CN109599037B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 170
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 158
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 133
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 338
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 7
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示面板及其制备方法,该显示面板包括子像素单元,至少部分子像素单元包括激发光源、目标光转换层和目标光透过层,激发光源用于产生激发光,目标光转换层设置于激发光源的出光方向上,用于将激发光转换为目标光,目标光透过层设置于目标光转换层的出光方向上,用于透过光转换层生成的目标光,并反射穿过目标光转换层的激发光;通过在目标光转换层上设置目标光透过层,仅穿过目标光转换层的目标光,而反射激发光,增强了子像素单元出射的目标光纯度。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示技术领域,尤其是涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
LCD(液晶显示器)和OLED(有机发光二极管显示器)作为主流显示设备,各有优劣:LCD光利用率低、分辨率不高,OLED寿命短、亮度低,所有,需要开发综合效果更优的显示设备,如QLED(量子点发光二极管)、mini-LED(迷你发光二极管)以及终极微显示技术,如micro LED(微型发光二极管)、QLED显示。
Micro LED具有光效高、低功耗、高色域、寿命长、稳定性好等优点,目前Micro LED大体分为两种类型,一种是采用RGB(红绿蓝)三种颜色的micro LED作为子像素,但在将其转移到驱动基板上时,转移效率较低;而另一种如图1所示,通过使用近紫外微型发光二极管,在光源上设置光转换层,将近紫外光转换为红绿蓝三色光,这种方式较容易实现,但会出现红绿蓝三色光中混有近紫外光,导致色饱和度低,且子像素单元出光角度大,子像素单元之间易发生颜色串扰。
所有,现有的微显示技术存在缺陷,需要改进。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制备方法,用以解决现有微显示技术存在缺陷的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种显示面板,其包括子像素单元,至少部分子像素单元包括:
激发光源,用于产生激发光;
目标光转换层,设置于所述激发光源的出光方向上,用于将所述激发光转换为目标光;
目标光透过层,设置于所述目标光转换层的出光方向上,用于透过所述光转换层生成的目标光,并反射穿过所述目标光转换层的激发光。
在本发明提供的显示面板中,所述目标光透过层形成于所述目标光转换层的出光面上,将穿过所述目标光转换层的激发光反射至所述目标光转换层。
在本发明提供的显示面板中,所述显示面板还包括激发光透过层,所述激发光透光层设置于所述激发光源的出光方向上,位于所述激发光源与所述目标光转换层之间。
在本发明提供的显示面板中,所述激发光透过层形成于所述激发光源的出光面上。
在本发明提供的显示面板中,所述目标光转换层形成于所述激发光透过层的出光面上。
在本发明提供的显示面板中,所述显示面板还包括光聚合层,设置于相邻子像素单元之间,用于将子像素单元发出的目标光聚合。
在本发明提供的显示面板中,所述光聚合层围绕子像素单元的侧边设置。
在本发明提供的显示面板中,所述光聚合层围绕目标光转换层和目标光透过层的侧边设置。
在本发明提供的显示面板中,所述光聚合层围绕激发光透过层、目标光转换层和目标光透过层的侧边设置。
同时,本发明实施例还提供一种显示面板制备方法,其包括:
提供基板;
在所述基板上形成子像素单元驱动电路层;
在所述驱动电路层上形成子像素单元固定构件;
在所述固定构件内固定激发光源,所述激发光源用于产生激发光;
在至少部分激发光源的出光方向上形成目标光转换层,所述目标光转换层用于将所述激发光转换为目标光;
在所述目标光转换层的出光方向上形成目标光透过层,所述目标光透过层用于透过所述光转换层生成的目标光,并反射穿过所述目标光转换层的激发光;
在所述目标光透过层上形成保护层,得到所述显示面板。
本发明的有益效果为:本发明提供一种显示面板及其制备方法,该显示面板包括子像素单元,至少部分子像素单元包括激发光源、目标光转换层和目标光透过层,所述激发光源用于产生激发光,所述目标光转换层设置于所述激发光源的出光方向上,用于将所述激发光转换为目标光,所述目标光透过层设置于所述目标光转换层的出光方向上,用于透过所述光转换层生成的目标光,并反射穿过所述目标光转换层的激发光;通过在目标光转换层上设置目标光透过层,通过在目标光转换层上设置目标光透过层,仅穿过目标光转换层的目标光,而反射激发光,增强了子像素单元出射的目标光纯度,从而一定程度了缓解了现有微显示技术存在的色饱和度低等缺陷。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的显示面板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的显示面板的第一种结构示意图;
图3为本发明实施例提供的显示面板的第二种结构示意图;
图4为本发明实施例提供的显示面板制备方法的流程图;
图5为本发明实施例提供的显示面板制备过程的第一种示意图;
图6为本发明实施例提供的显示面板制备过程的第二种示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有微显示技术存在缺陷的技术问题,本发明实施例可以解决该问题。
如图1所示,现有显示面板中子像素单元包括激发光源11和光转换层,所述光转换层包括红光转换层121,绿光转换层122和蓝光转换层123,设所述激发光源为蓝色微型发光二极管,激发光源发出的激发光经过光转换层转换为相应颜色的光,但由于部分激发光会穿过光转换层,造成出射的光分别为红光与蓝光的混色光131,绿光与蓝光的混色光132,以及蓝光133,则在显示时由于红绿光不纯,造成显示的色饱和度不够,且相邻的子像素单元之间不同色光会串扰,进一步加大问题,所以,现有微显示技术存在缺陷。
如图2或图3所示,本发明实施例提供一种显示面板,该显示面板包括子像素单元,所述子像素单元包括:
激发光源21,用于产生激发光;
目标光转换层24(包括图2中的241和242),设置于所述激发光源的出光方向上,用于将所述激发光转换为目标光;
目标光透过层25(包括图2中的251和252),设置于所述目标光转换层的出光方向上,用于透过所述光转换层生成的目标光,并反射穿过所述目标光转换层的激发光。
在一种实施例中,所述目标光透过层形成于所述目标光转换层的出光面上,将穿过所述目标光转换层的激发光反射至所述目标光转换层。
在一种实施例中,显示面板还包括激发光透过层,所述激发光透光层设置于所述激发光源的出光方向上,位于所述激发光源与所述目标光转换层之间。
在一种实施例中,所述激发光透过层形成于所述激发光源的出光面上。
在一种实施例中,所述目标光转换层形成于所述激发光透过层的出光面上。
在一种实施例中,所述激发光透过层、目标光转换层、目标光透过层的总厚度为200nm~500nm。
在一种实施例中,显示面板还包括光聚合层,设置于相邻子像素单元之间,用于将子像素单元发出的目标光聚合。
在一种实施例中,所述光聚合层围绕子像素单元的侧边设置。
在一种实施例中,所述光聚合层围绕目标光转换层和目标光透过层的侧边设置。
在一种实施例中,所述光聚合层围绕激发光透过层、目标光转换层和目标光透过层的侧边设置。
本实施例提供了一种显示面板,该显示面板包括子像素单元,至少部分子像素单元包括激发光源、目标光转换层和目标光透过层,所述激发光源用于产生激发光,所述目标光转换层设置于所述激发光源的出光方向上,用于将所述激发光转换为目标光,所述目标光透过层设置于所述目标光转换层的出光方向上,用于透过所述光转换层生成的目标光,并反射穿过所述目标光转换层的激发光;通过在目标光转换层上设置目标光透过层,通过在目标光转换层上设置目标光透过层,仅穿过目标光转换层的目标光,而反射激发光,增强了子像素单元出射的目标光纯度,从而一定程度了缓解了现有微显示技术存在的色饱和度低等缺陷。
在一种实施例中,激发光源21所产生的激发光也是子像素的目标光色(红、绿、蓝、白等)中一种,此时,显示面板的子像素形成如图2所示,具体的,以激发光源21为蓝光LED为例,子像素单元包括:激发光源21,激发光透过层22,光聚合层23,目标光转换层24(包括图2中的241和242)和目标光透过层25(包括图2中的251和252),所述激发光源为蓝色激发光源21,所述激发光透过层为蓝光透过层22,所述目标光转换层包括红光转换层241和绿光转换层242,所述目标光透过层包括红光透过层251和绿光透过层252。
在一种实施例中,在所述蓝色激发光源21的出光面上设置有所述蓝光透过层22,在所述蓝光透光层22的出光面上设置有相应的红光转换层241和绿光转换层242,在红光转换层241的出光面上设置有红光透过层251,在绿光转换层242的出光面上设置有绿光透过层252,所述蓝色激发光源发出的蓝色激发光穿过目标光转换层和目标光透过层得到红光261、绿光262和蓝光263。
在一种实施例中,激发光源21可以为蓝光LED、红光LED、绿光LED、白光LED中的任意一种。
在一种实施例中,激发光源所产生的激发光不是子像素的目标光色(红、绿、蓝、白等)中一种,此时,显示面板的子像素形成如图3所示,具体的,以激发光源为紫光LED为例,子像素单元包括:激发光源31,激发光透过层32,光聚合层33,目标光转换层和目标光透过层,所述激发光源为近紫外激发光源31,所述激发光透过层为近紫外光透过层32,所述目标光转换层包括红光转换层341、绿光转换层342和蓝光转换层343,所述目标光透过层包括红光透过层351、绿光透过层352和蓝光透过层353。
在一种实施例中,在所述近紫外激发光源31的出光面上设置有近紫外光透过层32,在所述近紫外光透过层32的出光面上设置有红光转换层341、绿光转换层342和蓝光转换层343,在所述红光转换层341的出光面上设置有红光透过层351,在所述绿光转换层342的出光面上设置有绿光透过层352,在所述蓝光转换层343的出光面上设置有蓝光透过层353,所述近紫外激发光穿过近紫外光透过层、目标光转换层和目标光透过层得到红光361、绿光362和蓝光363。
在本实施例中,在激发光源上设置激发光透过层,提高激发光的透过率,目标光转换层上设置有目标光透过层,激发光源发出的激发光在通过目标光转换层转换为目标光与激发光的混色光后,在穿过目标光透过层时,目标光出射,而激发光将被反射,使得得到的目标光混有较少的激发光甚至不混有激发光,使得得到的目标光较纯,从而提高显示的色饱和度,缓解微显示技术的缺陷。
在一种实施例中,激发光在穿过目标光透过层时会被反射,从而再次激发目标光转换层转换为目标光射出,而激发光透过层将有效的防止反射回的激发光转换为目标光后与激发光源射出的激发光混色,从而影响激发光的纯度,且由于激发光会再次激发目标光转换层射出目标光,使得目标光转换层的厚度可以降低,例如,激发光透过层、目标光转换层、目标光透过层的总厚度为200nm~500nm,降低厚度且可以降低成本。
在一种实施例中,通过调节目标光透过层的透过率来透过目标光以及反射激发光,例如,调节红光透过层使其透射波段为红光波长,从而将蓝色激发光反射,使得出射的目标光较纯,提高色饱和度和显示质量。
在一种实施例中,围绕所述子像素单元设置有光聚合层,针对相邻子像素单元之间的目标光会串扰,增加光聚合层将有效的防止目标光的出射角度过大,从而使目标光之间不出现串扰,提高目标光的纯度。
在一种实施例中,所述光聚合层围绕目标光转换层和目标光透过层的侧边设置。
在一种实施例中,所述光聚合层围绕激发光透过层、目标光转换层和目标光透过层的侧边设置,通过设置光聚合层,可以防止相邻子像素单元之间出现串扰,且可将目标光透过层发射的激发光聚合到目标光转换层,进一步的降低目标光转换层的厚度。
在一种实施例中,相邻子像素单元可以采用同一光聚合层,或者各个子像素单元侧边均设有光聚合层,针对不同的设置方法,可以通过不同程度的提高光聚合层的高度来防止相邻子像素单元出现串扰,从而提高目标光的纯度,缓解现有微显示技术的缺陷。
为了制备上述的显示面板,本发明实施例还提供了一种显示面板制备方法,如图4所示,本实施例提供一种显示面板制备方法包括以下步骤:
S401,提供基板;
S402,在所述基板上形成子像素单元驱动电路层;
S403,在所述驱动电路层上形成子像素单元固定构件,如凹槽等;
S404,在所述固定构件内固定激发光源,所述光源用于产生激发光;
S405,在至少部分激发光源的出光方向上形成目标光转换层,所述目标光转换层用于将所述激发光转换为目标光;
S406,在所述目标光转换层的出光方向上形成目标光透过层,所述目标光透过层用于透过所述光转换层生成的目标光,并反射穿过所述目标光转换层的激发光;
S407,在所述目标光透过层上形成保护层,得到所述显示面板。
在一种实施例中,所述在所述目标光转换层的出光方向上形成目标光透过层的步骤:包括在所述目标光转换层的出光面上形成目标光透过层。
在一种实施例中,图4所示的显示面板制备方法还包括:在所述激发光源的出光方向上形成激发光透过层。
在一种实施例中,所述在所述激发光源的出光方向上形成激发光透过层的步骤包括:在所述激发光源的出光面上形成激发光透过层。
在一种实施例中,图4所示的显示面板制备方法还包括:在所述激发光透过层的出光面上形成目标光转换层。
在一种实施例中,所述在所述激发光源的出光方向上形成激发光透过层的步骤包括在所述激发光源的出光面上蒸镀无机材料形成激发光透过层。
在一种实施例中,图4所示的显示面板制备方法还包括:在相邻子像素单元之间形成光聚合层,所述光聚合层用于将子像素单元发出的光聚合。
在一种实施例中,所述在相邻子像素单元之间形成光聚合层的步骤包括:围绕所述子像素单元的侧边形成所述光聚合层。
在一种实施例中,所述在相邻子像素单元之间形成光聚合层的步骤包括:围绕所述目标光转换层和所述目标光透过层的侧边形成所述光聚合层。
在一种实施例中,所述在相邻子像素单元之间形成光聚合层的步骤包括:围绕所述激发光透过层、所述目标光转换层和所述目标光透过层的侧边形成所述光聚合层。
本实施例提供了一种显示面板制备方法,该方法得到的显示面板包括子像素单元,至少部分子像素单元包括激发光源、目标光转换层和目标光透过层,所述激发光源用于产生激发光,所述目标光转换层设置于所述激发光源的出光方向上,用于将所述激发光转换为目标光,所述目标光透过层设置于所述目标光转换层的出光方向上,用于透过所述光转换层生成的目标光,并反射穿过所述目标光转换层的激发光;通过在目标光转换层上设置目标光透过层,通过在目标光转换层上设置目标光透过层,仅穿过目标光转换层的目标光,而反射激发光,增强了子像素单元出射的目标光纯度,从而一定程度了缓解了现有微显示技术存在的色饱和度低等缺陷。
现以激发光源为蓝光LED为例对本发明的制备方法进行说明。本发明实施例提供一种显示面板制备方法包括:
步骤51,在基板上子像素对应位置形成固定凹槽,用于固定蓝光LED作为激发光源,固定结构如图5中(1)所示;
步骤52,在基板上所有子像素对应位置,即固定凹槽内固定蓝光LED作为激发光源,固定结构如图5中(2)所示;
步骤53,使用掩膜板等,在基板上子像素对应位置形成激发光透过层,即在蓝色激发光源的出光面上形成蓝光透过层,在蓝色子像素对应位置形成蓝光透过层的厚度大于红光子像素对应位置和绿光子像素对应位置,此时效果如图5中(3)所示;
步骤54,在目标子像素对应位置形成目标光转换层,即在红光子像素对应位置的蓝光透过层出光面上形成红光转换层,在绿光子像素对应位置的蓝光透过层出光面上形成绿光转换层,此时效果如图5中(4)所示;
步骤55,在目标子像素对应位置形成目标光透过层,即在红光子像素对应位置的红光转换层出光面上形成红光透过层,在绿光子像素对应位置的绿光转换层出光面上形成绿光透过层,此时效果如图5中(5)所示;
步骤56,在所有子像素的侧边形成光聚合层,即分别围绕子像素单元的侧边形成光聚合层,此时效果如图5中(6)所示;
步骤57,在基板上形成保护层,即在所述目标光透过层上形成保护层,得到所述显示面板,此时效果如图5中(7)所示。
现以激发光源为紫光LED为例对本发明的制备方法进行说明。本发明实施例提供一种显示面板制备方法包括:
步骤61,在基板上子像素对应位置形成固定凹槽,用于固定紫光LED作为激发光源,固定结构如图6中(1)所示;
步骤62,在基板上所有子像素对应位置,即固定凹槽内固定紫光LED作为激发光源,固定结构如图6中(2)所示;
步骤63,使用掩膜板等,在基板上所有子像素对应位置形成激发光透过层,即在所有紫色激发光源的出光面上形成紫光透过层,此时效果如图6中(3)所示;
步骤64,在目标子像素对应位置形成目标光转换层,即在红光子像素对应位置的紫光透过层出光面上形成红光转换层,在绿光子像素对应位置的紫光透过层出光面上形成绿光转换层,在蓝光子像素对应位置的紫光透过层出光面上形成蓝光转换层,此时效果如图6中(4)所示;
步骤65,在目标子像素对应位置形成目标光透过层,即在红光子像素对应位置的红光转换层出光面上形成红光透过层,在绿光子像素对应位置的绿光转换层出光面上形成绿光透过层,在蓝光子像素对应位置的蓝光转换出光面上形成蓝光透过层,此时效果如图6中(5)所示;
步骤66,在所有子像素的侧边形成光聚合层,即分别围绕子像素单元的侧边形成光聚合层,此时效果如图6中(6)所示;
步骤67,在基板上形成保护层,即在所述目标光透过层上形成保护层,得到所述显示面板,此时效果如图6中(7)所示。
在一种实施例中,在提供激发光源时,可以提供蓝色激发光源、绿色激发光源、红色激发光源,对不同激发光源,相应的子像素单元无需制备目标光转换层,可采用透明材料填平,且会得到不混有其他颜色的目标光,而其他的目标光在通过相应的目标光转换层和目标光透光层后,也能得到较纯的目标光甚至纯色的目标光;还可以采用近紫外激发光源,只需相应的改变激发光透光层、目标光转换层以及增加相应的目标光透光层即可得到较纯的目标光甚至纯色的目标光。
在一种实施例中,可以通过挖孔形成凹槽,以设置子像素,围绕每个子像素制备光聚合层,从而防止目标光出射角度过大,对目标光进行束型,防止相邻子像素之间出现串扰,提高显示质量;且可以通过在相邻子像素之间制备光聚合层,使相邻子像素单元共用光聚合层,通过提高光聚合层的高度,可以有效防止子像素之间出现串扰,提高目标光纯度,提高显示质量。
在一种实施例中,所述激发光透光层可以采用蒸镀或者磁控溅射无机材料的方式制成在激发光源的出光面上,或者所述激发光透光层采用热压有机材料的方式制成在激发光源的出光面上;所述无机材料包括TiO2(二氧化钛)、Al2O3(氧化铝)、SiO2(二氧化硅)、ZnS(硫化锌)等,所述有机材料包括PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)以及树脂等;在本发明实施例中,目标光转换层可通过蒸镀量子点或者荧光粉的方式制成,光聚合层可以采用树脂、硅胶或者其他导电介质制成。
根据以上实施例可知:
本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法,该显示面板包括子像素单元,至少部分子像素单元包括激发光源、目标光转换层和目标光透过层,所述激发光源用于产生激发光,所述目标光转换层设置于所述激发光源的出光方向上,用于将所述激发光转换为目标光,所述目标光透过层设置于所述目标光转换层的出光方向上,用于透过所述光转换层生成的目标光,并反射穿过所述目标光转换层的激发光;通过在目标光转换层上设置目标光透过层,使得穿过目标光转换层的目标光透过,而穿过目标光转换层的激发光被反射,使得出射的目标光少量混有激发光甚至不混有激发光,使得子像素单元出射的目标光较纯,从而解决了现有微显示技术存在缺陷的技术问题;且由于激发光会被目标光透过层反射回目标光转换层,从而再次转换为目标光,使得色转换层的厚度降低,且可以节省成本;而围绕子像素单元设置光聚合层,将有效的防止子像素单元之间出现串扰,且有助于降低目标光转换层的厚度。
综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (7)
1.一种显示面板,其特征在于,包括子像素单元,至少部分子像素单元包括:
激发光源,用于产生激发光;
激发光透过层,设置于所述激发光源的出光方向上;
目标光转换层,形成于所述激发光透过层的出光面上,用于将所述激发光转换为目标光;
目标光透过层,设置于所述目标光转换层的出光方向上,用于透过所述光转换层生成的目标光,并反射穿过所述目标光转换层的激发光;所述目标光透过层的出光面的面积等于所述目标光转换层的出光面的面积;
光聚合层,设置于相邻子像素单元之间,且至少围绕所述目标光转换层以及所述目标光透过层的侧边设置,用于将所述目标光转换层和所述目标光透过层的侧边射出的目标光反射回所述目标光转换层和所述目标光透过层,以通过所述目标光透过层的出光面射出,以及将所述目标光转换层反射的激发光聚合到目标光转换层;
其中,所述激发光透过层用于透过所述激发光,并反射目标光,以防止所述目标光透过层反射回的激发光在所述目标光转换层内转换为目标光后与所述激发光源射出的激发光混色。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述目标光透过层形成于所述目标光转换层的出光面上,将穿过所述目标光转换层的激发光反射至所述目标光转换层。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述激发光透过层形成于所述激发光源的出光面上。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光聚合层围绕子像素单元的侧边设置。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光聚合层围绕目标光转换层和目标光透过层的侧边设置。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光聚合层围绕激发光透过层、目标光转换层和目标光透过层的侧边设置。
7.一种显示面板制备方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板上形成子像素单元驱动电路层;
在所述驱动电路层上形成子像素单元固定构件;
在所述固定构件内固定激发光源,所述激发光源用于产生激发光;
在至少部分激发光源的出光方向上,设置激发光透过层;
在所述激发光透过层的出光面上形成目标光转换层,所述目标光转换层用于将所述激发光转换为目标光;
在所述目标光转换层的出光方向上形成目标光透过层,所述目标光透过层用于透过所述光转换层生成的目标光,并反射穿过所述目标光转换层的激发光;
至少围绕所述目标光转换层以及所述目标光透过层的侧边设置光聚合层;
在所述目标光透过层上形成保护层,得到所述显示面板;其中,所述目标光透过层的出光面的面积等于所述目标光转换层的出光面的面积,所述光聚合层设置于相邻子像素单元之间,用于将所述目标光转换层和所述目标光透过层的侧边射出的目标光反射回所述目标光转换层和所述目标光透过层,以通过所述目标光透过层的出光面射出,以及将所述目标光转换层反射的激发光聚合到目标光转换层;所述激发光透过层用于透过所述激发光,并反射目标光,以防止所述目标光透过层反射回的激发光在所述目标光转换层内转换为目标光后与所述激发光源射出的激发光混色。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811644935.8A CN109599037B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 显示面板及其制备方法 |
US16/475,135 US10978509B2 (en) | 2018-12-29 | 2019-04-17 | Display panel and manufacturing method thereof |
PCT/CN2019/083025 WO2020133816A1 (zh) | 2018-12-29 | 2019-04-17 | 显示面板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811644935.8A CN109599037B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 显示面板及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109599037A CN109599037A (zh) | 2019-04-09 |
CN109599037B true CN109599037B (zh) | 2020-07-10 |
Family
ID=65965693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811644935.8A Active CN109599037B (zh) | 2018-12-29 | 2018-12-29 | 显示面板及其制备方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10978509B2 (zh) |
CN (1) | CN109599037B (zh) |
WO (1) | WO2020133816A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109599037B (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN113066830B (zh) * | 2021-03-16 | 2022-07-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101225942A (zh) * | 2007-01-19 | 2008-07-23 | 金益世股份有限公司 | 波长转换结构及其制造与用途 |
CN100504543C (zh) * | 2007-03-06 | 2009-06-24 | 孙润光 | 显示装置以及含有该显示装置的手机、计算机和电视机 |
CN203275836U (zh) * | 2013-06-25 | 2013-11-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置 |
CN104752620A (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 业鑫科技顾问股份有限公司 | 颜色转换层、有机电致发光显示面板及液晶显示面板 |
US11024492B2 (en) * | 2015-07-07 | 2021-06-01 | Institute For Systems Biology | Method to obtain unbiased identification of interaction of test compounds with the proteome |
CN105044975A (zh) * | 2015-08-31 | 2015-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示装置 |
CN105589250A (zh) * | 2016-02-05 | 2016-05-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示面板、显示装置及制作方法 |
US10620478B2 (en) * | 2016-05-30 | 2020-04-14 | Maven Optronics Co., Ltd. | Photoluminescent display device and method for manufacturing the same |
US10177195B2 (en) * | 2016-09-30 | 2019-01-08 | Intel Corporation | Micro-LED displays |
CN106526965A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-03-22 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种封装量子点材料显示面板以及包含该面板的背光模组 |
CN106773287A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-05-31 | 青岛海信电器股份有限公司 | 一种封装量子点材料显示面板以及包含该面板的背光模组 |
CN106941108B (zh) * | 2017-05-23 | 2019-09-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 微发光二极管显示面板及其制作方法 |
CN107993583B (zh) * | 2017-11-27 | 2019-09-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 微型发光二极管显示装置及其制作方法 |
CN108257949B (zh) * | 2018-01-24 | 2020-02-07 | 福州大学 | 可实现光效提取和色彩转换微米级led显示装置及制造方法 |
CN108172608A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-06-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 高对比度的有机发光显示装置 |
US10468635B2 (en) | 2018-01-31 | 2019-11-05 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light-emitting device having high contrast ratio |
CN108766273A (zh) * | 2018-08-15 | 2018-11-06 | 南方科技大学 | 一种微型发光二极管显示面板及显示装置 |
CN109599037B (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
-
2018
- 2018-12-29 CN CN201811644935.8A patent/CN109599037B/zh active Active
-
2019
- 2019-04-17 WO PCT/CN2019/083025 patent/WO2020133816A1/zh active Application Filing
- 2019-04-17 US US16/475,135 patent/US10978509B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109599037A (zh) | 2019-04-09 |
US20200251523A1 (en) | 2020-08-06 |
WO2020133816A1 (zh) | 2020-07-02 |
US10978509B2 (en) | 2021-04-13 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |