CN109471568A - 一种gff结构触摸屏用全激光工艺的制作方法 - Google Patents

Abstract

一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法，本方法由两部分组成：1、激光蚀刻工艺专用的GFF结构上下层ITO图形和银浆图形；2、激光蚀刻银浆图层和ITO图层的工艺参数。通过采用专用的GFF结构上下层的ITO图形和银浆图形进行同步一次性激光蚀刻出ITO图形和银浆图形，减少了工艺流程提高了产品的生产效率和良率，在蚀刻过程中无酸碱溶剂不会造成环境的污染且无需增加纯水清洗系统节省了纯水资源及制水系统的成本；对ITO图形和银浆图形的同步蚀刻避免了图形之间的套版或搭接尺寸的需求结合超细激光蚀刻银浆和超细激光蚀刻设备的采用可以极大的减少GFF结构两侧的边框尺寸实现全面屏需求的GFF超窄边框产品。

Description

一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法

技术领域

本发明涉及触控显示领域，尤其涉及一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法。

背景技术

当前的行业内，针对GFF结构触摸屏的加工方法主要存在以下两种，这些方法各自存在以下的缺陷：

一、酸碱蚀刻上下两层ITO图形+镭射上下两层银浆线路：

(1)生产过程中需要使用强酸蚀刻ITO图形，强碱剥离保护层从而导致环境污染无法达到环保要求且增加额外的酸碱溶液材料成本；

(2)在生产过程中需要纯水清洗，使用大量的纯水资源造成水资源的浪费不符合节约型的社会需求；

(3)需要额外添加至少五道工序使用特殊的保护层(丝印或贴覆保护层、烘烤或曝光保护层、酸碱蚀刻、纯水清洗、热风吹干)，保护不被强酸蚀刻需要留下的图形，造成了良率、效率和成本的浪费。

二、蚀刻膏蚀刻上下两层ITO图形+镭射上下两层银浆线路：

(1)生产过程中需要使用酸性蚀刻膏蚀刻ITO图形从而导致环境污染无法达到环保要求且增加额外的蚀刻膏材料成本；

(2)在生产过程中需要使用纯水清洗烘干后的蚀刻膏，使用大量的纯水资源造成水资源的浪费不符合节约型的社会需求；

(3)需要增加丝印蚀刻膏、烘干蚀刻膏、纯水清洗蚀刻膏三道工序，造成了造成了良率、效率和成本的浪费。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法，本方法由两部分组成：

S1、激光蚀刻工艺专用的GFF结构上下层ITO图形和银浆图形：

GFF结构触摸屏由玻璃盖板、上层OCA光学胶层、上层触控层、下层OCA光学胶层、下层触控层组成，玻璃盖板的左右两侧的边框市场需求越来越窄实现超窄边框触控模组；

上层或下层触控层由ITO膜材的PET基材、透明ITO层、丝印在ITO层上的银浆层组成，其中透明ITO层上需要蚀刻ITO图形，丝印在ITO层上的银浆层需要蚀刻银浆图形，蚀刻工艺采用激光的方法进行蚀刻。

上层触控层上的ITO图形和银浆图形需要设计成专用的图形以便减少图形的蚀刻时间，设计专用的图形需注意以下几点：

(1)上层或下层的透明ITO区域的ITO图形都采用双线镭射设计，线与线之间的间距为0.02mm；

(2)上层横方向ITO图形应与下层横方向ITO图形需重合；

(3)上层或下层的银浆区域内的银浆图形中GND线与其他线之间需要进行双线设计，线与线之间的间距为0.02mm；

(4)若触控模组存在按键时，按键区域的触控功能设计同专用的ITO图形和银浆图形；

(5)若触控模组存在多余的非触控区域为避免影响其他传感器如天线的性能，可以把非触控区域进行填充1mm等长的等边三角形；

(6)镭射线起点和终点需要考虑重合度，所以镭射线需设计成“Z”形走线实现线与线之间重合且镭射线转角的长度至少需≥0.3mm。

S2、激光蚀刻银浆图层和ITO图层的工艺参数：

银浆图层和ITO图层在激光设备上分属于两个不同的图层且每层图层的工艺参数可以分别设定，由于ITO图层的材质为ITO，银浆图层的材质为银浆，不同的材质需采用不同的工艺参数。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、可实现ITO图形与银浆图形一起进行激光蚀刻无需增加额外工序；

2、采用激光蚀刻ITO图形无环境污染，无需额外增加纯水清洗系统；

3、可实现全面屏配套使用的超窄边框GFF结构。

附图说明

图1为本发明提出的一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法的GFF触控屏的组成；

图2为本发明提出的一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法的上层或下层触控屏的组成；

图3为本发明提出的一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法中非触控区域的填充图形示意图；

图4为本发明提出的一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法中上层ITO图形和银浆图形与下层ITO图形和银浆图形的结合示意图；

图5为本发明提出的一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法中上层ITO图形和银浆图形与下层ITO图形和银浆图形的结合示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

本方法由两部分组成：

1、激光蚀刻工艺专用的GFF结构上下层ITO图形和银浆图形：

GFF结构触摸屏由玻璃盖板、上层OCA光学胶层、上层触控层、下层OCA光学胶层、下层触控层组成，玻璃盖板的左右两侧的边框市场需求越来越窄实现超窄边框触控模组；

上层或下层触控层由ITO膜材的PET基材、透明ITO层、丝印在ITO层上的银浆层组成，其中透明ITO层上需要蚀刻ITO图形，丝印在ITO层上的银浆层需要蚀刻银浆图形，蚀刻工艺采用激光的方法进行蚀刻。

上层触控层上的ITO图形和银浆图形需要设计成专用的图形以便减少图形的蚀刻时间，设计专用的图形需注意以下几点：

(1)上层或下层的透明ITO区域的ITO图形都采用双线镭射设计，线与线之间的间距为0.02mm；

(2)上层横方向ITO图形应与下层横方向ITO图形需重合；

(3)上层或下层的银浆区域内的银浆图形中GND线与其他线之间需要进行双线设计，线与线之间的间距为0.02mm；

(4)若触控模组存在按键时，按键区域的触控功能设计同专用的ITO图形和银浆图形；

(5)若触控模组存在多余的非触控区域为避免影响其他传感器如天线的性能，可以把非触控区域进行填充1mm等长的等边三角形；

(6)镭射线起点和终点需要考虑重合度，所以镭射线需设计成“Z”形走线实现线与线之间重合且镭射线转角的长度至少需≥0.3mm。

2、激光蚀刻银浆图层和ITO图层的工艺参数：

银浆图层和ITO图层在激光设备上分属于两个不同的图层且每层图层的工艺参数可以分别设定，由于ITO图层的材质为ITO，银浆图层的材质为银浆，不同的材质需采用不同的工艺参数。建议的工艺参数如下：

图层	频率KHZ	能量％	速度	脉宽	重复次数
						银浆图层	220	50	2300	10	3
ITO图层	220	40	3000	10	1

通过采用专用的GFF结构上下层的ITO图形和银浆图形进行同步一次性激光蚀刻出ITO图形和银浆图形，减少了工艺流程提高了产品的生产效率和良率，在蚀刻过程中无酸碱溶剂不会造成环境的污染且无需增加纯水清洗系统节省了纯水资源及制水系统的成本；对ITO图形和银浆图形的同步蚀刻避免了图形之间的套版或搭接尺寸的需求结合超细激光蚀刻银浆和超细激光蚀刻设备的采用可以极大的减少GFF结构两侧的边框尺寸实现全面屏需求的GFF超窄边框产品。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法，其特征在于，本方法由两部分组成：

S1、激光蚀刻工艺专用的GFF结构上下层ITO图形和银浆图形：

GFF结构触摸屏由玻璃盖板、上层OCA光学胶层、上层触控层、下层OCA光学胶层、下层触控层组成，玻璃盖板的左右两侧的边框市场需求越来越窄实现超窄边框触控模组；

上层或下层触控层由ITO膜材的PET基材、透明ITO层、丝印在ITO层上的银浆层组成，其中透明ITO层上需要蚀刻ITO图形，丝印在ITO层上的银浆层需要蚀刻银浆图形，蚀刻工艺采用激光的方法进行蚀刻；

S2、激光蚀刻银浆图层和ITO图层的工艺参数：

银浆图层和ITO图层在激光设备上分属于两个不同的图层且每层图层的工艺参数可以分别设定，由于ITO图层的材质为ITO，银浆图层的材质为银浆，不同的材质需采用不同的工艺参数。

2.根据权利要求1所述的一种GFF结构触摸屏用全激光工艺的制作方法，其特征在于，上层触控层上的ITO图形和银浆图形需要设计成专用的图形以便减少图形的蚀刻时间，设计专用的图形需注意以下几点：

(1)上层或下层的透明ITO区域的ITO图形都采用双线镭射设计，线与线之间的间距为0.02mm；

(2)上层横方向ITO图形应与下层横方向ITO图形需重合；

(3)上层或下层的银浆区域内的银浆图形中GND线与其他线之间需要进行双线设计，线与线之间的间距为0.02mm；

(4)若触控模组存在按键时，按键区域的触控功能设计同专用的ITO图形和银浆图形；

(5)若触控模组存在多余的非触控区域为避免影响其他传感器如天线的性能，可以把非触控区域进行填充1mm等长的等边三角形；

(6)镭射线起点和终点需要考虑重合度，所以镭射线需设计成“Z”形走线实现线与线之间重合且镭射线转角的长度至少需≥0.3mm。