CN109525116B - 一种具有最大占空比限制的同步整流驱动电路 - Google Patents

一种具有最大占空比限制的同步整流驱动电路 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种具有最大占空比限制的同步整流驱动电路，包括同步整流电路，所述同步整流电路包括变压器T1；所述变压器T1的一次侧回路设置MOS管Q1，所述变压器T1的二次侧回路设置MOS管Q2，所述MOS管Q1和Q2为互补驱动；还包括驱动电路；所述MOS管Q1的栅极和驱动电路均接入PWM信号；所述驱动电路包括依次连接的限幅单元、微分电路和比较电路；所述比较电路连接于MOS管Q2的栅极；所述限幅单元接入PWM信号。本发明一种具有最大占空比限制的同步整流驱动电路，保证了在同步整流应用中，同步整流MOS管不会长时间导通，造成损坏，并且由于限制了同步整流管的最大开通时间，可不必外加Oring控制，即可有效的抑制电流倒流，极大的降低了成本。

Description

一种具有最大占空比限制的同步整流驱动电路
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域，具体涉及一种具有最大占空比限制的同步整流驱动电路。
背景技术
现有的开关电源同步整流驱动电路，大都是通过PWM芯片直接产生，或通过反相电路，将PWM信号反相后在两端加入死区时间作为同步整流驱动信号。但上述方案有个最大的缺点：当PWM信号关闭时(持续低电平)，会使得反相后的同步整流驱动持续高电平，输出同步整流MOS管将持续导通。若输出是直接接蓄电池，将会导致输出同步整流MOS管损坏。
以典型的反激电路为例(仅为原理举例，在其它同步整流的拓扑下本专利电路仍有效，举例电路如图2所示)，正常工作状态下，Q1和Q2为互补驱动。即Q1开通时，Q2必须关闭，Q1关闭时，Q2须开通。但在长时间关闭Q1的情况下，Q2会持续导通。当输出负载为电阻R2时，不会有问题；当负载R2换成蓄电池时，若Q2持续导通，会导致蓄电池的能量倒流回电源，电池的正负极通过Q2和T1的输出绕组短路，烧坏电源甚至引起火灾。这在实际应用中是不允许的。
如图3所示，为避免在长时间导通Q2的情况下，蓄电池的电流倒流，通过增加防倒灌二极管D3，可避免上述问题，但增加D3后，正常工作时将会有极大的电流流经D3，导致能量损耗，且D3的散热很难处理。
如图4所示，在小电流应用中，可按上述方案增加二极管D3，但在更大电流的应用中，须将二极管换成MOS管，并外加一套复杂的Oring控制电路，实现在C3电压等于或高于C4电压时，才开通Q4，实现理想二极管的功能，此方案增加了一颗MOS管和一颗Oring控制芯片，极大的提高了成本。
综上所述，现有技术的开关电源同步整流驱动电路具有可靠性低，影响电源转换效率及成本高昂的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是现有技术的开关电源同步整流驱动电路具有可靠性低，影响电源转换效率及成本高昂的问题，目的在于提供一种具有最大占空比限制的同步整流驱动电路，解决上述问题。
本发明通过下述技术方案实现：一种具有最大占空比限制的同步整流驱动电路，包括同
步整流电路，所述同步整流电路
包括变压器T1；所述变压器T1的一次侧回路设置MOS管Q1，所述变压器T1的二次侧回路设置MOS管Q2，所述MOS管Q1和Q2为互补驱动；还包括驱动电路；所述MOS管Q1 的栅极和驱动电路均接入PWM信号；所述驱动电路包括依次连接的限幅单元、微分电路和比较电路；所述比较电路连接于MOS管Q2的栅极；所述限幅单元接入PWM信号；
所述限幅单元对输入电压进行限幅，微分电路对接入的PWM信号进行微分，比较电路将微分后的PWM信号与预设的门限电压进行比较并输出信号至MOS管Q2的栅极。
现有技术中，开关电源同步整流驱动电路具有可靠性低，影响电源转换效率及成本高昂的问题。本发明应用时，限幅单元对输入电压进行限幅，使得比较电路接收到的电压不高于限幅单元预设的电压，而微分电路对限幅后的PWM信号进行微分产生微分信号；比较电路内设置一个门限电压，这里的门限电压可以是外接电压实现的，也可以是比较电路自身具备的，比较电路将微分信号与门限电压进行比对后输出经处理后的同步整流驱动信号，通过同步整流驱动信号可以实现对MOS管Q2导通的控制。本发明保证了在同步整流应用中，同步整流MOS管不会长时间导通，造成损坏，并且由于限制了同步整流管的最大开通时间，可不必外加Oring控制，即可有效的抑制电流倒流，极大的降低了成本。
进一步的，所述限幅单元为MOS管Q3；所述微分电路包括电容C1和电阻R1；所述比较电路包括隔离驱动器U1；所述MOS管Q3的漏极接入PWM信号，且MOS管Q3的源极连接于电容C1的一端，所述电容C1的另一端连接于电阻R1；所述MOS管Q3的栅极接电源VCC；所述电容C1连接电阻R1的一端连接隔离驱动器U1的一个输入端，且隔离驱动器 U1的另一个输入端接门限电压；所述隔离驱动器U1的输出端连接MOS管Q2的栅极。
本发明应用时，Q3用于给隔离驱动器的输入端限幅，使得U1的输入端电压不超过Q3 的栅极设置的电压VCC；R1和C1用于对限幅后的PWM信号经行微分；R1和C1产生的微分信号与门限电压进行比对，输出经处理后的同步整流驱动信号；同时可通过调整RC参数，实现最大高电平时间可调，可实现最大占空比限制功能。
进一步的，所述微分电路还包括二极管D2；所述二极管D2并联于电容C1。本发明应用时，D2用于对C1上的电压单向限制在其导通阈值电压以内，典型值为0.6V。进一步的，当驱动电路为同相驱动电路时，电阻R1远离电容C1的一端接地；所述二极管D2的阴极连接MOS管Q3的源极，所述二极管D2的阳极接隔离驱动器U1的正输入端。
本发明应用时，U1输出与PWM信号相位相同，高电平时间受限的同步整流信号，即如果PWM信号持续高电平，则U1输出设定的高电平时间后，自动切换为输出低电平，此时 Q2关断，保证了在同步整流应用中，同步整流MOS管不会长时间导通，造成损坏。
进一步的，当驱动电路为反相驱动电路时，电阻R1远离电容C1的一端接电源VCC；所述二极管D2的阳极连接MOS管Q3的源极，所述二极管D2的阴极接隔离驱动器U1的负输入端。
本发明应用时，U1输出与PWM信号互补，若PWM信号长时间输入低电平，则U1输出设定的高电平时间后，自动切换为输出低电平，此时Q2关断，保证了在同步整流应用中，同步整流MOS管不会长时间导通，造成损坏。
本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：本发明一种具有最大占空比限制
的同步整流驱动电路，保证了在同步整流应用中，同步
整流MOS管不会长时间导通，造成损坏，并且由于限制了同步整流管的最大开通时间，可不必外加Oring控制，即可有效的抑制电流倒流，极大的降低了成本。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：
图1为本发明系统结构示意图；
图2为现有技术电路原理图；
图3为现有技术电路原理图；
图4为现有技术电路原理图；
图5为本发明电路原理图；
图6为本发明同相驱动电路原理图；
图7为本发明反相驱动电路原理图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
实施例1
如图1和图5所示，本发明一种具有最大占空比限制的同步整流驱动电路，包括同步整流电路，所述同步整流电路包括变压器T1；所述变压器T1的一次侧回路设置MOS管Q1，所述变压器T1的二次侧回路设置MOS管Q2，所述MOS管Q1和Q2为互补驱动；还包括驱动电路；所述MOS管Q1的栅极和驱动电路均接入PWM信号；所述驱动电路包括依次连接的限幅单元、微分电路和比较电路；所述比较电路连接于MOS管Q2的栅极；所述限幅单元接入PWM信号；所述限幅单元对输入电压进行限幅，微分电路对接入的PWM信号进行微分，比较电路将微分后的PWM信号与预设的门限电压进行比较并输出信号至MOS管Q2 的栅极。
本实施例实施时，限幅单元对输入电压进行限幅，使得比较电路接收到的电压不高于限幅单元预设的电压，而微分电路对限幅后的PWM信号进行微分产生微分信号；比较电路内设置一个门限电压，这里的门限电压可以是外接电压实现的，也可以是比较电路自身具备的，比较电路将微分信号与门限电压进行比对后输出经处理后的同步整流驱动信号，通过同步整流驱动信号可以实现对MOS管Q2导通的控制。本发明保证了在同步整流应用中，同步整流 MOS管不会长时间导通，造成损坏，并且由于限制了同步整流管的最大开通时间，可不必外加Oring控制，即可有效的抑制电流倒流，极大的降低了成本。
以一般的Oring芯片来说，批量采购一般在5～40元不等，而本发明所采用的电路的成本仅为1元左右。
实施例2
如图5所示，本实施例在实施例1的基础上，所述限幅单元为MOS管Q3；所述微分电路包括电容C1和电阻R1；所述比较电路包括隔离驱动器U1；所述MOS管Q3的漏极接入 PWM信号，且MOS管Q3的源极连接于电容C1的一端，所述电容C1的另一端连接于电阻 R1；所述MOS管Q3的栅极接电源VCC；所述电容C1连接电阻R1的一端连接隔离驱动器 U1的一个输入端，且隔离驱动器U1的另一个输入端接门限电压；所述隔离驱动器U1的输出端连接MOS管Q2的栅极。
本实施例实施时，Q3用于给隔离驱动器的输入端限幅，使得U1的输入端电压不超过 Q3的栅极设置的电压VCC；R1和C1用于对限幅后的PWM信号经行微分；R1和C1产生的微分信号与门限电压进行比对，输出经处理后的同步整流驱动信号；同时可通过调整RC 参数，实现最大高电平时间可调，可实现最大占空比限制功能。
实施例3
如图5所示，本实施例在实施例2的基础上，所述微分电路还包括二极管D2；所述二极管D2并联于电容C1。
本实施例实施时，D2用于对C1上的电压单向限制在其导通阈值电压以内，典型值为0.6V。
实施例4
如图6所示，本实施例在实施例3的基础上，当驱动电路为同相驱动电路时，电阻R1远离电容C1的一端接地；所述二极管D2的阴极连接MOS管Q3的源极，所述二极管D2的阳极接隔离驱动器U1的正输入端。
本实施例实施时，U1输出与PWM信号相位相同，高电平时间受限的同步整流信号，即如果PWM信号持续高电平，则U1输出设定的高电平时间后，自动切换为输出低电平，此时Q2关断，保证了在同步整流应用中，同步整流MOS管不会长时间导通，造成损坏。
实施例5
如图7所示，本实施例在实施例3的基础上，当驱动电路为反相驱动电路时，电阻R1远离电容C1的一端接电源VCC；所述二极管D2的阳极连接MOS管Q3的源极，所述二极管D2的阴极接隔离驱动器U1的负输入端。
本实施例实施时，U1输出与PWM信号互补，若PWM信号长时间输入低电平，则U1 输出设定的高电平时间后，自动切换为输出低电平，此时Q2关断，保证了在同步整流应用中，同步整流MOS管不会长时间导通，造成损坏。
实施例6
如图5所示，本实施例在实施例1～5的基础上，隔离驱动器U1的门限电压由一个电源 V1提供，由Q3,C1,D2,R1,V1,U1组成的限幅和最大开通时间限制电路，对于此限幅和最大开通时间限制电路，根据是否需要由隔离驱动器反相，可有两个衍生电路，同相驱动和反相驱动。
其中Q3是用于给隔离驱动器的输入端限幅，使得U1的输入端电压不超过Q3的栅极设置的电压，图5-图7中标示的5V，实际应用中，可设置为需要的任意电压。
R1和C1用于对限幅后的PWM信号经行微分，D2用于对C1上的电压单向限制在其导通阈值电压以内，典型值为0.6V。
V1为隔离驱动器的输入端比较门限，R1和C1产生的微分信号与V1设置的门限值经行比较，输出经处理后的同步整流驱动信号。在同相驱动电路中，U1输出与PWM信号相位相同，高电平时间受限的同步整流信号，即如果PWM信号持续高电平，则U1输出设定的高电平时间后，自动切换为输出低电平；在反相驱动电路中，U1输出与PWM信号互补，若PWM 信号长时间输入低电平，则U1输出设定的高电平时间后，自动切换为输出低电平。保证了在同步整流应用中，同步整流MOS管不会长时间导通，造成损坏。
由于限制了同步整流管的最大开通时间，若参数设计得当，可不必外加Oring控制，即可有效的抑制电流倒流。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种具有最大占空比限制的同步整流驱动电路，包括同步整流电路，所述同步整流电路包括变压器T1；所述变压器T1的一次侧回路设置MOS管Q1，所述变压器T1的二次侧回路设置MOS管Q2，所述MOS管Q1和Q2为互补驱动；其特征在于，还包括驱动电路；所述MOS管Q1的栅极和驱动电路均接入PWM信号；所述驱动电路包括依次连接的限幅单元、微分电路和比较电路；所述比较电路连接于MOS管Q2的栅极；所述限幅单元接入PWM信号；
所述限幅单元对输入电压进行限幅，微分电路对接入的PWM信号进行微分，比较电路将微分后的PWM信号与预设的门限电压进行比较并输出信号至MOS管Q2的栅极；所述限幅单元为MOS管Q3；所述微分电路包括电容C1和电阻R1；所述比较电路包括隔离驱动器U1；
所述MOS管Q3的漏极接入PWM信号，且MOS管Q3的源极连接于电容C1的一端，所述电容C1的另一端连接于电阻R1；所述MOS管Q3的栅极接电源VCC；所述电容C1连接电阻R1的一端连接隔离驱动器U1的一个输入端，且隔离驱动器U1的另一个输入端接门限电压；所述隔离驱动器U1的输出端连接MOS管Q2的栅极。
2.根据权利要求1所述的一种具有最大占空比限制的同步整流驱动电路，其特征在于，所述微分电路还包括二极管D2；所述二极管D2并联于电容C1。
3.根据权利要求2所述的一种具有最大占空比限制的同步整流驱动电路，其特征在于，当驱动电路为同相驱动电路时，电阻R1远离电容C1的一端接地；所述二极管D2的阴极连接MOS管Q3的源极，所述二极管D2的阳极接隔离驱动器U1的正输入端。
4.根据权利要求2所述的一种具有最大占空比限制的同步整流驱动电路，其特征在于，当驱动电路为反相驱动电路时，电阻R1远离电容C1的一端接电源VCC；所述二极管D2的阳极连接MOS管Q3的源极，所述二极管D2的阴极接隔离驱动器U1的负输入端。
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