CN109494196B - 一种高硅铝合金封装外壳及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于金属玻璃封接领域,具体是涉及一种高硅铝合金封装外壳及其制作方法,包括壳体(1),所述壳体(1)上有玻璃封接孔(2)、钎焊孔(6)、盖板放置区(9)和螺纹孔(11),所述玻璃封接孔(2)内为封接玻璃(3)、铁镍合金引线(4),所述钎焊孔(6)为台阶孔,孔内放置钎焊焊料(7)、高频玻璃密封端子(5),所述盖板放置区(9)内放置盖板(8),所述盖板(8)与壳体(1)均为高硅铝合金材质,待芯片安装后,壳体(1)和盖板(8)的连接使用平头螺栓,穿过沉头孔(10)与所述螺纹孔(11)紧固,所述盖板(8)外四周与所述盖板放置区(9)外四周采用激光封焊确保整体密封。
Description
技术领域
本发明属于金属玻璃封接领域,具体是涉及一种高硅铝合金封装外壳及其制作方法。
背景技术
目前在电子封装领域,外壳类产品的主要材质为:可伐合金、优质结构碳素钢、铝碳化硅等,这几种材料存在的问题,可伐合金被广泛应用是因为可以和玻璃匹配封接,保证气密,但散热性不好。优质结构碳素钢容易加工,但是重量大,不耐腐蚀。铝碳化硅价格贵,加工工艺复杂,属于多孔材料,容易吸附气体造成密封性误报,高硅铝合金材料应用于电子封装材料基座,外壳,盖板等,具有匹配性好,可提供更好的散热。该材料具有重量轻,高热导性,低热膨胀,高刚度,良好的机械加工与表面处理及焊接性能,材料致密性好,耐高温,耐腐蚀。
发明内容
本发明目的在于提供一种高硅铝合金封装外壳及其制作方法,本发明为大功率封装外壳结构优化和制作方法,制作出来的产品散热性好,延长封装大功率模块的使用寿命,可靠性增加同时满足低频和高频工作要求。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种高硅铝合金封装外壳,其特征在于,包括壳体,壳体上有玻璃封接孔,钎焊孔,盖板放置区,螺纹孔。
进一步的,玻璃封接孔内为封接玻璃、铁镍合金引线。
进一步的,钎焊孔为台阶孔,孔内放置钎焊焊料、高频玻璃密封端子。
进一步的,盖板放置区内放置盖板。
进一步的,盖板与壳体均为高硅铝合金材质,待芯片安装后,壳体和盖板的连接使用平头螺栓,穿过沉头孔与螺纹孔紧固。盖板外四周与盖板放置区外四周采用激光封焊确保整体密封。
进一步的,壳体的硅含量为27%~70%,热膨胀系数为7.5~17*10-6m/K。封接玻璃膨胀系数为9~15*10-6m/K,熔封温度850℃~1000℃。铁镍合金引线膨胀系数为6~15*10- 6m/K。
进一步的,钎焊孔内为局部镀软金,金层厚度为0.3~0.5μm,钎焊焊料为环状金锡焊料,熔点温度温度为217℃~315℃,高频玻璃密封端子为全镀软金,金层厚度为0.8~1.27μm。
一种高硅铝合金封装外壳,其特征在于,制备方法包括以下步骤:
1)清洗
使用5%碱性溶剂超声清洗去除高硅铝合金壳体、铁镍合金引线表面的油污。使用分析纯无水乙醇超声清洗封接玻璃、钎焊焊料和高频玻璃密封端子。
2)烘干
将清洗干净的物料使用烘箱烘干,烘箱温度为80℃~110℃。
3)装配
将准备好的壳体放入封装模具,玻璃坯放入封接孔,铁镍合金引线放入玻璃坯孔。
4)熔封
将装配好外壳,放入链式网带封装炉,炉温900℃~1050℃,总体熔封时间为3.5~4.5H,保护气氛为氮气。
5)电镀
将熔封好的半成品外壳,进行钎焊孔局部镀金处理,使用氨基磺酸镍进行电镀打底处理,镍层厚度为3~5μm,电镀软金层厚度为0.3~0.5μm。高频玻璃密封端子进行全镀金处理,打底镍层厚度为3~5μm,电镀软金厚度为0.8~1.27μm。
6)钎焊
将电镀后的半成品,装配到钎焊模具上,钎焊模具材质为陶瓷或者金属。将钎焊焊料放入钎焊孔,高频玻璃密封端子穿过钎焊焊料安装入钎焊孔。使用气氛扩散炉进行炉中钎焊,钎焊温度为270~370℃。气氛为氮氢混合气体,比例为:3:1、3:2、3:3,总体钎焊时间为1.5~3H。
7)性能检验
将钎焊好的成品高硅铝合金封装外壳,进行外观、密封、电性能等,进行检验,完成产品制作。
本发明具有以下有益的效果:
本发明高硅铝合金封装外壳,包括壳体,壳体上有封接孔和钎焊孔,低频输出端通过封接孔直接封装来实现,高频输出端因有驻波、介电常数要求,且和壳体一体加工成型难度大,加工成本几何倍增长。故高频输出端采用低温钎焊来实现,保证高频玻璃密封端子各项性能不受影响。制作出来的产品散热性好,延长封装大功率模块的使用寿命,可靠性增加同时满足低频和高频工作要求。
附图说明
图1为本发明结构示意图。
其中,1、壳体;2、玻璃封接孔;3、封接玻璃;4、铁镍合金引线;5、高频玻璃密封端子;6、钎焊孔;7、钎焊焊料;8、盖板;9、盖板放置区;10、沉头孔;11、螺纹孔。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步详细描述:
如图1所示,高硅铝合金封装外壳,包括壳体1,壳体1上有玻璃封接孔2,钎焊孔6,盖板放置区9,螺纹孔11。玻璃封接孔2内为封接玻璃3,铁镍合金引线4。钎焊孔6为台阶孔,孔内放置钎焊焊料7、高频玻璃密封端子5。盖板放置区9内放置盖板8。盖板8与壳体1均为高硅铝合金材质,待芯片安装后,壳体1和盖板8的连接使用平头螺栓,穿过沉头孔10与螺纹孔11紧固。盖板8 外四周与盖板放置区9外四周采用激光封焊确保整体密封。壳体1的硅含量为 27%~70%,热膨胀系数为7.5~17*10-6m/K。封接玻璃3膨胀系数为9~15*10-6m/K,熔封温度850℃~1000℃。铁镍合金引线4膨胀系数为6~15*10-6m/K。钎焊孔6 内为局部镀软金,金层厚度为0.3~0.5μm,钎焊焊料7为环状金锡焊料,熔点温度为217℃~315℃,高频玻璃密封端子5为全镀软金,金层厚度为0.8~1.27μ m。
高硅铝合金封装外壳制备方法包括以下步骤:
1)清洗
使用5%碱性溶剂超声清洗去除高硅铝合金壳体、铁镍合金引线表面的油污。使用分析纯无水乙醇超声清洗封接玻璃、钎焊焊料和高频玻璃密封端子。
2)烘干
将清洗干净的物料使用烘箱烘干,烘箱温度为80℃~110℃。
3)装配
将准备好的壳体放入封装模具,玻璃坯放入封接孔,铁镍合金引线放入玻璃坯孔。
4)熔封
将装配好外壳,放入链式网带封装炉,炉温900℃~1050℃,总体熔封时间为3.5~4.5H,保护气氛为氮气。
5)电镀
将熔封好的半成品外壳,进行钎焊孔局部镀金处理,使用氨基磺酸镍进行电镀打底处理,镍层厚度为3~5μm,电镀软金层厚度为0.3~0.5μm。高频玻璃密封端子进行全镀金处理,打底镍层厚度为3~5μm,电镀软金厚度为0.8~1.27μm。
6)钎焊
将电镀后的半成品,装配到钎焊模具上,钎焊模具材质为陶瓷或者金属。将钎焊焊料放入钎焊孔,高频玻璃密封端子穿过钎焊焊料安装入钎焊孔。使用气氛扩散炉进行炉中钎焊,钎焊温度为270~370℃。气氛为氮氢混合气体,比例为:3:1、3:2、3:3,总体钎焊时间为1.5~3H。
7)性能检验
将钎焊好的成品高硅铝合金封装外壳,进行外观、密封、电性能等进行检验,完成产品制作。
下面结合附图对本发明的结构原理和制作步骤作进一步说明:
将壳体1、铁镍合金引线4放入5%碱性溶液超声清洗去除表面油污,将封接玻璃3、钎焊焊料7、高频玻璃密封端子5放入分析纯级无水乙醇超声清洗去除表面杂质。将清洗干净的壳体1、铁镍合金引线4、封接玻璃3、钎焊焊料、高频玻璃密封端子5使用烘箱进行烘干,温度95℃,时间30min。将烘干后的壳体1放入封装模具,铁镍合金引线4穿过封接玻璃3放置在玻璃封接孔2内。装配好的外壳放入链式网带封装炉,封装温度970℃,气氛保护为氮气,熔封时间3.5H。熔封好的半成品外壳进行钎焊孔6局部镀金处理,使用氨基磺酸镍进行电镀打底处理,镍层厚度为3μm,电镀软金层厚度为0.3μm。高频玻璃密封端子进行全镀金处理打底镍层厚度为4μm,电镀软金厚度为0.8μm。将电镀后的半成品,装配到陶瓷钎焊模具上,将钎焊焊料7放入钎焊孔6,高频玻璃密封端子5穿过钎焊焊料7安装入钎焊孔6,入气氛扩散炉进行炉中钎焊,钎焊温度为320℃,气氛为氮氢混合气体,比例为3:2。钎焊时间2.5H。将钎焊好的成品高硅铝封装外壳,进行进行外观、密封、电性能等进行检验,完成产品制作。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例,并非对本发明作任何限制,凡是根据本发明技术实质对以上实施例所做的任何简单修改,变更以及等效结构变换,均仍属本发明技术方案的保护范围内。
Claims (2)
1.一种高硅铝合金封装外壳,其特征在于包括壳体(1),所述壳体(1)上有玻璃封接孔(2)、钎焊孔(6)、盖板放置区(9)和螺纹孔(11),所述玻璃封接孔(2)内为封接玻璃(3)、铁镍合金引线(4),所述钎焊孔(6)为台阶孔,孔内放置钎焊焊料(7)、高频玻璃密封端子(5),所述盖板放置区(9)内放置盖板(8),所述盖板(8)与壳体(1)均为高硅铝合金材质,待芯片安装后,壳体(1)和盖板(8)的连接使用平头螺栓,穿过沉头孔(10)与所述螺纹孔(11)紧固,所述盖板(8)外四周与所述盖板放置区(9)外四周采用激光封焊确保整体密封。
2.一种高硅铝合金封装外壳的制作方法,包括权利要求1所述的高硅铝合金封装外壳,其特征在于还包括以下步骤:
1)清洗
使用5%碱性溶剂超声清洗去除高硅铝合金壳体、铁镍合金引线表面的油污,使用分析纯无水乙醇超声清洗封接玻璃、钎焊焊料和高频玻璃密封端子;
2)烘干
将清洗干净的物料使用烘箱烘干,烘箱温度为80℃~110℃;
3)装配
将准备好的壳体放入封装模具,玻璃坯放入封接孔,铁镍合金引线放入玻璃坯孔;
4)熔封
将装配好的外壳,放入链式网带封装炉,炉温900℃~1050℃,总体熔封时间为3.5~4.5H,保护气氛为氮气;
5)电镀
将熔封好的半成品外壳,进行钎焊孔局部镀金处理,使用氨基磺酸镍进行电镀打底处理,镍层厚度为3~5μm,电镀软金层厚度为0.3~0.5μm,高频玻璃密封端子进行全镀金处理,打底镍层厚度为3~5μm,电镀软金厚度为0.8~1.27μm;
6)钎焊
将电镀后的半成品,装配到钎焊模具上,钎焊模具材质为陶瓷或者金属,将钎焊焊料放入钎焊孔,高频玻璃密封端子穿过钎焊焊料安装入钎焊孔,使用气氛扩散炉进行炉中钎焊,钎焊温度为270~370℃,气氛为氮氢混合气体,氮气与氢气的比例为3:1或者3:2或者3:3,总体钎焊时间为1.5~3H;
7)性能检验
将钎焊好的成品高硅铝合金封装外壳,对外观、密封、电性能进行检验,完成产品制作。
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