分散剂,通过超声分散获得均匀分散的Mxene分散液,通过真空抽滤可获得不同表面结构的Mxene场发射体,在制备大尺寸冷阴极以及不同形状结构的场发射体方面具有突出的优势。所得Mxene具有良好的柔韧性和可弯曲特性,导电性良好,发射电流密度高,可作为柔性场发射体以应用于以冷阴极为电子源的真空电子器件。
附图说明
图1是本发明制备的Mxene柔性膜的外观形貌。
图2是本发明实施例3中所得Mxene线型阴极发射曲线。
图3是本发明实施例7微纳突起结构Mxene柔性膜制备示意图。
图4是本发明实施例10微纳突起结构Mxene柔性膜制备示意图。
具体实施方式
实施例1
将60mg Ti3C2分散于60mL去离子水中,经杆式超声进一步分散后,转移至真空抽滤装置进行真空抽滤,得到水性滤膜支撑的Ti3C2柔性膜;将所得柔性膜再60℃进行烘干,除去滤膜后可得到自由无支撑的Ti3C2冷阴极场发射材料。图1为柔性Ti3C2场发射体样品的外观形貌,可见其具有良好的可弯曲特性。经场发射测试,其在未弯曲情况下具有优异的发射性能,电流密度达到1 mA/cm2。
实施例2
将60mg Ti3C2分散于120 mL去离子水中,经杆式超声进一步分散后,转移至真空抽滤装置进行真空抽滤,得到水性滤膜支撑的Ti3C2柔性膜;将所得柔性膜再60℃进行烘干,除去滤膜后可得到自由无支撑的Ti3C2冷阴极场发射体。所得到的柔性Ti3C2场发射体样品具有良好的可弯曲特性。在弯曲情况下可获得稳定的电流发射,电流密度可达到3 mA/cm2。
实施例3
将60mg Ti3C2分散于60mL去离子水中,经杆式超声进一步分散后,转移至真空抽滤装置进行真空抽滤,得到水性滤膜支撑的Ti3C2柔性膜;将所得柔性膜再60℃进行烘干,除去滤膜后可得到自由无支撑的Ti3C2冷阴极场发射体。将自由无支撑的Ti3C2柔性膜裁剪成规则的矩形,测试其线型截面的电子发射特性。经场发射测试,其具有很高的电流发射密度,稳定性好,所得荧光图像亮度高,发散小。图2是本实施例中所得Mxene线型阴极发射曲线,电流密度达200mA/cm2,开启电场较小。
实施例4
将60mg Ti3C2分散于60mL去离子水中,经杆式超声进一步分散后,转移至真空抽滤装置,进行真空抽滤,得到水性滤膜支撑的Ti3C2柔性膜;将所得柔性膜再60℃进行烘干,除去滤膜后可得到自由无支撑的Ti3C2冷阴极场发射体。将自由无支撑的Ti3C2柔性膜裁剪成三角形发射点,测试其顶点的电子发射特性。经场发射测试,其具有高密度电流发射,可达2A/cm2,可稳定发射数十小时。
实施例5
将60mg Ti3C2分散于60mL去离子水中,经杆式超声进一步分散后,转移至真空抽滤装置进行真空抽滤,得到水性滤膜支撑的Ti3C2柔性膜;将所得柔性膜再60℃进行烘干,除去滤膜后可得到自由无支撑的Ti3C2冷阴极场发射体。将自由无支撑的Ti3C2柔性膜裁剪成矩形,测试其线型截面的脉冲场电子发射特性。经50Hz,10μs脉冲场下电子发射测试,其具有高密度电流发射,可达10 A/cm2。
实施例6
将60mg Ti3C2分散于60mL去离子水中,经杆式超声进一步分散后,转移至真空抽滤装置进行真空抽滤,得到水性滤膜支撑的Ti3C2柔性膜;将所得柔性膜再60℃进行烘干,除去滤膜后可得到自由无支撑的Ti3C2冷阴极场发射体。将自由无支撑的Ti3C2柔性膜可做成环形发射体,测试其电子发射特性。经400Hz,10μs脉冲场下电子发射测试,其具有高密度电流发射(可达8 A/cm2),可稳定发射数十小时,可获得与阴极形状一样的荧光成像照片。
实施例7
将100mg Ti3C2分散于100mL去离子水中,经杆式超声进一步分散后,转移至真空抽滤装置进行真空抽滤,在水性滤膜上放置400目不锈钢网从而得到支撑的Ti3C2柔性膜;将所得柔性膜再60℃进行烘干,将滤膜和不锈钢网剥离除去后可得到自由无支撑的微纳结构的Ti3C2冷阴极场发射体。图3是本发明实施例微纳突起结构Mxene柔性膜制备示意图。将自由无支撑的微纳结构的Ti3C2柔性膜进行电子发射特性测试。经直流场下电子发射测试,其具有较平面冷阴极更高的电流发射密度(可达10 mA/cm2),稳定性良好,在 0.5mA/cm2,可稳定发射至少40小时。
实施例8
将60mgTi3C2分散于60ml去离子水中,分散液60ml,经杆式超声进一步分散后,进行真空抽滤,在水性滤膜上放置600目不锈钢网从而得到支撑的Ti3C2柔性膜;将所得柔性膜再60℃进行烘干,剥离除去滤膜和不锈钢网后可得到自由无支撑的微纳结构的Ti3C2冷阴极场发射体。将自由无支撑的微纳结构的Ti3C2柔性膜进行脉冲场电子发射特性测试。经脉冲场(1000Hz,10μs)下电子发射测试。经多次弯曲试验后比较,发现其具有良好的脉冲发射特性,弯曲前后发射性能无衰减,电流密度可达500mA/cm2。
实施例9
将80mg Ti3C2分散于80ml去离子水中,经杆式超声进一步分散后,进行真空抽滤,在水性滤膜上放置500目不锈钢网从而得到支撑的Ti3C2柔性膜;将所得柔性膜再60℃进行烘干,剥离除去滤膜和不锈钢网后可得到自由无支撑的微纳结构的Ti3C2冷阴极场发射体。将自由无支撑的微纳结构的Ti3C2柔性膜进行脉冲场电子发射特性测试。经多次弯曲试验后比较,直流连续场及脉冲场(微秒级与毫秒级脉冲)下电子发射测试,均具有稳定的电子发射特性,稳定性测试可达10小时以上。
实施例10
将200mg的 Ti3C2分散于200ml去离子中,经杆式超声进一步分散后,进行真空抽滤,采用1000目不锈钢网为滤膜,从而得到支撑的Ti3C2柔性膜(如图4示);将所得柔性膜再60℃进行烘干,将高目数不锈钢网剥离除去后可得到自由无支撑的微纳结构的Ti3C2冷阴极场发射体。将自由无支撑的微纳结构的Ti3C2柔性膜进行脉冲场电子发射特性测试。经多次弯曲试验后比较,直流连续场及脉冲场(微秒级与毫秒级脉冲)下电子发射测试,均具有稳定的电子发射特性,稳定性测试10小时,衰减不超过20%。
以其他Mxene材料制备的Mxene柔性冷阴极场发射体的性能与上述实施例基本相同。
Claims (6)
1.一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法,是将Mxene材料超声分散于分散剂中,得到均一的Mxene分散液;分散液经真空抽滤后与滤膜剥离得到自由Mxene膜。
2.如权利要求1所述一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法,其特征在于:所述Mxene材料为MnXn-1,其中,n为整数且大于1; M为钛、钒、铬、锆、铌、钼、铪或钽,X为碳或氮。
3.如权利要求1所述一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法,其特征在于:所述分散剂为蒸馏水或去离子水。
4.如权利要求1所述一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法,其特征在于:Mxene分散液的浓度为0.1~20 mg/mL。
5.如权利要求1所述一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法,其特征在于: Mxene分散液经真空抽滤至不锈钢网;剥离除去滤膜与不锈钢网后获得具有微纳结构的自由Mxene膜。
6.如权利要求5所述一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法,其特征在于:不锈钢网的目数为100~1000目。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811489468.6A CN109599313A (zh) | 2018-12-06 | 2018-12-06 | 一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811489468.6A CN109599313A (zh) | 2018-12-06 | 2018-12-06 | 一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109599313A true CN109599313A (zh) | 2019-04-09 |
Family
ID=65961306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811489468.6A Pending CN109599313A (zh) | 2018-12-06 | 2018-12-06 | 一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109599313A (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106129433A (zh) * | 2016-07-20 | 2016-11-16 | 江南大学 | 一种导电微滤膜及其制备方法 |
CN106229245A (zh) * | 2016-09-13 | 2016-12-14 | 电子科技大学 | 一种爆发式石墨烯电子阴极及其生产方法 |
CN108168420A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-15 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种基于MXene材料的柔性应变传感器 |
US20180309125A1 (en) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | Auburn University | Electrochemical systems comprising mxenes and max phase compositions and methods of using the same |
-
2018
- 2018-12-06 CN CN201811489468.6A patent/CN109599313A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106129433A (zh) * | 2016-07-20 | 2016-11-16 | 江南大学 | 一种导电微滤膜及其制备方法 |
CN106229245A (zh) * | 2016-09-13 | 2016-12-14 | 电子科技大学 | 一种爆发式石墨烯电子阴极及其生产方法 |
US20180309125A1 (en) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | Auburn University | Electrochemical systems comprising mxenes and max phase compositions and methods of using the same |
CN108168420A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-06-15 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种基于MXene材料的柔性应变传感器 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
YAN XIN等: ""Possibility of bare and functionalized niobium carbide MXenes for electrode materials of supercapacitors and field emitters"", 《MATERIALS&DESIGN》 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102368515B1 (ko) | X-선 튜브용 전자 에미터 | |
Al-Tabbakh et al. | The Fowler− Nordheim plot behavior and mechanism of field electron emission from ZnO tetrapod structures | |
JP5188480B2 (ja) | 殺菌用光源 | |
CN102148121B (zh) | X射线电子束产生器及其阴极 | |
JP2013519195A5 (ja) | X線電子ビーム発生器 | |
US6891324B2 (en) | Carbon-metal nano-composite materials for field emission cathodes and devices | |
Mousa et al. | Investigating of the field emission performance on nano-apex carbon fiber and tungsten tips | |
Tsakadze et al. | Effect of gas pressure on electron field emission from carbon nanotube forests | |
US9396901B2 (en) | Field emission devices and methods of manufacturing emitters thereof | |
Tan et al. | Mechanism analysis of field electron emission of titanium | |
CN109599313A (zh) | 一种Mxene柔性场发射阴极材料的制备方法 | |
CN105513921A (zh) | 碳纳米场发射阴极及其制备方法和应用 | |
Park et al. | X-ray images obtained from cold cathodes using carbon nanotubes coated with gallium-doped zinc oxide thin films | |
Kandlakunta et al. | Development of multi-pixel x-ray source using oxide-coated cathodes | |
Sun et al. | Preliminary study of electron gun based on field emission of carbon nanotubes | |
Hussain et al. | Characteristics of radio-frequency atmospheric pressure dielectric-barrier discharge with dielectric electrodes | |
Karmakar et al. | Tubular Diamond as an Efficient Electron Field Emitter | |
CN104882347A (zh) | 一种纳米碳片-硅纳米线复合结构场发射阴极的制备方法 | |
Kirkpatrick et al. | Demonstration of vacuum field emission from a self‐assembling biomolecular microstructure composite | |
Ghosh et al. | Direct fabrication of aligned metal composite carbon nanofibers on copper substrate at room temperature and their field emission property | |
CN113380597A (zh) | 一种基于碳纳米管的微焦点场发射电子源及其制备方法 | |
CN1193397C (zh) | 弹道电子发射源及其制备方法 | |
CN105047504B (zh) | 基于二维纳米壁的场发射阴极 | |
Yang et al. | Field emission property of multi-cathode electron sources with vertically aligned CNT arrays | |
Shin et al. | Sheet electron beam from line-shape carbon nanotube field emitters |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190409 |