CN1094702A - 莫来石基陶瓷材料及其制备 - Google Patents

莫来石基陶瓷材料及其制备 Download PDF

Info

Publication number
CN1094702A
CN1094702A CN 94105312 CN94105312A CN1094702A CN 1094702 A CN1094702 A CN 1094702A CN 94105312 CN94105312 CN 94105312 CN 94105312 A CN94105312 A CN 94105312A CN 1094702 A CN1094702 A CN 1094702A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mullite
materials based
ceramics materials
preparation
dry
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 94105312
Other languages
English (en)
Other versions
CN1043221C (zh
Inventor
靳正国
徐庭献
王裕斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin University
Original Assignee
Tianjin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin University filed Critical Tianjin University
Priority to CN94105312A priority Critical patent/CN1043221C/zh
Publication of CN1094702A publication Critical patent/CN1094702A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1043221C publication Critical patent/CN1043221C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

一种莫来石基陶瓷材料，配料采用莫来石、 Al2O3、BaCO3、Pb3O4、SiO2、MgO。采用配料、球磨、 烘干、造粒、干压成型、排胶、经1500～1600℃、2～4h 烧成。制成莫来石陶瓷的介电常数为6.7，tgδ为15 ×10-4，该陶瓷可用于高密度封装和电路基板。

Description

本发明属于陶瓷。
八十年代以来，高纯超细组成可控为特点的新型莫来石陶瓷，尤其用于高密度封装，多层电路基片等电子学应用的莫来石陶瓷，如莫来石-石英、莫来石-堇青石等复合陶瓷，以及添加Al2O3、CaO、Nb2O5、MnO2、Y2O3、SiO2、MgO等氧化物的莫来石陶瓷已有报导，但这些材料的tgδ报导很少，有的介电常数为7.3偏大，有的tgδ15～35×10-4较大，[日本专利，昭-63-60153;日本专利，昭63-277559;美国专利，4，458，216;MICHIO HORIVCHI等，“New Mullite Cermic Packages and Substrates”，IEEE，Vol.11，No.4，pp439-446，1988]。
本发明的目的在于克服已有技术不足之处，提供一种用于高密度封装和电路基板的莫来石基陶瓷组成和工艺方法，制备出低介电常数和介质损耗的新型莫来石陶瓷材料。
本发明陶瓷材料是按下述配料组成和工艺制备的。配料组成为：
莫来石：70～95wt%
BaCO3：0.5～5wt%
Al2O3：1.40～7.67wt%
Pb3O4：0.5～3wt%
SiO2：2.05～11.30wt%
MgO：0.55～3.03wt%
Figure 941053121_IMG1
配料中莫来石粉料是采用高纯、超细的α-Al2O3和无定形SiO2粉为原料，按莫来石化学计量制备的。将莫来石粉与其它加入物按配料称量，以去离子水为介质，球磨48小时，然后经干燥，过120目筛，加入15%聚乙烯醇水溶液（浓度为8%）造粒，250～300Mpa干压成Φ20×1.5mm2圆片，于空气气氛下升温至1500～1600℃，保温2～4小时烧成。试片涂覆银浆料，于800℃烧制成电极，测其电性能。
本发明与原有技术相比，工艺简便，适于规模生产，原料纯度高，粒度细，介质常数为6.7，tgδ为15×10-4。介质损耗较小。
例：
按下配方组成称取500g料：
莫来石：446.78g
BaCO3：24.75g
Al2O3：8.20g
Pb3O4：4.95g
SiO2：12.08g
MgO：3.24g
将上述配料球磨48小时，其中料∶球∶水＝1∶2∶2，球磨后经120℃烘干，过120目筛，然后加入15%PVA水溶液（浓度为8%）造粒，经300Mpa干压成型，再经500℃排胶，在1570℃下烧成3小时。
烧成后的试样经涂覆银浆料，经800℃烧渗成有银电极试样，经测试，在1MHz下，试样介电系数为6.7，tgδ为15×10-4。

Claims (2)

1、一种陶瓷材料，以莫来石为基，本发明的特征在于配料组成为：莫来石为70～95wt%，BaCO3为0.5～5wt%，Al2O3为1.4～7.67wt%，Pb3O4为0.5～3wt%，SiO2为2.05～11.30wt%，MgO为0.55～3.03wt%。
2、一种权利要求1所述陶瓷材料的制备工艺，其特征在于将权利要求1所述的组成配料经球磨48h制粉，250～300Mpa干压成型，于空气气氛下经1500～1600℃，2～4小时烧成。
CN94105312A 1994-05-16 1994-05-16 莫来石基陶瓷材料及其制备方法 Expired - Fee Related CN1043221C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN94105312A CN1043221C (zh) 1994-05-16 1994-05-16 莫来石基陶瓷材料及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN94105312A CN1043221C (zh) 1994-05-16 1994-05-16 莫来石基陶瓷材料及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1094702A true CN1094702A (zh) 1994-11-09
CN1043221C CN1043221C (zh) 1999-05-05

Family

ID=5031999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN94105312A Expired - Fee Related CN1043221C (zh) 1994-05-16 1994-05-16 莫来石基陶瓷材料及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1043221C (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1047772C (zh) * 1997-01-30 1999-12-29 淄博工业陶瓷厂 烧结锆莫来石砖及其制备方法
CN104609875A (zh) * 2015-01-12 2015-05-13 吴江佳亿电子科技有限公司 一种纤维增强陶瓷材料及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1011337B (zh) * 1987-02-02 1991-01-23 袁卫国 易开罐急速冷却装置
CN1014825B (zh) * 1988-08-30 1991-11-20 熊彬林 天平式计量秤

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1047772C (zh) * 1997-01-30 1999-12-29 淄博工业陶瓷厂 烧结锆莫来石砖及其制备方法
CN104609875A (zh) * 2015-01-12 2015-05-13 吴江佳亿电子科技有限公司 一种纤维增强陶瓷材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1043221C (zh) 1999-05-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10899669B2 (en) Boron aluminum silicate mineral material, low temperature co-fired ceramic composite material, low temperature co-fired ceramic, composite substrate and preparation methods thereof
US4812422A (en) Dielectric paste and method of manufacturing the paste
CN100457678C (zh) 一种介电可调的陶瓷材料及其制备方法
CN110194656B (zh) 一种中高强度绝缘子材料配方及其制备方法
CN1850719A (zh) 一种钛酸锶压敏电阻器介质及其制备方法
JPH01153570A (ja) ゼオライトからのアノーサイトーコージーライトベースのセラミックス
JP3737773B2 (ja) 誘電体セラミック組成物
CN111807838B (zh) 一种Na0.25K0.25Bi2.5Nb2O9陶瓷的制备方法及其产品
CN1043221C (zh) 莫来石基陶瓷材料及其制备方法
CN108997006B (zh) 一种低热膨胀ltcc基板材料及其制备方法
CN1093105C (zh) 电子工业用氧化锆窑具及其制造方法
CN112299845B (zh) 一种高性能的陶瓷介质材料及其制备方法
CN1421418A (zh) 高热导率氮化铝陶瓷
JPH0557229B2 (zh)
JP3510945B2 (ja) セラミック基板用グリーンシートの製造方法
CN114804867B (zh) 适合热压烧结的陶瓷介质材料、陶瓷器件及其制备方法
CN1915902A (zh) 用硅灰石制备介电陶瓷的方法
JP3447971B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP3225833B2 (ja) 高周波用誘電体組成物
JPH09110520A (ja) フェライト焼結体
JP3914635B2 (ja) セラミック電子部品の製造方法
JPS62252340A (ja) ガラス焼結体およびガラスセラミツク焼結体
JPH05174627A (ja) 高周波用誘電体磁器組成物
KR100310275B1 (ko) 고 유전율, 저 유전 손실의 ｐｆｎ 유전체 세라믹스의 제조 방법
JPH01215712A (ja) 超電導体薄膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee