CN109477986A - 液晶面板及扫描天线 - Google Patents

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Abstract

本发明的液晶面板P是具有液晶层LC和一对第一基板100及第二基板200的液晶面板P，所述一对第一基板100及第二基板200夹着液晶层LC，在各自的液晶层侧的表面、或任一者的液晶层侧的表面包含取向膜M，其特征在于：取向膜M含有具有羧基的含羧基聚合物，构成液晶层LC的液晶化合物含有选自由氰基、杂环、‑OCF2‑、碳‑碳三键及三氟甲基所构成的群的至少一种，于末端具有脂肪族烷基，且不含异硫氰酸酯基，排列着多个天线单元。

Description

液晶面板及扫描天线
技术领域
本发明涉及一种液晶面板及扫描天线。
背景技术
近年来，除液晶显示装置以外，已知有如下的装置，其具有在一对基板间夹持液晶层的液晶面板。此种装置例如可列举扫描天线(例如参照专利文献1～3)。扫描天线是利用液晶(包括向列型液晶、高分子分散液晶)的较大的介电各向异性(双折射率)的天线，具有能够在收发微波等时改变波束方向的波束扫描功能。此种扫描天线具有在一对附有电极的基板间夹着液晶层的构成(亦即液晶面板)。
而且，其他装置例如可列举液晶透镜(例如参照专利文献4)。液晶透镜使用液晶作为光学元件，通过所施加的电压控制焦距。此种液晶天线也具有在一对附有电极的基板间夹着液晶层的构成(亦即液晶面板)。
另外，在扫描天线、液晶透镜等中，也和现有的液晶显示装置同样地通常在基板的液晶层侧的最表面形成有取向膜，该取向膜用以控制液晶分子的取向方向。
现有技术文献
专利文件
[专利文献1]日本专利特表2013-539949号公报
[专利文献2]日本专利特表2016-512408号公报
[专利文献3]日本专利特表2009-538565号公报
[专利文献4]日本专利第5698328号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在扫描天线等中，利用与现有的液晶显示装置相比而言极性高(介电各向异性大)的液晶化合物。例如利用于末端具有异硫氰酸酯基的液晶分子(液晶化合物)。在利用此种液晶分子的情况下，例如如果为了进行再取向处理而造成液晶面板在高温(例如85～95℃)下老化，则会由于取向膜的种类而与液晶分子反应，液晶分子一体地附着于取向膜上。推测附着于取向膜上的液晶分子的异硫氰酸酯基侧与取向膜反应，处于另一末端的脂肪族烷基朝向液晶层侧。因此，所附着的液晶分子的脂肪族烷基等与液晶层中的位于液晶化合物末端的脂肪族烷基起作用，因此取向膜会使液晶化合物不必要地垂直取向。
而且，如果液晶面板在高温(例如85～95℃)下老化，则具有异硫氰酸酯基的液晶分子彼此反应而二聚化，其成为结晶而析出到液晶层中。
如果在液晶层中产生液晶分子的取向不良或结晶等，则成为液晶面板运行不良的原因，成为问题。
本发明的目的在于提供耐热性优异的液晶面板及扫描天线。
解决问题的方案
本发明者发现如果将具有液晶层(其含有具有异硫氰酸酯基的液晶化合物)和取向膜(其含有具有羧基的聚合物)的液晶面板暴露在高温(例如85～95℃)下，则液晶化合物的一部分与取向膜反应而附着于取向膜上，由于该附着的液晶化合物的影响，在液晶层中产生液晶化合物(液晶分子)的取向不良，且在液晶层中析出液晶化合物二聚化而成的结晶。本发明是基于该发现而成的。
本发明的液晶面板是具有液晶层和一对第一基板及第二基板的液晶面板，所述一对第一基板及第二基板夹着所述液晶层，在各自的所述液晶层侧的表面、或任一者的所述液晶层侧的表面包含取向膜，其特征在于，所述取向膜含有具有羧基的含羧基聚合物，构成所述液晶层的液晶化合物含有选自由氰基、杂环、-OCF2-、碳-碳三键及三氟甲基所构成的群的至少一种，于末端具有脂肪族烷基，且不含异硫氰酸酯基，排列着多个天线单元。
在所述液晶面板中，优选所述液晶化合物含有选自所述群的至少两种。其中，为了获得较大的介电各向异性(Δε)，特别优选在一种液晶化合物中含有选自所述群的至少两种。
在所述液晶面板中，所述取向膜可以含有并不具有羧基的不含羧基的聚合物。
在所述液晶面板中，优选所述含羧基聚合物由聚酰胺酸、或具有羧基的含羧基的丙烯酸系聚合物构成。
在所述液晶面板中，优选所述不含羧基的聚合物由聚酰亚胺、或并不具有羧基的不含羧基的丙烯酸系聚合物构成。
而且，本发明的液晶面板是具有液晶层和一对第一基板及第二基板的液晶面板，所述一对第一基板及第二基板夹着所述液晶层，在各自的所述液晶层侧的表面、或任一者的所述液晶层侧的表面包含取向膜，其特征在于，所述取向膜含有并不具有羧基的不含羧基的聚合物，构成所述液晶层的液晶化合物于末端具有脂肪族烷基，且含有异硫氰酸酯基，排列着多个天线单元。
在所述液晶面板中，优选所述液晶化合物进一步含有选自由氰基、杂环、-OCF2-、碳-碳三键及三氟甲基所构成的群的至少一种。其中，为了获得较大的介电各向异性(Δε)，更优选含有选自所述群的至少两种。而且，特别优选在一种液晶化合物中含有选自所述群的至少两种。
在所述液晶面板中，优选所述不含羧基的聚合物由聚酰亚胺、或并不具有羧基的不含羧基的丙烯酸系聚合物构成。
而且，本发明的液晶面板是具有液晶层和一对第一基板及第二基板的液晶面板，所述一对第一基板及第二基板夹着所述液晶层，在各自的所述液晶层侧的表面、或任一者的所述液晶层侧的表面包含取向膜，其特征在于，所述取向膜由聚酰亚胺和其他聚合物混合而成的混合树脂构成，排列着多个天线单元。
在所述液晶面板中，优选所述其他聚合物由聚酰胺酸构成。
在所述液晶面板中，构成所述液晶层的液晶化合物可以于末端具有脂肪族烷基，且含有异硫氰酸酯基。
在所述液晶面板中，构成所述液晶层的液晶化合物可以含有选自由氰基、杂环、-OCF2-、碳-碳三键及三氟甲基所构成的群的至少一种，于末端具有脂肪族烷基，且不含异硫氰酸酯基。在这种情况下，为了获得较大的介电各向异性(Δε)，优选含有选自所述群的至少两种。其中，特别优选在一种液晶化合物中含有选自所述群的至少两种。
在所述液晶面板中，所述液晶层的介电各向异性(Δε)优选为10以上。
自较大的介电各向异性(Δε)与良好的可靠性的观点考虑，在所述液晶面板中，优选所述液晶化合物在一分子中含有两个以上所述-OCF2-。
自较大的介电各向异性(Δε)与良好的可靠性的观点考虑，在所述液晶面板中，优选所述液晶化合物在一分子中含有所述氰基和所述碳-碳三键。
自较大的介电各向异性(Δε)与良好的可靠性的观点考虑，在所述液晶面板中，优选所述液晶化合物在一分子中含有所述氰基和所述杂环。
自较大的介电各向异性(Δε)与良好的可靠性的观点考虑，在所述液晶面板中，优选所述液晶化合物在一分子中含有所述杂环和所述碳-碳三键。
自较大的介电各向异性(Δε)与良好的可靠性的观点考虑，在所述液晶面板中，优选所述液晶化合物在一分子中含有所述三氟甲基和所述碳-碳三键。
自较大的介电各向异性(Δε)与良好的可靠性的观点考虑，在所述液晶面板中，优选所述液晶化合物在一分子中含有所述碳-碳三键和所述-OCF2-。
自较大的介电各向异性(Δε)与良好的可靠性的观点考虑，在所述液晶面板中，优选所述液晶化合物在一分子中含有所述三氟甲基和所述-OCF2-。
而且，本发明的扫描天线具有上述任一项所述的液晶面板，所述液晶面板的所述第一基板由TFT基板构成，所述TFT基板具有第一电介质基板、支撑于所述第一电介质基板上的多个TFT和与所述TFT电连接的多个贴片电极、以覆盖所述TFT及所述贴片电极的形态配置的由所述取向膜构成的第一取向膜，所述液晶面板的所述第二基板由插槽基板构成，所述插槽基板具有第二电介质基板、支撑于所述第二电介质基板上的含有多个槽的插槽电极、以覆盖所述插槽电极的形态配置的由所述取向膜构成的第二取向膜，所述液晶面板的所述液晶层介于所述第一取向膜及所述第二取向膜相互对向的所述TFT基板与所述插槽基板之间，在未形成所述插槽电极的所述第二电介质基板的相反面，具有以介隔电介质层而对向的方式配置的反射导电板。
发明效果
根据本发明可提供耐热性优异的液晶面板及扫描天线。
附图说明
图1是示意性表示液晶装置所具有的液晶面板的构成的剖视图。
图2是示意性表示一实施方式的扫描天线的一部分的剖视图。
图3是示意性表示扫描天线所具有的TFT基板的平面图。
图4是示意性表示扫描天线所具有的插槽基板的平面图。
图5是示意性表示TFT基板的天线单元区域的剖视图。
图6是示意性表示TFT基板的天线单元区域的平面图。
图7是示意性表示插槽基板的天线单元区域的剖视图。
图8是示意性表示构成扫描天线的天线单元的TFT基板、液晶层及插槽基板的剖视图。
图9是示意性表示未施加电压状态下的液晶透镜的构成的剖视图。
图10是示意性表示通过施加充分的电压来切换液晶化合物的状态下的液晶透镜的构成的剖视图。
具体实施方式
[液晶面板]
图1是示意性表示液晶装置所具有的液晶面板P的构成的剖视图。液晶面板P具有液晶层LC、一对第一基板100及第二基板200，该一对第一基板100及第二基板200夹着液晶层LC，在各自的液晶层LC侧的表面、或任一者的液晶层LC侧的表面包含利用液晶用取向剂而形成的取向膜M。另外，于图1中，在第一基板100的表面和第二基板200的表面分别形成有取向膜M、M。
第一基板100具有支撑第一电极(未图示)等的第一支撑基板110，且以覆盖第一电极等的形态形成取向膜M。而且，第二基板200具有支撑第二电极(未图示)等的第二支撑基板220，且以覆盖第二电极等的形态形成取向膜M。另外，在其他情况下，第一电极及第二电极可以形成在第一基板100或第二基板200的任一者上。
液晶面板P中所利用的液晶LC例如由极性高的液晶化合物(介电各向异性高的液晶化合物)构成。取向膜M由具有如下功能的高分子膜构成，亦即使构成液晶层的液晶化合物(液晶分子)取向于规定方向上的功能。在液晶面板P中，取向膜M成为始终与液晶层LC接触的状态。
此处，液晶面板P中所使用的液晶层(液晶化合物)LC及取向膜M为了即便在高温条件下(例如85～95℃)也不在液晶层中产生液晶分子的取向不良或结晶等，以后述的第一形态、第二形态及第三形态所示的组合使用。以下，依序关于液晶层(液晶化合物)与取向膜的组合的第一形态、第二形态及第三形态加以说明。
[第一形态]
(取向膜)
第一形态的取向膜可以是含有(a)具有羧基的含羧基聚合物(以下称为“含羧基聚合物”)的取向膜，也可以是含有(b)并不具有羧基的不含羧基的聚合物(以下称为“不含羧基的聚合物”)的取向膜。
<(a)含羧基聚合物>
含羧基聚合物是可用作取向膜的聚合物，如果是对后述的规定有机溶剂显示溶解性，且含有羧基作为官能基的聚合物，则并无特别限制。此种含羧基聚合物例如可列举聚酰胺酸。
聚酰胺酸是四羧酸二酐与二胺化合物进行酰胺键合而成的聚合物。聚酰胺酸并无特别限制，例如可列举下述化学式(1)所表示者。
[化1]
化学式(1)中的p为任意的自然数。而且，于化学式(1)中，在X具有光官能基的情况下，X具有下述化学式(2-1)～(2-4)所表示的结构，在Y具有光官能基的情况下，Y具有下述化学式(3-1)～(3-8)所表示的结构，在Z具有光官能基的情况下，Z具有下述化学式(4-1)～(4-5)所表示的结构。另外，在主链型聚酰胺酸的情况下，Z并不存在。
[化2]
[化3]
[化4]
在上述化学式(1)中，在X具有光官能基的情况下，如上所述那样，X具有包含偶氮苯基、二苯乙炔基、芪基、查耳酮基的任意基的结构。而且，在上述化学式(1)中，在Y具有光官能基的情况下，如上所述那样，Y具有包含偶氮苯基、二苯乙炔基、芪基、查耳酮基的任意基的结构。而且，在上述化学式(1)中，在Z(侧链)具有光官能基的情况下，如上所述那样，Z具有包含肉桂酸酯基的结构。
另外，上述化学式(1)所表示的聚合物的具体结构可根据使液晶化合物取向的方向(例如水平取向、垂直取向)等而适宜选择。
在上述化学式(1)中，在X具有光官能基以外的结构的情况下，X的结构并无特别限制，例如可列举下述化学式(5-1)～化学式(5-7)所表示的结构。
[化5]
而且，在上述化学式(1)中，在Y具有光官能基以外的结构的情况下，Y的结构并无特别限制，例如可列举下述化学式(6-1)～化学式(6-9)所表示的结构。
[化6]
而且，在上述化学式(1)中，在Z具有光官能基以外的结构的情况下，Z的结构只要不损及本发明的目的就没有特别限制。
另外，聚酰胺酸也可以并不具有光官能基。聚酰胺酸的聚合方法并无特别限制，可使用公知的方法。
而且，其他含羧基聚合物例如可列举具有羧基的含羧基的丙烯酸系聚合物(以下称为“含羧基的丙烯酸系聚合物”)。
含羧基的丙烯酸系聚合物是含有羧基作为官能基的丙烯酸系聚合物。
此种含羧基的丙烯酸系聚合物例如由丙烯酸系单体与含羧基单体的共聚物构成。
上述丙烯酸系单体例如可列举具有烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯(以下简称为“(甲基)丙烯酸烷基酯”)、具有光反应性官能基(光官能基)的(甲基)丙烯酸酯(以下简称为“光反应性(甲基)丙烯酸酯”)等。另外，在本申请说明书中，所谓“(甲基)丙烯酰基”是表示“丙烯酰基”及/或“甲基丙烯酰基”(“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”中的任一者或两者)。而且，在本说明书中，所谓“光官能基”是通过光照射而表现出对液晶化合物进行取向控制的特性的官能基。
上述(甲基)丙烯酸烷基酯例如可使用下述化学式(7)所表示的化合物。
[化7]
CH2＝C(R1)COOR2 (7)
上述化学式(7)中的R1是氢原子或甲基。而且，R2是碳数为1～18的直链状或支链状的烷基。另外，R2优选为碳数为1～10的直链状或支链状的烷基，更优选为碳数为1～8的直链状或支链状的烷基。
另外，作为(甲基)丙烯酸烷基酯的具体例，例如可列举(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)、(甲基)丙烯酸异硬脂酯等。这些化合物可单独使用或组合使用两种以上。
而且，光反应性(甲基)丙烯酸酯例如可使用下述化学式(8)所表示的化合物。
[化8]
上述化学式(8)中的R3是氢原子或甲基。而且，R4是间隔部，是单键或2价有机基。另外，R4也可以并不必须。R5是修饰基，是一价有机基或氢原子。光反应性(甲基)丙烯酸酯在接收到紫外线等规定的光时会产生反应，结构发生变化。
在含羧基的丙烯酸系聚合物含有源自上述化学式(8)等所示的光反应性(甲基)丙烯酸酯的结构单元的情况下，由此种丙烯酸系聚合物构成的取向膜可用作光取向膜。此种光取向膜表现出如下功能，亦即在自特定方向照射规定的光(例如线性偏振紫外线)(光取向处理)时，使液晶层中的液晶化合物取向于特定方向上的功能。
含羧基单体是具有可与上述丙烯酸系单体共聚的不饱和双键，且具有羧基作为官能基的单体。含羧基单体例如可列举(甲基)丙烯酸、富马酸、马来酸、衣康酸、巴豆酸、肉桂酸等不饱和羧酸，富马酸酐、马来酸酐、衣康酸酐等不饱和二羧酸酐等。这些含羧基单体可单独使用或组合使用两种以上。
在用以聚合含羧基的丙烯酸系聚合物的单体组合物中，例如以在所有单体成分中为60～99质量％的比例含有丙烯酸系单体。而且，在所述单体组合物中，以在所有单体成分中为1～40质量％的比例含有含羧基单体。
含羧基的丙烯酸系聚合物的聚合方法可以是公知的方法，例如可适宜选择悬浮聚合、本体聚合、乳化聚合等。另外，在含羧基的丙烯酸系聚合物的聚合时，聚合引发剂、链转移剂、乳化剂、溶剂等各个与聚合方法相应的适宜成分可自公知或惯用的化合物中适宜选择而使用。含羧基的丙烯酸系聚合物的重量平均分子量只要不损及本发明的目的就没有特别限制。
含羧基的丙烯酸系聚合物除了源自上述丙烯酸系单体的结构单元、源自含羧基单体的结构单元以外，只要不损及本发明的目的，还可以含有源自其他单体的结构单元。
另外，只要不损及本发明的目的，还可以使用上述聚酰胺酸、含羧基的丙烯酸系聚合物以外的含羧基聚合物。
<(b)不含羧基的聚合物>
不含羧基的聚合物是可用作取向膜的聚合物，如果是对用以制备后述的取向剂的规定有机溶剂显示溶解性，且不含羧基作为官能基的聚合物，则并无特别限制。此种不含羧基的聚合物例如可列举聚酰亚胺。
聚酰亚胺是四羧酸二酐与二胺化合物进行酰亚胺键合而成的聚合物。聚酰亚胺并无特别限制，例如可列举使上述化学式(1)所表示的聚酰胺酸进行酰亚胺化而成者。另外，聚酰胺酸的酰亚胺化例如可通过如下方式而进行：在高温(例如200～250℃)下对聚酰胺酸进行加热处理。而且，例如还可以使用化学酰亚胺化法，该化学酰亚胺化法使用乙酸酐等作为脱水剂，使用吡啶等作为催化剂。聚酰亚胺的酰亚胺化率理想的是优选为100％，但在本说明书中，如果酰亚胺化率为90％以上，则作为实质上不含羧基的聚酰亚胺。
聚酰亚胺优选容易溶解于后述溶剂中的可溶性聚酰亚胺。而且，聚酰亚胺可具有可作为光取向膜而利用的光官能基，也可以不具有该基。
而且，其他不含羧基的聚合物例如可列举并不具有羧基的不含羧基的丙烯酸系聚合物(以下称为“不含羧基的丙烯酸系聚合物”)。
不含羧基的丙烯酸系聚合物例如由丙烯酸系单体的聚合物构成。丙烯酸系单体例如可列举如上所述的(甲基)丙烯酸烷基酯、光反应性(甲基)丙烯酸酯等。
在不含羧基的丙烯酸系聚合物包含源自光反应性(甲基)丙烯酸酯的结构单元的情况下，由此种不含羧基的丙烯酸系聚合物构成的取向膜可用作光取向膜。此种光取向膜表现出如下的功能，如果自特定的方向照射规定的光(例如线性偏振紫外线)(光取向处理)，则可使液晶层中的液晶化合物取向于特定的方向上。
在使用(甲基)丙烯酸系聚合物作为取向膜的情况下，自取向处理的容易性考虑，优选具有光官能基的(甲基)丙烯酸系聚合物。其原因在于：(甲基)丙烯酸系聚合物一般会使膜变柔软，因此如果进行摩擦处理，则容易产生膜被削减等缺陷。
在用以聚合不含羧基的丙烯酸系聚合物的单体组合物中，例如以在所有单体成分中为60～100质量％的比例含有丙烯酸系单体。
不含羧基的丙烯酸系聚合物的聚合方法可以与上述含羧基的丙烯酸系聚合物同样地为公知的方法，例如可适宜选择悬浮聚合、本体聚合、乳化聚合等。而且，在不含羧基的丙烯酸系聚合物的聚合时，聚合引发剂、链转移剂、乳化剂、溶剂等各个与聚合方法相应的适宜成分可自公知或惯用的化合物中适宜选择而使用。不含羧基的丙烯酸系聚合物的重量平均分子量只要不损及本发明的目的就没有特别限制。
不含羧基的丙烯酸系聚合物除了源自上述丙烯酸系单体的结构单元以外，只要不损及本发明的目的，还可以含有源自其他单体的结构单元。
另外，只要不损及本发明的目的，还可以使用上述聚酰亚胺、不含羧基的丙烯酸系聚合物以外的不含羧基的聚合物。
将取向膜中所利用的聚合物(含羧基聚合物、不含羧基的聚合物)溶解于规定的有机溶剂中，制备为具有流动性的液状或溶胶状的组合物(取向剂)。所述有机溶剂如果可以溶解取向膜中所利用的聚合物，且可在成膜后通过加热处理等而充分除去，则并无特别限制。此种有机溶剂例如可列举γ-丁内酯(GBL)、二乙二醇二乙醚(DED E)、二乙二醇乙基甲基醚(DEDM)、二异丁基酮(DIBK)、丁基溶纤(BC)、1-丁氧基-2-丙醇(BP)、环戊酮(CP)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、1-乙基-2-吡咯烷酮(NEP)等。这些有机溶剂可单独使用或组合使用两种以上。
作为使用上述取向剂形成取向膜的方法，并无特别限制，可应用公知的取向膜形成方法。例如利用公知的涂布方法(例如旋涂机、喷墨方式等)将取向剂涂布于作为涂布对象物的第一基板100等的表面上。涂布后的涂膜可为了除去溶剂或使聚合物固化等而适宜加热。
如果对由取向剂构成的涂膜实施取向处理，则表现出使液晶化合物取向于规定方向上的功能，所述涂膜成为取向膜。取向处理并无特别限制，可进行摩擦处理，在由具有光官能基的聚合物形成涂膜的情况下，也可以进行光取向处理，亦即自规定方向照射光(例如线性偏振紫外线)。
另外，取向膜的厚度优选为可充分获得取向性的300nm以下。
第一形态的取向膜适合于如后述所示那样进行极性高的液晶化合物的取向控制。
(液晶层)
第一形态的液晶层含有如下液晶化合物，其含有选自由氰基、杂环、-OCF2-、碳-碳三键及三氟甲基所构成的群的至少一种，于末端具有脂肪族烷基，且不含异硫氰酸酯基(NCS基)。此种液晶化合物可表现出较大的介电各向异性以进行后述的扫描天线等的运行。而且，并不引起像异硫氰酸酯基(NCS基)这样的反应。而且，液晶层通过含有这些液晶化合物，可并不引起结晶化、产生气泡、取向变化等问题地获得较大的介电各向异性。特别是通过含有两种以上(优选分别为5质量％以上)的此种液晶化合物，可并不损及介电常数地调节可靠性、阈值电压、弹性常数、向列温度区域。
所述杂环只要不损及本发明的目的就没有特别限制，例如优选下述化学式(9-1)～化学式(9-6)所表示的结构。
[化9]
而且，更优选所述液晶化合物含有选自由氰基、杂环、-OCF2-、碳-碳三键及三氟甲基所构成的群的至少两种。
而且，所述液晶化合物在末端所具有的脂肪族烷基例如由碳数为2～10的直链状烷基(例如乙基(C2H5)、丙基(C3H7)、丁基(C4H9)、戊基(C5H11))构成，也可以一部分被酯基、醚基、酮基、酰胺基、或烯基取代。还可以进一步将氢原子取代为氟原子。
而且，含有所述液晶化合物的液晶层的介电各向异性(Δε)优选为10以上，更优选为15以上。此种液晶层(液晶化合物)适合于例如后述的扫描天线或液晶透镜。
在第一形态中，所使用的具体的液晶化合物例如可列举下述化学式(10-1)～化学式(10-5)所表示的化合物。
[化10]
至少含有氰基的液晶化合物例如可列举上述化学式(10-1)、化学式(10-2)的液晶化合物。
至少含有杂环的液晶化合物例如可列举上述化学式(10-2)的液晶化合物。
至少含有-OCF2-的液晶化合物例如可列举上述化学式(10-3)、化学式(10-4)、化学式(10-5)的液晶化合物。
至少含有碳-碳三键的液晶化合物例如可列举上述化学式(10-2)、化学式(10-4)、化学式(10-5)的液晶化合物。
至少含有三氟甲基的液晶化合物例如可列举上述化学式(10-5)的液晶化合物。
在一分子中含有两个以上-OCF2-的液晶化合物例如可列举上述化学式(10-3)的液晶化合物。
在一分子中含有氰基和碳-碳三键的液晶化合物例如可列举上述化学式(10-2)的液晶化合物。
在一分子中含有氰基和杂环的液晶化合物例如可列举上述化学式(10-2)的液晶化合物。
在一分子中含有杂环和碳-碳三键的液晶化合物例如可列举上述化学式(10-2)的液晶化合物。
在一分子中含有三氟甲基和碳-碳三键的液晶化合物例如可列举上述化学式(10-4)的液晶化合物。
在一分子中含有碳-碳三键和-OCF2-的液晶化合物例如可列举上述化学式(10-4)、化学式(10-5)的液晶化合物。
在一分子中含有三氟甲基和-OCF2-的液晶化合物例如可列举上述化学式(10-4)的液晶化合物。
在第一形态中，所述液晶化合物可单独使用或组合使用两种以上。
[第二形态]
(取向膜)
第二形态的取向膜含有并不具有羧基的不含羧基的聚合物。第二形态的不含羧基的聚合物可使用上述第一形态的不含羧基的聚合物(例如聚酰亚胺、不含羧基的丙烯酸系聚合物)。因此，省略第二形态的不含羧基的聚合物的详细说明。
另外，第二形态的取向膜也和上述第一形态的取向膜同样地将不含羧基的聚合物制备为溶解于规定有机溶剂中而成的取向剂。而且，取向膜的形成方法等也和第一形态相同，因此也省略它们的详细说明。
(液晶层)
第二形态的液晶层含有于末端具有脂肪族烷基，且含有异硫氰酸酯基(NCS基)的液晶化合物。在液晶层含有具有异硫氰酸酯基(NCS基)的液晶化合物时，如果在取向膜中存在羧基，则自该羧基游离出质子，从而使异硫氰酸酯基(NCS基)的反应性变高。因此，在第二形态中，取向膜如上所述地含有不含羧基的聚合物。亦即，在第二形态中，通过对取向膜中的羧基进行酯化、酸酐化、酰亚胺化等而抑制质子的游离。
另外，为了抑制由于热所造成的基板翘曲，与利用取向剂形成涂膜，对该涂膜进行加热而酰亚胺化等方法相比而言，优选预先化学性地进行酯化、酸酐化、酰亚胺化等。
在第二形态中，优选所述液晶化合物进一步含有选自由氰基、杂环、-OCF2-、碳-碳三键及三氟甲基所构成的群的至少一种。
而且，在第二形态中，优选含有所述液晶化合物的液晶层的介电各向异性(Δε)为10以上。此种液晶层(液晶化合物)适合于例如后述的扫描天线或液晶透镜。
第二形态中所使用的具体的液晶化合物例如可列举下述化学式(11-1)所表示的化合物。
[化11]
另外，第二形态中所使用的具体的液晶化合物例如可列举下述化学式(12-1)～化学式(12-4)所表示的液晶化合物。
[化12]
于上述化学式(12-1)～化学式(12-4)中，R6、R7、R8及R9均为碳数为2～5的直链状烷基(例如乙基(C2H5)、丙基(C3H7)、丁基(C4H9)、戊基(C5H11))。而且，于上述化学式(12-1)～化学式(12-4)中，X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9、X10、X11、X12、X13、X14及X15相互独立，它们是H(氢原子)、F(氟原子)、CH3(甲基)及Cl(氯基)的任一种。
在第二形态中，所述液晶化合物可单独使用或组合使用两种以上。
[第三形态]
(取向膜)
第三形态的取向膜包含聚酰亚胺与其他聚合物混合而成的混合树脂。第三形态的聚酰亚胺可使用上述第一形态的聚酰亚胺。而且，第三形态的其他聚合物例如可列举聚酰胺酸。聚酰胺酸可使用上述第一形态的聚酰胺酸。
将聚酰亚胺与聚酰胺酸混合的方法例如可列举在第一形态中所例示的有机溶剂中溶解聚酰亚胺及聚酰胺酸的方法。另外，聚酰亚胺及聚酰胺酸的混合溶液可作为用以形成取向膜的取向剂而利用。
聚酰亚胺与其他聚合物(例如聚酰胺酸)的混合比率只要不损及本发明的目的就没有特别限制。另外，聚酰亚胺在取向膜中所占的比例优选为10质量％以上。在混合树脂中，由于聚酰亚胺与其他聚合物的表面能的差或分子量的差而产生相分离，优选在成膜后的取向膜表面，聚酰亚胺占较大的比例(例如50％以上)。
而且，发现在使用聚酰胺酸作为其他聚合物的情况下，由于在取向膜表面存在少量的聚酰胺酸，因此变得可有效率地捕获(trap)水分或杂质，具有抑制液晶化合物反应的效果。而且，聚酰亚胺在溶剂中的溶解性低，因此可通过与聚酰胺酸共混来改善溶解性，由于相分离而造成在与液晶相接的取向膜表面中，聚酰亚胺占较大的比例，因此可有效地实现本发明。
第三形态的取向膜的形成方法等除了利用由聚酰亚胺和聚酰胺酸的混合溶液构成的取向剂以外，其他与第一形态相同。
(液晶层)
第三形态的液晶层可以与第二形态同样地含有在末端具有脂肪族烷基，且含有异硫氰酸酯基(NCS基)的液晶化合物，也可以与第一形态同样地含有如下液晶化合物，该液晶化合物含有选自由氰基、杂环、-OCF2-、碳-碳三键及三氟甲基所构成的群的至少一种，于末端具有脂肪族烷基，且不含异硫氰酸酯基(NCS基)。
亦即，第三形态的液晶层可以是第一形态中所例示的液晶层，也可以是第二形态中所例示的液晶层。因此，省略第三形态的液晶层的详细说明。另外，第三形态的液晶层也优选介电各向异性(Δε)为10以上。此种液晶层(液晶化合物)适合于例如后述的扫描天线或液晶透镜。
作为具有液晶面板P(其应用如上所述的第一形态～第三形态的液晶层及取向膜的组合)的液晶装置，例如可列举利用液晶的扫描天线、利用液晶作为光学元件的液晶透镜等。其次，作为应用液晶用取向剂的液晶装置的具体例，对扫描天线加以说明。
[扫描天线的基本结构]
扫描天线具有可变更波束方向的波束扫描功能，其具有如下结构，亦即具有利用液晶材料的较大的介电常数m(εm)的各向异性(双折射率)的多个天线单元。扫描天线控制对各天线单元的液晶层所施加的电压，使各天线单元的液晶层的有效介电常数m(εm)变化，由此利用静电电容不同的多个天线单元形成二维图案。另外，液晶材料的介电常数具有频率分散，因此在本说明书中将微波的频带中的介电常数特别记载为“介电常数m(εm)”。
对从扫描天线射出的或被扫描天线接收的电磁波(例如微波)赋予与各天线单元的静电电容相应的相位差，与由静电电容不同的多个天线单元形成的二维图案相应地在特定方向上具有较强的方向性(波束扫描)。例如，从扫描天线射出的电磁波可通过如下方式而获得：考虑由各天线单元提供的相位差，对输入电波射入到各天线单元，被各天线单元散射而获得的球面波进行积分。
此处，参考图2等，对一实施方式的扫描天线的基本结构加以说明。图2是示意性表示一实施方式的扫描天线1000的一部分的剖视图。本实施方式的扫描天线1000是槽57排列为同心圆状的径向线槽天线。在图2中示意性地表示从设在排列为同心圆状的槽的中心附近的供电针脚72起，沿着半径方向的截面的一部分。另外，在其他实施方式中，槽的排列也可以是公知的各种排列(例如螺旋状、矩阵状)。
扫描天线1000主要具有：TFT基板101(第一基板100的一例)、插槽基板201(第二基板200的一例)、配置在它们之间的液晶层LC1(液晶层LC的一例)、及反射导电板65。扫描天线1000成为自TF T基板101侧收发微波的构成。TFT基板101及插槽基板201以夹着液晶层LC1而相互对向的形态进行配置。
TFT基板101具有玻璃基板等电介质基板(第一电介质基板、第一支撑基板的一例)1、形成在电介质基板1的液晶层LC1侧的多个贴片电极15及多个TFT(thin filmtransistor，薄膜晶体管)10、形成在液晶层LC1侧最表面的取向膜M1(取向膜M的一例、第一取向膜)。在各TFT 10上连接着图2中并未图示的栅极总线及源极总线。
插槽基板201具有玻璃基板等电介质基板(第二电介质基板、第二支撑基板的一例)51、形成在电介质基板51的液晶层LC1侧的插槽电极55、形成在液晶层LC1侧的最表面的取向膜M2(取向膜M的一例、第二取向膜)。插槽电极55具有多个槽57。
作为TFT基板101及插槽基板201中所使用的电介质基板1、51，优选对微波的介电损耗小，除了玻璃基板以外还可以利用塑料基板。电介质基板1、51的厚度并无特别限制，例如优选为400μm以下，更优选为300μm以下。另外，电介质基板1、51的厚度的下限并无特别限制，如果具有可承受制造工艺等的强度即可。
反射导电板65以介隔空气层54而与插槽基板201对向的形态进行配置。另外，在其他实施方式中，还可以使用由对于微波的介电常数m小的电介质(例如PTFE等氟树脂)形成的层来代替空气层54。在本实施方式的扫描天线1000中，插槽电极55、反射导电板65、及它们之间的电介质基板51和空气层54发挥作为波导301的功能。
贴片电极15、含有槽57的插槽电极55的部分(以下有时称为“插槽电极单元57U”)、及它们之间的液晶层LC1构成天线单元U。在各个天线单元U中，一个岛状贴片电极15介隔液晶层LC1而与一个孔状的槽57(插槽电极单元57U)对向，分别构成液晶电容。在本实施方式的扫描天线1000中，多个天线单元U排列为同心圆状。另外，天线单元U具有与液晶电容并列电连接的辅助电容。
插槽电极55在各插槽电极单元57U中构成天线单元U，且还发挥作为波导301的壁的功能。因此，插槽电极55需要具有抑制微波透过的功能，由相对较厚的金属层构成。此种金属层例如可列举Cu层、Al层等。例如为了将10GHz的微波减低至1/150，将Cu层的厚度设定为3.3μm以上，将Al层的厚度设定为4.0μm以上。而且，为了将30GHz的微波减低至1/150，将Cu层的厚度设定为1.9μm以上，将Al层的厚度设定为2.3μm以上。关于构成插槽电极55的金属层的厚度的上限，并无特别限制，但如果考虑如后所述地形成取向膜M2，则可以说越薄越优选。另外，至于金属层，如果使用Cu层，则具有可以比Al层薄的优点。作为插槽电极55的形成方法，可使用在现有的液晶显示装置的技术中所利用的薄膜沉积法，或将金属箔(例如Cu箔、Al箔)贴附于基板上的其他方法等。金属层的厚度例如设定为2μm以上30μm以下。而且，在使用薄膜沉积法形成金属层的情况下，金属层的厚度例如设定为5μm以下。反射导电板65例如可使用厚度为数mm的铝板、铜板等。
贴片电极15并不像插槽电极55那样构成波导301，因此由厚度比插槽电极55小的金属层构成。另外，为了避免插槽电极55的槽57附近的自由电子振动诱发贴片电极15内的自由电子振动时变为热的损耗，优选电阻较低。自量产性等观点考虑，与Cu层相比而言，优选使用Al层，Al层的厚度例如优选为0.5μm以上2μm以下。
如果将微波的波长设为λ，则天线单元U的排列间距例如设定为λ/4以下、及/或λ/5以下。波长λ例如为25mm，在此情况下的排列间距例如设定为6.25mm以下、及/或5mm以下。
扫描天线1000通过使天线单元U所具有的液晶电容的静电电容值变化而使自各贴片电极15激发(再辐射)的微波的位相变化。因此，液晶层LC1优选对于微波的介电常数m(εm)的各向异性(Δεm)较大，且优选tanδm(对于微波的介电损耗角正切)较小。例如可适宜使用M.Wittek et al.,SID 2015DIGEST pp.824-826中所记载的Δεm为4以上、tanδM为0.02以下(均为19Gz的值)。另外，可使用九鬼、高分子第55卷8月号pp.599-602(2006)中记载的Δεm为0.4以上、tanδm为0.04以下的液晶材料。
液晶材料的介电常数虽然在一般情况下具有频率分散，但对于微波的介电各向异性Δεm与对于可见光的折射率各向异性Δn具有正相关。因此，可以说对于微波的天线单元用液晶材料优选对于可见光的折射率各向异性Δn较大的材料。此处，如果使用对于550nm的光的Δn(双折射率)作为指标，则在对于微波的天线单元用途中使用Δn为0.3以上、优选为0.4以上的向列型液晶。Δn的上限并无特别限制。液晶层LC1的厚度例如设定为1μm以上500μm以下。
图3是示意性表示扫描天线1000所具有的TFT基板101的平面图，图4是示意性表示扫描天线1000所具有的插槽基板201的平面图。另外，为了方便说明，将与天线单元U对应的TFT基板101的区域、及插槽基板201的区域总称为“天线单元区域”，将与天线单元相同的参考符号作为它们的参考符号。而且，如图3及图4所示，将在TFT基板101及插槽基板201中，由二维地排列的多个天线单元区域U划定的区域称为“收发区域R1”，将收发区域R1以外的区域称为“非收发区域R2”。在非收发区域R2配设着端子部、驱动电路等。
收发区域R1在俯视时成为圆环状。非收发区域R2包含位于收发区域R1的中心部的第一非收发区域R2a、及配置于收发区域R1的周缘的第二非收发区域R2b。收发区域R1的外径例如为200mm以上1,500mm以下，可根据通信量等而适宜设定。
在TFT基板101的收发区域R1设有由衍生物基板1支撑着的多个栅极总线GL及多个源极总线SL，利用这些配线控制各天线单元区域U的驱动。各个天线单元区域U包含TFT10和与TFT10电连接的贴片电极15。TFT10的源极电极与源极总线SL电连接，栅极电极与栅极总线GL电连接。而且，TFT10的漏极电极与贴片电极15电连接。
在非收发区域R2(第一非收发区域R2a、第二非收发区域R2b)配设有密封区域Rs，该密封区域Rs以包围收发区域R1的方式形成密封材料(未图示)。密封材料使TFT基板101和插槽基板201相互粘接，且具有将液晶材料(液晶层LC1)密封在这些基板101、201之间的功能等。
非收发区域R2中，在密封区域R2的外侧配设有栅极端子部GT、栅极驱动器GD、源极端子部ST及源极驱动器SD。各个栅极总线GL经由栅极端子部GT而与栅极驱动器GD连接，而且各个源极总线SL经由源极端子部ST而与源极驱动器SD连接。另外，在本实施方式中，源极驱动器SD及栅极驱动器GD此两者形成在TFT基板101的电介质基板1上，但这些驱动器的一者或两者也可以形成在插槽基板201的电介质基板51上。
而且，在非收发区域R2设有多个传输端子部PT。传输端子部PT与插槽基板201的插槽电极55电连接。在本实施方式中，在第一非收发区域R2a及第二非收发区域R2b的两者配设有传输端子部PT。在其他实施方式中，可以是仅在任一区域配设传输端子部PT的构成。而且，在本实施方式的情况下，传输端子部PT配设在密封区域Rs内。因此，密封材料使用含有导电性粒子(导电性颗粒)的导电性树脂。
如图4所示，在插槽基板201中，在电介质基板51上横跨收发区域R1及非收发区域R2地形成着插槽电极55。另外，在图4中表示了从液晶层LC1侧看到的插槽基板201的表面，为了便于说明，去掉了形成在最表面的取向膜M2。
在插槽基板201的收发区域R1中，在插槽电极55上配设有多个槽57。这些槽57在TFT基板101的每个天线单元区域U中分别分配了一个。在本实施方式的情况下，多个槽57为了构成径向线槽天线而将在相互大概正交的方向上延伸的一对槽57配置为同心圆状。由于具有此种一对槽57，所以扫描天线1000可收发圆偏振波。
在插槽基板201的非收发区域R2中设有多个插槽电极55的端子部IT。端子部IT与TFT基板101的传输端子部PT电连接。在本实施方式的情况下，端子部IT配设于密封区域Rs内，如上所述地通过密封材料与对应的传输端子部PT电连接，所述密封材料由含有导电性粒子(导电性颗粒)的导电性树脂构成。
而且，在第一非收发区域R2a中，以配置在槽57所形成的同心圆的中心的形态设有供电针脚72。通过该供电针脚72对波导301供给微波，所述波导301由插槽电极55、反射导电板65及电介质基板51构成。另外，供电针脚72连接到供电装置70上。另外，供电方式可以是直接连接供电方式和电磁耦合方式的任意方式，可采用公知的供电结构。
以下关于TFT基板101、插槽基板201及波导301而加以详细说明。
(TFT基板101的结构)
图5是示意性表示TFT基板101的天线单元区域U的剖视图，
图6是示意性表示TFT基板101的天线单元区域U的平面图。在图5及图6中分别表示收发区域R1的一部分剖面构成。
TFT基板101的各个天线单元区域U分别具有：电介质基板(第一电介质基板)1、支撑于电介质基板1上的TFT 10、覆盖TFT 10的第一绝缘层11、形成于第一绝缘层11上的与TFT 10电连接的贴片电极15、覆盖贴片电极15的第二绝缘层17、覆盖第二绝缘层17的取向膜M1。
TFT 10具有：栅极电极3、岛状的半导体层5、配置于栅极电极3与半导体层5之间的栅极绝缘层4、源极电极7S及漏极电极7D。本实施方式的TFT 10是具有底栅结构的沟道蚀刻型。另外，在其他实施方式中，也可以是其他结构的TFT。
栅极电极3与栅极总线GL电连接，由栅极总线GL供给扫描信号。源极电极7S与源极总线SL电连接，由源极总线SL供给数据信。栅极电极3及栅极总线GL也可以由相同的导电膜(栅极用导电膜)形成。而且，源极电极7S、漏极电极7D及源极总线SL也可以由相同的导电膜(源极用导电膜)形成。栅极用导电膜及源极用导电膜例如由金属膜构成。另外，有时将使用栅极用导电膜而形成的层称为“栅极金属层”，将使用源极用导电膜而形成的层称为“源极金属层”。
半导体层5配置为介隔栅极绝缘层4而与栅极电极3重叠。如图5所示，在半导体层5上形成有源极接触层6S及漏极接触层6D。源极接触层6S及漏极接触层6D配置为分别在半导体层5中的形成沟道的区域(沟道区域)的两侧对峙的形态。在本实施方式的情况下，半导体层5由本征非晶硅(i-a-Si)层构成，源极接触层6S及漏极接触层6D由n+型非晶硅(n+-a-Si)层构成。另外，在其他实施方式中，半导体层5也可以由多晶硅层、氧化物半导体层等构成。
源极电极7S设置为与源极接触层6S相接，经由源极接触层6S而与半导体层5连接。漏极电极7D设置为与漏极接触层6D相接，经由漏极接触层6D而与半导体层5连接。
第一绝缘层11具有到达TFT 10的漏极电极7D的接触孔CH1。
贴片电极15设在第一绝缘层11上和接触孔CH1内，在接触孔CH1内与漏极电极7D相接。贴片电极15主要由金属层构成。另外，贴片电极15也可以是仅由金属层形成的金属电极。贴片电极15的材料可以与源极电极7S及漏极电极7D相同。贴片电极15中的金属层的厚度(在贴片电极15为金属电极的情况下，贴片电极15的厚度)可以与源极电极7S及漏极电极7D的厚度相同，但优选比它们的厚度大。如果贴片电极15的厚度大，则可将电磁波的透过率抑制得较低，贴片电极的薄层电阻减低，贴片电极内的自由电子振动变为热的损耗减低。
而且，还可以使用与栅极总线GL相同的导电膜来设置CS总线CL。CS总线CL配置为介隔栅极绝缘层4而与漏极电极7D(或漏极电极7D的延长部分)重叠，也可以构成以栅极绝缘层4为电介质层的辅助电容CS。
在本实施方式中，在与源极金属层不同的层内形成贴片电极15。因此成为可相互独立地控制源极金属层的厚度与贴片电极15的厚度的构成。
贴片电极15可以包含Cu层或Al层作为主层。扫描天线的性能与贴片电极15的电阻有关系，主层的厚度可设定为获得所期望的电阻。贴片电极15优选为并不阻碍电子振动的程度的低电阻。在贴片电极15中的金属层由Al层形成的情况下，其厚度例如设定为0.5μm以上。
取向膜M1可使用上述液晶用取向剂而形成。
TFT基板101例如可通过以下所示的方法而制造。首先，准备电介质基板1。衍生物基板1例如可使用玻璃基板、具有耐热性的塑料基板等。在此种电介质基板1上形成包含栅极电极3及栅极总线GL的栅极金属层。
栅极电极3可与栅极总线GL形成为一体。此处，通过溅射法等在电介质基板1上形成栅极用导电膜(厚度：例如50nm以上500nm以下)。其次，通过对栅极用导电膜进行图案化而形成栅极电极3及栅极总线GL。栅极用导电膜的材料并无特别限定，例如可适宜使用含有铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属或其合金、或者其金属氮化物的膜。此处，形成顺次层压MoN(厚度：例如50nm)、Al(厚度：例如200nm)及MoN(厚度：例如50nm)而成的层压膜作为栅极用导电膜。
其次，以覆盖栅极金属层的方式形成栅极绝缘层4。栅极绝缘层4可通过CVD法等而形成。栅极绝缘层4可适宜使用氧化硅(SiO2)层、氮化硅(SiNx)层、氧氮化硅(SiOxNy；x>y)层、氮氧化硅(SiNxOy；x>y)层等。栅极绝缘层4可以具有层压结构。此处，形成SiNx层(厚度：例如410nm)作为栅极绝缘层4。
其次，在栅极绝缘层4上形成半导体层5及接触层。此处，通过顺次形成本征非晶硅膜(厚度：例如125nm)及n+型非晶硅膜(厚度：例如65nm)并进行图案化而获得岛状的半导体层5及接触层。另外，半导体层5中所使用的半导体膜并不限定于非晶硅膜。例如，可以形成氧化物半导体层作为半导体层5。在这种情况下，在半导体层5和源极/漏极电极之间也可以不设置接触层。
其次，在栅极绝缘层4上及接触层上形成源极用导电膜(厚度：例如50nm以上500nm以下)，对其进行图案化，由此形成包含源极电极7S、漏极电极7D及源极总线SL的源极金属层。此时，接触层也被蚀刻，形成相互分离的源极接触层6S和漏极接触层6D。
源极用导电膜的材料并无特别限定，例如可适宜使用含有铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)等金属或其合金、或其金属氮化物的膜。此处，形成顺次层压MoN(厚度：例如30nm)、Al(厚度：例如200nm)及MoN(厚度：例如50nm)而成的层压膜作为源极用导电膜。
此处，例如利用溅射法形成源极用导电膜，利用湿法刻蚀进行源极用导电膜的图案化(源极/漏极分离)。其后，例如利用干法刻蚀将接触层中的位于成为半导体层5的沟道区域的区域上的部分除去而形成间隙部，分离为源极接触层6S及漏极接触层6D。此时，在间隙部中，半导体层5的表面附近也被蚀刻(过度蚀刻)。
其次，以覆盖TFT 10的方式形成第一绝缘层11。在该例中，第一绝缘层11配置为与半导体层5的沟道区域相接。而且，利用公知的光刻技术，在第一绝缘层11上形成到达漏极电极7D的接触孔CH1。
第一绝缘层11例如可以是氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、氮氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等无机绝缘层。此处，利用例如CVD法形成厚度例如为330nm的SiNx层而作为第一绝缘层11。
其次，在第一绝缘层11上及接触孔CH1内形成贴片用导电膜，对其进行图案化。由此在收发区域R1形成贴片电极15。另外，在非收发区域R2形成由与贴片电极15相同的导电膜(贴片用导电膜)所构成的贴片连接部。贴片电极15在接触孔CH1内与漏极电极7D相接。
贴片用导电膜的材料可使用与栅极用导电膜或源极用导电膜同样的材料。然而，优选将贴片用导电膜设定为比栅极用导电膜及源极用导电膜厚。贴片用导电膜的适宜的厚度例如为1μm以上30μm以下。如果比其薄，则电磁波的透过率成为30％左右，薄层电阻成为0.03Ω/sq以上，可能会产生损耗变大的问题；如果比其厚，则可能会产生槽57的图案化性恶化的问题。
此处，形成顺次层压MoN(厚度：例如50nm)、Al(厚度：例如1000nm)及MoN(厚度：例如50nm)而成的层压膜(MoN/Al/MoN)作为贴片用导电膜。
其次，在贴片电极15及第一绝缘层11上形成第二绝缘层(厚度：例如100nm以上300nm以下)17。第二绝缘层17并无特别限定，例如可适宜使用氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、氮氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等。此处，形成例如厚度为200nm的SiNx层作为第二绝缘层17。
其后，通过例如使用氟系气体的干法刻蚀而一次性地蚀刻无机绝缘膜(第二绝缘层17、第一绝缘层11及栅极绝缘层4)。在蚀刻中，贴片电极15、源极总线SL及栅极总线GL发挥作为蚀刻阻挡层的功能。由此在第二绝缘层17、第一绝缘层11及栅极绝缘层4上形成达到栅极总线GL的第二接触孔，在第二绝缘层17及第一绝缘层11上形成到达源极总线SL的第三接触孔。而且，在第二绝缘层17上形成到达上述贴片连接部的第四接触孔。
其次，利用例如溅射法在第二绝缘层17上、第二接触孔、第三接触孔、第四接触孔内形成导电膜(厚度：50nm以上200nm以下)。导电膜可使用例如ITO(氧化物铟锡)膜、IZO膜、ZnO膜(氧化锌膜)等透明导电膜。此处，导电膜使用厚度为例如100nm的ITO膜。
其次，通过对上述透明导电膜进行图案化，形成栅极端子用上部连接部、源极端子用上部连接部及传输端子用上部连接部。栅极端子用上部连接部、源极端子用上部连接部及传输端子用上部连接部用以保护在各端子部露出的电极或配线。如上所述地进行而获得栅极端子部GT、源极端子部ST及传输端子部PT。
其次，使用上述液晶用取向剂以覆盖第二绝缘膜17等的形态形成涂膜，对涂膜进行加热而将溶媒除去后，对所述涂膜实施规定的取向处理(例如光取向处理)，由此形成取向膜M1。可如上所述地进行而制造TFT基板101。
(插槽基板201的结构)
其次，更具体地说明插槽基板201的结构。图7是示意性地表示插槽基板201的天线单元区域U的剖视图。
插槽基板201主要具有：电介质基板(第二电介质基板、第二基板200的一例)51、形成在电介质基板51的其中一个板面(朝向液晶层侧的板面、朝向TFT基板101侧的板面)51a上的插槽电极55、覆盖插槽电极55的第三绝缘层58、覆盖第三绝缘层58的取向膜M2。
在插槽基板201的收发区域R1中，在插槽电极55上形成有多个槽57(参考图4)。槽57是贯穿插槽电极55的开口(沟部)。在该例中，对各天线单元区域U分配一个槽57。
插槽电极55包含Cu层、Al层等主层55M。插槽电极55还可以具有层压结构，该层压结构包含主层55M、和夹着其而配置的上层55U及下层55L。主层55M的厚度可根据材料考虑趋肤效应而设定，例如可以是2μm以上30μm以下。主层55M的厚度典型的是设置得比上层55U及下层55L的厚度大。
在该例中，主层55M由Cu层构成，上层55U及下层55L由Ti层构成。通过在主层55M和电介质基板51之间配置下层55L，可使插槽电极55与电介质基板51的密接性提高。而且，通过设置上层55U，可抑制主层55M(例如Cu层)的腐蚀。
第三绝缘层58形成在插槽电极55上及槽57内。第三绝缘层52的材料并无特别限定，例如可适宜使用氧化硅(SiO2)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiOxNy；x>y)膜、氮氧化硅(SiNxOy；x>y)膜等。
取向膜M2与TFT基板101的取向膜M1同样地利用上述液晶取向剂而形成。
另外，在插槽基板201的非收发区域R2设有端子部IT(参考图4)。端子部IT具有插槽电极55的一部分、覆盖插槽电极55的一部分的第三绝缘层58、及上部连接部。第三绝缘层58具有到达插槽电极55的一部分的开口(接触孔)。上部连接部在所述开口内与插槽电极55的一部分相接。在本实施方式中，端子部IT由ITO膜、IZO膜等导电层构成，配置于密封区域Rs内，通过含有导电性粒子(例如Au颗粒等导电性颗粒)的密封树脂与TFT基板101中的传输端子部PT连接。
插槽基板201例如通过以下所示的方法制造。首先，准备电介质基板51。电介质基板51可使用玻璃基板、树脂基板等对于电磁波的透过率高(介电常数及介电损耗小)的基板。为了抑制电磁波衰减，优选电介质基板51的厚度较薄。例如在通过后述的工艺在玻璃基板的表面形成插槽电极55等构成组件后，也可以从背面侧对玻璃基板进行薄板化。由此可将玻璃基板的厚度设定为例如500μm以下。另外，一般情况下树脂的介电常数及介电损耗比玻璃小。在电介质基板51由树脂基板构成的情况下，其厚度例如为3μm以上300μm以下。树脂基材的材料使用聚酰亚胺等。
在电介质基板51上形成金属膜，对其进行图案化，由此获得具有多个槽57的插槽电极55。金属膜可使用厚度为2μm以上5μm以下的Cu膜(或Al膜)。此处，使用顺次层压Ti膜、Cu膜及Ti膜而成的层压膜。
其次，在插槽电极55上及槽57内形成第三绝缘层(厚度：例如100nm以上200nm以下)58。此处的第三绝缘层52由氧化硅(SiO2)膜构成。
其后，在非收发区域R2中，在第三绝缘层58上形成到达插槽电极55的一部分的开口(接触孔)。
其次，在第三绝缘层58上及第三绝缘层58的上述开口内形成透明导电膜，对其进行图案化，由此形成在开口内与插槽电极55的一部分相接的上部连接部，获得用以与TFT基板101的传输端子部PT连接的端子部IT。
其后，使用上述液晶用取向剂以覆盖第三绝缘层58的方式形成涂膜，对涂膜进行加热而将溶媒除去后，对所述涂膜实施规定的取向处理(例如光取向处理)，由此而形成取向膜M2。可如上所述地进行而制造插槽基板201。
(波导301的构成)
波导301构成为如下形态：反射导电板65介隔电介质基板51而与插槽电极55对向。反射导电板65配设为介隔空气层54而与电介质基板51的背面对向。反射导电板65构成波导301的壁，因此优选具有表皮深度的3倍以上、优选5倍以上的厚度。反射导电板65可使用例如通过剃削而制作的厚度为数mm的铝板、铜板等。
例如在扫描天线1000发送信号时，波导301以扩散为放射状的方式向外侧引导由供电针脚72供给的微波，该供电针脚72配置在排列为同心圆状的多个天线单元U的中心。在微波沿波导301移动时被各天线单元U的各槽57切断，因此由于所谓的槽天线的原理而产生电场，由于该电场的作用而在插槽电极55中感应出电荷(亦即，微波被转换为插槽电极55内的自由电子的振动)。在各天线单元U中，通过液晶的取向控制来使液晶电容的静电电容值变化，由此控制在贴片电极15中感应出的自由电子的振动的相位。如果在贴片电极15中感应出电荷，则产生电场(亦即，插槽电极55内的自由电子的振动向贴片电极15内的自由电子的振动移动)，微波(电波)从各天线单元U的贴片电极15朝向TFT基板101的外侧振荡。自各天线单元U振荡的相位不同的微波(电波)相叠加，由此控制波束的方位角。
另外，在其他实施方式中，可以将波导设为分为上层与下层的两层结构。在这种情况下，由供电针脚供给的微波首先在下层内从中心朝向外侧以扩散为放射状的方式移动，其后在下层的外壁部分上升到上层，在上层以从外侧向中心聚集的方式进行移动。通过设为此种两层结构，变得容易使微波均匀地分布到各天线单元U。
图8是示意性表示构成扫描天线1000的天线单元U的TFT基板101、液晶层LC1及插槽基板201的剖视图。如图8所示，在天线单元U中，TFT基板101的岛状的贴片电极15和插槽基板201的插槽电极55所具有的孔状(沟状)槽57(插槽电极单元57U)以夹着液晶层LC1的形态对向。此种扫描天线1000具有液晶面板P1，该液晶面板P1具有液晶层LC1、一对TFT基板101及插槽基板201，所述一对TFT基板101夹着该液晶层LC1，在各自液晶层LC侧的表面包含利用上述液晶用取向剂而形成的取向膜M1、M2。另外，在本说明书中，天线单元U具有如下构成，亦即包含一个贴片电极15、及配置着与该贴片电极15对应的至少一个槽57的插槽电极55(插槽电极单元57U)。
(扫描天线的制造方法)
在制造扫描天线时进行如下工序，亦即经由密封材料将TFT基板101与插槽基板201相互贴合，且在TFT基板101与插槽基板201之间封入液晶层LC1。构成液晶层LC1的液晶材料(液晶化合物)可以通过液晶滴下注入法(ODF：One Drop Fill)封入到TFT基板101与插槽基板201之间，也可以通过真空注入法封入到TFT基板101与插槽基板201之间。如上所述地进行而获得包含液晶层LC1、TFT基板101及插槽基板201的扫描天线100的液晶面板P1。
在如上所述地制造液晶面板P1后，适宜地以介隔电介质层(空气层)54而与插槽基板201(第二电介质基板51)的相反面51b对向的方式将反射导电板65组装到所述面板侧。经过此种工序而制造本实施方式的扫描天线。
在如上所示构成的扫描天线中可使用本实施方式的液晶面板。
其次，作为应用液晶面板的液晶装置的具体例，对液晶透镜加以说明。
[液晶透镜的基本结构]
液晶透镜1000L是使用液晶而使高额特性可变的液晶光学元件，可通过所施加的电压来控制焦距。
图9是示意性表示未施加电压的状态的液晶透镜1000L的构成的剖视图，图10是示意性表示施加充分的电压来切换液晶化合物的状态的液晶透镜1000L的构成的剖视图。另外，为了便于说明，在图9及图10中，仅在A区域与B区域例示液晶化合物(液晶分子)lc2。
液晶透镜1000L具有液晶透镜1000L用液晶面板P2，该液晶透镜1000L用液晶面板P2具有：平坦基板101L(第一基板100的一例)、透镜形状基板201L(第二基板200的一例)、夹在它们之间的液晶层LC2(液晶层LC的一例)。
平坦基板101L具有：第一透明基板1L(第一支撑基板的一例)、形成在第一透明基板1L上的透明电极15L、以覆盖透明电极15L的形式所形成的取向膜M1L(取向膜的一例)。透明电极15L例如由氧化铟锡(ITO)等透明导电膜构成。取向膜M1L由上述本实施方式的液晶用取向剂形成。具体而言，使用液晶用取向剂以覆盖透明电极15L的形态形成涂膜，对该涂膜进行加热而除去溶媒后，对所述涂膜实施规定的取向处理(例如自规定角度对涂膜照射线性偏振紫外线的光取向处理)，由此而形成取向膜M1L。另外，在其他实施方式中，也可以通过摩擦处理进行取向处理。
透镜形状基板201L具有：第二透明基板51L(第二支撑基板的一例)、菲涅耳透镜结构31L、以覆盖菲涅耳透镜结构31L的形态而形成的透明电极55L、以覆盖透明电极55L的形态而形成的取向膜M2L(取向膜的一例)，所述菲涅耳透镜结构31L形成在第二透明基板51L上，其光学结构形状是分割为同心圆状的各透镜面经由阶差而连接的形状。菲涅耳透镜结构31L可利用使用模具(mold)的压印(转印)技术而形成于第二透明基板51L上。透明电极55L例如由氧化铟锡(ITO)等透明导电膜构成。取向膜M2L与取向膜M1L同样地由上述本实施方式的液晶用取向剂形成。具体而言，使用液晶用取向剂以覆盖菲涅耳透镜结构31L上的透明电极55L的形态形成涂膜，对该涂膜进行加热而将溶媒除去后，对所述涂膜实施规定的取向处理(例如自规定角度对涂膜照射线性偏振紫外线的光取向处理)，由此而形成取向膜M2L。另外，在其他实施方式中，也可以通过摩擦处理进行取向处理。
液晶层LC2介于平坦基板101L与透镜形状基板201L之间，被密封材料50L密封。密封材料50L夹在平坦基板101L与透镜形状基板201L之间，包围液晶层LC2。
另外，液晶透镜1000L的制造方法等的详细情况例如示于专利文献4(日本专利第5698328号公报)中。
如图9所示，在未施加电压的状态下，由于取向膜M1L、M2L的效果造成液晶化合物(液晶分子)lc2的预倾角基本上为0°。在形成于菲涅耳透镜结构31L上的取向膜M2L的表面，液晶化合物(液晶分子)lc2的长轴取向于沿着基板平面的方向(图9中的箭头D1方向)。如图9所示，如果将通过液晶透镜1000L的中心的线设为线L，则以线L为边界，相对于分割透镜面31La、31Lb而言，在未施加电压时，液晶化合物(液晶分子)lc2的预倾角基本上为0°地进行取向。另外，分割透镜面31La、31Lb分别相对于第二透明基板51L而具有朝右上、朝左上的倾斜，因此在分割透镜面31La的A区域、分割透镜面31Lb的B区域，液晶化合物(液晶分子)lc2也分别相对于第二透明基板51L而具有朝右上、朝左上的倾斜地初始取向。菲涅耳透镜结构31L的斜面的角度实质上可视为与预倾角相同的作用。
如图10所示，如果对液晶层LC2施加电压，则取向膜M1L表面的液晶化合物(液晶分子)lc2以朝右上倾斜地初始取向，分割透镜面31La侧的A区域的液晶化合物(液晶分子)lc2也以朝右上倾斜地初始取向，因此分割透镜面31La上的液晶化合物(液晶分子)lc2朝右上地立起。另外，取向膜M1L表面的以朝右上倾斜地初始取向的液晶化合物(液晶分子)lc2具有较强的取向限制力或较高的预倾角，因此在未施加电压时，朝左上倾斜地取向的分割透镜面31Lb的B区域的液晶化合物(液晶分子)lc2也基本上朝右上立起，在与分割透镜面31La上的液晶化合物(液晶分子)lc2相同的方向上立起。如上所示，施加电压时的液晶化合物(液晶分子)lc2的取向状态支配性地成为朝右上立起。
在此种液晶透镜1000L的液晶面板P2中，也与上述扫描天线1000的液晶面板P1同样地使用极性高的液晶化合物(液晶分子)。
在如上所示构成的液晶透镜1000L中，可使用本实施方式的液晶面板。
[实施例]
以下，基于实施例对本发明加以更详细的说明。另外，本发明并不受这些实施例任何限定。
[扫描天线用液晶面板的制作]
(实施例1)
分别准备基本构成与上述扫描天线1000的液晶面板P1所具有的TFT基板101的相同的TFT基板、和基本构成与同一液晶面板P1所具有的插槽基板201相同的插槽基板。TFT基板的取向膜及插槽基板的取向膜均利用后述的取向剂1而形成。
取向剂1由如下溶液构成，该溶液以成为1质量％的含有率方式在溶剂中溶解有包含源自肉桂酸的结构单元的丙烯酸系聚合物(含羧基的丙烯酸系聚合物)。另外，溶剂使用NMP与丁基溶纤以质量比为8：2的比例混合而成的混合溶剂。
在TFT基板及插槽基板上分别形成取向膜时，首先利用旋涂机将上述取向剂1涂布于各基板上，在各基板上分别形成由取向剂1构成的涂膜。其次，在70℃下对各涂膜进行5分钟的加热，接着进一步在150℃下进行10分钟加热，进行将涂膜中的溶剂的除去等操作。其后，对TFT基板及插槽基板的各涂膜实施摩擦处理(取向处理)，在TFT基板及插槽基板的各表面分别形成由取向剂1构成的取向膜。
在TFT基板的表面(取向膜侧)，使用框胶涂布机将热固型密封材料(商品名“HC-1413FP”、三井化学株式会社制造)描绘为框状，其后以夹着所述密封材料的方式将TFT基板与插槽基板相互贴合，在110℃下进行60分钟加热(焙烧)，由此制作未封入液晶材料的空面板。接着，通过真空注入法，利用设于热固型密封材料上的注入口将后述的液晶材料L1封入到该空面板内。
液晶材料L1由商品名“MLC3019”(默克株式会社)(液晶1)与上述化学式(10-1)所表示的液晶化合物(液晶2)的混合物构成。液晶材料L1中的液晶1与液晶2的混合比率(重量比率)是液晶1：液晶2＝95：5。液晶材料L1的介电各向异性(Δε)为11(1kHz、20℃)。
注入口利用密封材料(商品名“TB3026E”、三键(ThreeBond)株式会社制造)进行密封。
其后，将封入了液晶材料的面板在130℃下进行40分钟加热，由此进行液晶化合物的再取向处理，获得液晶化合物均匀地单轴取向的液晶面板。
(实施例2～5、比较例1)
使用后述的液晶材料L2～L6代替液晶材料L1，除此以外与实施例1同样地进行而获得实施例2～5、及比较例1的液晶面板。
液晶材料L2由商品名“MLC3019”(默克株式会社)(液晶1)与上述化学式(10-2)所表示的液晶化合物(液晶2)的混合物构成。液晶材料L2中的液晶1与液晶2的混合比率(重量比率)为液晶1：液晶2＝95：5。液晶材料L2的介电各向异性(Δε)为16(1kHz、20℃)。
液晶材料L3由商品名“MLC3019”(默克株式会社)(液晶1)与上述化学式(10-3)所表示的液晶化合物(液晶2)的混合物构成。液晶材料L3中的液晶1与液晶2的混合比率(重量比率)为液晶1：液晶2＝95：5。液晶材料L3的介电各向异性(Δε)为111(1kHz、20℃)。
液晶材料L4由商品名“MLC3019”(默克株式会社)(液晶1)与上述化学式(10-4)所表示的液晶化合物(液晶2)的混合物构成。液晶材料L4中的液晶1与液晶2的混合比率(重量比率)为液晶1：液晶2＝95：5。液晶材料L4的介电各向异性(Δε)为12(1kHz、20℃)。
液晶材料L5由商品名“MLC3019”(默克株式会社)(液晶1)与上述化学式(10-5)所表示的液晶化合物(液晶2)的混合物构成。液晶材料L5中的液晶1与液晶2的混合比率(重量比率)为液晶1：液晶2＝95：5。液晶材料L5的介电各向异性(Δε)为11(1kHz、20℃)。
液晶材料L6由商品名“MLC3019”(默克株式会社)(液晶1)与上述化学式(11-1)所表示的液晶化合物(液晶2)的混合物构成。液晶材料L6中的液晶1与液晶2的混合比率(重量比率)为液晶1：液晶2＝95：5。液晶材料L6的介电各向异性(Δε)为10(1kHz、20℃)。
(实施例6)
使用后述的取向剂2代替取向剂1，除此以外与实施例1同样地进行而获得实施例6的液晶面板。
取向剂2由如下溶液构成，该溶液以成为1质量％的含有率方式在溶剂中溶解有聚甲基丙烯酸酯(PMMA、不含羧基的丙烯酸系聚合物)。另外，溶剂使用NMP与丁基溶纤以质量比为8：2的比例混合而成的混合溶剂。
(实施例7～11)
使用上述液晶材料L2～L6代替液晶材料L1，除此以外与实施例6同样地进行而获得实施例7～11的液晶面板。
(实施例12)
使用后述的取向剂3代替取向剂1，除此以外与实施例1同样地进行而获得实施例12的液晶面板。
取向剂3由如下溶液构成，该溶液以成为1质量％的含有率方式在溶剂中溶解有聚酰胺酸。另外，溶剂使用NMP与丁基溶纤以质量比为8：2的比例混合而成的混合溶剂。
(实施例13～16、比较例2)
使用上述液晶材料L2～L6代替液晶材料L1，除此以外与实施例12同样地进行而获得实施例13～16、及比较例2的液晶面板。
(实施例17)
使用后述的取向剂4代替取向剂1，除此以外与实施例1同样地进行而获得实施例17的液晶面板。
取向剂4由如下溶液构成，该溶液以成为1质量％的含有率方式在溶剂中溶解有聚酰亚胺(可溶性聚酰亚胺)。另外，溶剂使用NMP与丁基溶纤以质量比为8：2的比例混合而成的混合溶剂。
(实施例18～22)
使用上述液晶材料L2～L6代替液晶材料L1，除此以外与实施例17同样地进行而获得实施例18～22的液晶面板。
[高温保存试验]
将实施例1～22及比较例1、2的各液晶面板在95℃的条件下保存1000小时。其后，在室温条件下，用一对偏振板夹着各液晶面板，目视确认各液晶面板的颜色(延迟)变化。另外，各液晶面板的颜色变化是与高温保存试验前，预先目视观察的用一对偏振板夹着液晶面板时的液晶面板的颜色进行比较。将结果表示于表1中。
而且，在1000小时的高温保存后，目视确认在各液晶面板中是否产生结晶。另外，在液晶面板中产生结晶的情况下，进一步利用偏光显微镜观察(再次确认)结晶。将结果表示于表1中。
如上所述，在目视观察各液晶面板后，将各液晶面板在95℃的条件下再次保存1000小时(亦即合计2000小时)。其后，在室温条件下，用一对偏振板夹着各液晶面板，目视确认各液晶面板的颜色(延迟)变化。
而且，在2000小时的高温保存后，与上述1000小时后的情况同样地通过目视等观察各液晶面板的颜色(延迟)变化、及在液晶层中是否产生气泡。将结果表示于表1中。
[表1]
如表1所示，实施例1～22的各液晶面板即便在高温下保存1000小时后，也没有发现延迟的变化及结晶化(产生结晶)，确认耐热性优异。
相对于此，在比较例1中，在高温下保持1000小时后，发现延迟的变化及结晶化(保存2000小时后也同样)。在比较例1的液晶层中含有具有异硫氰酸酯基(NCS基)的液晶化合物，而且在取向膜中，在源自肉桂酸的结构单元上含有羧基。推测液晶化合物(液晶分子)所具有的NCS基与液晶层中所含的极少量的水反应，容易变化为NH2基。此时，如果存在游离的质子，则促进NCS基与水的反应。在比较例1中，在取向膜中含有羧基，因此在取向膜与液晶层的界面容易产生NCS基与水的反应。
NCS基变化为NH2基的液晶化合物的NH2基与存在于取向膜表面的羧基进行氢键合或酰胺键合，与取向膜的聚合物一体化。另外，液晶化合物除了NCS基以外还具有脂肪族烷基。取向膜在通常情况下极性比脂肪族烷基高，因此将与取向膜一体化的液晶化合物的脂肪族烷基从取向膜中排斥出来，该脂肪族烷基成为露出取向膜的表面的形态。亦即，取向膜的表面成为被源自液晶化合物的脂肪族烷基覆盖的状态，由于这些原因而诱发取向膜的表面能降低。
此种表面能的降低引起使液晶层(液晶化合物)垂直取向化的作用，而且由此诱发液晶层的取向变化，从而观察到液晶层的延迟变化。
另外，在扫描天线所使用的基板(TFT基板等)中，为了进行电磁波的反射等，多使用厚度为1μm以上的金属材料，如果在高温下焙烧取向膜，则存在取向膜与支撑取向膜的基板一同翘曲的可能。因此，并不在高温(例如220℃以上)下对取向膜进行长时间(例如40分钟)的加热处理。亦即，由于取向膜中的羧基，难以产生环氧基等与交联基的交联反应、羧基彼此的酸酐化反应、羧基与酰胺键的反应(酰亚胺化反应)等。因此可以说如上所述的问题更容易进一步严重化。
而且，上述反应所产生的NH2基容易与NCS基反应，因此存在如下的可能性，亦即具有NCS基的液晶化合物最终会二聚化而失去液晶性。由此推测在液晶层中产生结晶化。
而且，与原来的具有NCS基时相比，具有NH2基的液晶化合物变化为液晶的温度范围或液晶化合物(液晶分子)自身的极性降低，其结果与原来的液晶材料的相容性变差，可能会成为结晶而析出。
在比较例2中，在高温下保存1000小时后，发现延迟的变化。另外，在比较例2中并未发现结晶化。而且，即便在高温下保存2000小时后，也成为与1000小时后相同的结果。
另外，在实施例11(聚甲基丙烯酸甲酯)、实施例22(聚酰亚胺)中，在高温下保存2000小时后，均发现结晶化(产生结晶)。推测其是由于水分自外部渗入液晶层中而产生的。另外，在实施例11(聚甲基丙烯酸甲酯)、实施例22(聚酰亚胺)中，并未发现延迟的变化。
(实施例23)
使用后述的取向剂5代替取向剂1，除此以外与实施例1同样地进行而获得实施例23的液晶面板。
取向剂5由如下溶液构成，该溶液以成为1质量％的含有率方式在溶剂中溶解有聚酰亚胺(30质量％)与聚酰胺酸(70质量％)混合而成的混合树脂(聚合物共混物)。溶剂使用NMP与丁基溶纤以质量比为8：2的比例混合而成的混合溶剂。
(实施例24～28)
使用上述液晶材料L2～L6代替液晶材料L1，除此以外与实施例23同样地进行而获得实施例24～28的液晶面板。
[高温保存试验]
关于实施例23～28的各液晶面板，与实施例1等同样地进行高温保存试验，在1000小时后及2000小时后确认延迟的变化及有无产生结晶。将结果表示于表2中。
[表2]
如表2所示，实施例23～28的各液晶面板即便在高温下保存2000小时后，也没有发现延迟的变化及结晶化(产生结晶)，确认耐热性优异。另外，作为构成取向膜的聚合物，实施例23～28的聚酰亚胺与聚酰胺酸的混合树脂(聚合物共混物)的可靠性最好。推测其原因在于：由于表面能的差，聚酰亚胺容易存在于取向膜的最表面，另一方面，聚酰胺酸捕获杂质的效果比聚酰亚胺强，捕获来自基板的污染物，杂质难以溶出到液晶层中。
[液晶透镜用液晶面板的制作]
(实施例29)
分别准备基本构成与上述液晶透镜1000L的液晶面板P2所具有的平坦基板101L相同的平坦基板、基本构成与同一液晶面板P2所具有的透镜形状基板201L相同的透镜形状基板。平坦基板的取向膜及透镜形状基板的取向膜可利用与上述实施例23相同的取向剂5而形成。
在平坦基板及透镜形状基板上分别形成取向膜时，首先利用涂布机将上述取向剂5涂布于各基板上，在各基板上分别形成由取向剂5构成的涂膜。其次，在70℃下对各涂膜进行5分钟加热，接着进一步在150℃下进行30分钟加热，进行涂膜中的溶剂的除去等操作。其后，对平坦基板及透镜形状基板的各涂膜实施摩擦处理(取向处理)，在平坦基板及透镜形状基板的各表面分别形成由取向剂5构成的取向膜。
在平坦基板的表面(取向膜侧)，使用框胶涂布机将热固型密封材料(商品名“HC-1413FP”、三井化学株式会社制造)描绘为框状，其后以夹着所述密封材料的方式将平坦基板与透镜形状基板相互贴合，在130℃下进行40分钟加热，由此制作未封入液晶材料的空面板。接着，通过真空注入法，利用设于热固型密封材料上的注入口，与上述实施例23同样地封入液晶材料L1。
利用密封材料(商品名“TB3026E”、三键(ThreeBond)株式会社制造)密封注入口。
其后，将封入了液晶材料的面板在130℃下进行40分钟加热，由此进行液晶化合物的再取向处理，获得液晶化合物均匀地单轴取向的液晶面板。另外，在透镜形状基板中，液晶化合物沿着菲涅耳透镜结构的表面形状取向。
(实施例30～34)
使用上述液晶材料L2～L6代替液晶材料L1，除此以外与实施例29同样地进行而获得实施例30～34的液晶透镜用液晶面板。
[高温保存试验]
关于实施例30～34的各液晶面板，与实施例1等同样地进行高温保存试验，在1000小时后及2000小时后确认延迟的变化及有无产生结晶。将结果表示于表3中。
[表3]
如表3所示，关于实施例29～34的各液晶天线用液晶面板，也与上述实施例23～28的各扫描天线用液晶面板同样地在高温下保存2000小时后，未发现延迟的变化及结晶化(产生结晶)，确认耐热性优异。
附图标记说明
100…第一基板、110…第一支撑基板、M…取向膜、LC…液晶层、200…第二基板、220…第二支撑基板、P…液晶面板、1…电介质基板(第一电介质基板)、3…栅极电极、4…栅极绝缘层、5…半导体层、6D…漏极接触层、6S…源极接触层、7D…漏极电极、7S…源极电极、10…TFT、11…第一绝缘层、15…贴片电极、17…第二绝缘层、51…电介质基板(第二电介质基板)、55…插槽电极、55L…下层、55M…主层、55U…上层、57…槽、57U…插槽电极单元、58…第三电极、70…供电装置、72…供电针脚、80…密封材料、101…TFT基板、201…插槽基板、1000…扫描天线、U…天线单元(天线单元区域)、CH1…接触孔、LC1…液晶层、P…复合面板、GD…栅极驱动器、GL…栅极总线、GT…栅极端子部、SD…源极驱动器、SL…源极总线、ST…源极端子部、PT…传输端子部、R1…收发区域、R2…非收发区域、Rs…密封区域、1000L…液晶透镜、101L…平坦基板、1L…第一透明基板、15L…透明电极、M1L…取向膜、LC2…液晶层、201L…透镜形状基板、51L…第二透明基板、31L…菲涅耳透镜结构、55L…透明电极、M2L…取向膜、lc2…液晶分子(液晶化合物)。

Claims (15)

1.一种液晶面板，其是具有液晶层和一对第一基板及第二基板的液晶面板，所述一对第一基板及第二基板夹着所述液晶层，在各自的所述液晶层侧的表面、或任一者的所述液晶层侧的表面包含取向膜，其特征在于，
所述取向膜含有具有羧基的含羧基聚合物，
构成所述液晶层的液晶化合物含有选自由氰基、杂环、-OCF2-、碳-碳三键及三氟甲基所构成的群的至少一种，于末端具有脂肪族烷基，且不含异硫氰酸酯基，
排列着多个天线单元。
2.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于：
所述液晶化合物含有选自所述群的至少两种。
3.一种液晶面板，其是具有液晶层和一对第一基板及第二基板的液晶面板，所述一对第一基板及第二基板夹着所述液晶层，在各自的所述液晶层侧的表面、或任一者的所述液晶层侧的表面包含取向膜，其特征在于，
所述取向膜含有并不具有羧基的不含羧基的聚合物，
构成所述液晶层的液晶化合物于末端具有脂肪族烷基，且含有异硫氰酸酯基，
排列着多个天线单元。
4.根据权利要求3所述的液晶面板，其特征在于：
所述液晶化合物进一步含有选自由氰基、杂环、-OCF2-、碳-碳三键及三氟甲基所构成的群的至少一种。
5.根据权利要求4所述的液晶面板，其特征在于：
所述液晶化合物含有选自所述群的至少两种。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的液晶面板，其特征在于：
所述不含羧基的聚合物由聚酰亚胺、或并不具有羧基的不含羧基的丙烯酸系聚合物构成。
7.一种液晶面板，其是具有液晶层和一对第一基板及第二基板的液晶面板，所述一对第一基板及第二基板夹着所述液晶层，在各自的所述液晶层侧的表面、或任一者的所述液晶层侧的表面包含取向膜，其特征在于，
所述取向膜由聚酰亚胺和其他聚合物混合而成的混合树脂构成，
排列着多个天线单元。
8.根据权利要求7所述的液晶面板，其特征在于：
构成所述液晶层的液晶化合物于末端具有脂肪族烷基，且含有异硫氰酸酯基。
9.根据权利要求7或8所述的液晶面板，其特征在于：
构成所述液晶层的液晶化合物含有选自由氰基、杂环、-OCF2-、碳-碳三键及三氟甲基所构成的群的至少两种，于末端具有脂肪族烷基，且不含异硫氰酸酯基。
10.根据权利要求1、3或7所述的液晶面板，其特征在于：
构成所述液晶层的液晶化合物在一分子中含有两个以上-OCF2-。
11.根据权利要求1、3或7所述的液晶面板，其特征在于：
构成所述液晶层的液晶化合物在一分子中含有氰基和碳-碳三键。
12.根据权利要求1、3或7所述的液晶面板，其特征在于：
构成所述液晶层的液晶化合物在一分子中含有氰基和杂环。
13.根据权利要求1、3或7所述的液晶面板，其特征在于：
构成所述液晶层的液晶化合物在一分子中含有碳-碳三键和杂环。
14.根据权利要求1、3或7所述的液晶面板，其特征在于：
构成所述液晶层的液晶化合物在一分子中含有碳-碳三键和-OCF2-。
15.一种扫描天线，其特征在于具有根据权利要求1至14中任一项所述的液晶面板，
所述液晶面板的所述第一基板由TFT基板构成，所述TFT基板具有第一电介质基板、支撑于所述第一电介质基板上的多个TFT和与所述TFT电连接的多个贴片电极、以覆盖所述TFT及所述贴片电极的形态配置的由所述取向膜构成的第一取向膜，
所述液晶面板的所述第二基板由插槽基板构成，所述插槽基板具有第二电介质基板、支撑于所述第二电介质基板上的含有多个槽的插槽电极、以覆盖所述插槽电极的形态配置的由所述取向膜构成的第二取向膜，
所述液晶面板的所述液晶层介于所述第一取向膜及所述第二取向膜相互对向的所述TFT基板与所述插槽基板之间，
在未形成所述插槽电极的所述第二电介质基板的相反面，具有以介隔电介质层而对向的方式配置的反射导电板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111752024A (zh) * 2019-03-28 2020-10-09 群创光电股份有限公司 电子装置
CN114929837A (zh) * 2020-02-07 2022-08-19 Dic株式会社 液晶组合物、液晶元件、传感器、液晶透镜、光通信设备及天线

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3447567B1 (en) 2017-08-24 2023-07-12 Morrow N.V. Optical device with liquid crystal alignment
TWI825097B (zh) 2018-05-18 2023-12-11 日商日產化學股份有限公司 相移調變元件及天線
CN110911382B (zh) * 2018-09-14 2021-06-25 群创光电股份有限公司 天线装置
US11139562B2 (en) * 2018-09-14 2021-10-05 Innolux Corporation Antenna device
US11718553B2 (en) 2019-03-19 2023-08-08 AGC Inc. Alkali-free glass substrate
WO2021157189A1 (ja) * 2020-02-07 2021-08-12 Dic株式会社 液晶組成物並びにこれを用いた液晶素子、センサ、液晶レンズ、光通信機器及びアンテナ
TW202302824A (zh) * 2021-05-06 2023-01-16 日商Ｄｉｃ股份有限公司 化合物、液晶組成物以及使用其之液晶顯示元件、感測器、液晶透鏡、光通訊機器及天線
JP2023043032A (ja) * 2021-09-15 2023-03-28 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 偏光板及び表示装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080117114A1 (en) * 2006-05-24 2008-05-22 Haziza Dedi David Apparatus and method for antenna rf feed
CN101584080A (zh) * 2006-11-17 2009-11-18 韦夫班德尔公司 集成波导天线阵
CN101930134A (zh) * 2009-06-19 2010-12-29 台均科技（深圳）有限公司 电磁感应式液晶面板及其制造方法和液晶显示器
CN102356351A (zh) * 2009-03-17 2012-02-15 夏普株式会社 液晶显示装置和其制造方法
CN103154809A (zh) * 2010-10-14 2013-06-12 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
CN103222109A (zh) * 2010-10-15 2013-07-24 西尔瑞特有限公司 表面散射式天线
CN103718092A (zh) * 2011-08-04 2014-04-09 夏普株式会社 液晶显示装置
CN103797407A (zh) * 2011-08-29 2014-05-14 夏普株式会社 液晶显示装置的制造方法
CN105368465A (zh) * 2014-08-08 2016-03-02 默克专利股份有限公司 液晶介质和包含其的高频组件
CN105431752A (zh) * 2013-07-31 2016-03-23 东友精细化工有限公司 相位差膜及具备该相位差膜的图像显示装置
CN105706304A (zh) * 2013-03-15 2016-06-22 西尔瑞特有限公司 表面散射天线的改进

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7554505B2 (en) 2006-05-24 2009-06-30 Wavebender, Inc. Integrated waveguide antenna array
US7847749B2 (en) 2006-05-24 2010-12-07 Wavebender, Inc. Integrated waveguide cavity antenna and reflector RF feed
US7884779B2 (en) 2006-05-24 2011-02-08 Wavebender, Inc. Multiple-input switch design
EP2020053B1 (en) 2006-05-24 2011-08-31 Wavebender, Inc. Integrated waveguide antenna and array
US7466269B2 (en) 2006-05-24 2008-12-16 Wavebender, Inc. Variable dielectric constant-based antenna and array
US7656358B2 (en) 2006-05-24 2010-02-02 Wavebender, Inc. Antenna operable at two frequency bands simultaneously
JP5383601B2 (ja) 2009-07-06 2014-01-08 シチズンホールディングス株式会社 液晶レンズ
US9557605B2 (en) 2010-10-14 2017-01-31 Merck Patent Gmbh Method of producing liquid crystal display device
US9798179B2 (en) 2010-10-14 2017-10-24 Merck Patent Gmbh Liquid crystal display device

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080117114A1 (en) * 2006-05-24 2008-05-22 Haziza Dedi David Apparatus and method for antenna rf feed
CN101584080A (zh) * 2006-11-17 2009-11-18 韦夫班德尔公司 集成波导天线阵
CN102356351A (zh) * 2009-03-17 2012-02-15 夏普株式会社 液晶显示装置和其制造方法
CN101930134A (zh) * 2009-06-19 2010-12-29 台均科技（深圳）有限公司 电磁感应式液晶面板及其制造方法和液晶显示器
CN103154809A (zh) * 2010-10-14 2013-06-12 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
CN103222109A (zh) * 2010-10-15 2013-07-24 西尔瑞特有限公司 表面散射式天线
CN103718092A (zh) * 2011-08-04 2014-04-09 夏普株式会社 液晶显示装置
CN103797407A (zh) * 2011-08-29 2014-05-14 夏普株式会社 液晶显示装置的制造方法
CN105706304A (zh) * 2013-03-15 2016-06-22 西尔瑞特有限公司 表面散射天线的改进
CN105431752A (zh) * 2013-07-31 2016-03-23 东友精细化工有限公司 相位差膜及具备该相位差膜的图像显示装置
CN105368465A (zh) * 2014-08-08 2016-03-02 默克专利股份有限公司 液晶介质和包含其的高频组件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111752024A (zh) * 2019-03-28 2020-10-09 群创光电股份有限公司 电子装置
CN114929837A (zh) * 2020-02-07 2022-08-19 Dic株式会社 液晶组合物、液晶元件、传感器、液晶透镜、光通信设备及天线

Also Published As

Publication number Publication date
JP6603806B2 (ja) 2019-11-06
US11181782B2 (en) 2021-11-23
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