CN109541320A - 一种测量水分影响电缆损耗因数的方法 - Google Patents
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Abstract
本公开揭示了一种测量水分影响电缆介质损耗因数的方法,包括如下步骤:通过接头连接电缆,并在接头位置注水;测量注水后电缆的超低频介质损耗因数;通过高压西林电桥测量注水后电缆的工频介质损耗因数。本公开通过对受潮电缆的超低频介质损耗因数和工频介质损耗因数的测量,能够得到不同受潮程度对电缆介质损耗因数的影响规律。
Description
技术领域
本公开属于电缆故障检测领域,具体涉及一种方法。
背景技术
电缆在运行过程中,由于热效应、机械应力、恶劣环境等因素引发电缆受潮、接头老化等,导致电缆绝缘特性逐步降低、介质损耗因数增大。根据全国电缆故障统计,大部分电缆绝缘故障由接头进水引起。当进水发生在电缆接头处时,其主绝缘在强电场的作用下,容易产生水解,水分被高聚物吸附、吸收并扩散,使其绝缘性能下降,介损增大,接头绝缘老化速度加快,最后导致放电引起故障。介质损耗因数(tanδ)能反映出电缆绝缘的一系列缺陷,包括电缆受潮、接头老化、水树发展程度以及局部放电等。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本公开的目的在于提供一种测量水分影响电缆损耗因数的方法,通过对注水后电缆的超低频介质损耗和工频损耗因数的测量,可获得不同受潮程度对电缆的损耗因数的影响规律。
本公开的目的是通过以下技术方案实现的:
一种测量水分影响电缆介质损耗因数的方法,包括如下步骤:
S100:通过接头连接电缆,并在接头位置注水;
S200:测量注水后电缆的超低频介质损耗因数;
S300:通过高压西林电桥测量注水后电缆的工频介质损耗因数。
优选的,所述超低频介质损耗因数的计算公式如下:
tan δ=IR/IC
其中,tanδ表示超低频介质损耗因数,IR表示电阻电流,IC表示电容电流。
优选的,所述测量注水后电缆的超低频介质损耗因数包括以下步骤:
S1000:选择电缆三相中的一相与超低频测试主机相连;
S2000:利用低频高压电源间断输出频率为0.1HZ、电压等级分别为0.5U0、1.0U0和1.5U0的低频电压,测量每个电压等级输出下超低频介质损耗因数tanδ的数值并计算该超低频介质损耗因数tanδ的平均值、差值和标准偏差;
S3000:利用低频高压电源间断输出频率为50HZ、电压等级分别为0.5U0、1.0U0和1.5U0的低频电压,测量每个电压等级输出下超低频介质损耗因数tanδ的数值并计算该超低频介质损耗因数tanδ的平均值、差值和标准偏差;
S4000:选择电缆另外两相分别与超低频测试主机相连,并重复执行步骤S2000-S3000。
优选的,步骤S2000中,所述超低频介质损耗因数tanδ的平均值、差值和标准偏差作为电缆绝缘老化的判断依据。
优选的,所述工频介质损耗因数的计算公式为:
其中,εr表示工频介质损耗因数,d表示电缆厚度;De表示测量电极的有效直径;Cx表示电缆电容。
本公开带来的有益效果为:
1、通过研究电缆在0.1Hz和50Hz时的损耗因数随水分变化的状况,为二者之间的相关性提供依据。
附图说明
图1是本公开的一种测量水分影响电缆介质损耗因数的方法流程图;
图2是本公开的电缆的等效电路示意图;
图3是本公开的电容电流与测试电流的相角差。
具体实施方式
下面参照附图和实施例对本公开的技术方案进行详细说明。
如图1所示,一种测量水分影响电缆介质损耗因数的方法,包括如下步骤:
S100:通过接头连接电缆,并在接头位置注水;
S200:测量注水后电缆的超低频介质损耗因数;
S300:通过高压西林电桥测量注水后电缆的工频介质损耗因数。
在步骤S100的具体实施例中,取长约1.5米的两段新电缆,并制作电缆中间接头,通过接头将两段电缆连接。对于10kV电压等级的三芯交联电缆,当导体标称面积为150mm2~400mm2,每相电容为0.30μF/km~0.42μF/km,则3米长的电缆,其电容为900pF~1260pF。通过接头完成电缆连接后,在接头位置注水,当接头进水时,接头附件内的水会纵向外扩散、渗透,主要经过导体连接管、附件内半导电屏蔽层、附件主绝缘体、半导电屏蔽层(与接地金属屏蔽层导通)。在电压作用下,附件内带杂质的水很容易使接头产生沿面放电及闪络放电现象而击穿。同时,水在电场作用下,具一定的导电性,电压越高,水分越多,导电性越强。这样,中间接头每个结构部分通过水而连接起来,致使运行导体与地接通而放电击穿的情况出现。
在步骤S200的具体实施例中,利用低频高压电源在频率分别为0.1Hz和50Hz间断输出不同等级电压,并测量每个等级电压输出下的超低频介质损耗因数tanδ的数值,通过计算tanδ的平均值、差值和标准偏差,用来评估电缆的介质损耗值及其稳定性。
在步骤S300的具体实施例中,电桥调节平衡后,可以从电桥上直接读取电缆的tanδ。
上述实施例通过对注水后电缆的超低频介质损耗因数和工频介质损耗因数进行测量,能够获得不同受潮程度对电缆介质损耗因数的影响规律。
另一个实施例中,所述超低频介质损耗因数的计算公式如下:
tan δ=IR/IC
其中,tanδ表示超低频介质损耗因数,IR表示电阻电流,IC表示电容电流。
本实施例中,电缆可等效为如图2所示的电路,包括电阻和电容。电缆施加电压后,电路中的电阻会有一定的导电损耗,使实际的电流超前电压的角度为90-δ,因此出现了如图3所示的电缆的介质损耗角δ。
另一个实施例中,所述测量注水后电缆的超低频介质损耗因数包括以下步骤:
S1000:选择电缆三相中的一相与超低频测试主机相连;
S2000:利用低频高压电源间断输出频率为0.1HZ、电压等级分别为0.5U0、1.0U0和1.5U0的低频电压,测量每个电压等级输出下超低频介质损耗因数tanδ的数值并计算该超低频介质损耗因数tanδ的平均值、差值和标准偏差;
S3000:利用低频高压电源间断输出频率为50HZ、电压等级分别为0.5U0、1.0U0和1.5U0的低频电压,测量每个电压等级输出下超低频介质损耗因数tanδ的数值并计算该超低频介质损耗因数tanδ的平均值、差值和标准偏差;
S4000:选择电缆另外两相分别与超低频测试主机相连,并重复执行步骤S2000-S3000。
另一个实施例中,步骤S2000中,所述介质损耗因数tanδ的平均值、差值和标准偏差作为电缆绝缘老化的判断依据。
本实施例中,以超低频介质损耗因数tanδ的平均值、差值和标准偏差作为电缆绝缘老化的判断依据,如表1所示:
表1超低频tanδ诊断标准
上表中,以最严重项作为超低频介质损耗诊断的结果。
另一个实施例中,所述工频介质损耗因数的计算公式为:
其中,εr表示工频介质损耗因数,d表示电缆厚度;De表示测量电极的有效直径;Cx表示电缆电容。
以上所述仅为本公开的较佳实施例,并不能因此而理解为对本公开范围的限制,应当指出,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本公开构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本公开的保护范围。
Claims (5)
1.一种测量水分影响电缆介质损耗因数的方法,包括如下步骤:
S100:通过接头连接电缆,并在接头位置注水;
S200:测量注水后电缆的超低频介质损耗因数;
S300:通过高压西林电桥测量注水后电缆的工频介质损耗因数。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,优选的,所述超低频介质损耗因数的计算公式如下:
tan δ=IR/IC
其中,tanδ表示超低频介质损耗因数,IR表示电阻电流,IC表示电容电流。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述测量注水后电缆的超低频介质损耗因数包括以下步骤:
S1000:选择电缆三相中的一相与超低频测试主机相连;
S2000:利用低频高压电源间断输出频率为0.1HZ、电压等级分别为0.5U0、1.0U0和1.5U0的低频电压,测量每个电压等级输出下超低频介质损耗因数tan8的数值并计算该超低频介质损耗因数tan8的平均值、差值和标准偏差;
S3000:利用低频高压电源间断输出频率为50HZ、电压等级分别为0.5U0、1.0U0和1.5U0的低频电压,测量每个电压等级输出下超低频介质损耗因数tanδ的数值并计算该超低频介质损耗因数tanδ的平均值、差值和标准偏差;
S4000:选择电缆另外两相分别与超低频测试主机相连,并重复执行步骤S2000-S3000。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤S2000中,所述超低频介质损耗因数tanδ的平均值、差值和标准偏差作为电缆绝缘老化的判断依据。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述工频介质损耗因数的计算公式为:
其中,εr表示工频介质损耗因数,d表示电缆厚度;De表示测量电极的有效直径;Cx表示电缆电容。
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