CN109534656A - 玻璃基板层叠体及玻璃基板 - Google Patents

Abstract

本申请提供玻璃基板层叠体及玻璃基板，不易在玻璃基板发生应变，不易形成玻璃基板的主表面的凹凸。一种玻璃基板层叠体，通过层叠多张玻璃基板而形成，其特征在于，所述玻璃基板层叠体的所述玻璃基板的体积总计为0.1m³以上，所述玻璃基板层叠体所含有的全部铂族金属的凝集物中，包含超过50μm的最大长度的凝集物，最大长度为50μm以下的凝集物的个数的比例为70％以上。

Description

玻璃基板层叠体及玻璃基板

本申请是国际申请日为2015年6月30日、国际申请号为PCT/JP2015/068909、发明名称为“玻璃基板的制造方法、玻璃基板及玻璃基板层叠体”的PCT申请的进入国家阶段日为2015年7月27日、申请号为201580000217.5的中国国家阶段申请的分案申请，其全部内容结合于此以作为参考。

技术领域

本发明涉及玻璃基板的制造方法、玻璃基板及玻璃基板层叠体。

背景技术

一般，玻璃基板是通过从玻璃原料生成熔融玻璃之后，经过澄清步骤、均质化步骤并使熔融玻璃成形为玻璃基板而制造的。但是，为了从高温的熔融玻璃批量生产高品质的玻璃基板，期望考虑使成为玻璃基板的缺陷主因的异物等不从制造玻璃基板的任一玻璃处理装置混入至熔融玻璃。因此，在玻璃基板的制造过程中与熔融玻璃接触的部件的壁必须根据与该部件接触的熔融玻璃的温度、所要求的玻璃基板的品质等而由适当的材料构成。

例如，在生成熔融玻璃后至供给至成形步骤的期间，熔融玻璃为极高温状态，因此，进行熔融、澄清、供给、搅拌的装置采用含有作为耐热性高的铂族金属的铂的部件(例如，专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2010-111533号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

然而，铂族金属容易因高温而挥发。而且，铂族金属的挥发物凝集时，作为该凝集物的结晶的一部分以异物形式混入熔融玻璃中，有导致玻璃基板质量下降之忧。特别是，从熔解步骤至成形步骤之间，澄清步骤是熔融玻璃的温度最高的步骤，故主要进行澄清步骤的澄清管被加热到极高的温度。因此，在澄清步骤后的熔融玻璃中，从澄清管挥发的铂族金属凝集而得的凝集物的一部分容易混入其中而成为异物。

当在玻璃基板制造过程中混入有铂族金属的异物时，将产生如下问题：由于铂族金属的异物和玻璃的热膨胀系数之差，在玻璃基板中产生应变，该应变会引起显示器的显示不良；或者，铂族金属会存在于玻璃基板的主表面附近而在玻璃基板的主表面上形成凹凸，从而不能均匀地进行设于主表面上的薄膜晶体管(TFT)的形成，导致产生显示器的显示不良。近年来，随着图像显示装置的画面显示的高清晰化，就用于显示器的玻璃基板而言，进一步强烈要求降低混入玻璃基板内的铂族金属的异物。

这样，优选降低混入玻璃基板的铂族金属的异物(凝集物)的量。然而，成形前的熔融玻璃的温度极高，特别是在进行澄清步骤的澄清管中，不能从澄清管的气相空间气氛中排除作为诱发铂族金属挥发的原因的氧，故不能完全消除铂族金属的挥发。另外，在澄清管中，不能使作为产生铂族金属的挥发物的凝集的原因的装置内壁面的温度差为0，也不能完全消除铂族金属的挥发。因此，难以在制造过程中完全阻止铂族金属的异物(凝集物)混入熔融玻璃中。

因而，本发明的目的在于，提供一种即使在玻璃基板中混入有铂族金属的异物(凝集物)也难以产生上述问题的玻璃基板的制造方法、玻璃基板及玻璃基板层叠体。

用于解决技术问题的方案

如上所述，鉴于难以在玻璃基板的制造过程中完全阻止铂族金属的异物(凝集物)混入熔融玻璃中，于是，本申请发明人对即使在熔融玻璃中混入有铂族金属的异物(凝集物)也不易在玻璃基板上发生应变、不易形成玻璃基板的主表面的凹凸的异物的形式进行了摸索。结果得到了如下的见解：铂族金属的最大长度为50μm以下对于不易在玻璃基板上发生应变、不易形成玻璃基板的主表面的凹凸是有效的，另外，混入玻璃基板的铂族金属的异物(凝集物)中、铂族金属的最大长度为50μm以下的铂族金属的异物(凝集物)的个数比为70％以上是有效的。特别是，得到了在制造玻璃基板时降低混入熔融玻璃的铂族金属的异物(凝集物)的大小对于不易在玻璃基板上发生应变、不易形成玻璃基板的主表面的凹凸是有效的这一见解。这是从为了抑制产生显示不良而降低铂族金属的异物(凝集物)的绝对数的现有技术中无法容易想到的见解。

即，本发明的一个方面是玻璃基板的制造方法。该玻璃基板的制造方法包括以下方式。

(第1方式)

玻璃基板的制造方法，包括：

熔解步骤，熔解玻璃原料而生成熔融玻璃；以及

熔融玻璃处理步骤，在玻璃处理装置中处理所述熔融玻璃，所述玻璃处理装置具有空间，随着所述熔融玻璃导入所述空间而形成被所述熔融玻璃的表面和所述玻璃处理装置的壁包围的气相空间，所述壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，在处理所述熔融玻璃时，存在于所述气相空间的、从所述壁挥发的铂族金属的挥发物的凝集物作为异物混入所述熔融玻璃中，

所述玻璃基板的制造方法包括凝集物处理步骤，在所述凝集物处理步骤中缩小混入所述熔融玻璃的凝集物的大小，使得混入所述熔融玻璃的凝集物中，最大长度为50μm以下的凝集物的个数的比例为70％以上。

(第2方式)

玻璃基板的制造方法，包括：

熔解步骤，熔解玻璃原料而生成熔融玻璃；

熔融玻璃处理步骤，在玻璃处理装置中处理所述熔融玻璃，所述玻璃处理装置具有由所述熔融玻璃构成的液相、以及由所述熔融玻璃的液面和壁所形成的气相空间，包围所述气相空间的壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，在处理所述熔融玻璃时，存在于所述气相空间的、从所述壁挥发的铂族金属的挥发物的凝集物作为异物混入所述熔融玻璃中；以及

凝集物处理步骤，缩小在所述熔融玻璃处理步骤中混入所述熔融玻璃的凝集物的大小，使得混入熔融玻璃的凝集物中，最大长度为50μm以下的凝集物的个数的比例为70％以上。

(第3方式)

玻璃基板的制造方法，包括：

熔解步骤，熔解玻璃原料而生成熔融玻璃；以及

熔融玻璃处理步骤，在玻璃处理装置中处理所述熔融玻璃，所述玻璃处理装置具有空间，随着所述熔融玻璃导入所述空间而形成被所述熔融玻璃的表面和所述玻璃处理装置的壁包围的气相空间，所述壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，在处理所述熔融玻璃时，存在于所述气相空间的、从所述壁挥发的铂族金属的挥发物的凝集物作为异物混入所述熔融玻璃中，

所述玻璃基板的制造方法包括凝集物处理步骤，在所述凝集物处理步骤中调整所述熔融玻璃中的所述凝集物的溶解度，使混入所述熔融玻璃的凝集物的大小缩小。

(第4方式)

玻璃基板的制造方法，包括：

熔解步骤，熔解玻璃原料而生成熔融玻璃；以及

熔融玻璃处理步骤，在玻璃处理装置中处理所述熔融玻璃，所述玻璃处理装置具有由所述熔融玻璃构成的液相、以及由所述熔融玻璃的液面和壁所形成的气相空间，包围所述气相空间的壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，在处理所述熔融玻璃时，存在于所述气相空间的、从所述壁挥发的铂族金属的挥发物的凝集物作为异物混入所述熔融玻璃中，

所述玻璃基板的制造方法还包括凝集物处理步骤，在所述凝集物处理步骤中控制提供给所述凝集物的热量，使得提供给所述凝集物的热量为能够缩小混入所述熔融玻璃的所述凝集物的大小的最小热量以上。

(第5方式)

根据第1方式～第4方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，

在所述玻璃基板的制造方法中，使与所述气相空间接触的所述壁的最高温度与最低温度之差为5℃以上，所述气相空间含氧。

(第6方式)

根据所述第1方式～所述第5方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，

在所述凝集物处理步骤中进行升温，使含有所述凝集物的所述熔融玻璃的温度比在所述熔融玻璃处理步骤中有凝集物混入熔融玻璃的区域中的熔融玻璃的温度高。或者，在所述凝集物处理步骤中，所述熔融玻璃的温度是最高温度。

(第7方式)

根据所述第1方式～第6方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，在所述凝集物处理步骤中，使所述凝集物溶解于熔融玻璃的溶解度比在所述熔融玻璃处理步骤中有凝集物混入熔融玻璃的区域中的所述溶解度高。或者，根据所述第1方式～所述第6方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，在所述凝集物处理步骤中，通过提高所述凝集物溶解于熔融玻璃的溶解度来缩小混入所述熔融玻璃的凝集物的大小。详细而言，根据所述第1方式～所述第6方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，在所述凝集物处理步骤中，通过加热控制熔融玻璃来提高所述凝集物溶解于熔融玻璃的溶解度，从而缩小混入所述熔融玻璃的凝集物的大小。

(第8方式)

根据所述第1方式～所述第7方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，

所述玻璃处理装置是具有澄清管的澄清装置，

所述熔融玻璃在所述澄清管中流动，

所述澄清管内的所述气相空间沿所述熔融玻璃的流动方向而形成，所述凝集物处理步骤在所述澄清管中进行。

(第9方式)

根据所述第1方式～所述第8方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，

在所述熔融玻璃处理步骤中，使用所述熔融玻璃中包含的氧化锡进行减少所述熔融玻璃中的气泡数的澄清处理，所述熔融玻璃在所述玻璃处理装置中流动，在与所述气相空间接触的所述壁上形成沿所述熔融玻璃的流动方向的温度分布，在所述气相空间中形成沿所述熔融玻璃的流动方向的氧浓度分布。

(第10方式)

根据所述第1方式～所述第9方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，

所述凝集物处理步骤在所述玻璃处理装置中进行，所述熔融玻璃在所述玻璃处理装置中流动，在于所述玻璃处理装置中流动的熔融玻璃中，在所述气相空间中沿着熔融玻璃的流动方向上，对与氧浓度最高的区域对应的位置上流动的熔融玻璃进行所述凝集物处理步骤。

(第11方式)

根据所述第1方式～所述第10方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，

使所述气相空间中的氧浓度超过0％、且在1.0％以下，使与所述气相空间接触的所述壁的最高温度与最低温度之差为5℃以上、且100℃以下。

(第12方式)

根据所述第1方式～所述第11方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，

控制熔融玻璃的温度，使得所述凝集物处理步骤中的所述熔融玻璃的温度在1670℃～1730℃的温度范围内。

(第13方式)

根据所述第1方式～所述第12方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，

控制熔融玻璃的温度，使得在所述熔融玻璃处理步骤中有凝集物混入熔融玻璃的区域中的所述熔融玻璃的温度为1580℃～1660℃的温度范围内。

(第14方式)

根据所述第1方式～所述第13方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，

所述熔融玻璃处理步骤包括所述凝集物处理步骤。

(第15方式)

根据所述第1方式～所述第14方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，

所述玻璃基板是显示器用玻璃基板。

(第16方式)

根据所述第1方式～所述第15方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，

使所述凝集物处理步骤开始时的溶于所述熔融玻璃中的铂族金属的浓度为0.05～20ppm。

(第17方式)

根据所述第1方式～所述第16方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，

在所述凝集物处理步骤中，在玻璃基板的[Fe³⁺]/([Fe²⁺]+[Fe³⁺])为0.2～0.5的范围内调整所述熔融玻璃的所述铂族金属的饱和溶解度。

(第18方式)

根据所述第1方式～所述第17方式中任一方式所述的玻璃基板的制造方法，

所述玻璃基板中碱金属氧化物的含量为0～0.5质量％。

(第19方式)

一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括：

熔解步骤，熔解玻璃原料而生成熔融玻璃；

熔融玻璃处理步骤，在玻璃处理装置中处理所述熔融玻璃，所述玻璃处理装置具有空间，随着所述熔融玻璃导入所述空间而形成被所述熔融玻璃的表面和所述玻璃处理装置的壁包围的气相空间，所述壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，在处理所述熔融玻璃时，存在于所述气相空间的、从所述壁挥发的铂族金属的挥发物的凝集物作为异物混入所述熔融玻璃中；以及

凝集物处理步骤，使在所述熔融玻璃处理步骤中混入所述熔融玻璃的凝集物的至少一部分溶解于所述熔融玻璃，

使所述凝集物处理步骤开始时的溶于所述熔融玻璃中的铂族金属的浓度为0.05～20ppm。

(第20方式)

一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括：

熔解步骤，熔解玻璃原料而制作熔融玻璃；

熔融玻璃处理步骤，使用玻璃处理装置处理所述熔融玻璃，所述玻璃处理装置因所述熔融玻璃的导入而形成被所述熔融玻璃的表面和壁包围的气相空间，与所述气相空间接触的壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，在处理所述熔融玻璃时，存在于所述气相空间的、从所述壁挥发的铂族金属的挥发物的凝集物混入所述熔融玻璃；以及

凝集物处理步骤，使在所述熔融玻璃处理步骤中混入所述熔融玻璃的凝集物的至少一部分溶解于所述熔融玻璃，

在所述凝集物处理步骤中，基于在使用所述玻璃处理装置制成的玻璃基板中检测到的所述凝集物的缺陷个数调整所述熔融玻璃的温度，从而来调整所述凝集物铂族金属的饱和溶解度，使新制作的玻璃基板中包含的所述凝集物的缺陷个数处于容许水平。

这里，在所述凝集物处理步骤中，为了调整所述凝集物的饱和溶解度，优选在1660～1750℃的范围内调整所述熔融玻璃的温度。

(第21方式)

一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括：

熔解步骤，熔解玻璃原料而制作熔融玻璃；

熔融玻璃处理步骤，使用玻璃处理装置处理所述熔融玻璃，所述玻璃处理装置因所述熔融玻璃的导入而形成被所述熔融玻璃的表面和壁包围的气相空间，与所述气相空间接触的壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，在处理所述熔融玻璃时，存在于所述气相空间的、从所述壁挥发的铂族金属的挥发物的凝集物混入所述熔融玻璃；以及

凝集物处理步骤，使在所述熔融玻璃处理步骤中混入所述熔融玻璃的凝集物的至少一部分溶解于所述熔融玻璃，

在所述凝集物处理步骤中，通过在0.2～0.5的范围内调整玻璃基板的[Fe³⁺]/([Fe²⁺]+[Fe³⁺])来调整所述熔融玻璃的所述铂族金属的饱和溶解度，使得玻璃基板中包含的所述凝集物的缺陷个数在容许水平。

这里，所述[Fe³⁺]/([Fe²⁺]+[Fe³⁺])优选通过调节所述玻璃基板所含有的氧化锡的含量及玻璃原料中含有的氧化物的含量中至少任一来进行调整。

另外，本发明的另一方面是层叠有多张玻璃基板的玻璃基板层叠体。此时，包括以下的第22方式。

(第22方式)

一种玻璃基板层叠体，其特征在于，

所述玻璃基板层叠体中的玻璃基板的体积的总计为0.1m³以上，所述玻璃基板含有的全部铂族金属的凝集物中，最大长度为50μm以下的凝集物的个数的比例为70％以上。

另外，本发明的又一方面是玻璃基板，包括以下的第23方式。

(第23方式)

一种玻璃基板，其特征在于，

玻璃基板所含有的铂族金属的凝集物中，最大长度为50μm以下的凝集物的个数的比例为70％以上。

进而，本发明的再一方面是玻璃基板制造装置。该玻璃基板制造装置包含以下方式。

(第24方式)

玻璃基板制造装置，包括：

熔解装置，熔解玻璃原料而生成熔融玻璃；

玻璃处理装置，用于处理所述熔融玻璃，并具有空间，随着所述熔融玻璃导入所述空间而形成被所述熔融玻璃的表面和壁包围的气相空间，所述壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，在处理所述熔融玻璃时，存在于所述气相空间的、从所述壁挥发的铂族金属的挥发物的凝集物作为异物混入所述熔融玻璃；以及

处理单元，缩小混入所述熔融玻璃的凝集物的大小，使得在所述熔融玻璃处理步骤中混入熔融玻璃的凝集物中，最大长度为50μm以下的凝集物的个数的比例为70％以上。

进而，本发明的再一方面还是玻璃基板制造装置。该玻璃基板制造装置包括以下方式。

(第25方式)

玻璃基板制造装置，包括：

熔解装置，熔解玻璃原料而生成熔融玻璃；以及

玻璃处理装置，用于处理所述熔融玻璃，并具有空间，随着所述熔融玻璃导入所述空间而形成被所述熔融玻璃的表面和壁包围的气相空间，所述壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，在处理所述熔融玻璃时，存在于所述气相空间的、从所述壁挥发的铂族金属的挥发物的凝集物作为异物混入所述熔融玻璃，

所述玻璃基板制造装置包括调整单元，用于调整所述熔融玻璃中的所述凝集物的溶解度，使混入所述熔融玻璃的凝集物的大小缩小。

(第26方式)

另外，所述第1方式～所述第21方式的玻璃基板的制造方法、所述第22方式的玻璃基板层叠体、所述第23方式的玻璃基板、以及所述第24、25方式的玻璃基板制造装置中任一方式的所述玻璃基板是具有650℃以上的应变点的玻璃基板。

所述第1方式～所述第21方式的玻璃基板的制造方法、所述第22方式的玻璃基板层叠体、所述第23方式的玻璃基板、及所述第24、25方式的玻璃基板制造装置中任一方式的所述玻璃基板被用作液晶显示器用玻璃基板、有机EL(Electro-Luminescence：电致发光)显示器用玻璃基板、或者使用LTPS(Low Temperature Poly-silicon：低温多晶硅)薄膜半导体的显示器用玻璃基板。

发明效果

根据上述的玻璃基板的制造方法、玻璃基板、玻璃基板层叠体及玻璃基板制造装置，即使在玻璃基板中混入有铂族金属的异物(凝集物)，也能够不易在玻璃基板上发生应变、能够不易形成玻璃基板的主表面的凹凸。由此，制造玻璃基板时的成品率得到提高。

附图说明

图1是示出实施方式所涉及的玻璃基板的制造方法的步骤的流程图。

图2是示出实施方式所涉及的玻璃基板制造装置的构成的示意图。

图3是主要表示实施方式所涉及的澄清管的外观图。

图4是表示实施方式所涉及的澄清管的内部的截面图和澄清管的温度分布的一例示意图。

图5是表示熔融玻璃的最高温度和异物的比例的关系的图表。

具体实施方式

本实施方式的玻璃基板的制造方法在玻璃处理装置中处理熔融玻璃(熔融玻璃处理步骤)，所述玻璃处理装置具有空间，随着熔融玻璃导入该空间而形成被熔融玻璃的表面和玻璃处理装置的壁包围的气相空间，所述壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成，例如，所述玻璃处理装置具有由熔融玻璃形成的液相、以及由熔融玻璃的液面和壁形成的气相空间，包围气相空间的壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成。在该熔融玻璃的处理时，存在于气相空间的、从所述壁挥发的铂族金属的挥发物的凝集物将作为异物混入熔融玻璃中。进行缩小混入熔融玻璃的凝集物的大小的处理，使得混入熔融玻璃的所述凝集物中，最大长度为50μm以下的凝集物的个数的比例为70％以上(凝集物处理步骤)。或者，调整熔融玻璃中的异物(凝集物)的溶解度，使得混入熔融玻璃的凝集物的大小变小。例如，控制提供给异物(凝集物)的热量，使得提供给异物(凝集物)的热量为能缩小混入熔融玻璃的异物(凝集物)的大小的最小热量以上(凝集物处理步骤)。

这样，通过缩小混入玻璃基板的铂族金属的异物(凝集物)的大小，从而能够不易在玻璃基板上发生应变，且不易形成玻璃基板的主表面的凹凸。因此，将改善现有的问题，改善玻璃基板的制造成品率。

在以后的说明中，作为控制调整溶解度的条件使得凝集物相对于熔融玻璃的溶解度为凝集物能够溶解于熔融玻璃并能减少大小的最小溶解度以上的例子，举出控制提供给凝集物的热量使得提供给凝集物的热量为能够减少混入熔融玻璃的凝集物的大小的最小热量以上的例子来进行说明。

(玻璃基板的制造方法及玻璃基板制造装置)

图1是示出本实施方式所涉及的玻璃基板制造方法的步骤的一个例子的流程图。如图1所示，玻璃基板的制造方法主要包括：熔解步骤S1、澄清步骤S2、搅拌步骤S3、成形步骤S4、缓冷步骤S5、以及切断步骤S6。

图2是示出本实施方式所涉及的玻璃基板制造装置200的构成的一个例子的示意图。玻璃基板制造装置200包括熔解槽40、澄清管41、搅拌装置100、成形装置42、以及输送管43a、43b、43c。输送管43a连接熔解槽40和澄清管41。输送管43b连接澄清管41和搅拌装置100。输送管43c连接搅拌装置100和成形装置42。

在熔解步骤S1中，熔解玻璃的原料而生成熔融玻璃。熔融玻璃存积在熔解槽40中，并被加热到具有期望的温度。熔融玻璃含有澄清剂。从降低环境负担的观点来看，适合使用氧化锡作为澄清剂。

在熔解槽40中，玻璃原料被加热到与其组成等相应的温度而被熔解。由此，在熔解槽40中，例如得到1500℃～1620℃的高温的熔融玻璃G。需要说明的是，在熔解槽40中，可以通过在至少1对的电极间通电流来通电加热电极间的熔融玻璃G，另外，也可在通电加热的基础上，辅助性地提供燃烧器的火焰来加热玻璃原料。

澄清步骤S2在熔融玻璃流动的输送管43a及澄清管41的内部进行。首先，使熔融玻璃的温度上升。澄清剂因升温发生还原反应，放出氧。包含于熔融玻璃中的气泡吸收放出的氧而扩大，上浮到熔融玻璃与气相空间接触的表面，破裂并消失。即，进行消泡处理步骤S2A。进而，从消泡处理步骤S2A的中途开始、或者在消泡处理步骤S2A结束之后，进行凝集物处理步骤S2B，其中，提高熔融玻璃的温度，缩小在消泡处理中混入的铂族金属的凝集物的大小。然后，降低熔融玻璃的温度。由此，被还原的澄清剂发生氧化反应，吸收残留于熔融玻璃中的氧气等气体成分。即，进行吸收处理步骤S2C。

具体而言，在熔解槽40得到的熔融玻璃G从熔解槽40通过输送管43a流入澄清管41。澄清管41具有因熔融玻璃G的导入而形成被熔融玻璃G的表面和壁包围的气相空间的空间，该壁的至少一部分用包含铂族金属的材料构成。例如，具有熔融玻璃流动的液相以及由熔融玻璃的液面和壁形成的气相空间，包围气相空间的壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成。输送管43a、43b、43c是铂族金属制的管。需要说明的是，铂族金属意为由单一的铂族元素组成的金属、以及由铂族元素组成的金属的合金。铂族元素是铂(Pt)，钯(Pd)，铑(Rh)，钌(Ru)，锇(Os)及铱(Ir)这6种元素。在本实施方式中，例如，适合使用铂含量为70％以上的铂和铑的合金。铂族金属的熔点高，对熔融玻璃的耐蚀性优异。在澄清管41与熔解槽40同样地设置有加热单元。另外，至少在输送管43a也设置加热单元。

在澄清步骤S2中，进行以下步骤：消泡处理步骤，通过使熔融玻璃G升温而消泡；凝集物处理步骤，通过调整向混入熔融玻璃的铂族金属的异物(凝集物)提供的热量，从而断开或者熔解铂族金属的异物(凝集物)来缩小铂族金属的异物(凝集物)的大小；以及吸收处理步骤，通过使熔融玻璃降温而使熔融玻璃吸收熔融玻璃中的气泡。在凝集物处理步骤中，为了断开或熔解混入熔融玻璃的异物(凝集物)而缩小铂族金属的异物(凝集物)的大小，需要使提供给异物(凝集物)的热量在规定热量(最小热量)以上。在这种情况下，控制提供给熔融玻璃中的异物(凝集物)的热量，使提供给异物(凝集物)的热量为该最小热量以上。上述最小热量可通过预先进行实验等而预先研究。在以熔融玻璃G的温度控制最小热量的情况下，例如，控制澄清管41中的熔融玻璃G的温度在1580℃～1730℃的范围内，优选在1670℃～1730℃的范围内。

在澄清步骤S2中，从充分进行熔融玻璃G的澄清的观点出发，优选在输送管43a的内部流动的熔融玻璃G的温度不是降温，而是逐渐升温。优选在熔解步骤S1之后，熔融玻璃G以3℃/分钟以上的速度升温到1630℃以上。

在输送管43a流动的熔融玻璃G的最高温度是1620℃～1690℃，优选是1640℃～1670℃。另外，在作为连接输送管43a和澄清管41的区域的澄清管入口处的熔融玻璃G的温度是1610℃～1680℃，优选是1630℃～1660℃。进而，在作为连接澄清管41和输送管43b的区域的澄清管出口处的熔融玻璃G的温度是1530℃～1600℃，优选是1540℃～1580℃。

在澄清管41中澄清后的熔融玻璃G从澄清管41通过输送管43b流入搅拌装置100。熔融玻璃G在通过输送管43b时冷却。

在搅拌步骤S3中，搅拌澄清后的熔融玻璃，使熔融玻璃的成分均质化。由此，降低导致玻璃基板的条纹等的熔融玻璃的组成不规则。均质化后的熔融玻璃被送到成形步骤S4。

具体而言，在搅拌装置100中，在比通过澄清管41的熔融玻璃G的温度低的温度下搅拌熔融玻璃G。例如，在搅拌装置100中，熔融玻璃G的温度是1250℃～1450℃。例如，在搅拌装置100中，熔融玻璃G的粘度是500泊～1300泊。熔融玻璃G在搅拌装置100中被搅拌而被均质化。

在搅拌装置100中均质化后的熔融玻璃G从搅拌装置100通过输送管43c流入成形装置42。熔融玻璃G通过输送管43c时，冷却为适于熔融玻璃G的成形的粘度。例如，熔融玻璃G冷却到1100～1300℃。

需要说明的是，本实施方式的搅拌步骤S3在澄清步骤S2之后进行，但搅拌步骤S3也可以在澄清步骤S2之前进行。在这种情况下，搅拌步骤S3时的熔融玻璃G的温度可以与澄清管41内的熔融玻璃G的温度相等或更高。

在成形步骤S4中，利用溢流下拉法或浮式法连续地将熔融玻璃成形为平板玻璃。

具体而言，流入成形装置42的熔融玻璃G被供给至设置于成形炉(未图示)内部的成形体52。在成形体52的上表面沿成形体52的长度方向形成有槽。熔融玻璃G被供给到成形体52的上表面的槽。从槽溢出的熔融玻璃G经过成形体52的一对侧面，向下方流下。沿成形体52的侧面流下的一对熔融玻璃G在成形体52的下端合流，连续地成形为平板玻璃GR。

在缓冷步骤S5中，于成形步骤S4中连续成形的平板玻璃具有期望的厚度，且以不产生应变及翘曲的方式缓缓冷却。

在切断步骤S6中，于缓冷步骤S5中缓冷的平板玻璃被切断为规定长度，得到玻璃板。玻璃板被进一步切断为规定的尺寸，得到玻璃基板。

(玻璃基板层叠体及玻璃基板)

本实施方式提供层叠多张玻璃基板而形成的玻璃基板层叠体及玻璃基板。

本实施方式的玻璃基板层叠体的特征在于，其总体积为0.1m³以上，该玻璃基板层叠体含有的所有铂族金属的凝集物中，最大长度为50μm以下的凝集物的个数的比例为70％以上。如后所述，这样的玻璃基板层叠体能够不易在玻璃基板上产生应变，能够不易形成玻璃基板的主表面的凹凸。因此，上述层叠体的各玻璃基板适合用作显示器用玻璃基板，特别是，对于在画面显示方面要求高清晰度的显示器面板用玻璃基板是有效的。

另外，本实施方式的玻璃基板的特征在于，玻璃基板含有的铂族金属的凝集物中，最大长度为50μm以下的凝集物的个数的比例为70％以上。通过这样构成的玻璃基板，如后所述，能够不易在玻璃基板上产生应变，能够使得更不易形成玻璃基板的主表面的凹凸。

此外，玻璃基板层叠体及玻璃基板更优选含有的铂族金属的凝集物中，最大长度为50μm以下的凝集物的个数的比例为90％以上。另外，玻璃基板层叠体及玻璃基板更优选含有的铂族金属的凝集物中，最大长度为30μm以下的凝集物的个数的比例为90％以上。

关于用于玻璃基板的玻璃，应变点为600℃以上的玻璃适于后述的玻璃基板的制造方法。上述应变点更优选为650℃以上，尤其优选为690℃以上，特别优选为730℃以上。

(玻璃基板的应用例)

通过本实施方式的玻璃基板的制造方法制造的玻璃基板特别适合用作液晶显示器、等离子体显示器、有机EL显示器等显示器用的玻璃基板或保护显示器的保护玻璃。使用显示器用玻璃基板的显示器除了具有平坦的显示器表面的平板显示器外，还包括有机EL显示器、液晶显示器这样的具有弯曲的显示器表面的曲面显示器。作为高清显示器用玻璃基板，玻璃基板优选用作例如液晶显示器用玻璃基板、有机EL(Electro-Luminescence：电致发光)显示器用玻璃基板、使用LTPS(Low Temperature Poly-silicon：低温多晶硅)薄膜半导体或者IGZO(Indium，Gallium，Zinc，Oxide：铟镓锌氧化物)等氧化物半导体的显示器用玻璃基板。

作为显示器用玻璃基板，使用无碱玻璃或含微量碱的玻璃。显示器用玻璃基板在高温时的粘性高。例如，具有10^2.5泊的粘性的熔融玻璃的温度在1500℃以上。需要说明的是，无碱玻璃是实质不含碱金属氧化物(R₂O)的组成的玻璃。实质不含碱金属氧化物是指，除去从原料等混入的杂质，未添加碱金属氧化物作为玻璃原料的组成的玻璃，例如，碱金属氧化物的含量不足0.1质量％。

(玻璃组成)

在熔解槽40中，利用未图示的加热单元熔解玻璃原料，生成熔融玻璃G。玻璃原料被调配成实质上能获得期望组成的玻璃。作为玻璃的组成的一个例子，适于作为平板显示器(FPD)用玻璃基板等显示器用玻璃基板的无碱玻璃含有SiO₂ 50质量％～70质量％；Al₂O₃0质量％～25质量％；B₂O₃ 0质量％～15质量％；MgO 0质量％～10质量％；CaO 0质量％～20质量％；SrO 0质量％～20质量％；BaO 0质量％～10质量％。需要说明的是，也可以是BaO为0质量％～20质量％，而不是BaO为0质量％～10质量％。这里，MgO、CaO、SrO及BaO的总含量是5质量％～30质量％。

另外，作为显示器用玻璃基板，也可以使用含有微量碱金属氧化物的含微量碱的玻璃。含微量碱的玻璃包含0.1质量％～0.5质量％的R’₂O作为其成分，优选包含0.2质量％～0.5质量％的R’₂O作为其成分。这里，R’是从Li、Na及K中选择的至少1种，R’₂O是Li₂O、Na₂O、K₂O的含量的总计。此外，R’₂O的含量的总计也可不足0.1质量％。因此，关于本实施方式的玻璃基板，除无碱玻璃以外，还适合使用碱金属氧化物(R’₂O)的含量为0～0.5质量％的玻璃。

根据本实施方式制造的玻璃可在上述成分的基础上还含有SnO₂ 0.01质量％～1质量％(优选0.01质量％～0.5质量％)；Fe₂O₃ 0质量％～0.2质量％(优选0.01质量％～0.08质量％)。另外，考虑环境负担的话，优选根据本发明制造的玻璃实质不含有As₂O₃、Sb₂O₃及PbO。为了减轻环境负担，优选将氧化锡(SnO₂)用作澄清剂。

本实施方式以熔融玻璃处理步骤为澄清步骤、熔融玻璃处理装置为包括澄清管41的澄清装置的方式为例进行了说明，但只要进行熔融玻璃处理步骤的装置是设于熔解槽40与成形装置42之间来对熔融玻璃进行规定处理的装置，并无特别限制。玻璃处理装置除了是澄清装置以外，例如也可以是搅拌装置、或者输送熔融玻璃的输送管。因此，熔融玻璃的处理除了包括澄清熔融玻璃的处理以外，还包括对熔融玻璃进行均质化的处理、输送熔融玻璃的处理等。另外，举出在澄清步骤S2中也进行凝集物处理步骤S2B的例子来进行了说明，但例如也可以在搅拌步骤S3、用输送管输送熔融玻璃G的步骤中进行凝集物处理步骤S2B。需要说明的是，即便是在凝集物处理步骤S2B在澄清步骤S2中进行的情况下，如上所述，凝集物处理步骤S2B也不需要在吸收处理步骤S2C之前进行，可在吸收处理步骤S2C之后进行。

(澄清管的构成)

接着，详细说明本实施方式中的澄清装置的澄清管41的构成。并且，澄清装置除了澄清管41外，还包括通气管41a、加热电极41b、及包围澄清管41的外周的未图示的耐火保护层及耐火砖。图3是主要表示澄清管41的外观图。图4是表示澄清管41的内部的截面图和示出澄清管的温度分布的一个例子的图。

在澄清管41上安装有通气管41a及一对加热电极41b。澄清管41的内部具有因熔融玻璃G的导入而形成被熔融玻璃G的表面和壁包围的气相空间41c的空间。例如，澄清管41的内部具有熔融玻璃G流动的液相、和由熔融玻璃G的液面和壁形成的气相空间。气相空间41c沿熔融玻璃G的流动方向形成。包围气相空间41c的壁的至少一部分由包含铂族金属的材料构成。在本实施方式中，包围气相空间41c的整个壁均由包含铂族金属的材料构成。

通气管41a在熔融玻璃G的流动方向的中途设于与气相空间41c接触的壁，使气相空间41c与澄清管41的外侧的大气连通。通气管41a优选与澄清管41同样地用铂族金属成形。通气管41a因为散热功能，使得通气管41a的温度容易下降，故也可以设置用于加热通气管41a的加热机构。

一对加热电极41b是设于澄清管41a的两端的凸缘形状的电极板。加热电极41b使从未图示的电源供给的电流流向澄清管41，利用该电流，澄清管41被通电加热。在使用氧化锡作为澄清剂的情况下，例如澄清管41的壁被加热到最高温度为1670℃～1750℃，更优选为1690℃～1750℃。澄清管41的壁的最高温度和最低温度之差为5℃以上，气相空间具有氧气。熔融玻璃G的温度被加热到促进氧化锡的还原反应的温度。进而，熔融玻璃G优选被加热到断开或者熔解铂族金属的异物(凝集物)的温度、例如1670℃以上，更优选被加热到1680℃以上。更具体而言，优选被加热到1670℃～1730℃，更优选被加热到1680℃～1700℃。熔融玻璃G的最高温度若超过1730℃，则由构成澄清管41a的铂族金属形成的管容易熔损。此外，熔融玻璃G的最高温度可根据设于澄清管41的未图示的热电偶的测量值算出。

可通过控制在澄清管41流动的电流来控制在这样的澄清管41的内部流动的熔融玻璃G的温度。

在澄清管41设置一对加热电极41b，但加热电极41b的数量并无特别限制。通过控制加热电极41b的电流量，从而澄清管41的与气相空间41c接触的壁的温度例如被控制在1500～1750℃的范围内。

在澄清管41的内部，利用熔融玻璃G中含有的澄清剂、例如氧化锡的氧化还原反应，除去熔融玻璃G中包含的含有CO₂或SO₂的气泡。具体而言，首先，升高熔融玻璃G的温度使澄清剂还原，使得在熔融玻璃G中产生氧气泡。熔融玻璃G中包含的含有CO₂、N₂、SO₂等气体成分的气泡与因澄清剂的还原反应而产生的氧气泡合体。与氧气泡合体后的气泡上浮到与气相空间接触的熔融玻璃G的表面而释放气泡、即破裂消失(消泡处理)。该消泡处理中的熔融玻璃G的温度是1610℃～1730℃，优选为1640℃～1710℃。为上述范围的温度时，铂族金属从澄清管41的壁大量挥发。因消泡而向气相空间释放氧，故在进行消泡处理的气相空间的部分氧浓度变高，其结果，铂族金属的挥发更加活跃。与此相伴，气相空间中含有的铂族金属的挥发物的浓度变高，因此，容易产生气相空间中含有的铂族金属的挥发物的凝集。尤其，铂族金属的挥发物容易在壁的局部冷却的位置、例如在澄清管41的入口附近的壁凝集。因此，附着在澄清管41的壁的铂族金属的凝集物的一部分会脱落，容易作为异物混入熔融玻璃G内。例如，在熔融玻璃流入澄清管41后，容易于熔融玻璃G的温度为1580℃～1660℃的区域发生包含于气相空间中的铂族金属的挥发物的凝集及凝集物混入熔融玻璃G。

因此，从消泡处理的中途、或者在消泡处理结束之后，进行缩小混入熔融玻璃G的铂族金属的异物(凝集物)的大小的凝集物处理步骤。

当在消泡处理结束之后进行凝集物处理步骤时，优选使熔融玻璃G升温，使得包含铂族金属的异物(凝集物)的熔融玻璃G的温度比有铂族金属的异物(凝集物)混入熔融玻璃G的区域中的熔融玻璃的温度高。

另外，当从消泡处理步骤的中途进行凝集物处理步骤时，同时进行消泡处理步骤和凝集物处理步骤。在从消泡处理步骤的中途进行凝集物处理步骤的情况下，有时同时进行消泡处理步骤和凝集物处理步骤。当从消泡处理步骤的中途进行凝集物处理步骤时，在凝集物处理步骤中熔融玻璃为最高温度。即，消泡处理步骤(熔融玻璃处理步骤)也可以包括凝集物处理步骤。

在凝集物处理步骤中，优选通过控制对混入熔融玻璃的铂族金属的异物(凝集物)施加的热量、具体而言、通过使熔融玻璃G的温度为1670℃以上，来断开、熔解铂族金属的异物(凝集物)。此时，通过以混入熔融玻璃G的铂族金属的异物(凝集物)中、最大长度为50μm以下大小的异物的个数的比例在70％以上的方式进行凝集物处理步骤，从而使玻璃基板产生的应变小，也较少地在玻璃基板的主表面形成凹凸。为了形成这样大小的异物，优选使熔融玻璃G的温度在1670℃以上的状态维持10分钟以上，更佳的是维持30分钟以上。即，在缩小铂族金属的异物(凝集物)的大小的凝集物缩小处理中，通过在1670℃以上的温度下保持10分钟以上，能够缩小铂族金属的异物(凝集物)的大小。

另外，本实施方式中，在上述凝集物处理步骤中，还优选控制溶解度，使得混入熔融玻璃的铂族金属的异物(凝集物)溶解于熔融玻璃的溶解度比在熔融玻璃处理步骤中有铂族金属的异物(凝集物)混入熔融玻璃的区域中的溶解度高。在提高异物(凝集物)向熔融玻璃G的溶解度的情况下，通过使熔融玻璃G的温度上升，从而能提高凝集物向熔融玻璃的溶解度，或者，通过使熔融玻璃G的温度上升及/或延长处理时间，从而能提高异物(凝集物)向熔融玻璃G的溶解量。

需要说明的是，铂族金属的异物(凝集物)是在一个方向上细长的线状物。因此，铂族金属的凝集物(异物)的最大长度是指，拍摄铂族金属的异物(凝集物)时外接(外切)异物的像的外接长方形的长边的长度。

在凝集物处理步骤前，最大长度为100μm以上的铂族金属的异物(凝集物)的比例超过80％。另外，在本实施方式中，凝集物处理步骤前的铂族金属的异物(凝集物)是指，最大长度与最小长度之比、即纵横比超过100的铂族金属的异物。例如，铂族金属的异物(凝集物)的最大长度为50μm～300μm，最小长度为0.5μm～2μm。

然后，降低熔融玻璃G的温度，使还原的澄清剂氧化。由此，残留于熔融玻璃G中的气泡的氧被熔融玻璃G吸收(吸收处理)。这样，残留的气泡变小并消失。这样，利用澄清剂的氧化还原反应除去熔融玻璃G中包含的气泡。另外，在吸收处理步骤S2C中，熔融玻璃G的温度及澄清管41的壁的温度降至1580℃以下，与消泡处理步骤S2A相比，气相空间中含有的氧浓度下降，故难以进行铂族金属的挥发及凝集。因此，在吸收处理步骤S2C中，与消泡处理步骤S2A相比，新的铂族金属的凝集物成为异物并混入熔融玻璃G的可能性极低。

虽未图示，但在澄清管41的外壁面设有耐火保护层。在耐火保护层的外侧还设有耐火砖。耐火砖载置于基台(未图示)。需要说明的是，也可以通过耐火保护层和/或耐火砖调整来自澄清管41的散热量来控制澄清管41的与气相空间41c接触的壁的温度和/或在澄清管41内流动的熔融玻璃温度。

图4示出与澄清管41的X方向的位置对应表示的澄清管41的温度分布(澄清管41的与气相空间41c接触的壁的X方向的温度分布)的一个例子。在温度分布中，在澄清管41的熔融玻璃G流入侧的端部41d(入口)与通气管41a之间，温度变为最高温度T_max。形成从该最高温度T_max的位置P起朝着澄清管41的端部41d温度下降的温度梯度。同样，形成从最高温度T_max的位置P起朝着通气管41a的X方向的位置温度下降的温度梯度。另外，虽未图示，但除了上述以外，也在通气管41a的X方向的位置与澄清管41的熔融玻璃G流出侧的端部41e(出口)之间形成温度梯度区域。在这样的温度梯度区域中，任一温度梯度区域中，温度梯度区域中的最高温度与最低温度的温度差超过0℃而在150℃以下，更优选超过0℃而在100℃以下。如图4所示，在持续至壁的温度成为最高温度T_max的温度上升区间的前半部分开始消泡处理，至少持续到最高温度T_max。另外，在包括最高温度T_max的温度上升区间的后半部分开始凝集物处理步骤，至少持续到最高温度T_max。凝集物处理步骤例如在熔融玻璃G的温度为1670℃以上开始。需要说明的是，关于消泡处理步骤结束和凝集物处理步骤结束的时间点，可以是任一方在先，但从将混入熔融玻璃的所有铂族金属的异物作为凝集物处理步骤的对象的方面来看，优选凝集物处理步骤的结束与消泡处理步骤的结束同时或者在其之后。

这样，在本实施方式中，对熔融玻璃G中的气泡进行消泡处理，但此时，从壁挥发的铂族金属的挥发物的凝集物作为异物混入熔融玻璃G中。缩小混入熔融玻璃G的凝集物的大小，使得混入熔融玻璃G的异物(凝集物)中、最大长度为50μm以下的异物(凝集物)的个数的比例为70％以上。或者，控制施加于铂族金属的异物的热量，以缩小混入的铂族金属的异物的大小。由此，即使铂族金属的异物混入玻璃基板，也能够不易在玻璃基板上发生应变，能够不易形成玻璃基板的主表面的凹凸。

另外，上述的澄清管41中的与气相空间接触的壁的温度的最高温度与最低温度之差为5℃以上，即使气相空间是含氧的气氛、即、即使是容易产生铂族金属的凝集物的条件，也能降低熔融玻璃中包含的铂族金属的异物的大小、或者能使最大长度为50μm以下的铂族金属的异物的个数的比例在70％以上。因此，即使铂族金属的异物混入玻璃基板，也能够不易在玻璃基板上发生应变，能够不易形成玻璃基板的主表面的凹凸。

另外，在进行凝集物处理步骤时，优选升温，使得包含凝集物的熔融玻璃G的温度比在熔融玻璃处理步骤中铂族金属的异物(凝集物)混入熔融玻璃G的区域中的熔融玻璃的温度高。由此，能利用热断开或熔解铂族金属的异物(凝集物)，能可靠地缩小铂族金属的异物(凝集物)的大小。

另外，玻璃处理装置是具有澄清管41的澄清装置，澄清管41内的气相空间沿熔融玻璃的流动方向形成，凝集物处理步骤优选在澄清管41进行。在到成形步骤为止的期间，澄清管41中的熔融玻璃G的温度为最高温度，从而能容易地通过热而将铂族金属的异物(凝集物)断开或者熔解。

在本实施方式的玻璃处理步骤中，使用熔融玻璃G中包含的氧化锡进行减少熔融玻璃G中的气泡数的澄清处理，使玻璃处理装置中的与气相空间接触的壁形成沿着熔融玻璃的流动方向的温度分布，使气相空间形成沿着熔融玻璃G的流动方向的氧浓度分布。在这样的装置中，由于有对铂族金属的挥发产生影响的氧浓度分布，所以容易产生铂族金属的挥发物的凝集物，该凝集物容易作为异物混入熔融玻璃。即使在这样的情况下，也能容易地缩小铂族金属的异物(凝集物)的大小，从而能够不易在玻璃基板上发生应变，能够不易形成玻璃基板的主表面的凹凸。

优选，凝集物处理步骤在玻璃处理装置中进行，以将在该玻璃处理装置中流动的熔融玻璃中的、在与气相空间中氧浓度最高的区域对应的流动方向的位置上流动的熔融玻璃包含在内的方式进行凝集物处理步骤。在图4所示的温度分布中，熔融玻璃G的消泡处理在最高温度T_max处进行得最活跃。由此，由于从气泡释放的氧，在最高温度T_max附近的气相空间内的区域中，氧浓度变得最高。例如，对通过与该氧浓度最高的气相空间内的区域对应的流动方向的位置的熔融玻璃进行凝集物处理步骤。因此，即使铂族金属因最大氧浓度而使铂族金属的挥发活跃，其结果导致容易产生铂族金属的凝集物而使铂族金属的凝集物作为异物混入熔融玻璃时，也能高效地缩小该异物的大小。

优选，澄清管41的气相空间中的氧浓度超过0％且在1.0％以下，澄清管41的壁的最高温度与最低温度之差为5℃以上且100℃以下。由此，能抑制铂族金属的挥发，抑制混入熔融玻璃G的铂族金属的异物。然而，即使在这样的情况下，也不能完全使铂族金属的异物为零。因此，通过缩小铂族金属的异物的大小，从而使得不易在玻璃基板上发生应变、不易形成玻璃基板的主表面的凹凸的本实施方式的效果更加显著。另外，由于能抑制铂族金属的挥发，从而能提高澄清管41等由铂族金属构成的装置的寿命。

另外，在熔融玻璃处理步骤的至少一部分中将熔融玻璃G的温度控制在1580℃～1660℃的温度范围，将凝集物处理步骤时的熔融玻璃G的温度控制在1670℃～1730℃，从而能可靠地进行消泡处理、且能可靠地缩小铂族金属的异物(凝集物)的大小。也就是说，能兼顾玻璃基板中包含的气泡数的减少和最大长度为50μm以上的铂族金属的异物的减少。另外，当澄清管41的气相空间的氧浓度具有因场所而异的分布时，在氧浓度高于规定值的区域中，容易向熔融玻璃G混入铂族金属的异物(凝集物)，因此，优选将熔融玻璃G的温度调整为即使混入铂族金属的异物(凝集物)也能缩小铂族金属的异物(凝集物)的大小的程度的温度、例如1680℃以上的温度。更优选的是，将熔融玻璃温度控制为沿气相空间的氧浓度分布形成熔融玻璃的温度分布。

在上述实施方式中，作为控制调整熔融玻璃中的凝集物的溶解度的条件的例子，举例说明了控制提供给凝集物的热量的例子。然而，关于将溶解度调整为溶解度为上述最小溶解度以上的条件，可例举包括上述热量控制的以下条件。通过控制这些条件或者组合控制这些条件，从而能调整溶解度。

(调整凝集物的溶解度的条件)

作为用于调整凝集物的溶解度的条件，例如可例举：

(a)溶于熔融玻璃的铂族金属的浓度；

(b)熔融玻璃的温度或者温度分布(对凝集物提供的热量)；

(c)气相空间的压力；

(d)熔融玻璃的氧活度。

(a)溶于熔融玻璃的铂族金属的浓度

凝集处理步骤开始时的溶于熔融玻璃的铂族金属的浓度越低，则在铂处理步骤中，熔融玻璃中的铂族金属的异物溶解的溶解度越发上升。熔融玻璃的铂族金属的浓度例如可通过对澄清管内的熔融玻璃进行采样，冷却后粉碎，使用ICP定量分析来测定求得。

若铂族金属的浓度过低，则铂族金属的凝集物的溶解度变大，反而存在铂族金属从与熔融玻璃接触的澄清管的壁溶出到熔融玻璃而使澄清管熔损的情况。

出于抑制产生这样的缺陷的观点，调整铂族金属的浓度。

需要说明的是，澄清管41中的凝集物处理步骤开始时的溶于熔融玻璃的铂族金属主要来源于从澄清管41、输送管43a等的与熔融玻璃接触的壁面溶出的铂族金属。从该壁面溶出的铂族金属的量依赖于输送管43a、凝集物处理步骤开始前的消泡处理步骤中的熔融玻璃的温度或者与熔融玻璃接触的澄清管41的壁面的温度。因此，通过调整输送管43a、澄清管41的壁面的温度或者温度分布，从而能调整凝集物处理步骤开始时的熔融玻璃的铂族金属的浓度。例如，可通过调整在澄清管41流动的电流、调整对配置在澄清管41的周围的加热器供给的电流、或者通过它们的组合来进行调整。通过降低凝集物处理步骤开始时的溶于熔融玻璃的铂族金属的浓度，从而凝集物处理步骤开始时熔融玻璃中的铂族金属的异物溶解的溶解度上升。从这一点来看，优选将凝集物处理步骤开始时的溶于熔融玻璃的铂族金属的浓度调整为0.05～20ppm。

由此，在玻璃基板的制造步骤中，即使铂族金属的凝集物混入熔融玻璃，也能制造出铂族金属的凝集物的缺陷个数在容许水平的玻璃基板。

(b)熔融玻璃的温度或温度分布

在澄清管41中，混入熔融玻璃的铂族金属的凝集物的溶解度可通过提高熔融玻璃的温度来增加。上面已经对熔融玻璃的温度或温度分布进行了描述，故省略其说明。

若熔融玻璃的温度过高，则铂族金属的凝集物的溶解量增大，反而会产生下述缺陷。

·重沸气泡的增加

若澄清管41中熔融玻璃的温度过高，则会在消泡处理步骤中过度消泡，导致熔融玻璃的氧活度变低，其结果是，熔融玻璃成为还原状态。在该状态下进行吸收处理步骤时，由于以下机制，存在在熔融玻璃中过度产生重沸气泡，导致在玻璃基板中残留重沸气泡的气泡的情况。重沸气泡具体而言是包含因在熔融玻璃中作为杂质含有的硫或碳而产生的SO₂或者CO₂等的气泡。在熔融玻璃的还原状态时间变长的情况下，溶解于熔融玻璃的SO₃、CO₃容易被还原，易生成SO₂、CO₂。该SO₂、CO₂与SO₃、CO₃相比难以溶解于熔融玻璃，故容易成为气泡。若产生较多的这样的重沸气泡，则有可能在玻璃基板中作为气泡缺陷而残留，导致玻璃基板的品质降低。此外，残留在玻璃基板的气泡例如用激光显微镜或目视检测。

·玻璃成分的挥发量的增加

若澄清管41中熔融玻璃的温度过高，则熔融玻璃的成分、例如B₂O₃会较多地挥发到气相空间。其结果是，玻璃组成局部变化，玻璃的热膨胀系数、粘度等玻璃特性会局部变化，在玻璃基板上产生条纹等线。

·铂族金属的挥发量的增加

若澄清管41中熔融玻璃的温度过高，则与熔融玻璃接触的气相空间的温度也变高，进而，因熔融玻璃的消泡处理而向气相空间释放的氧量变多，其结果是，铂族金属容易从包围气相空间的澄清管的壁挥发。当铂族金属的挥发量增加时，气相空间的铂族金属的浓度变高，容易发生凝集及凝集物混入熔融玻璃。

·澄清管的熔损

若澄清管41中熔融玻璃的温度过高，则存在与熔融玻璃接触的澄清管41的壁熔损的情况。

出于抑制这样的缺点发生的观点，进行澄清管41中的熔融玻璃的温度或者温度分布的调整。

(c)气相空间的压力

铂族金属的凝集物的溶解度可通过提高澄清管41的气相空间41c的压力来增加。气相空间的压力意为气相空间中所包含的气体的总压力。

例如，通过调整气相空间41c内的气体通过通气管41a而被吸引到澄清管41的外侧的量(吸引量)、对澄清管41内的气体、例如不活泼气体的供给量、从熔融玻璃放出的气体的放出量来进行气相空间41c的压力的调整。例如，通过使澄清管41的通气管41a的出口与吸引装置连接、或使上述出口变窄等来调节气相空间41c与澄清管41的外侧的大气的压力差的大小，从而能调整吸引量。例如，通过调整熔融玻璃中包含的澄清剂的量、玻璃成分的配合比，从而能调整从熔融玻璃放出的气体的放出量。需要说明的是，例如可根据从通气管41a放出的气体量来求出气相空间41c的压力比澄清管41的外侧的大气压高或低。

为使熔融玻璃中的异物溶于熔融玻璃而提高气相空间41c的压力的方法，如上所述，可通过调整对澄清管41内的气体的供给量、例如不活泼气体的供给量、或者调整从熔融玻璃放出的气体的放出量来进行。气相空间41c的压力优选在例如0.8～1.2atm的范围内调整。

气相空间41c的压力过高时，铂族金属的凝集物的溶解量会增大，反而产生下述的缺点。

·澄清不良

气相空间41c内的压力过高时，有可能在消泡处理步骤中致使在熔融玻璃中产生的气泡难以从熔融玻璃的表面释放，从而导致澄清不良。

·铂族金属的挥发量的增加

气相空间41c内的压力过高时，与澄清管41外侧的大气的压力差变大，气相空间41内的气流的流速上升。因此，气相空间41c内的铂族金属的浓度无法上升，难以成为饱和状态，致使来自澄清管41的壁的铂族金属的挥发量增加。

出于抑制这样的缺点产生的观点，进行气相空间的压力调整。

(d)熔融玻璃的氧活度

澄清管41中，通过使熔融玻璃的氧活度上升而能增加铂族金属的凝集物的溶解度。熔融玻璃的氧活度意为溶解于熔融玻璃的氧量(除去作为气泡而存在于熔融玻璃中的氧量)。在本实施方式中，使用[Fe³⁺]/([Fe²⁺]+[Fe³⁺])作为氧活度的指标。这里，[Fe²⁺]及[Fe³⁺]是熔融玻璃中包含的Fe²⁺及Fe³⁺的活度，具体而言，是用质量百分数表示的含量，可使用分光光度法测量。

例如，在澄清步骤中的消泡处理步骤中，熔融玻璃的温度变高，溶解于熔融玻璃的氧成为气泡而被消泡，故熔融玻璃的氧活度下降。另一方面，在澄清步骤中，当熔融玻璃的温度变低时，澄清剂吸收(取り込む)氧，故氧活度增大。

例如，除了在熔解步骤中调整熔融玻璃中包含的澄清剂、氧化物的量以外、除了调整熔融玻璃中包含的澄清剂或玻璃原料的氧化物的量以外，还能通过在澄清步骤中调整凝集物处理步骤开始前的熔融玻璃的温度、或者在凝集物处理步骤开始前使含氧气体在熔融玻璃内起泡来调整熔融玻璃的氧活度。

熔融玻璃中的氧活度的调整也可以与熔融玻璃的温度或者温度分布的调整一起进行。另外，调整熔融玻璃中的氧活度也可以与气相空间41c的压力调整一起进行。如上所述，除了通过调整熔融玻璃中包含的澄清剂或玻璃原料的氧化物的量以外，还能通过在澄清步骤中调整凝集物处理步骤开始前的熔融玻璃的温度、或者在凝集物处理步骤开始前使含氧气体在熔融玻璃内起泡来调整熔融玻璃中的氧活度。在凝集物处理步骤中，优选在例如0.2～0.5的范围内调整作为氧活度的指标的[Fe³⁺]/([Fe²⁺]+[Fe³⁺])。

在熔融玻璃的氧活度的调整时，若使熔融玻璃的氧活度过高，则铂族金属的凝集物的溶解量增大，反而产生下述缺点。

·铂族金属的挥发量增加

若使熔融玻璃的氧活度过大，则在消泡处理步骤中从熔融玻璃释放到气相空间的氧量增加，气相空间的氧浓度上升，从而铂族金属容易氧化而易挥发。铂族金属易挥发则易生成铂族金属的凝集物，且容易混入熔融玻璃中。

·氧气泡在熔融玻璃中残留

若使熔融玻璃的氧活度过大，则在吸收处理步骤中，被还原的澄清剂不会吸收氧，在熔融玻璃中生成含氧的气泡(氧气泡)，其在玻璃基板中作为气泡残留下来，容易使玻璃基板的品质下降。

出于抑制这样的缺点产生的观点，优选在通过调整熔融玻璃的氧活度来增大铂族金属的凝集物的溶解量时组合适当的条件参数(熔融玻璃的温度等)来进行调整。

或者，也可以基于凝集物的缺陷个数对熔融玻璃的温度调整进行反馈调整。作为调整对象的熔融玻璃的温度既可以是开始凝集物处理步骤的时间点的温度，也可以是凝集物处理步骤中途的温度。

通过在玻璃基板的各位置进行从斜向向玻璃基板的表面射入激光等光并接收其反射光，并根据接收光而得的图像确定与铂族金属的凝集物的形状一致的区域，从而能检测玻璃基板中的铂族金属的凝集物的缺陷。凝集物的缺陷也可用目视检测而不像这样地使用装置。该凝集物的缺陷个数的容许水平用单位质量表示时，例如为0.02个/kg以下。上述容许水平随玻璃基板的用户所要求的与应变、主表面的凹凸相关的规格而变化。

例如，在玻璃基板中检测到的缺陷个数超过容许水平的情况下，提高熔融玻璃的温度并提高熔融玻璃中的铂族金属的饱和溶解度，由此，促进混入熔融玻璃的凝集物的溶解。另一方面，在玻璃基板中检测到的缺陷个数处于容许水平的情况下，可在比与处于容许水平的缺陷个数的上限值对应的熔融玻璃的温度高的范围内加以降低。通过这样地调整熔融玻璃的温度，能调整铂族金属的饱和溶解度到适当的范围，由此，能将玻璃基板中包含的凝集物的缺陷个数抑制在容许水平，并能抑制因重沸气泡的增加等而产生的玻璃基板的品质下降。

具体而言，在玻璃处理装置是包括澄清管的澄清装置的情况下，通过使电流流向澄清管来进行通电加热，从而能进行熔融玻璃的温度调整。可根据对加热电极施加的电压的大小来调整电流量。另外，也可取代通电加热、或与通电加热组合而利用配置在澄清管的周围的未图示的加热器来间接地调整熔融玻璃的温度。加热器例如配置在耐火保护层、耐火砖的内部或外侧。另外，也可以通过使用耐火保护层、耐火砖来调整来自澄清管的散热量而进行熔融玻璃的温度调整。

在凝集物处理步骤中，优选代替熔融玻璃的温度调整、或在温度调整的基础上，在0.2～0.5的范围内调整作为上述的熔融玻璃的氧活度的指标的玻璃基板的[Fe³⁺]/([Fe²⁺]+[Fe³⁺])，从而来调整上述铂族金属的饱和溶解度，以使玻璃基板中包含的凝集物的缺陷个数处于容许水平。

(凝集物处理步骤后的铂族金属的凝集物)

在凝集物处理步骤后，熔融玻璃、玻璃基板或玻璃基板层叠体中包含的铂族金属的异物(凝集物)中、最大长度超过50μm的异物(凝集物)的个数的比例减少到不足30％。

本实施方式中，在为了提高熔融玻璃G的温度而提高澄清管41的温度的情况下，能有效地发挥本实施方式的上述效果。

例如，为了减轻环境负担，优选使用氧化锡作为熔融玻璃的澄清剂，但氧化锡与As₂O₃、Sb₂O₃相比，得到澄清效果(氧化反应)的温度高。因此，在使用氧化锡作为澄清剂的情况下，与使用As₂O₃、Sb₂O₃作为澄清剂的情况相比，需要提高澄清管41的温度，提高熔融玻璃G的温度。即，由于使用氧化锡作为澄清剂，所以与以往相比，更容易发生澄清管41的挥发(氧化)，容易产生铂族金属的挥发及凝集的问题。即使像这样地由于使用氧化锡作为澄清剂而使铂族金属的异物(凝集物)混入熔融玻璃的量增加时，也可以如本实施方式这样缩小铂族金属的异物的大小，从而能够不易在玻璃基板上发生应变、能够不易形成玻璃基板的主表面的凹凸等效果显著。即，能充分降低引起显示不良这样的异物(凝集物)的量。

另外，粘性高的熔融玻璃在澄清步骤中气泡的上浮速度慢，难以澄清。并且，在搅拌装置100中进行的搅拌步骤中也难以均匀地搅拌粘性高的熔融玻璃。因此，为了充分地得到澄清效果或者熔融玻璃的均质化，需要提高熔融玻璃的温度。为此，当为了获得温度高的熔融玻璃而也升高玻璃处理装置的温度时，在玻璃处理步骤中，铂族金属的挥发变得激烈，异物(凝集物)混入熔融玻璃的量易于增加。即，容易产生铂族金属的挥发及凝集的问题。

例如，在用于显示器面板的玻璃基板形成薄膜晶体管，但玻璃基板优选使用无碱玻璃或者含微量碱的玻璃，以免对薄膜晶体管的动作产生坏的影响。无碱玻璃或者含微量碱的玻璃与苏打玻璃等含碱玻璃相比，粘性高，从而在澄清步骤中气泡的上浮速度慢，难以澄清。为此，为了充分地获得澄清效果，需要提高澄清管41的温度，提高熔融玻璃G的温度。即，由于制造的对象是无碱玻璃或者含微量碱的玻璃，因此，与碱玻璃相比，更易发生澄清管41的挥发(氧化)，容易产生铂族金属的挥发及凝集的问题。即使像这样地为了使用无碱玻璃或者含微量碱的玻璃而提高澄清管41的温度，使铂族金属的异物(凝集物)混入熔融玻璃的量增加时，也可以如本实施方式这样缩小铂族金属的异物的大小，从而能够不易在玻璃基板上发生应变、能够不易形成玻璃基板的主表面的凹凸等效果显著。即，能充分降低引起显示不良这样的异物(凝集物)的量。

上述的无碱玻璃或者含微量碱的玻璃是应变点高的玻璃。应变点高的玻璃与应变点低的玻璃相比，粘性高，从而在澄清步骤中气泡的上浮速度慢，难以澄清。为此，为了充分地获得澄清效果，需要提高澄清管41的温度，提高熔融玻璃G的温度。即，在制造应变点高的玻璃的情况下，与制造应变点低的玻璃的情况相比，更易发生澄清管的挥发(氧化)，容易产生铂族金属的挥发及凝集的问题。即使像这样地为了使用应变点高的玻璃而提高澄清管41的温度，使铂族金属的异物(凝集物)混入熔融玻璃的量增加时，也可以如本实施方式这样缩小铂族金属的异物的大小，从而能够不易在玻璃基板上发生应变、能够不易形成玻璃基板的主表面的凹凸等效果显著。即，能充分降低引起显示不良这样的异物(凝集物)的量。

需要说明的是，对于显示器用玻璃基板，要求玻璃基板的应变点在600℃以上、更优选在650℃以上，当玻璃基板的应变点在600℃以上时，本实施方式的能充分降低引起显示不良的大小的异物(凝集物)的量的效果显著。另外，对于高清显示器用玻璃基板，要求应变点更高，优选应变点为690℃以上，更优选为730℃以上。当像这样地应变点为690℃以上、730℃以上时，本实施方式的上述效果更为显著。

另外，关于本实施方式中使用的包含氧化锡的熔融玻璃的粘度，优选在1500℃以上的温度、例如在1500℃～1700℃、或者1550℃～1650℃的温度下，粘度为10^2.5泊。在这样的情况下，本实施方式的上述效果变得更为显著。

另外，在以本实施方式制造的玻璃基板的板厚为0.005mm～0.8mm、优选为0.01mm～0.5mm、更优选为0.01mm～0.2mm的情况下，本实施方式的上述效果变得更为显著。当制造这样的板厚薄的玻璃基板时，异物(凝集物)容易出现在玻璃表面，形成表面凹凸。在本实施方式中，可通过上述效果解决因这样的板厚导致的问题。

[实验例]

为了确认本实施方式的效果，通过包括图1所示的凝集物处理步骤S2B的制造步骤制作玻璃基板(实施例)。在凝集物处理步骤S2B中，进行提供给凝集物的热量的控制。

玻璃基板的制作条件如下所述。

玻璃基板的玻璃的组成为：SiO₂ 60.7质量％；Al₂O₃ 17质量％；B₂O₃11.5质量％；MgO 2质量％；CaO 5.6质量％；SrO 3质量％；SnO₂ 0.2质量％，应变点为660℃，板厚为0.4mm。

另外，不进行图1所示的凝集物处理步骤S2B，通过在消泡处理步骤S2A之后进行吸收处理步骤S2C的现有制造步骤，按上述制作条件制作玻璃基板。具体而言，在下述表1所示的例1～5中，使澄清管41中的熔融玻璃G的最高温度为1670℃～1720℃，使熔融玻璃G的温度在1670℃以上的时间为40分钟。另一方面，在例6、7中，使熔融玻璃G的最高温度不足1670℃，使熔融玻璃G的温度在1670℃以上的时间为0分钟。

使用光学显微镜对这样制作的0.1m³的多张玻璃基板中的铂族金属的异物(凝集物)统计数量，并计测铂族金属的异物(凝集物)的最大长度。然后，求出混入玻璃基板的所有铂族金属的异物(凝集物)中、最大长度为50μm以下的异物的个数的比例。求出的比例与最高温度一起示于下述的表1。关于例1～5的异物的比例，哪个玻璃基板都在70％以上，关于例6、7的异物的比例，哪个玻璃基板都在35％以下。图5是表示熔融玻璃的最高温度和异物的比例的关系的图表。由图5可知，通过使熔融玻璃的最高温度从1660℃到1670℃以上，最大长度为50μm以下的异物的比例急剧上升，在1670℃以上的温度下为70％以上。在1690℃以上时，最大长度为50μm以下的异物的比例变为92％以上，尤其，在1700℃以上时，最大长度为50μm以下的异物的比例变为100％。由此可知，在本实验例的条件下，当控制对异物提供的热量时，优选的是，使熔融玻璃的最高温度为1670℃以上、优选为1690℃以上、更优选为1700℃以上来对异物提供热量。在本实验例的条件下，最高温度1670℃是使最大长度为50μm以下的异物的比例为70％的最高温度的下限温度，但不是一定要使最高温度为1670℃以上，通过用其它方法调整凝集物(异物)的溶解度，也能实现使最大长度为50μm以下的异物的比例为70％。

[表1]

以上，详细说明了本发明的玻璃基板的制造方法、玻璃基板及玻璃基板层叠体，但本发明并不限于上述实施方式，毋庸置疑，在不脱离本发明主旨的范围内可进行各种改良或变更。

附图标记说明

40 熔解槽

41 澄清管

41a 通气管

41b 加热电极

41c 气相空间

42 成形装置

52 成形体

43a、43b、43c 输送管

100 搅拌装置

200 玻璃基板制造装置

Claims (6)

1.一种玻璃基板层叠体，通过层叠多张玻璃基板而形成，其特征在于，

所述玻璃基板层叠体的所述玻璃基板的体积总计为0.1m³以上，

所述玻璃基板层叠体所含有的全部铂族金属的凝集物中，包含超过50μm的最大长度的凝集物，最大长度为50μm以下的凝集物的个数的比例为70％以上。

2.根据权利要求1所述的玻璃基板层叠体，其中，

所述玻璃基板层叠体所含有的全部铂族金属的凝集物中，最大长度为30μm以下的凝集物的个数的比例为90％以上。

3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板层叠体，其中，

所述玻璃基板是显示器用玻璃基板。

4.一种玻璃基板，其特征在于，

所述玻璃基板所含有的全部铂族金属的凝集物中，包含超过50μm的最大长度的凝集物，最大长度为50μm以下的凝集物的个数的比例为70％以上。

5.根据权利要求4所述的玻璃基板，其中，

所述玻璃基板所含有的全部铂族金属的凝集物中，最大长度为30μm以下的凝集物的个数的比例为90％以上。

6.根据权利要求4或5所述的玻璃基板，其中，

所述玻璃基板是显示器用玻璃基板。