CN109510256A

CN109510256A - 一种宽输入的智能充电方法及装置

Info

Publication number: CN109510256A
Application number: CN201811338553.2A
Authority: CN
Inventors: 吕真; 杨旭刚
Original assignee: Shenzhen Beijun Electronics Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Chuangfei Xinyuan Semiconductor Co ltd
Priority date: 2018-11-12
Filing date: 2018-11-12
Publication date: 2019-03-22
Anticipated expiration: 2038-11-12
Also published as: CN109510256B

Abstract

本发明适用于充电技术改进领域，提供了一种宽输入的智能充电方法，包括：S1、在充电需求下通过接口的小电流进行预充电；S2、在小电流下测试外部供电设备的电压值；S3、根据设置的充电参数和测试到的外部电压值在安全范围内对充电电流增加或减少完成最大安全上限充电。取消了各种快充协议的限制，各种电器，电池包在物理接口一致的条件下，可以共用一款充电器并实现最大电流的快速充电，方便用户，也提升了用户的产品体验。其中需设置的充电参数包括需要充电的电池、功率电路转换能力参数、物理接口的过电流能力等参数，因电池、转换电路、物理接口与智能管理单元在同一用电池的设备中，因此安全充电上限参数已知并可以设置在智能充内部。

Description

一种宽输入的智能充电方法及装置

技术领域

本发明属于充电技术改进领域，尤其涉及一种宽输入的智能充电方法。

背景技术

使用电池的可充电设备种类繁多，但大多使用专用的充电设备、且不可互换使用，形成一机一充电设备的状况。

基于micro的USB接口因接口引脚接触面积小，过电流能力上限（通常为2A）限制了低压实现快速充电的可能。提高输入电压来提高充电速度，使用协议进行电压调整。不同厂家协议不同，互相之间不通用，供电设备也不通用。

基于Type C接口协议，接口引脚接触面积加大使电流增加到5A，由于Type C接口是双向的，协议复杂。充电的供电设备专用。

市场上其它设备的供电电源，液晶显示器的12V电源，汽车内的12V电源，笔记本电脑的19V电源，功放电源……，不能用来交叉使用为充电的供电设备，这造成极大的浪费。

一种电池包，只能匹配采用一种充电器，否则只能提供较小的安全电流，充电速度很慢，或根本就不能工作。各种充电器种类繁多却不能通用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种宽输入的智能充电方法，旨在解决上述的技术问题。为了实现电池可以选择任一充电电源并以系统允许的最大电流快速充电。

本发明是这样实现的，一种宽输入的智能充电方法，所述智能充电方法包括以下步骤：

S1、在充电需求下通过接口的小电流进行预充电；

S2、在小电流下测试外部供电设备的电压值；

S3、根据设置的充电参数和测试到的外部电压值在安全范围内对充电电流增加或减少完成最大安全上限充电。

本发明的进一步技术方案是：所述步骤S3中在接口电流增加或减少过程中接口电压在测定的电压值范围内不超过±5%。

本发明的进一步技术方案是：所述步骤S3中在不发生电压跌落时，在安全限制或外部供电电压超过±5%。

本发明的进一步技术方案是：所述步骤S中的小电流为200mA-300mA。

本发明的另一目的在于提供一种宽输入的智能充电装置，所述输入的智能充电装置包括受电端，所述受电端包括智能整流单元、智能管理单元及DC/DC升降压变换单元，所述智能整流单元的输出端连接所述DC/DC升降压变换单元的输入端，所述智能管理单元的输出端分别连接所述智能整流单元的输入端及DC/DC升降压变换单元的输入端；所述智能整流单元，用于接收智能管理单元的指令，根据指令对供电的电压做出调整输出充电电压；所述DC/DC升降压变换单元，用于智能管理单元信息指令，根据信息指令电压的升降压调整后输出；所述智能管理单元，用于接收测试的外部供电的电压值，获取在小电流下测试外部设备的供电电压和将充电参数，根据上述参数生成控制指令发送给DC/DC升降压变换单元和控制智能整流单元的指令。

本发明的进一步技术方案是：所述智能整流单元包括接线端子J1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、MOS管Q1、MOS管Q4、电阻R4、电阻R5、电阻R10、电阻R14、三极管Q3、MOS管Q2、MOS管Q5、电阻R6、电阻R11、电阻R12、电阻R7、电阻R15、三极管Q7、电阻R8、电阻R13、电阻R16、电阻R9、MOS管Q6、电容C2、三极管Q8及到妹子R17，所述接线端子J1的第3脚分别连接所述电阻R1的一端、电阻R3的一端、电容C1的一端、MOS管Q4的源极及MOS管Q1的源极，所述接线端子J1的第2、3脚均分别连接所述电阻R2的一端、电容C1的另一端、电阻R3的另一端、MOS管Q5的源极及MOS管Q2的源极，所述MOS管Q4的漏极分别连接所述电阻R4的一端、MOS管Q5的漏极、电阻R6的一端、电阻R8的一端及MOS管Q6的漏极，所述MOS管的源极连接所述电容C2的一端，所述MOS管Q4的栅极分别连接所述电阻R4的另一端及电阻R10的一端，所述电阻R10的另一端连接所述电阻R12的一端，所述MOS管Q5的栅极分别连接所述电阻R6的另一端及电阻R11的一端，所述电阻R11的另一端连接所述三极管Q3的集电极，所述电阻R8的另一端分别连接所述MOS管Q6的栅极及电阻R13的一端，所述MOS管Q1的漏极分别连接所述电阻R5的一端、三极管Q3的发射极、MOS管Q2的漏极、电阻R7的一端、三极管Q7的发射极、电阻R9的一端、三极管Q8的发射极及电阻R17的一端，所述MOS管Q1的栅极连接所述电阻R14的一端，所述电阻R14的另一端分别连接所述电阻R5的另一端及三极管Q3的基极，所述MOS管Q2的栅极连接所述电阻R 15的一端，所述电阻R15的另一端分别连接所述电阻R7的另一端hi三极管Q7的基极，所述三极管Q7的集电极连接所述电阻R12的另一端，所三极管Q8的集电极连接所述电阻R13的另一端，所述三极管Q8的基极分别连接所述电阻R16的一端及电阻R9的另一端。

本发明的进一步技术方案是：所述DC/DC升降压变换单元包括芯片U1、电阻R27、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电容C22、电阻R35、电阻R36、电容C23、电阻R37、电容C24、电容C25、电阻R38、电阻R39、电阻R40、电阻R41、电阻R42、电阻R30、电阻R28、电容C19、电容C21、二极管D2、电阻R29、电容C8、电阻R23、电容C20、电阻R22、电阻R21、电容C7、二极管D1、电容C5、电容C4、电阻R188、电阻R19、电容C3、电容C6、电容C9、电容C10、电容C11、电容20、MOS管Q8、MOS管Q11、开关SW1、开关SW2、电感L1、MOS管Q10、MOS管Q12、电阻R24、电阻R25、电容C12、电容C13、电阻R26、电容C14、电容C15、电容C16、电容C17及电容C18，所述芯片U1的第7脚分别连接所述电阻R17的一端及电阻R32的一端，所述芯片U1的第8脚连接所述电阻R32的一端，所述芯片U1的第9脚连接所述电阻R33的一端，所述芯片U1的第10脚连接所述电阻R34的一端，所述芯片U1的第11脚分别连接所述电阻R35的一端及电容C22的一端，所述电阻R35的另一端连接所述芯片U1的第6脚，所述芯片U1的第12脚分别连接所述电容C36的一端及电容C23的一端，所述芯片U1的第13脚分别连接所述电阻R41的一端及电阻R42的一端，所述芯片U1的第15脚分别连接所述电阻R37的一端及电容C25的一端，所述芯片U1的第16脚分别连接所述电阻R38的一端及电阻R40的一端，所述芯片U1的第17脚分别连接所述电阻R39的一端及电容C19的一端，所述芯片U1的第18脚分别连接所述电容C19的另一端及电阻R28的一端，所述芯片U1的第19脚分别连接所述电容C21的一端及电阻R40的另一端，所述芯片U1的第20脚分别连接所述电容C8的一端及二极管D2的阴极，所述芯片U1的四21脚连接所述电阻R29的一端，所述芯片U1的第22脚连接所述电容C8的另一端，所述芯片U1的第23脚连接所述电阻R23的一端，所述芯片U1的第24脚连接所述电容C20的一端，所述芯片U1的第第26脚连接所述电阻R22的一端，所述芯片U1的第27脚连接所述电容C7的一端，所述芯片U1的第28脚连接所述电阻R21的一端，所述芯片U1的第29脚分别连接所述电容C7的另一端及二极管D1的阴极，所述芯片U1的第30脚连接所述电容C5的一端，所述芯片U1的第31脚分别连接所述电阻R19的一端及电容C4的一端，所述芯片U1的第32脚分别连接所述电容C4的另一端及电阻R18的一端，所述MOS管Q9的源极分别连接所述电容C11的一端、电容C10的一端、电容C9的一端、电容C6的一端、电容C3的一端、芯片U1的第30脚、电阻R18的另一端、及MOS管Q6的源极，所述MOS管Q9的栅极连接所述电阻R21的另一端，所述MOS管Q9的漏极分别连接所述电感L1的一端、开关SW1的一端及MOS管Q10的源极，所述开关SW1的另一端连接所述电容C12的一端，所述MOS管Q10的栅极连接所述电阻R22的另一端，所述电感L1的另一端分别连接所述电阻R25的一端及开关SW2的一端，所述电阻R25的另一端连接所述电容C13的一端，所述开关SW2的另一端分别连接所述MOS管Q12的源极及MOS管Q11的漏极，所述MOS管Q12的栅极连接所述电阻R23的另一端，所述MOS管Q11的栅极连接所述电阻R29的另一端，所述MOS管Q11的源极连接所述电阻R26的一端，所述电阻R26的另一端分别连接所述电容C14的一端、电容C15的一端、电容C16的一端、电容C17的一端、电容C18的一端及芯片U1的第19脚。

本发明的进一步技术方案是：所述智能管理单元包括芯片U3、电阻R50、电容C31、电容C30、二极管D3、电容C27、芯片U2、电容C26、电阻R47、电阻R46、电阻R45、电阻R43、电阻R48、电容C28、电阻R44、电阻R49及电容C29，所述芯片U3的第10脚分别连接所述电阻R50的一端及电容C31的一端，所述芯片U3的第12脚分别连接所述电容C29的一端、电阻R49的一端及电阻R44的一端，所述芯片U3的第13脚分别连接所述电容C28的一端、电阻R43的一端及电阻R48的一端，所述芯片U3的第1脚分别连接所述电容C30的一端及二极管D3的K脚，所述二极管D3的A1脚分别连接所述电容C27的一端及芯片U2的第3脚，所述芯片U2的第2脚分别连接所述电阻R47的一端及电容C26的一端，所述电阻R47的另一端经所述电阻R46连接所述电阻R45的一端，所述电阻R45的另一端连接所述MOS管Q5的漏极，所述电阻R43的另一端连接所述电阻R18的另一端，所述电阻R44的另一端连接所述芯片U1的第19脚。

本发明的进一步技术方案是：所述智能充电装置还包括供电端，所述供电端的输出端电性连接所述受电端。

本发明的进一步技术方案是：所述供电端采用的是电源适配器或整流电源或电池或点烟器。

本发明的有益效果是：取消了各种快充协议的限制，各种电器，电池包在物理接口一致的条件下，可以共用一款充电器并实现最大电流的快速充电，方便用户，也提升了用户的产品体验。

附图说明

图1是本发明实施例提供的宽输入的智能充电装置的框图。

图2是本发明实施例提供的智能整流单元的电气原理图。

图3是本发明实施例提供的DC/DC升降压变换单元的电气原理图。

图4是本发明实施例提供的智能管理单元的电气原理图。

具体实施方式

图1-4示出了本发明提供的宽输入的智能充电方法，其详述如下：

步骤S1，在充电需求下通过接口的小电流进行预充电；再有充电需求的情况下，以通过接口的一小电流进行预充电，其中，小电流的范围是在直流200mA-300mA，其中，最理想的电流是在250mA。

步骤S2，在小电流下测试外部供电设备的电压值；在小电流下对测试外部供电设备的电压值，测试得到的电压值用于后续的充电淡雅调整。

步骤S3，根据设置的充电参数和测试到的外部电压值在安全范围内对充电电流增加或减少完成最大安全上限充电。后续控制中接口过电流能力、智能整流和DC/DC电路变换能力、电池的受电流大小等安全工作上限都是已知的（因与充电管理是一体），在保证已知部分工作在安全范围中增加接口电流，并在接口电流增加过程中，确保接口电压在测定的电压值范围不超过一定的百分比（+-5%），且不发生电压跌落，到达安全限制或外部供电电压超过一定的百分比（+-5%），或外部供电电压发生电压跌落，即得到最大的安全上限工作点（外部供电电压发生电压跌落的最大电流上限要减小5%的电流），以工作在最大的安全上限工作点充电的模式、即为整个系统的快速充电状态。

智能整流，使用MOS管内的二极管构成预整流，给充电管理单元供电，整流前的正负极性检测到输入的正负极性，由充电管理单元根据需要打开对应的MOS管，实现智能整流。

所述智能整流单元包括接线端子J1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、MOS管Q1、MOS管Q4、电阻R4、电阻R5、电阻R10、电阻R14、三极管Q3、MOS管Q2、MOS管Q5、电阻R6、电阻R11、电阻R12、电阻R7、电阻R15、三极管Q7、电阻R8、电阻R13、电阻R16、电阻R9、MOS管Q6、电容C2、三极管Q8及到妹子R17，所述接线端子J1的第3脚分别连接所述电阻R1的一端、电阻R3的一端、电容C1的一端、MOS管Q4的源极及MOS管Q1的源极，所述接线端子J1的第2、3脚均分别连接所述电阻R2的一端、电容C1的另一端、电阻R3的另一端、MOS管Q5的源极及MOS管Q2的源极，所述MOS管Q4的漏极分别连接所述电阻R4的一端、MOS管Q5的漏极、电阻R6的一端、电阻R8的一端及MOS管Q6的漏极，所述MOS管的源极连接所述电容C2的一端，所述MOS管Q4的栅极分别连接所述电阻R4的另一端及电阻R10的一端，所述电阻R10的另一端连接所述电阻R12的一端，所述MOS管Q5的栅极分别连接所述电阻R6的另一端及电阻R11的一端，所述电阻R11的另一端连接所述三极管Q3的集电极，所述电阻R8的另一端分别连接所述MOS管Q6的栅极及电阻R13的一端，所述MOS管Q1的漏极分别连接所述电阻R5的一端、三极管Q3的发射极、MOS管Q2的漏极、电阻R7的一端、三极管Q7的发射极、电阻R9的一端、三极管Q8的发射极及电阻R17的一端，所述MOS管Q1的栅极连接所述电阻R14的一端，所述电阻R14的另一端分别连接所述电阻R5的另一端及三极管Q3的基极，所述MOS管Q2的栅极连接所述电阻R 15的一端，所述电阻R15的另一端分别连接所述电阻R7的另一端hi三极管Q7的基极，所述三极管Q7的集电极连接所述电阻R12的另一端，所三极管Q8的集电极连接所述电阻R13的另一端，所述三极管Q8的基极分别连接所述电阻R16的一端及电阻R9的另一端。

所述DC/DC升降压变换单元包括芯片U1、电阻R27、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电容C22、电阻R35、电阻R36、电容C23、电阻R37、电容C24、电容C25、电阻R38、电阻R39、电阻R40、电阻R41、电阻R42、电阻R30、电阻R28、电容C19、电容C21、二极管D2、电阻R29、电容C8、电阻R23、电容C20、电阻R22、电阻R21、电容C7、二极管D1、电容C5、电容C4、电阻R188、电阻R19、电容C3、电容C6、电容C9、电容C10、电容C11、电容20、MOS管Q8、MOS管Q11、开关SW1、开关SW2、电感L1、MOS管Q10、MOS管Q12、电阻R24、电阻R25、电容C12、电容C13、电阻R26、电容C14、电容C15、电容C16、电容C17及电容C18，所述芯片U1的第7脚分别连接所述电阻R17的一端及电阻R32的一端，所述芯片U1的第8脚连接所述电阻R32的一端，所述芯片U1的第9脚连接所述电阻R33的一端，所述芯片U1的第10脚连接所述电阻R34的一端，所述芯片U1的第11脚分别连接所述电阻R35的一端及电容C22的一端，所述电阻R35的另一端连接所述芯片U1的第6脚，所述芯片U1的第12脚分别连接所述电容C36的一端及电容C23的一端，所述芯片U1的第13脚分别连接所述电阻R41的一端及电阻R42的一端，所述芯片U1的第15脚分别连接所述电阻R37的一端及电容C25的一端，所述芯片U1的第16脚分别连接所述电阻R38的一端及电阻R40的一端，所述芯片U1的第17脚分别连接所述电阻R39的一端及电容C19的一端，所述芯片U1的第18脚分别连接所述电容C19的另一端及电阻R28的一端，所述芯片U1的第19脚分别连接所述电容C21的一端及电阻R40的另一端，所述芯片U1的第20脚分别连接所述电容C8的一端及二极管D2的阴极，所述芯片U1的四21脚连接所述电阻R29的一端，所述芯片U1的第22脚连接所述电容C8的另一端，所述芯片U1的第23脚连接所述电阻R23的一端，所述芯片U1的第24脚连接所述电容C20的一端，所述芯片U1的第第26脚连接所述电阻R22的一端，所述芯片U1的第27脚连接所述电容C7的一端，所述芯片U1的第28脚连接所述电阻R21的一端，所述芯片U1的第29脚分别连接所述电容C7的另一端及二极管D1的阴极，所述芯片U1的第30脚连接所述电容C5的一端，所述芯片U1的第31脚分别连接所述电阻R19的一端及电容C4的一端，所述芯片U1的第32脚分别连接所述电容C4的另一端及电阻R18的一端，所述MOS管Q9的源极分别连接所述电容C11的一端、电容C10的一端、电容C9的一端、电容C6的一端、电容C3的一端、芯片U1的第30脚、电阻R18的另一端、及MOS管Q6的源极，所述MOS管Q9的栅极连接所述电阻R21的另一端，所述MOS管Q9的漏极分别连接所述电感L1的一端、开关SW1的一端及MOS管Q10的源极，所述开关SW1的另一端连接所述电容C12的一端，所述MOS管Q10的栅极连接所述电阻R22的另一端，所述电感L1的另一端分别连接所述电阻R25的一端及开关SW2的一端，所述电阻R25的另一端连接所述电容C13的一端，所述开关SW2的另一端分别连接所述MOS管Q12的源极及MOS管Q11的漏极，所述MOS管Q12的栅极连接所述电阻R23的另一端，所述MOS管Q11的栅极连接所述电阻R29的另一端，所述MOS管Q11的源极连接所述电阻R26的一端，所述电阻R26的另一端分别连接所述电容C14的一端、电容C15的一端、电容C16的一端、电容C17的一端、电容C18的一端及芯片U1的第19脚。

所述智能管理单元包括芯片U3、电阻R50、电容C31、电容C30、二极管D3、电容C27、芯片U2、电容C26、电阻R47、电阻R46、电阻R45、电阻R43、电阻R48、电容C28、电阻R44、电阻R49及电容C29，所述芯片U3的第10脚分别连接所述电阻R50的一端及电容C31的一端，所述芯片U3的第12脚分别连接所述电容C29的一端、电阻R49的一端及电阻R44的一端，所述芯片U3的第13脚分别连接所述电容C28的一端、电阻R43的一端及电阻R48的一端，所述芯片U3的第1脚分别连接所述电容C30的一端及二极管D3的K脚，所述二极管D3的A1脚分别连接所述电容C27的一端及芯片U2的第3脚，所述芯片U2的第2脚分别连接所述电阻R47的一端及电容C26的一端，所述电阻R47的另一端经所述电阻R46连接所述电阻R45的一端，所述电阻R45的另一端连接所述MOS管Q5的漏极，所述电阻R43的另一端连接所述电阻R18的另一端，所述电阻R44的另一端连接所述芯片U1的第19脚。

该DC/DC升降压变换单元为通用的30V升降压转换单元，例如南芯公司的SC8802芯片构建的电路。

所述智能充电装置还包括供电端，所述供电端的输出端电性连接所述受电端。

所述供电端采用的是电源适配器或整流电源或电池或点烟器。

供电端提供直流电，电压电流不限，形式上有充电器，整流器，电池，汽车点烟装置等；受电端包括电池电芯和核心的DC/DC升降压变换单元+智能管理单元及智能整流单元。

DC/DC升降压变换单元实现接入电压可正可负，电压范围宽，4V~30V；

智能管理单元采用主动侦测充电侧电压电流及电压正负，然后和接口，DC/DC的参数及受电电池的电压电流匹配，自主选择最大功率，实现最快速度充电。

智能全桥输入使用了TYPE-C接口，其它接口可通过转换进入，充电检测使用INPWA、INPWB检测，以电压方向和幅度变化唤醒充电管理。控制智能整流桥的MOS管。

DC/DC升降压变换电路采用全桥标准电路，具有升降压功能，实现宽范围的电压输入，充电系统检测接口电流，输入电压，电池电压。从而换算出电池电流，保证在安全区间工作。

取消了各种快充协议的限制，各种电器，电池包在物理接口一致的条件下，可以共用一款充电器并实现最大电流的快速充电，方便用户，也提升了用户的产品体验。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种宽输入的智能充电方法，其特征在于：所述智能充电方法包括以下步骤：

S1、在充电需求下通过接口的小电流进行预充电；

S2、在小电流下测试外部供电设备的电压值；

2.根据权利要求1所述的宽输入的智能充电方法，其特征在于，所述步骤S3中在接口电流增加或减少过程中接口电压在测定的电压值范围内不超过±5%。

3.根据权利要求1所述的宽输入的智能充电方法，其特征在于，所述步骤S3中在不发生电压跌落时，在安全限制或外部供电电压超过±5%。

4.根据权利要求1所述的宽输入的智能充电方法，其特征在于，所述步骤S中的小电流为200mA-300mA。

5.一种宽输入的智能充电装置，其特征在于，所述输入的智能充电装置包括受电端，所述受电端包括智能整流单元、智能管理单元及DC/DC升降压变换单元，所述智能整流单元的输出端连接所述DC/DC升降压变换单元的输入端，所述智能管理单元的输出端分别连接所述智能整流单元的输入端及DC/DC升降压变换单元的输入端；所述智能整流单元，用于接收智能管理单元的指令，根据指令对供电的电压做出调整输出充电电压；所述DC/DC升降压变换单元，用于智能管理单元信息指令，根据信息指令电压的升降压调整后输出；所述智能管理单元，用于接收测试的外部供电的电压值，获取在小电流下测试外部设备的供电电压和将充电参数，根据上述参数生成控制指令发送给DC/DC升降压变换单元和控制智能整流单元的指令。

6.根据权利要求5所述的智能充电装置，其特征在于，所述智能整流单元包括接线端子J1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、MOS管Q1、MOS管Q4、电阻R4、电阻R5、电阻R10、电阻R14、三极管Q3、MOS管Q2、MOS管Q5、电阻R6、电阻R11、电阻R12、电阻R7、电阻R15、三极管Q7、电阻R8、电阻R13、电阻R16、电阻R9、MOS管Q6、电容C2、三极管Q8及到妹子R17，所述接线端子J1的第3脚分别连接所述电阻R1的一端、电阻R3的一端、电容C1的一端、MOS管Q4的源极及MOS管Q1的源极，所述接线端子J1的第2、3脚均分别连接所述电阻R2的一端、电容C1的另一端、电阻R3的另一端、MOS管Q5的源极及MOS管Q2的源极，所述MOS管Q4的漏极分别连接所述电阻R4的一端、MOS管Q5的漏极、电阻R6的一端、电阻R8的一端及MOS管Q6的漏极，所述MOS管的源极连接所述电容C2的一端，所述MOS管Q4的栅极分别连接所述电阻R4的另一端及电阻R10的一端，所述电阻R10的另一端连接所述电阻R12的一端，所述MOS管Q5的栅极分别连接所述电阻R6的另一端及电阻R11的一端，所述电阻R11的另一端连接所述三极管Q3的集电极，所述电阻R8的另一端分别连接所述MOS管Q6的栅极及电阻R13的一端，所述MOS管Q1的漏极分别连接所述电阻R5的一端、三极管Q3的发射极、MOS管Q2的漏极、电阻R7的一端、三极管Q7的发射极、电阻R9的一端、三极管Q8的发射极及电阻R17的一端，所述MOS管Q1的栅极连接所述电阻R14的一端，所述电阻R14的另一端分别连接所述电阻R5的另一端及三极管Q3的基极，所述MOS管Q2的栅极连接所述电阻R 15的一端，所述电阻R15的另一端分别连接所述电阻R7的另一端hi三极管Q7的基极，所述三极管Q7的集电极连接所述电阻R12的另一端，所三极管Q8的集电极连接所述电阻R13的另一端，所述三极管Q8的基极分别连接所述电阻R16的一端及电阻R9的另一端。

7.根据权利要求6所述的智能充电装置，其特征在于，所述DC/DC升降压变换单元包括芯片U1、电阻R27、电阻R31、电阻R32、电阻R33、电阻R34、电容C22、电阻R35、电阻R36、电容C23、电阻R37、电容C24、电容C25、电阻R38、电阻R39、电阻R40、电阻R41、电阻R42、电阻R30、电阻R28、电容C19、电容C21、二极管D2、电阻R29、电容C8、电阻R23、电容C20、电阻R22、电阻R21、电容C7、二极管D1、电容C5、电容C4、电阻R188、电阻R19、电容C3、电容C6、电容C9、电容C10、电容C11、电容20、MOS管Q8、MOS管Q11、开关SW1、开关SW2、电感L1、MOS管Q10、MOS管Q12、电阻R24、电阻R25、电容C12、电容C13、电阻R26、电容C14、电容C15、电容C16、电容C17及电容C18，所述芯片U1的第7脚分别连接所述电阻R17的一端及电阻R32的一端，所述芯片U1的第8脚连接所述电阻R32的一端，所述芯片U1的第9脚连接所述电阻R33的一端，所述芯片U1的第10脚连接所述电阻R34的一端，所述芯片U1的第11脚分别连接所述电阻R35的一端及电容C22的一端，所述电阻R35的另一端连接所述芯片U1的第6脚，所述芯片U1的第12脚分别连接所述电容C36的一端及电容C23的一端，所述芯片U1的第13脚分别连接所述电阻R41的一端及电阻R42的一端，所述芯片U1的第15脚分别连接所述电阻R37的一端及电容C25的一端，所述芯片U1的第16脚分别连接所述电阻R38的一端及电阻R40的一端，所述芯片U1的第17脚分别连接所述电阻R39的一端及电容C19的一端，所述芯片U1的第18脚分别连接所述电容C19的另一端及电阻R28的一端，所述芯片U1的第19脚分别连接所述电容C21的一端及电阻R40的另一端，所述芯片U1的第20脚分别连接所述电容C8的一端及二极管D2的阴极，所述芯片U1的四21脚连接所述电阻R29的一端，所述芯片U1的第22脚连接所述电容C8的另一端，所述芯片U1的第23脚连接所述电阻R23的一端，所述芯片U1的第24脚连接所述电容C20的一端，所述芯片U1的第第26脚连接所述电阻R22的一端，所述芯片U1的第27脚连接所述电容C7的一端，所述芯片U1的第28脚连接所述电阻R21的一端，所述芯片U1的第29脚分别连接所述电容C7的另一端及二极管D1的阴极，所述芯片U1的第30脚连接所述电容C5的一端，所述芯片U1的第31脚分别连接所述电阻R19的一端及电容C4的一端，所述芯片U1的第32脚分别连接所述电容C4的另一端及电阻R18的一端，所述MOS管Q9的源极分别连接所述电容C11的一端、电容C10的一端、电容C9的一端、电容C6的一端、电容C3的一端、芯片U1的第30脚、电阻R18的另一端、及MOS管Q6的源极，所述MOS管Q9的栅极连接所述电阻R21的另一端，所述MOS管Q9的漏极分别连接所述电感L1的一端、开关SW1的一端及MOS管Q10的源极，所述开关SW1的另一端连接所述电容C12的一端，所述MOS管Q10的栅极连接所述电阻R22的另一端，所述电感L1的另一端分别连接所述电阻R25的一端及开关SW2的一端，所述电阻R25的另一端连接所述电容C13的一端，所述开关SW2的另一端分别连接所述MOS管Q12的源极及MOS管Q11的漏极，所述MOS管Q12的栅极连接所述电阻R23的另一端，所述MOS管Q11的栅极连接所述电阻R29的另一端，所述MOS管Q11的源极连接所述电阻R26的一端，所述电阻R26的另一端分别连接所述电容C14的一端、电容C15的一端、电容C16的一端、电容C17的一端、电容C18的一端及芯片U1的第19脚。

8.根据权利要求7所述的智能充电装置，其特征在于，所述智能管理单元包括芯片U3、电阻R50、电容C31、电容C30、二极管D3、电容C27、芯片U2、电容C26、电阻R47、电阻R46、电阻R45、电阻R43、电阻R48、电容C28、电阻R44、电阻R49及电容C29，所述芯片U3的第10脚分别连接所述电阻R50的一端及电容C31的一端，所述芯片U3的第12脚分别连接所述电容C29的一端、电阻R49的一端及电阻R44的一端，所述芯片U3的第13脚分别连接所述电容C28的一端、电阻R43的一端及电阻R48的一端，所述芯片U3的第1脚分别连接所述电容C30的一端及二极管D3的K脚，所述二极管D3的A1脚分别连接所述电容C27的一端及芯片U2的第3脚，所述芯片U2的第2脚分别连接所述电阻R47的一端及电容C26的一端，所述电阻R47的另一端经所述电阻R46连接所述电阻R45的一端，所述电阻R45的另一端连接所述MOS管Q5的漏极，所述电阻R43的另一端连接所述电阻R18的另一端，所述电阻R44的另一端连接所述芯片U1的第19脚。

9.根据权利要求5-8任一项所述的智能充电装置，其特征在于，所述智能充电装置还包括供电端，所述供电端的输出端电性连接所述受电端。

10.根据权利要求5-9任一项所述的智能充电装置，其特征在于，所述供电端采用的是电源适配器或整流电源或电池或点烟器。