CN109467717A - 一种硅胶及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种硅胶及其制备方法和应用,制备方法依次包括:将配备好的硅胶进行脱除气泡处理后放置于耐热容器中;将所述耐热容器置于30‑80℃下进行烘烤,直至硅胶中的溶剂完全挥发;将所述耐热容器置于120‑150℃下进行烘烤,使所述硅胶固化。利用本发明的制备方法,将溶剂与硅胶固化分段进行,在硅胶固化前将溶剂挥发,避免因硅胶固化粘度增加使得溶剂无法挥发而形成气泡,从而制备内部气泡少,厚度满足需求如300微米以上的硅胶胶层。
Description
技术领域
本发明涉及硅胶领域,尤其是涉及一种硅胶及其制备方法和应用。
背景技术
硅胶保护膜被广泛利用于电子产品的出货保护,比如手机、平板等。在这些应用中分析和表征硅胶的性能至关重要,而流变性能分析和动态力学性能分析由于其方便、快捷及准确性高的特点经常被用到。在传统的硅胶流变性能分析或者动态力学性能分析中,样品需要的厚度较厚,大概在300-1000微米。直接形成此厚度的硅胶气泡很多,无法进行性能测试。现在的制作通常是先涂布薄层硅胶在氟素离型膜上后烘干(比如20微米的干硅胶层),后将所得到的薄硅胶层多次的对叠粘合使其形成更厚的硅胶层(流变性能分析通常要300-1000微米的胶层厚度)。但当硅胶的粘性很低的时候(比如小于10克/25mm)这样的制样方法就会难以实施,因为粘性太低在对叠时胶层间无法有效粘合彼此形成单一的更厚的硅胶层。即便粘性高的硅胶层,彼此贴合也会产生一些不利影响。
有鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅胶及其制备方法和应用,以形成气泡少且满足厚度需求的硅胶层。
为了实现本发明的上述目的,特采用以下技术方案:
一种硅胶的制备方法,所述制备方法依次包括:
S1将配备好的硅胶进行脱除气泡处理后放置于耐热容器中;
S2将所述耐热容器置于30-80℃下进行烘烤,直至硅胶中的溶剂完全挥发;
S3将所述耐热容器置于120-150℃下进行烘烤,使所述硅胶固化。
优选的,S1中所述硅胶的粘度不大于1000cps。
优选的,S1中所述硅胶的粘度不大于500cps。
优选的,将所述耐热容器置于40-60℃下进行烘烤,直至硅胶中的溶剂完全挥发.
优选的,所述硅胶的干胶厚度不小于300微米。
优选的,所述硅胶的干胶厚度为300-1000微米。
本发明另一方面还提供了一种硅胶,通过上述制备方法制备,所述硅胶的干胶厚度为300-1000微米。
优选的,S1中所述硅胶的粘度不大于1000cps。
优选的,S1中所述硅胶的粘度不大于500cps。
本发明再一方面还提供了一种利用上述制备方法制备的硅胶,所述硅胶用于流变性能或动态力学性能分析。
综上,与现有技术相比,本发明达到了以下技术效果:
利用本发明的制备方法,将溶剂与硅胶固化分段进行,在硅胶固化前将溶剂挥发,避免因硅胶固化粘度增加使得溶剂无法挥发而形成气泡,从而制备内部气泡少,厚度满足需求如300微米以上的硅胶胶层。
进一步的,通过控制硅胶的粘度低于1000cps,保证了其充分流平,固化后产生平整光滑的表面。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的制备方法流程图;
具体实施方式
下面将结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,但是本领域技术人员将会理解,下列所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例,仅用于说明本发明,而不应视为限制本发明的范围。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。
本发明旨在提供一种硅胶的制备方法,通过在硅胶固化前将溶剂挥发以制备到无气泡的,单一胶层厚度达300微米以上的硅胶层,其完全可以用于流变或动态力学性能分析。
如图1所示,为本发明实施例提供的硅胶制备方法流程图,依次包括如下步骤:
S1、将配备好的硅胶进行脱除气泡处理后放置于耐热容器中。
本发明可采用静止放置的方法进行脱除气泡处理。
S2、将耐热容器置于30-80℃下进行烘烤。
该步骤中,在此温度范围内硅胶本身不能固化,所以在烘烤溶剂过程中不会导致因粘度急剧增加锁住溶剂产生气泡。
更佳的,本步骤中可以选择在40-60℃的烘箱中先行烘烤,该温度下溶剂的挥发可以比较彻底且硅胶也完全不会产生固化,使其中的溶剂完全挥发。优选实施例中,温度可以逐步升高。
本发明中可以通过控制步骤S2的时间和温度,来控制溶剂的挥发程度以控制胶层的气泡量。本发明优选溶剂完全挥发。
对于溶剂完全挥发的判断既可以根据经验采用较长时间烘烤的方式认定挥发完全,也可以对玻璃器皿称重,确认重量的变化基本为溶剂的重量时判断挥发完全。
S3、将耐热容器置于120-150℃下进行烘烤,使硅胶固化得到硅胶层。将经过溶剂烘干的硅胶的烘烤温度升高到120-150度,使硅胶固化,即可形成单层厚度达标的、内部气泡少甚至无气泡的硅胶样品,其可以用于流变或动态力学性能分析。
本发明通过将上述硅胶分段加热,使得溶剂可以在硅胶固化前挥发,避免因硅胶固化粘度增加而使得溶剂不能挥发产生气泡。
本发明尤其适用于低粘性的硅胶,低粘性通常为剥离力低于50克/25mm,此类硅胶如果采用多层粘合会出现无法粘合紧密的问题。
如需要硅胶层表面平整,本发明可以控制步骤S1中所配的硅胶的固含量以保证其粘度低于1000cps,最好是低于500cps。这样保证硅胶充分流平,固化后产生平整光滑的表面。
进一步的,将所配的硅胶在脱除气泡后滴加到耐高温、且底部平整的容器中,比如玻璃皿,以保证表面平整。
以下为本发明具体实施例:
实施例1
配备粘度为400cps的硅胶,并进行脱除气泡处理后放置于底面平整的玻璃皿。
将玻璃皿置于烘箱中,在50℃下进行烘烤。
将烘箱温度升至140℃下进行烘烤,使硅胶固化得到硅胶层。
实施例2
配备粘度为1000cps的硅胶,并进行脱除气泡处理后放置于底面平整的玻璃皿。
将玻璃皿置于烘箱中,在50℃下进行烘烤。
将烘箱温度升至140℃下进行烘烤,使硅胶固化得到硅胶层。
实施例3
配备粘度为1200cps的硅胶,并进行脱除气泡处理后放置于底面平整的玻璃皿。
将玻璃皿置于烘箱中,在50℃下进行烘烤。
将烘箱温度升至140℃下进行烘烤,使硅胶固化得到硅胶层。
实施例4
配备粘度为400cps的硅胶,并进行脱除气泡处理后放置于底面平整的玻璃皿。
将玻璃皿置于烘箱中,在80℃下进行烘烤。
将烘箱温度升至140℃下进行烘烤,使硅胶固化得到硅胶层。
实施例5
配备粘度为400cps的硅胶,并进行脱除气泡处理后放置于底面平整的玻璃皿。
将玻璃皿置于烘箱中,在100℃下进行烘烤。
将烘箱温度升至140℃下进行烘烤,使硅胶固化得到硅胶层。
实施例6
配备粘度为400cps的硅胶,并进行脱除气泡处理后放置于底面平整的玻璃皿。
将玻璃皿置于烘箱中,在20℃下进行烘烤。
将烘箱温度升至140℃下进行烘烤,使硅胶固化得到硅胶层。
实施例7
配备粘度为400cps的硅胶,并进行脱除气泡处理后放置于底面平整的玻璃皿。
将玻璃皿置于烘箱中,在140℃下进行烘烤,使硅胶固化得到硅胶层。
上述各实施例中,硅胶的量以最后产品的厚度达到300-1000微米为例,上述各实施例采用的硅胶的量相同。
通过实施例1、2、3可以看出,粘度越低流平性越好,得到的硅胶膜越平整。
通过实施例1、4、5、6可以看出,温度在50℃时溶剂挥发最好。
通过实施例1、7可以看出,分段加热比直接升温至120℃以上的方式,气泡减少,平整性好。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种硅胶的制备方法,其特征在于,所述制备方法依次包括:
S1、将配备好的硅胶进行脱除气泡处理后放置于耐热容器中;
S2、将所述耐热容器置于30-80℃下进行烘烤,直至硅胶中的溶剂完全挥发;
S3、将所述耐热容器置于120-150℃下进行烘烤,使所述硅胶固化。
2.如权利要求1所述的硅胶的制备方法,其特征在于,S1中所述硅胶的粘度不大于1000cps。
3.如权利要求2所述的硅胶的制备方法,其特征在于,S1中所述硅胶的粘度不大于500cps。
4.如权利要求1所述的硅胶的制备方法,其特征在于,将所述耐热容器置于40-60℃下进行烘烤,直至硅胶中的溶剂完全挥发。
5.如权利要求1所述的硅胶的制备方法,其特征在于,所述固化后的硅胶厚度为300-1000微米。
6.一种硅胶,其特征在于,通过所述权利要求1-5任一项制备方法制备,所述硅胶的干胶厚度为300-1000微米。
7.如权利要求6所述的硅胶,其特征在于,S1中所述硅胶的粘度不大于1000cps。
8.如权利要求7所述的硅胶,其特征在于,S1中所述硅胶的粘度不大于500cps。
9.一种利用如权利要求1-5任一项制备方法制备的硅胶,其特征在于,所述硅胶用于流变性能或动态力学性能分析。
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