CN109524875A - 可重构发射器阵列 - Google Patents

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Abstract

一种发射器阵列可以包括多个垂直发射装置。多个垂直发射装置可以处于垂直发射装置的二维样式。发射器阵列可以进一步包括在发射器阵列的表面上的多个电接触部。多个电接触部每一个可以与多个垂直发射装置中的相应垂直发射装置协同定位且与之电连接。多个电接触部可以提供在多个垂直发射装置的上方的机械支撑。多个电接触部可以延伸到大致相同高度。多个垂直发射装置的子组可以经由多个电接触部的相应子组供电。

Description

可重构发射器阵列
技术领域
本发明涉及垂直腔表面发射激光器(VCSEL)，且更具体地，涉及为VCSEL阵列的VCSEL的特定样式供电。
背景技术
垂直发射装置(例如VCSEL)是一种激光器，其中光束沿垂直于基体表面的方向发出(例如从半导体晶片的表面垂直地)。多个垂直发射装置可以布置为具有共同基板的阵列。
发明内容
根据一些可行的实施方式，一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列可以包括：多个VCSEL，其中多个VCSEL处于VCSEL的二维样式；在VCSEL阵列的表面上的多个电接触部，其中多个电接触部的一电接触与多个VCSEL的相应VCSEL协同定位，其中多个电接触部为多个VCSEL上方的邻近元件提供机械支撑，其中多个电接触部延伸到大致相同高度，其中多个电接触部具有的高度大于在与多个电接触部相同的表面上的VCSEL阵列的其他元件；和在VCSEL阵列的表面上的多个金属互连部，其中多个金属互连部中的一个电连接多个电接触部中的一个和与多个电接触部中的所述一个对应的多个VCSEL中的一个，其中可经由多个电接触部的相应子组和多个金属互连部的相应子组对多个VCSEL的子组供电，以为与VCSEL的二维样式不同的发射样式供电。
根据一些可行的实施方式，一种方法可以包括形成发射器阵列，其中形成发射器阵列包括形成以二维样式布置的多个垂直发射装置；在发射器阵列上形成多个金属互连部，其中形成多个金属互连部能将每一个金属互连部电连接到多个垂直发射装置中的相应垂直发射装置；和在多个金属互连部上形成多个电接触部，其中形成多个电接触部能将多个电接触部每一个电连接到多个金属互连部的相应金属互连部，其中形成多个电接触部包括将多个电接触部的每一个形成为与多个垂直发射装置中的相应垂直发射装置协同定位，其中形成多个电接触部包括形成多个电接触部以延伸到大于发射器阵列的其他元件的高度。
根据一些可行的实施方式，发射器阵列可以包括：多个垂直发射装置，其中多个垂直发射装置处于垂直发射装置的二维样式；在发射器阵列的表面上的多个电接触部，其中多个电接触部每一个与多个垂直发射装置中的相应垂直发射装置协同定位且与之电连接，其中多个电接触部在多个垂直发射装置上方提供机械支撑，其中多个电接触部延伸到大致相同高度；和其中可经由多个电接触部的相应子组对多个垂直发射装置的子组供电。
附图说明
图1是显示了现有技术发射器阵列的俯视示意图，其包括以特定样式布置的垂直发射装置；
图2A-2B是分别显示了示例性垂直发射装置的俯视图和示例性垂直发射装置的截面图的示意图；
图3是包括垂直发射装置的可重构均匀样式的示例性发射器阵列的俯视示意图；
图4是显示了示例性发射器阵列的截面示意图，其包括垂直发射装置的可重构均匀样式和相应光学元件，以为发射器阵列的发射样式供电；和
图5是用于制造可重构发射器阵列的示例性过程的流程图，该可重构发射器阵列包括垂直发射装置的可重构均匀样式。
具体实施方式
示例性实施方式的以下详细描述参照了附随的附图。相同附图标记在不同附图中可以表示相同或相似的元件。
之前，为了获得可以特定样式发光的垂直发射装置的发射器阵列，发射器阵列必须被制造为具有特定样式的垂直发射装置。例如，为了获得具有垂直发射装置的任意样式的发射器阵列，发射器阵列必须以任意样式被制造为具有垂直发射装置。尽管这为发射器阵列提供了垂直发射装置的特定样式，但是在不将发射器阵列更换为具有以不同样式配置的垂直发射装置的另一发射器阵列的情况下，发射器阵列不能被重构为使得不同样式的垂直发射装置发出光。
本文所述的一些实施方式提供可重构发射器阵列。以此方式，发射器阵列的垂直发射装置的不同样式被供电，使得发射器阵列以不同样式发光。这降低或消除了用另一发射器阵列更换发射器阵列以获得不同样式光的需要。此外，这降低了与针对不同用于制造发射器阵列有关的成本，因为单个均匀样式的发射器阵列可被制造为用于不同用途。进一步地，这有助于使用具有垂直发射装置的单种样式的发射器阵列用于不同用途(例如其中顾客可配置使用邻近元件(例如光学元件或金属化层)的样式)。
图1是示例性实施方式100的示意图，其显示了包括以特定样式布置的垂直发射装置的现有技术发射器阵列的俯视图。如图1所示，实施方式100包括发射器阵列102。
如图1所示，发射器阵列102包括多个垂直发射装置104，例如多个VCSEL。如附图标记106所示，垂直发射装置104可以以特定样式布置，使得在垂直发射装置104被供电时，发射器阵列102以特定样式发光。
尽管这提供了可以以特定样式发光的发射器阵列102，但是发射器阵列102不能被重构为以不同样式发光。如果需要不同样式的光，例如用于不同用途，则发射器阵列102必须被更换为具有以不同样式布置的垂直发射装置104的不同发射器阵列102。这难以实现，因为会需要拆卸包括发射器阵列102的装置。此外，这会增加包括用于不同目的的装置的使用成本，因为需要具有垂直发射装置104的不同发射器阵列102的不同样式以有助于将装置用于不同目的。
如上所述，图1是仅作为例子提供的。其他例子也是可以的，且可以与针对图1所述的有所不同。
图2A和2B是分别显示了示例性发射器200的俯视图和示例性发射器200的截面图250的示意图。如图2A所示，发射器200可以包括以发射器架构构造的一组发射层。在一些实施方式中，发射器200可以对应于本文所述的一个或多个垂直发射装置。
如图2A所示，发射器200包括植入保护层202，其在该例子中是圆形的。在一些实施方式中，植入保护层202可以具有另一形状，例如椭圆形、多边形等。植入保护层202基于包括在发射器200中的植入材料部分(未示出)之间的空间限定。如图2A中的中等灰度区域所示，发射器200包括P型欧姆金属层(P-Ohmic metal layer)204，其被构造为部分环形形状(例如具有内半径和外半径)。如所示的，P型欧姆金属层204在植入保护层202上方同中心地定位(即P型欧姆金属层204的外半径小于或等于植入保护层202的半径)。这种构造例如可以在P型向上/顶部发射的发射器200的情况下使用。在底部发射的发射器200的情况下，该构造可以按照需要调整。
进一步如图2A所示，发射器200包括电介质通路口(dielectric via opening)206，其形成(例如蚀刻)在覆盖P型欧姆金属层204的电介质钝化/反射镜层(未示出)上。如所示的，电介质通路口206形成为部分环形形状(例如类似于P型欧姆金属层204)且在P型欧姆金属层204上方同中心地形成，使得电介质钝化/反射镜层的金属化部接触P型欧姆金属层204。在一些实施方式中，电介质口206和/或P型欧姆金属层204可以形成为其他形状，例如完整环形状形或分裂环形形状。
如进一步所示的，发射器200包括在P型欧姆金属层204的部分环形形状的内半径中的且在发射器的一部分中的光孔208。发射器200经由光孔208发出激光束。如进一步所示的，发射器200还包括电流局限孔210(例如通过发射器200的氧化层(未示出)形成的氧化物孔)。电流局限孔210形成在光孔208下方。
进一步如图2A所示，发射器200包括一组氧化沟槽212，其围绕植入保护层202的周向间隔开(例如等距、不等距)。氧化沟槽212可相对于光孔208等位得多近取决于应用，且通常被植入保护层202、P型欧姆金属层204、电介质通路口206和制造公差所限制。
图2A所示的层的数量和布置方式作为例子提供。实践中，与图2A所示的相比，发射器200可以包括额外层、较少层、不同层、或不同布置的层。例如，尽管发射器200包括六个一组的氧化沟槽212，但是实践中，其他设计也是可以的，例如包括五个氧化沟槽212、七个氧化沟槽212和/或和/或诸如此类的紧凑发射器。作为另一例子，尽管发射器200是圆形的发射器设计，但是在实践中，其他设计也是可以的，例如矩形发射器、六边形发射器、椭圆形发射器等。另外或替换地，发射器200的一组层(例如一层或多层)可以执行一个或多个功能，所述一个或多个功能被描述为分别被发射器200的另一组层执行。
应注意，尽管发射器200的设计被描述为包括VCSEL，但是其他实施方式也是可以的。例如，发射器200的设计可以应用于其他类型的光学装置的情况，例如发光二极管(LED)或其他类型的垂直发射(例如顶部发射或底部发射)光学装置。另外，发射器200的设计可以应用于具有任何波长、功率水平、发射模式(emission profile)等的发射器。换句话说，发射器200不是专门用于具有给定性能特征的发射器。
如图2B所示，示例性截面图可以代表经过一对氧化沟槽212的发射器200的截面(例如图2A中标记为“X-X”的线所示)。如所示的，发射器200可以包括背侧阴极层228、基板层226、底部反射镜224、活性区域222、氧化层220、顶部反射镜218、植入绝缘材料216、电介质钝化/反射镜层214和P型欧姆金属层204。如所示的，发射器200可以具有大约10μm的总高度。
背侧阴极层228可以包括与基体层226电接触的层。例如，背侧阴极层228可以包括经退火的金属化层，例如AuGeNi层、PdGeAu层等。
基体层226可以包括基部基板层，外延层在其上生长。例如，基板层226可以包括半导体层，例如GaAs层、InP层和/或类似层。
底部反射镜224可以包括发射器200的底部反射层。例如，底部反射镜224可以包括分布式布拉格反射器(DBR)。
活性区域222可以包括对电子进行约束并限定发射器200的发射波长的层。例如，活性层222可以是量子阱。
氧化层220可以包括氧化物层，其提供发射器200的光和电局限。在一些实施方式中，氧化层220可以因外延层的湿氧化而形成。例如，氧化层220可以是Al2O3层，其是由于AlAs或AlGaAs层的氧化形成的。氧化沟槽212可以包括开口，其允许氧气(例如干燥氧气、湿润氧气)达到外延层，氧化层220从该外延层形成。
电流局限孔210可以包括通过氧化层220限定的旋光孔。电流局限孔210的尺寸可以例如为大约6.0μm到大约14.0μm的范围。在一些实施方式中，电流局限孔210的尺寸可以取决于围绕发射器200的氧化沟槽212的距离。例如，氧化沟槽212可以被蚀刻以露出外延层，氧化层220从该外延层形成。这里，在电介质钝化/反射镜层214沉积之前，可以针对朝向发射器200的中心的特定距离(例如图2B所示的)发生外延层的氧化，由此形成氧化层220和电流局限孔210。在一些实施方式中，电流局限孔210可以包括氧化物孔。另外或替换地，电流局限孔210可以包括与其他类型的电流局限技术(例如蚀刻平台(etched mesa)、没有离子植入的区域、经平板印刷限定的内空腔平台和再生长(regrowth)等)关联的孔。
顶部反射镜218可以包括发射器200的顶部反射层。例如，顶部反射镜218可以包括DBR。
植入绝缘材料216可以包括提供电绝缘的材料。例如，植入绝缘材料216可以包括植入离子的材料，例如植入H的材料或植入氢/质子的材料。在一些实施方式中，植入绝缘材料216可以限定植入保护层202。
电介质钝化/反射镜层214可以包括用作保护钝化层且用作额外DBR的层。例如，电介质钝化/反射镜层214可以包括沉积(例如经由化学气相沉积)在发射器200的一个或多个其他层上的一个或多个子层(例如SiO2层、Si3N4层)。
如所示的，电介质钝化/反射镜层214可以包括一个或多个电介质通路口206，其提供对P型欧姆金属层204的电气介入。光孔208可以包括在电流局限孔210上方的电介质钝化/反射镜层214的一部分，经由该部分可以发出光。
P型欧姆金属层204可以包括进行电接触的层，电流可以经由该层流动。例如，P型欧姆金属层204可以包括TiAu层、TiPtAu层等，电流可以经由该层流动(例如经由通过电介质通路口206与P型欧姆金属层204接触的接合盘(bondpad)(未示出))。
在一些实施方式中，可以使用一系列步骤制造发射器200。例如，底部反射镜224、活性区域222、氧化层220、和顶部反射镜218可以在基板层226上外延生长，此后可以在顶部反射镜218上沉积P型欧姆金属层204。接下来，氧化沟槽212可以被蚀刻以露出氧化层220，以用于氧化。植入绝缘材料216可以经由离子植入形成，此后可以沉积电介质钝化/反射镜层214。电介质通路口206可以被蚀刻在电介质钝化/反射镜层214中(例如露出P型欧姆金属层以用于接触)。可以执行电镀、晶种和蚀刻，此后可以让基体层226变薄和/或重叠(lapped)到目标厚度。最后，背侧阴极层228可以被沉积在基体层226的底侧上。
图2B所示层的数量、布置方式、厚度、顺序、对称性等是作为例子提供的。实践中，与图2B所示的相比，发射器200可以包括额外层、较少层、不同层、不同构造的层、或不同布置的层。另外或替换地，发射器200的一组层(例如一层或多层)可以执行一个或多个功能，所述一个或多个功能被描述为被发射器200的另一组层执行。
图3是显示了发射器阵列的俯视图的示例性实施方式300的示意图，其包括可重构均匀样式的垂直发射装置。如图3所示，实施方式300包括发射器阵列302。
如图3所示，发射器阵列302包括垂直发射装置304的阵列。例如，垂直发射装置304可以包括VCSEL(例如顶部发射VCSEL或底部发射VCSEL)，发光二极管(LED)，垂直发射激光器，和/或诸如此类。如附图标记306所示，垂直发射装置304以特定样式布置。例如，且如图3所示，发射器阵列302的垂直发射装置304可以以垂直发射装置304的均匀样式布置(例如二维均匀样式)，例如垂直发射装置304的三乘三矩阵样式。在一些实施方式中，垂直发射装置304可以近距间隔开，以用于更好的样式分辨率(例如分开约25微米)。虽然显示为矩阵样式，但是垂直发射装置304可以以另一类型的均匀样式布置，例如格栅样式，网格样式，或蜂窝样式。相反地，在一些实施方式中，发射器阵列302的垂直发射装置304可以以非均匀的样式布置(例如任意样式)。
进一步如图3所示，发射器阵列302可以用于发射器阵列302的每一个垂直发射装置304的金属互连部308。例如，金属互连部308可包括金、铝、镍、铜、和/或其他导电材料。在一些实施方式中，金属互连部308对发射波长(emission wavelengths)是可以透明的，或可以是不透明的但具有用于光发射的开口。进一步如图3所示，发射器阵列302可以包括用于发射器阵列302的每一个垂直发射装置304的电接触部310。电接触部310可包括金、铝、镍、铜、和/或其他导电材料。在一些实施方式中，电接触部310可以包括金属互连部308。在一些实施方式中，电接触部310对发射波长可以是透明的，或可以是不透明的但具有用于光发射的开口。在一些实施方式中，电接触部310可以凸起到发射器阵列302的其他元件以上，使得电接触部310可被接触而不接触发射器阵列302的其他元件，如在本文其他位置所述的。另外或替换地，每一个电接触部310可以与发射器阵列302的表面相距大致相同高度(例如每一个电接触部310可以具有约五微米到约10微米的高度，且发射器阵列302的电接触部310可以具有彼此约两微米的高度)。另外或替换地，每一个电接触部310可以与相应垂直发射装置304协同定位和/或与之电连接(例如可以定位为靠近相应垂直发射装置304，可以位于相应垂直发射装置304的临界距离内等)。
在一些实施方式中，金属互连部308和电接触部310的组合可以有助于为发射器阵列302的相应垂直发射装置304分别供电。例如，提供到具体电接触部310的电流可以经由相应金属互连部308为相应垂直发射装置304供电。在一些实施方式中，每一个电接触部310可以电连接相应垂直发射装置304(例如供电)，而不对发射器阵列302的另一垂直发射装置304供电。换句话说，每一个垂直发射装置304(和相应金属互连部308和电接触部310)可以与发射器阵列302的其他垂直发射装置304电绝缘且可以经由相应电接触部310和金属互连部308独立可寻址。
以此方式，发射器阵列302的垂直发射装置304的不同样式可被供电，使得发射器阵列302发出不同样式的光(例如通过为垂直发射装置304的不同样式供电)。例如，从发射器阵列302发出的光不同样式可以与包括在发射器阵列302中的垂直发射装置304的样式不同。继续参见前述例子，虽然发射器阵列302具有三乘三样式的垂直发射装置304，但是单个垂直发射装置304可以被供电，二乘二样式的垂直发射装置304可以被供电，发射器阵列302的两个或更多垂直发射装置304可以被供电，和/或诸如此类。
以此方式，发射器阵列302可以以有助于将发射器阵列302的被供电的垂直发射装置304的样式进行重构。这减少或消除了对制造具有不同样式的垂直发射装置304的不同发射器阵列302的需要，由此降低制造发射器阵列302的成本和/或复杂性。此外，这有助于在与垂直发射装置304的不同样式关联的不同情况下，使用具有一定样式的垂直发射装置304的发射器阵列302。进一步地，这减少或消除了在需要垂直发射装置304的不同样式时用具有另一发射器阵列302更换发射器阵列302的需要，由此节省与更换发射器阵列302有关的时间和/或成本。
如上所述，图3是仅作为例子提供的。其他例子也是可以的，且可以与针对图3所述的有所不同。在一些实施方式中，一个或多个电接触部310可以电连接到多于一个的相应垂直发射装置304。在一些实施方式中，一个金属互连部308可以电连接一个或多个电接触部310和多于一个的垂直发射装置304。以这种方式，可以用更少的电接触部310共同控制成组垂直发射装置304，允许以分别控制每一个垂直发射装置304为代价实现更紧的间距。
图4是示例性实施方式400的示意图，显示了示例性发射器阵列的截面图，其包括可重构样式的垂直发射装置和相应光学元件，以为发射器阵列的垂直发射装置的发射样式供电。如图4所示，实施方式400包括发射器阵列302和光学元件402(例如透镜、玻璃或塑料板、衍射光学元件(DOE)等，其包括导电材料，例如可用于形成与发射器阵列302的电连接的导电层或导电材料样式)。对于图4，例如假定发射器阵列302包括至少三个垂直发射装置304(如垂直发射装置304-1到304-3所示)。
进一步如图4所示，垂直发射装置304-1到304-3每一个可以具有相应电接触部310(如电接触部310-1到310-3所示)和金属互连部308如金属互连部308-1到308-3所示)。如图4所示，电接触部310-1到310-3可以延伸到大致相同高度。另外或替换地，电接触部310-1到310-3可以延伸到大于发射器阵列302的其他元件(例如垂直发射装置304-1到304-3，金属互连部308-1到308-3，等)的高度。
在一些实施方式中，光学元件402可以包括电接触部310与要被供电的发射器阵列302的垂直发射装置304对应的电接触部310。例如，包括在光学元件402中的电接触部310可以以与要被供电的垂直发射装置304相同的样式布置，以与要用于对发射样式供电的发射器阵列302的互连电接触部310的子组相同的样式布置，和/或诸如此类。另外或替换地，光学元件402可以配置为使得，光学元件402的电接触部310可在光学元件402定位在发射器阵列302上和/或与之电联接时接触发射器阵列302的相应电接触部310。例如，且如附图标记404-1和404-2所示，在光学元件402定位在发射器阵列302上和/或与之电联接时，电接触部310-4和电接触部310-1可以相接触，且电接触部310-5和电接触部310-2可以相接触。以此方式，垂直发射装置304-1和304-2可以被供电。此外，以此方式，电接触部310可以为邻近元件(例如光学元件402)提供机械支撑，例如被机械地支撑在发射器阵列302的多个电接触部310的子组上且与之电连接到的邻近元件。例如，电接触部310可以经由邻近元件与电接触部310的物理接触在多个垂直发射装置304上方对邻近元件提供机械支撑，且可以提供邻近元件和所选择电接触部310之间的电连接。在一些实施方式中，仍然继续参见前述例子，邻近元件可以对发射器阵列302的垂直发射装置304而来的发射来说是透射的。
此外，且如附图标记406所示，光学元件402可以不包括与关联于垂直发射装置304-3的电接触部310-3对应的具体电接触部310。如此，在光学元件402定位在发射器阵列302上和/或与之电联接时，垂直发射装置304-3可以不被供电。其他光学元件402可以包括电接触部310的不同配置，使得垂直发射装置304的不同样式可被供电。
在一些实施方式中，光学元件402可以包括与图4所示不同的其他元件。例如，光学元件402可以包括电线接合(electrical bonding)，以将光学元件402电联接到电源(例如激光器驱动器)。另外或替换地，且作为另一例子，光学元件402可以包括一个或多个金属互连部，以将光学元件402的电接触部310连接到电源。例如，包括在光学元件402中的导电材料的样式可以与发射器阵列302的具体电接触部310电接触(不与发射器阵列302的其他电接触部310电接触)，以为关联于具体电接触部310的发射器阵列302的垂直发射装置304供电。在一些实施方式中，包括在光学元件402中的导电材料的样式可以朝向光学元件402的边缘延伸，在该处导电材料可电连接到电源(例如用于具体电接触部310的导电材料迹线(trace)可以朝向光学元件402的边缘延伸，在该处迹线可电连接到电源)。
以此方式，发射器阵列302的垂直发射装置304的发射样式可以经由电接触部310的样式和包括在光学元件402中的导电材料的样式(例如其中导电材料电连接到电源)之间的电接触而被供电。例如，被供电的垂直发射装置304的发射样式可以与包括在发射器阵列302中的垂直发射装置304的样式不同(例如可以是不同的均匀样式，可以是不均匀的样式，可以是任意样式等)。这有助于被供电的发射器阵列302的垂直发射装置304的重构。此外，这减少或消除了在需要垂直发射装置304的不同样式时更换发射器阵列302的需要。例如，为了配置不同样式，不同光学元件402可以设置有不同配置的经接触电接触部310，或光学元件402上的不同电接触部可以被供电。
如上所述，图4是仅作为例子提供的。其他例子也是可以的，且可以与针对图4所述的有所不同。例如，光学元件402可以包括不同配置的电接触部310，以为垂直发射装置304的不同样式供电(例如为不同发射样式供电)。
图5是用于制造可重构发射器阵列的示例性过程500的流程图。例如，图5显示了用于制造发射器阵列302的示例性过程，该发射器阵列302包括电接触部310用于为发射器阵列302的垂直发射装置304的不同样式供电。
如图5所示，过程500可以包括形成垂直发射装置的发射器阵列(图块510)。例如，过程500可以包括形成垂直发射装置304的发射器阵列302。
在一些实施方式中，为了形成发射器阵列302，可以在基板层上形成各种外延层。例如，基板层可以包括砷化镓(GaAs)基板。在一些实施方式中，沟槽可以蚀刻到发射器阵列302的层中(例如使用湿蚀刻技术或干蚀刻技术)。例如，沟槽可以让发射器阵列302的成组垂直发射装置304彼此电绝缘(例如沟槽可以蚀刻到发射器阵列302的基板层中)。
在一些实施方式中，垂直发射装置304可以按一定样式形成。例如，垂直发射装置304可以以均匀样式形成，例如矩阵样式、网格样式和/或诸如此类。在一些实施方式中，且作为另一例子，垂直发射装置304可以以非均匀的样式(例如任意样式、不重复样式和/或诸如此类)形成。在一些实施方式中，其作为另一例子，一些垂直发射装置304可以以均匀样式形成且一些垂直发射装置304可以以非均匀的样式形成。
在一些实施方式中，一个或多个额外层可以形成在发射器阵列302上(例如在已经形成垂直发射装置304之后，在沟槽已经蚀刻到发射器阵列302上之后等)。例如，钝化层可以形成在发射器阵列302上。另外或替换地，金属互连部308可以形成在发射器阵列302上(例如在垂直发射装置304已经形成之后)。例如，金属互连部308可以形成为使得发射器阵列302的每一个垂直发射装置304具有相应金属互连部308。继续参见前述例子，第一垂直发射装置304可以具有相应第一金属互连部308，且发射器阵列302的第二垂直发射装置304可以具有相应第二金属互连部308。在一些实施方式中，形成金属互连部308可以将金属互连部308电连接到相应垂直发射装置304。
以此方式，过程500可以包括形成垂直发射装置304的发射器阵列302。
进一步如图5所示，过程500可以包括针对发射器阵列的每一个垂直发射装置形成相应电接触部(图块520)。例如，过程500可以包括针对发射器阵列302的每一个垂直发射装置304形成相应电接触部310。
在一些实施方式中，电接触部310可以形成在金属互连部308上。以此方式，电接触部310和垂直发射装置304可以电连接。在一些实施方式中，电接触部310可以形成为发射器阵列302的每一个垂直发射装置304具有至少一个相应电接触部310。例如，第一垂直发射装置304可以具有相应第一电接触部310且第二垂直发射装置304可以具有相应第二电接触部310。另外或替换地，电接触部310可以形成为使得用于同一发射器阵列302的不同垂直发射装置304的电接触部310延伸到大致相同高度。例如，电接触部310可以形成为使得发射器阵列302的电接触部310的高度具有在彼此中的高度，其有助于连结到包括在光学元件402中的一组连结垫或导电材料(例如可电连接到电源以为发射器阵列302的垂直发射装置304供电的导电材料)。
另外或替换地，电接触部310可以形成为使得电接触部310延伸到一高度，该高度比在与电接触部310相同表面上的发射器阵列302的其他元件更高。例如，电接触部310可以延伸的一高度，该高度比发射器阵列302的金属互连部308更高和/或比发射器阵列302的垂直发射装置304更高。以此方式，每一个电接触部310提供一表面，其可被另一装置(例如光学元件402)的部件接触，而不接触发射器阵列302的其他元件。
以此方式，过程500可以包括针对发射器阵列302的每一个垂直发射装置304形成相应电接触部310。
虽然图5显示了过程500的示例性图块，但是在一些实施方式中，与图5所示的图块相比，过程500可以包括额外的图块、更少的图块、不同的图块或不同布置的图块。另外或替换地，过程500中的两个或更多图块可以并行执行。
以此方式，发射器阵列302可以配置为使得垂直发射装置304的不同发射样式可被供电(例如使得垂直发射装置304的不同子组可经由电接触部310和金属互连部308的相应子组供电)。例如，发射样式可以对应于被供电的多个VCSEL的子组的样式。通过减少或消除将具有垂直发射装置304的第一发射样式的第一发射器阵列302更换为具有垂直发射装置304的第二发射样式的第二发射器阵列302的需要，这改善了对使用发射器阵列302的装置进行重构的效率。此外，通过有助于单种构造的发射器阵列302的更成本有效的制造而改善了发射器阵列302的使用，所述发射器阵列302可与邻近元件(例如光学元件402)联接以选择性地为垂直发射装置304供电，使得发射器阵列302发出不同样式的光。这减少或消除了对制造许多不同发射器阵列302(每一个具有垂直发射装置304的不同的特定发射样式)的需要。
前文内容提供了展示和描述，但是目的不是要将实施方式穷尽或限制为所公开的确切形式。可以在上述内容的启发下或从具体实施方式的实施过程中做出改变和修改。
本文所述的一些实施方式与临界值有关。如在本文使用的，满足临界值可以是指大于临界值、多于临界值、高于临界值、大于或等于临界值、小于临界值、少于临界值、低于临界值、小于或等于临界值、等于临界值等的情况。
即使特征的具体组合记载于权利要求中和/或公开在说明书中，这些组合的目的也不是限制本发明的可能实施方式。事实上，许多这些特征可以以权利要求中未具体记载和/或说明书中未具体公开的各种方式组合。虽然每一个从属权利要求可以直接从属于一个权利要求，但是可行实施方式的公开包括与权利要求书中每个其他权利要求组合的每个从属权利要求。
本文使用的元件、动作或指令都不应被理解为是关键或必不可少的，除非另有描述。还有，如本文使用的，冠词“一”目的是包括一个或多个项目，且可以与“一个或多个”替换使用。进而，如本文使用的，术语“组”应是包括一个或多个项目(例如相关项目，非相关项目，相关项目和非相关项目的组合等)，且可以与“一个或多个”替换使用。在指仅一个项目的情况下，使用术语“一个”或相似用语。还有，如本文使用的，术语“具有”、“包括”、“包含”等应是开放性的术语。进一步地，短语“基于”应是“至少部分地基于”，除非另有说明。

Claims (20)

1.一组垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列，包括：
多个VCSEL，
其中多个VCSEL处于VCSEL的二维样式；
在VCSEL阵列的表面上的多个电接触部，
其中多个电接触部中的一电接触部与多个VCSEL中的相应VCSEL协同定位，
其中多个电接触部为多个VCSEL上方的邻近元件提供机械支撑，
其中多个电接触部延伸到大致相同高度，
其中多个电接触部具有一高度，该高度大于在与多个电接触部相同的表面上的VCSEL阵列的其他元件的高度；和
在VCSEL阵列的表面上的多个金属互连部，
其中多个金属互连部中的一个电连接多个电接触部中的一个和与多个电接触部中的所述一个对应的多个VCSEL中的一个，
其中可经由多个电接触部的相应子组和多个金属互连部的相应子组对多个VCSEL的子组供电，以为与VCSEL的二维样式不同的发射样式供电。
2.如权利要求1所述的VCSEL阵列，其中每一个多个VCSEL经由相应电接触和相应金属互连部独立可寻址。
3.如权利要求1所述的VCSEL阵列，其中所述邻近元件是被机械地支撑在多个VCSEL上方的光学元件。
4.如权利要求1所述的VCSEL阵列，其中VCSEL的二维样式是均匀的。
5.如权利要求1所述的VCSEL阵列，其中发射样式对应于多个VCSEL的子组的样式。
6.如权利要求1所述的VCSEL阵列，其中多个VCSEL中的所述一个、多个电接触部中的所述一个、和多个金属互连部中的所述一个与多个VCSEL中的其他VCSEL、多个电接触部中的其他电接触部、多个金属互连部中的其他金属互连部电绝缘。
7.如权利要求1所述的VCSEL阵列，其中VCSEL阵列是顶部发射VCSEL阵列或底部发射VCSEL阵列。
8.一种方法，包括：
形成发射器阵列，
其中形成发射器阵列包括形成以二维样式布置的多个垂直发射装置；
在发射器阵列上形成多个金属互连部，
其中形成多个金属互连部能将每一个金属互连部电连接到多个垂直发射装置中的相应垂直发射装置；和
在多个金属互连部上形成多个电接触部，
其中形成多个电接触部能将多个电接触部每一个电连接到多个金属互连部中的相应金属互连部，
其中形成多个电接触部包括将多个电接触部每一个形成为与多个垂直发射装置中的相应垂直发射装置协同定位，
其中形成多个电接触部包括形成多个电接触部以延伸到大于发射器阵列的其他元件高度的高度。
9.如权利要求8所述的方法，其中形成发射器阵列包括：
形成发射器阵列使得多个垂直发射装置彼此电绝缘且使得多个金属互连部彼此电绝缘。
10.如权利要求8所述的方法，其中形成多个垂直发射装置，形成多个金属互连部，和形成多个电接触部包括：
以有助于为与发射器阵列的二维样式不同的发射样式供电的方式，形成多个垂直发射装置、形成多个金属互连部、和形成多个电接触部。
11.如权利要求8所述的方法，其中形成发射器阵列包括：
在形成多个电接触部之前在基板层上形成多个垂直发射装置。
12.如权利要求11所述的方法，其中形成发射器阵列包括：
在形成多个垂直发射装置之后和形成多个电接触部之前形成多个金属互连部。
13.一种发射器阵列，包括：
多个垂直发射装置，
其中多个垂直发射装置处于垂直发射装置的二维样式；
在发射器阵列的表面上的多个电接触部，
其中多个电接触部每一个与多个垂直发射装置中的相应垂直发射装置协同定位且电连接，
其中多个电接触部在多个垂直发射装置上方提供机械支撑，
其中多个电接触部延伸到大致相同高度；和
其中可经由多个电接触部的相应子组对多个垂直发射装置的子组供电。
14.如权利要求13所述的发射器阵列，其中多个电接触部每一个具有的高度大于发射器阵列的其他特征部。
15.如权利要求13所述的发射器阵列，其中多个垂直发射装置的子组以与垂直发射装置的二维样式不同的样式发光。
16.如权利要求13所述的发射器阵列，进一步包括邻近元件，其被机械地支撑在多个电接触部的子组上且与之电连接。
17.如权利要求16所述的发射器阵列，其中邻近元件包括：
光学元件；和
其他多个电接触部，
其中所述其他多个电接触部以与多个电接触部的子组对应的样式布置，且
其中所述其他多个电接触部电互连。
18.如权利要求13所述的发射器阵列，其中二维样式是以下中的至少一种：
矩阵样式，
格栅样式，
网格样式，或
蜂窝样式。
19.如权利要求13所述的发射器阵列，其中多个垂直发射装置每一个与多个垂直发射装置的其他垂直发射装置电绝缘。
20.如权利要求13所述的发射器阵列，其中每一个垂直发射装置经由相应电接触部独立可寻址；和
每一个电接触部包括相应金属互连部。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111146690A (zh) * 2020-01-06 2020-05-12 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种激光器模组及其制备方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11404848B2 (en) * 2018-12-24 2022-08-02 Seoul Viosys Co., Ltd. Vertical-cavity surface-emitting laser

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4982267A (en) * 1985-11-18 1991-01-01 Atmel Corporation Integrated semiconductor package
US5784396A (en) * 1996-09-17 1998-07-21 Xerox Corporation VCSEL integral feedback assembly two-etch structure
WO2003026082A2 (en) * 2001-06-29 2003-03-27 Xanoptix, Inc. Laser arrays for high power fiber amplifier pumps
US6759687B1 (en) * 2000-10-13 2004-07-06 Agilent Technologies, Inc. Aligning an optical device system with an optical lens system
CN101661217A (zh) * 2008-08-28 2010-03-03 上海华虹Nec电子有限公司 可编程光罩及其使用方法和该光罩的用途
CN101874330A (zh) * 2007-09-27 2010-10-27 奥斯坦多科技公司 量子光子成像器及其制造方法
CN104748053A (zh) * 2015-03-30 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 光源及其制备方法、可裁切照明装置及其制备方法
US20150340841A1 (en) * 2009-02-17 2015-11-26 Trilumina Corp Laser arrays for variable optical properties
CN105659106A (zh) * 2013-10-23 2016-06-08 欧库勒斯虚拟现实有限责任公司 使用动态结构光的三维深度映射
CN106168340A (zh) * 2015-05-18 2016-11-30 欧司朗股份有限公司 制备照明装置的方法和其中使用的光学部件
CN107026392A (zh) * 2017-05-15 2017-08-08 深圳奥比中光科技有限公司 Vcsel阵列光源

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4448491A (en) * 1979-08-08 1984-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus
US5568574A (en) * 1995-06-12 1996-10-22 University Of Southern California Modulator-based photonic chip-to-chip interconnections for dense three-dimensional multichip module integration
DE19600306C1 (de) * 1996-01-05 1997-04-10 Siemens Ag Halbleiter-Bauelement, insb. mit einer optoelektronischen Schaltung bzw. Anordnung
US6069908A (en) * 1998-02-09 2000-05-30 Hewlwtt-Packard Company N-drive or P-drive VCSEL array
US6222206B1 (en) * 1998-06-25 2001-04-24 Lucent Technologies Inc Wafer having top and bottom emitting vertical-cavity lasers
US6429461B1 (en) * 1998-10-19 2002-08-06 Rohm Co., Ltd. Surface light emitting devices
US6275513B1 (en) * 1999-06-04 2001-08-14 Bandwidth 9 Hermetically sealed semiconductor laser device
US6836321B2 (en) * 2001-06-20 2004-12-28 Lucent Technologies Inc. Testing bottom-emitting VCSELs
US7164702B1 (en) * 2003-08-29 2007-01-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Optical transmitters and interconnects using surface-emitting lasers and micro-optical elements
JP2005217147A (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Seiko Epson Corp 受発光素子アレイ、光モジュール、および光伝達装置
KR100703530B1 (ko) * 2006-02-09 2007-04-03 삼성전자주식회사 면 발광 레이저
US7801195B2 (en) * 2008-02-14 2010-09-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrically-pumped semiconductor zigzag extended cavity surface emitting lasers and superluminescent LEDs
US7949024B2 (en) * 2009-02-17 2011-05-24 Trilumina Corporation Multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation
US9620934B2 (en) * 2010-08-31 2017-04-11 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flip-chip assembly comprising an array of vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs)
US8749796B2 (en) * 2011-08-09 2014-06-10 Primesense Ltd. Projectors of structured light
US9065239B2 (en) * 2012-04-17 2015-06-23 Trilumina Corp. Multibeam array of top emitting VCSEL elements
US10153614B1 (en) * 2017-08-31 2018-12-11 Apple Inc. Creating arbitrary patterns on a 2-D uniform grid VCSEL array

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4982267A (en) * 1985-11-18 1991-01-01 Atmel Corporation Integrated semiconductor package
US5784396A (en) * 1996-09-17 1998-07-21 Xerox Corporation VCSEL integral feedback assembly two-etch structure
US6759687B1 (en) * 2000-10-13 2004-07-06 Agilent Technologies, Inc. Aligning an optical device system with an optical lens system
WO2003026082A2 (en) * 2001-06-29 2003-03-27 Xanoptix, Inc. Laser arrays for high power fiber amplifier pumps
CN101874330A (zh) * 2007-09-27 2010-10-27 奥斯坦多科技公司 量子光子成像器及其制造方法
CN101661217A (zh) * 2008-08-28 2010-03-03 上海华虹Nec电子有限公司 可编程光罩及其使用方法和该光罩的用途
US20150340841A1 (en) * 2009-02-17 2015-11-26 Trilumina Corp Laser arrays for variable optical properties
CN105659106A (zh) * 2013-10-23 2016-06-08 欧库勒斯虚拟现实有限责任公司 使用动态结构光的三维深度映射
CN104748053A (zh) * 2015-03-30 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 光源及其制备方法、可裁切照明装置及其制备方法
CN106168340A (zh) * 2015-05-18 2016-11-30 欧司朗股份有限公司 制备照明装置的方法和其中使用的光学部件
CN107026392A (zh) * 2017-05-15 2017-08-08 深圳奥比中光科技有限公司 Vcsel阵列光源

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111146690A (zh) * 2020-01-06 2020-05-12 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种激光器模组及其制备方法
CN111146690B (zh) * 2020-01-06 2021-09-07 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种激光器模组及其制备方法

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