CN109462388A - GaN HEMT控制电路 - Google Patents

GaN HEMT控制电路 Download PDF

Info

Publication number
CN109462388A
CN109462388A CN201811230522.5A CN201811230522A CN109462388A CN 109462388 A CN109462388 A CN 109462388A CN 201811230522 A CN201811230522 A CN 201811230522A CN 109462388 A CN109462388 A CN 109462388A
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
oxide
semiconductor
voltage
grid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811230522.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109462388B (zh
Inventor
谢路平
樊奇彦
刘江涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Comba Network Systems Co Ltd
Original Assignee
Comba Telecom Technology Guangzhou Ltd
Comba Telecom Systems China Ltd
Comba Telecom Systems Guangzhou Co Ltd
Tianjin Comba Telecom Systems Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Comba Telecom Technology Guangzhou Ltd, Comba Telecom Systems China Ltd, Comba Telecom Systems Guangzhou Co Ltd, Tianjin Comba Telecom Systems Co Ltd filed Critical Comba Telecom Technology Guangzhou Ltd
Priority to CN201811230522.5A priority Critical patent/CN109462388B/zh
Publication of CN109462388A publication Critical patent/CN109462388A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109462388B publication Critical patent/CN109462388B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
    • H03K2217/0081—Power supply means, e.g. to the switch driver
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Abstract

本申请涉及一种GaN HEMT控制电路，包括栅压切换电路，以及连接GaN HEMT的栅极管脚的栅压端；栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路；第一开关电路的第一端接入TDD切换信号，第一开关电路的第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端；第二开关电路的第二端连接栅极电压源，第二开关电路的第三端连接栅压端；第三开关电路的第二端连接负电压电源端，第三开关电路的第三端连接栅压端。TDD切换信号可控制第一开关电路的通断，第一开关电路的通断可控制第二开关电路和第三开关电路的通断，能够切换栅压端的电压；基于上述结构，可利用TDD上下行切换信号，控制GaN HEMT的栅极电压，实现GaN HEMT的快速关断与开启。

Description

GaN HEMT控制电路
技术领域
本申请涉及通信电路技术领域，特别是涉及一种GaN HEMT控制电路。
背景技术
氮化镓(GaN)半导体材料具有禁带宽度宽、电子漂移速度高、击穿场强高、化学性质稳定等优点，是制备高频、大功率器件的理想材料。以GaN为衬底的高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)具有输出功率密度大、工作电压高和输出阻抗高的优点，在无线通信中发挥着越来越重要的作用，是无线通信放大器的核心器件。
在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：在TDD(Time DivisionDuplexing，时分双工)通信系统中，上、下行使用同一频率信道的不同时隙，用时间来区分上、下行。因此，上、下行链路也需时分工作，不能同时工作；GaN HEMT需要根据时分信号实现快速开启和关断。
发明内容
基于此，有必要针对GaN HEMT需要实现时分开启和关断的问题，提供一种GaNHEMT控制电路。
为了实现上述目的，一方面，本申请实施例提供了一种GaN HEMT控制电路，包括栅压切换电路，以及用于连接GaN HEMT的栅极管脚的栅压端。
栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路。第一开关电路的第一端用于接入TDD切换信号，第一开关电路的第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端。第二开关电路的第二端用于连接栅极电压源，第二开关电路的第三端连接栅压端。第三开关电路的第二端用于连接负电压电源端，第三开关电路的第三端连接栅压端。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
GaN HEMT控制电路包括栅压切换电路，以及用于连接GaN HEMT的栅极管脚的栅压端；栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路；第一开关电路的第一端用于接入TDD切换信号，第一开关电路的第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端；第二开关电路的第二端用于连接栅极电压源，第二开关电路的第三端连接栅压端；第三开关电路的第二端用于连接负电压电源端，第三开关电路的第三端连接栅压端。TDD切换信号可控制第一开关电路的通断，第一开关电路的通断可控制第二开关电路和第三开关电路的通断，能够切换栅压端的电压；基于上述结构，可利用TDD上下行切换信号，控制GaN HEMT的栅极电压，进而实现GaN HEMT的快速关断与开启。
附图说明
通过附图中所示的本申请的优选实施例的更具体说明，本申请的上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分，且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本申请的主旨。
图1为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第一示意性结构图；
图2为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第二示意性结构图；
图3为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第二MOS管开关电路的结构示意图；
图4为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第三示意性结构图；
图5为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第四示意性结构图；
图6为一个实施例中GaN HEMT控制电路的栅压温补电路的结构示意图；
图7为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第五示意性结构图；
图8为一个实施例中GaN HEMT控制电路的正电压电源电路的结构示意图；
图9为一个实施例中GaN HEMT控制电路的负电压电源电路的结构示意图；
图10为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第六示意性结构图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“第一端”、“第二端”、“第三端”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本申请实施例提供了一种GaN HEMT控制电路，能够快速关断和开启GaN HEMT，使GaN HEMT时分工作，可应用于时分双工系统中。其中，GaN HEMT的UGS开启电压(UGS(th)：GateThreshold Voltage)是负电压，关断GaN HEMT是把将其栅压调节到低于UGS(th)值。
在一个实施例中，提供了一种GaN HEMT控制电路，如图1所示，图1为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第一示意性结构图，包括栅压切换电路，以及用于连接GaN HEMT的栅极管脚的栅压端。
栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路。第一开关电路的第一端用于接入TDD切换信号，第一开关电路的第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端。第二开关电路的第二端用于连接栅极电压源，第二开关电路的第三端连接栅压端。第三开关电路的第二端用于连接负电压电源端，第三开关电路的第三端连接栅压端。
具体而言，第一开关电路的第一端接入TDD切换信号，第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端；TDD切换信号通过第一开关电路的第一端控制第一开关电路的通断；第一开关电路的通断可分别控制第二开关电路和第三开关电路的通断。
可选地，TDD切换信号为低电平时，第一开关电路导通，TDD切换信号为高电平时，第一开关电路截止；第一开关电路导通时，第二开关电路导通，第三开关电路截止；第一开关电路截止时，第二开关电路截止，第三开关电路导通。TDD切换信号对第一开关电路的控制可根据实际需求进行设置，第一开关电路对第二开关电路和第三开关电路的控制方式也可根据需求进行设置，在此不做限制。
第二开关电路的第二端连接外部的栅极电压源，第三端连接栅压端；在第二开关电路导通时，该开关电路可将栅极电压源接入到栅压端。第三开关电路的第二端连接负电压电源端，第三端连接栅压端；在第三开关电路导通时，该开关电路可将负电压电源端的信号接入到栅压端。
需要说明的是，栅压切换电路的一端接入TDD切换信号，另一端连接栅压端，该电路可用于根据TDD切换信号对栅压端的栅压进行切换。
栅压端用于连接GaN HEMT的栅极管脚，为GaN HEMT的栅极提供对应的电压。应该注意的是，本申请实施例提供的GaN HEMT控制电路适应于TDD系统，栅压端可根据TDD切换信号的特性，为GaN HEMT提供对应的栅压，实现对GaN HEMT的快速开启与关断。
第一开关电路可用于控制或切换第二开关电路与第三开关电路的通断。第二开关电路可用于控制栅极电压源与栅压端之间的通断。第三开关电路可用于控制负电压电源端与栅压端之间的通断。
TDD切换信号可由信号收发电路或设备提供，可用于控制第一开关电路的通断，还可用于切换栅压端的电压。栅极电压源可由外部电源提供，可用于开启GaN HEMT，其电压大小可根据GaN HEMT的开启电压以及所处电路进行设置。负电压电源端的电压可由外部电源提供，该电源端产生的负电压的电压值远小于GaN HEMT的开启电压，可用于关断GaN HEMT。
基于上述结构，利用TDD上下行切换信号，控制GaN HEMT的栅极电压，可实现GaNHEMT的快速关断与开启，进而实现GaN HEMT的时分开启和关断。
在一个实施例中，第一开关电路为第一MOS管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)开关电路或第一三极管开关电路；第二开关电路为第二MOS管开关电路或第二三极管开关电路；第三开关电路为第三MOS管开关电路或第三三极管开关电路。
具体而言，第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路主要是作为开关使用，可根据实际电路的应用环境或需求，将上述开关电路设置为MOS管开关电路或三极管开关电路。
在一个实施例中，如图2所示，图2为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第二示意性结构图，第一MOS管开关电路包括PNP三极管以及第一N型MOS管；第二MOS管开关电路包括第一P型MOS管；第三MOS管开关电路包括第二N型MOS管。
PNP三极管的基极用于接入TDD切换信号；PNP三极管的发射极用于连接正电压电源端；PNP三极管的集电极连接第一N型MOS管的栅极，且用于连接负电压电源端。第一N型MOS管的源极用于连接负电压电源端，第一N型MOS管的漏极分别连接第一P型MOS管的栅极和第二N型MOS管的栅极。
第一P型MOS管的源极和栅极用于连接栅极电压源，第一P型MOS管的漏极连接栅压端。第二N型MOS管的源极用于连接负电压电源端，第二N型MOS管的漏极连接栅压端。
具体而言，PNP三极管的基极接入TDD切换信号，发射极连接正电压电源端，集电极分别连接第一N型MOS管的栅极以及负电压电源端。第一N型MOS管的源极连接负电压电源端，栅极分别连接PNP三极管的集电极和负电压电源端，漏极分别连接第一P型MOS管的栅极和第二N型MOS管的栅极。
第一P型MOS管的栅极和源极连接栅极电压源，漏极连接栅压端。第二N型MOS管的栅极连接栅极电压源，源极连接负电压电源端，漏极连接栅压端。
需要说明的是，基于上述结构，TDD切换信号可控制PNP三极管的通断，PNP三级管的通断可控制第一N型MOS管的通断。第一N型MOS管的通断可分别控制第一P型MOS管和第二N型MOS管的通断。第一P型MOS管导通时，可将栅极电压源接入到栅压端；第二N型MOS管导通时，可将负电压电源端接入到栅压端。正电压电源端的电压可由外部电源提供。
可选地，当TDD切换信号为高电平(以+5V为高电平举例)时，PNP三极管不导通，第一N型MOS管栅极电压为负电压(例如-5V)，第一N型MOS管不导通，第一P型MOS管、第二N型MOS管栅极电压为栅极电压源提供的电压信号，第一P型MOS管不导通、第二N型MOS管导通。此时，栅压端电压被第二N型MOS管下拉至负电压，从而使GaN HEMT关闭。
当TDD切换信号为低电平(以0V为低电平举例)时，PNP三极管导通，第一N型MOS管的栅极电压可为-0.7V(PNP三极管的UBE)，第一N型MOS管导通。此时，第一P型MOS管、第二N型MOS管的栅极电压迅速下拉至负电压，第一P型MOS管导通、第二N型MOS管截止。栅极电压源可通过第一P型MOS管连接到GaN HEMT的栅极，使GaN HEMT开启。
GaN HTMT的栅极是肖特基接触，随着输入功率或温度的变化，栅极泄露电流会发生大小、正负极性的变化，从而影响栅压的稳定。偏置电路需要能够在不同的栅极泄露电流情况下，都能提供稳定的栅极电压。
在一个实施例中，如图3所示，图3为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第二MOS管开关电路的结构示意图，第二MOS管开关电路还包括第一电阻和第二电阻。第一P型MOS管的源极通过第一电阻连接栅极电压源；第二电阻的第一端连接第一P型MOS管的漏极，第二电阻的第二端连接第一P型MOS管的源极。
具体而言，第一电阻的一端连接第一P型MOS管的源极，另一端连接栅极电压源。第二电阻的一端连接第一P型MOS管的漏极，另一端连接第一电阻的第二端，即，第二电阻的第一端连接栅压端，第二端连接栅极电压源。
需要说明的是，第一电阻和第一P型MOS管可组成低电阻支路；第二电阻与该低电阻支路并联，可形成高电阻支路。栅压切换电路“开”(即开启GaN HEMT)的时候，栅极电压源通过低电阻支路接入到GaN HEMT的栅极。低电阻支路可使GaN HEMT栅极管脚上的偏置电压基本不受GaN HEMT栅极泄露电流影响。栅压切换电路“关”(即关断GaN HEMT)的时候，GaNHEMT的栅极直接连接到负电压的电源端，GaN HEMT栅极管脚上的负电压远小于GaN HEMT的开启电压，使GaN HEMT处于关断状态。此时，栅极电压源不是通过低电阻支路，而是通过高电阻支路与GaN HEMT栅极管脚连接，可大大减小栅极电压源产生的电流。基于上述结构，本申请实施例可实现栅压稳定，不随栅极泄露电流变化而变化。
GaN HTMT是耗尽型器件，开启电压为负电压，所以上电时需要先提供栅压，再进行漏压偏置；下电时需要先关断漏压，再关断栅压。当上、下电栅、漏压的先后顺序任一不满足时，GaN HEMT就存在被大电流烧毁的危险，从而导致使用GaN HEMT的无线通信设备失效。
在一个实施例中，如图4所示，图4为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第三示意性结构图，还包括漏压开关电路，以及用于连接GaN HEMT的漏极管脚的漏压端；漏压开关电路的第一端连接栅压端，漏压开关电路的第二端用于连接漏极电压源，漏压开关电路的第三端连接漏压端。
具体而言，GaN HEMT控制电路还包括漏压开关电路和漏压端。漏压开关电路的第一端连接栅压端，第二端连接漏极电压源，第三端连接漏压端。
需要说明的是，栅压端可控制漏压开关电路的通断。具体地，在漏压开关电路导通时，可实现漏极电压源与漏压端之间的导通；在漏压开关电路截断时，可实现漏极电压源与漏压端之间的截断。
可选地，漏压开关电路中可设置一个作为门限的正常电压值，用于与栅压端的电压做比较。当栅压端的电压高于正常电压值时，漏压开关电路截断，漏压端的电压为零。当栅压端加载为正常电压值或低于正常电压值(处于TDD“关”状态时，即，指GaN HEMT关闭的状态)时，漏压开关电路导通，漏压端加载为漏极电压源。可实现GaN HEMT先加载栅压、后加载漏压的上电顺序。
在一个实施例中，漏压开关电路包括比较器、第三电阻、第四电阻、第三N型MOS管、第五电阻、第六电阻以及第二P型MOS管。
比较器的正相输入端通过第三电阻接地，且通过第四电阻连接负电压电源端；比较器的反相输入端连接栅压端，比较器的正电源端用于连接正电压电源端，比较器的负电源端用于连接负电压电源端；比较器的输出端连接第三N型MOS管的栅极；第三N型MOS管的源极接地，第三N型MOS管的漏极连接第五电阻的第一端；第五电阻的第二端分别连接第六电阻的第一端，以及第二P型MOS管的栅极；第六电阻的第二端用于连接漏极电压源；第二P型MOS管的栅极和源极用于连接漏极电压源，第二P型MOS管的漏极连接漏压端。
具体而言，比较器的正相输入端通过第三电阻接地，并通过第四电阻连接负电压电源端；比较器的反相输入端连接栅压端，正电源端连接正电压电源端，负电源端连接负电压电源端，输出端连接第三N型MOS管的栅极。第三N型MOS管的源极接地，漏极可通过第五电阻与第二P型MOS管的栅极相连。第二P型MOS管的栅极通过第六电阻连接漏极电压源，源极连接漏极电压源，漏极连接漏压端。第二P型MOS管需要栅源压差才能导通，第六电阻可实现该压差；第二P型MOS管栅源压差极限值一般为±20V，需要第五电阻来分压承担一部分电压。
需要说明的是，根据实际需求，选择合适的第三电阻和第四电阻的阻值，设置比较器正相输入端的电压，使该电压值稍大于栅极电压源提供的电压，但仍为负电压值。当栅压端的电压高于正相输入端的电压时，比较器输出低电平，第三N型MOS管截止，第二P型MOS管截止，漏压端的电压为零。当栅压端加载为栅极电压源提供的电压或低于栅极电压源提供的电压(处于TDD“关”状态时，即，指GaN HEMT关闭的状态)时，比较器输出高电平，第三N型MOS管导通、第二P型MOS管跟随导通，漏压端加载为漏极电源端提供的电压，能够实现GaNHEMT先加载栅压、后加载漏压的上电时序。
在一个实施例中，如图4所示，还包括第一电容组、第二电容组以及第三电容组。栅压端通过第一电容组接地；负电压电源端通过第二电容组接地；正电压电源端通过第三电容组接地。
具体而言，栅压端、负电压电源端以及正电压电源端分别通过对应的电容组接地。栅压切换电路和漏压开关电路都是低电流工作电路，同时，GaN HEMT正常开启时的漏源导通电阻都很小。所以，上述电容组的容值可根据实际需求来选择，使得外部电源变为0V时，上述电容组的储能能够维持栅压切换电路以及其他相关电路单元正常工作至GaN HEMT漏极通路上全部电容储能释放掉。从而实现先断开漏压、后断开栅压的下电时序。
需要说明的是，第一电容组可用于为栅压端储能；第二电容组可用于为负电压电源端储能；第三电容组可用于为正电压电源端储能。
第一电容组可与外围电路组成栅压偏置滤波电路，该栅压偏置滤波电路可连接在栅压端与GaN HEMT的栅极之间。
在一个实施例中，还包括第四电容组；漏压端通过第四电容组接地。
具体而言，第四电容组主要用于滤波。第四电容组可与外围电路组成漏压偏置滤波电路，该漏压偏置滤波电路可连接在漏压端与GaN HEMT的漏极之间。
上述电容组均可由多个电容并联组成，在此不做限制。
GaN HTMT的栅极是肖特基接触，随着输入功率或温度的变化，栅极泄露电流会发生大小、正负极性的变化，从而影响栅压的稳定，但随温度变化的栅压仍可直接由外部输入。
在一个实施例中，如图5所示，图5为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第四示意性结构图，还包括栅压产生电路。栅压产生电路的输入端用于连接栅极电压源，栅压产生电路的输出端连接第二开关电路的第二端。
具体而言，GaN HEMT控制电路还可包括栅压产生电路。栅压产生电路的输入端连接栅极电压源，输出端连接第二开关电路的第二端。
在一个具体的示例中，栅压产生电路的输出端可分别连接第一P型MOS管的栅极和第二N型MOS管的栅极。
需要说明的是，栅压产生电路可用于将栅极电压源转换为GaN HEMT需要的栅压。目前，市面主流GaN HEMT的正常工作栅压基本大于-5V。
在一个实施例中，栅压产生电路为反相电路、栅压温补电路、减法电路或模数转换电路。
具体而言，栅压产生电路形式实现多样，比如可以通过数模转换电路、反相电路或减法电路来实现。通过使用热敏电路、或晶体管等温度敏感器件，还可以构成栅压温补电路。
在一个实施例中，反相电路包括第一反相器以及第七电阻。第一反相器的反相输入端连接栅极电压源，并通过第七电阻连接第一反相器的输出端；第一反相器的正相输入端接地，第一反相器的输出端连接第二开关电路的第二端。
具体而言，第一反相器的反相输入端连接栅极电压源，并通过第七电阻连接第一反相器的输出端；第一反相器的正相输入端接地，输出端连接第二开关电路的第二端。
需要说明的是，栅极电压源为外部输入的正电压时，反相电路可将该正电压变为合适的栅压值。第一反相器可由运算放大器构成。
在一个实施例中，如图6所示，图6为一个实施例中GaN HEMT控制电路的栅压温补电路的结构示意图，栅压温补电路包括低通滤波器、热敏电阻以及第二反相器。低通滤波器的输入端用于接入PWM(Pulse Width Modulation，脉冲宽度调制)信号源，低通滤波器的输出端连接第二反相器的反相输入端；第二反相器的正相输入端接地；第二反相器的输出端连接第二开关电路的第二端，且通过热敏电阻连接第二反相器的反相输入端。
具体而言，低通滤波器的输入端接入PWM信号源。第二反相器的正相输入端接地，反相输入端连接低通滤波器的输出端；第二反相器的输出端连接第二开关电路的第二端，且通过热敏电阻连接第二反相器的反相输入端。该电路可以把外部输入的占空比信号(如PWM信号)转换为负的栅压电平。例如，在图6中，假设PWM的高电平为VH，低电平为0V，占空比为D，周期为T；则输出端的电压为：VGS＝-R5*VH*D/R4
需要说明的是，低通滤波器可为RC低通滤波器或其他滤波器，在此不做限制。
在一个实施例中，如图7所示，图7为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第五示意性结构图，还包括输入滤波电路、正电压电源电路以及负电压电源电路。输入滤波电路的输入端用于连接外部电源，输入滤波电路的输出端连接正电压电源电路的输入端；正电压电源电路的输出端分别连接正电压电源端以及负电压电源电路的输入端；负电压电源电路的输出端连接负电压电源端。
具体而言，GaN HEMT控制电路还可包括输入滤波电路、正电压电源电路以及负电压电源电路。输入滤波电路的输入端连接外部电源，输出端连接正电压电源电路的输入端，可为正电压电源电路供电。正电压电源电路的输出端分别连接正电压电源端以及负电压电源电路的输入端，可为正电压电源端以及负电压电源电路供电。负电压电源电路的输出端连接负电压电源端，可为负电压电源端供电。
需要说明的是，一般性，电路上会使用一些不同容值的电容、穿心电容、电感以及磁珠等惰性元件的组合，比如220uF+1uF+0.1uF，来实现输入电源滤波电路。可根据外部电源的质量来设定输入滤波电路。假如外部电源不足以影响系统整体性能，可不使用输入电源滤波电路或使用简单的滤波电路。
一般性，正电压电源电路的输出电压可为+5V或+3.3V，以便与逻辑控制电路电平一致。根据实际需求，可设计成其他的电压值。该电路的实现形式多样，可以直接使用线性稳压器(LDO：Low Dropout Regulator)来实现，也可以用开关电源来实现，如图8所示，图8为一个实施例中GaN HEMT控制电路的正电压电源电路的结构示意图，示例了一种开关电源产生低正电压的电路。
负电压电源电路可使用开关电容反相器来实现，也可使用开关电源电路来实现。负电压电源电路的输入端即可直接连接外部电源，也可连接正电压电源电路的输出端。如图9所示，图9为一个实施例中GaN HEMT控制电路的负电压电源电路的结构示意图，示例了一种直接使用外部电源通过开关电源电路产生负电压的电路。
在一个实施例中，外部电源分别连接栅压产生电路、栅压切换电路和漏压开关电路。直接由外部电源给栅压产生电路、栅压切换电路以及漏压开关电路供电，此时，可使用合适的分压电路来实现各节点所需的电压值。
在一个实施例中，如图10所示，图10为一个实施例中GaN HEMT控制电路的第六示意性结构图，外部电源通过输入滤波电路后，由正电压电源电路产生一个低的正电压，由负电压电源电路产生一个负电压。外部电源以及产生的正电压和负电压可分别供栅压产生电路、栅压切换电路以及漏压开关电路使用。栅压通过栅压偏置滤波电路栅极，漏压通过漏压偏置滤波电路后加载到GaN HEMT的漏极。
在一个具体的示例中，如图10所示，TDD切换信号为TDD_Switch；GaN HEMT为U6。外部电源输出的电压为VEXT；正电压电源端的电压为Vcc；负电压电源端的电压为Vss；栅极电压源的电压为Vgs0；栅压端的电压为VGS；漏压端的电压为VDD；比较器正相输入端的电压为Vth；栅压产生电路输出的电压为Vgs1。PNP三极管为Q2；第一N型MOS管为Q6；第一P型MOS管为Q1；第二N型MOS管为Q3；第三N型MOS管为Q4；第二P型MOS管为Q5；比较器为U1A；第一反相器为U1B。第一电容组包括电容C12和电容C13；第二电容组包括电容C1、电容C6和电容C7；第三电容组包括电容C4、电容C5和电容C8。第一电阻为R19，第二电阻为R8，第三电阻为R10，第四电阻为R15，第五电阻为R17，第六电阻为R18，第七电阻为R3。
外部输入的电压VEXT经过C14、C16后，一路输出至U3，由U3产生+5V的Vcc。Vcc连接到U2，产生-5V的Vss电压。外部输入的正电压Vgs0，通过U1B构成的反相器后，变为正常的栅压值Vgs1。
选择合适的R10、R15阻值，设置Vth比较门限值稍大于正常VGS值(即Vgs1)，但仍为负电压值。当VGS高于正常电压值时，U1A比较器输出低电平，Q4NMOS管截止，Q5PMOS管截止，漏压VDD为零。当VGS加载为正常电压值或低于正常电压值(处于TDD“关”状态时，即，指GaNHEMT关闭的状态)时，U1A比较器输出高电平，Q4NMOS管导通、使Q5PMOS管跟随导通，从而VDD加载为VEXT。由此分析可知，实现了GaN HEMT先加载栅压、后加载漏压的上电顺序。
当下电VEXT变为0V时，因栅压产生电路、栅压切换电路和漏压开关电路都是低电流工作电路，而GaN HEMT正常开启时的漏源导通电阻都很小，所以，可以很容易地选取到合适的C1、C4、C5、C6、C7、C8、C12或C13的容值，使这些电容的储能能够维持栅压产生电路、栅压切换电路、漏压开关电路正常工作至GaN HEMT漏极通路上全部电容储能释放掉。从而实现先关漏压、后关栅压的下电时序。
当TDD_Switch为高电平时(以+5V为高电平举例)，Q2PNP三极管不导通，Q6NMOS管栅极电压为VSS，Q6NMOS管不导通，Q1PMOS管、Q3NMOS管栅极电压为Vgs1，所以Q1PMOS管不导通，Q3NMOS管导通。此时VGS电压被Q3NMOS管下拉至VSS(-5V)，从而使U6GaN HEMT关闭。
当TDD_Switch为低电平0V时，Q2PNP三极管导通，Q6NMOS管栅极电压约为-0.7V(Q2PNP三极管UBE)，使Q6NMOS管导通。Q6NMOS管的导通，使Q1PMOS管、Q3NMOS管栅极电压迅速下拉至VSS，导致Q1PMOS管导通，Q3NMOS管截止。Vgs1通过R19、Q1PMOS管组成的低电阻支路连接到栅极偏置滤波电路以及U6GaN HEMT栅极，从而使VGS＝Vgs1，U6GaN HEMT开启。
应该注意的是，Q2、Q3、Q6仅是作为开关管使用，故Q2、Q3、Q6可以随意选择场效应管或晶体管。即，Q2可选PMOS管或PNP晶体管，Q3和Q6可选NMOS管或NPN晶体管。
本申请实施例，TDD切换信号可控制第一开关电路的通断，第一开关电路的通断可分别控制第二开关电路和第三开关电路的通断，能够切换栅压端的电压；基于上述结构，可利用TDD上下行切换信号，控制GaN HEMT的栅极电压，进而实现GaN HEMT的快速关断与开启。并且，可实现栅压稳定，栅压不随栅极泄露电流变化而变化；进一步地，还可自动实现上、掉电时序控制。
在一个实施例中，提供一种设备，包括GaN HEMT，以及如上述的GaN HEMT控制电路；GaN HEMT控制电路连接GaN HEMT。
具体而言，GaN HEMT控制电路可利用TDD上下行切换信号，控制GaN HEMT的栅极电压，实现GaN HEMT的快速关断与开启。
在一个实施例中，包括GaN HEMT以及栅压切换电路。
栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路；第一开关电路的第一端用于接入TDD切换信号，第一开关电路的第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端；第二开关电路的第二端用于连接栅极电压源，第二开关电路的第三端连接GaN HEMT的栅极管脚；第三开关电路的第二端用于连接负电压电源端，第三开关电路的第三端连接GaN HEMT的栅极管脚。
在一个实施例中，第一开关电路为第一MOS管开关电路或第一三极管开关电路；第二开关电路为第二MOS管开关电路或第二三极管开关电路；第三开关电路为第三MOS管开关电路或第三三极管开关电路。
在一个实施例中，第一MOS管开关电路包括PNP三极管以及第一N型MOS管；第二MOS管开关电路包括第一P型MOS管；第三MOS管开关电路包括第二N型MOS管。
PNP三极管的基极用于接入TDD切换信号；PNP三极管的发射极用于连接正电压电源端；PNP三极管的集电极连接第一N型MOS管的栅极，且用于连接负电压电源端。
第一N型MOS管的源极用于连接负电压电源端，第一N型MOS管的漏极分别连接第一P型MOS管的栅极和第二N型MOS管的栅极；第一P型MOS管的源极和栅极用于连接栅极电压源，第一P型MOS管的漏极连接GaN HEMT的栅极管脚；第二N型MOS管的源极用于连接负电压电源端，第二N型MOS管的漏极连接GaN HEMT的栅极管脚。
在一个实施例中，第二MOS管开关电路还包括第一电阻和第二电阻。第一P型MOS管的源极通过第一电阻连接栅极电压源；第二电阻的第一端连接第一P型MOS管的漏极，第二电阻的第二端连接第一P型MOS管的源极。
在一个实施例中，还包括漏压开关电路。漏压开关电路的第一端连接GaN HEMT的栅极管脚，漏压开关电路的第二端用于连接漏极电压源，漏压开关电路的第三端连接GaNHEMT的漏极管脚。
在一个实施例中，漏压开关电路包括比较器、第三电阻、第四电阻、第三N型MOS管、第五电阻、第六电阻以及第二P型MOS管。比较器的正相输入端通过第三电阻接地，且通过第四电阻连接负电压电源端；比较器的反相输入端连接GaN HEMT的栅极管脚，比较器的正电源端用于连接正电压电源端，比较器的负电源端用于连接负电压电源端；比较器的输出端连接第三N型MOS管的栅极。
第三N型MOS管的源极接地，第三N型MOS管的漏极连接第五电阻的第一端；第五电阻的第二端分别连接第六电阻的第一端，以及第二P型MOS管的栅极；第六电阻的第二端用于连接漏极电压源；第二P型MOS管的栅极和源极用于连接漏极电压源，第二P型MOS管的漏极连接GaN HEMT的漏极管脚。
在一个实施例中，还包括第一电容组、第二电容组以及第三电容组。GaN HEMT的栅极管脚通过第一电容组接地；负电压电源端通过第二电容组接地；正电压电源端通过第三电容组接地。
在一个实施例中，还包括栅压产生电路。栅压产生电路的输入端用于连接栅极电压源，栅压产生电路的输出端连接第二开关电路的第二端。
在一个实施例中，栅压产生电路为反相电路、栅压温补电路、减法电路或模数转换电路。
在一个实施例中，反相电路包括第一反相器以及第七电阻。第一反相器的反相输入端连接栅极电压源，并通过第七电阻连接第一反相器的输出端；第一反相器的正相输入端接地，第一反相器的输出端连接第二开关电路的第二端；
栅压温补电路包括低通滤波器、热敏电阻以及第二反相器。低通滤波器的输入端用于接入PWM信号源，低通滤波器的输出端连接第二反相器的反相输入端；第二反相器的正相输入端接地；第二反相器的输出端连接第二开关电路的第二端，且通过热敏电阻连接第二反相器的反相输入端。
本申请实施例提供的设备可为通信设备、接入设备或网络设备等。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种GaN HEMT控制电路，其特征在于，包括栅压切换电路，以及用于连接GaN HEMT的栅极管脚的栅压端；
所述栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路；
所述第一开关电路的第一端用于接入TDD切换信号，所述第一开关电路的第二端分别连接所述第二开关电路的第一端和所述第三开关电路的第一端；
所述第二开关电路的第二端用于连接栅极电压源，所述第二开关电路的第三端连接所述栅压端；
所述第三开关电路的第二端用于连接负电压电源端，所述第三开关电路的第三端连接所述栅压端。
2.根据权利要求1所述的GaN HEMT控制电路，其特征在于，所述第一开关电路为第一MOS管开关电路或第一三极管开关电路；
所述第二开关电路为第二MOS管开关电路或第二三极管开关电路；
所述第三开关电路为第三MOS管开关电路或第三三极管开关电路。
3.根据权利要求2所述的GaN HEMT控制电路，其特征在于，所述第一MOS管开关电路包括PNP三极管以及第一N型MOS管；所述第二MOS管开关电路包括第一P型MOS管；所述第三MOS管开关电路包括第二N型MOS管；
所述PNP三极管的基极用于接入所述TDD切换信号；所述PNP三极管的发射极用于连接正电压电源端；所述PNP三极管的集电极连接所述第一N型MOS管的栅极，且用于连接所述负电压电源端；
所述第一N型MOS管的源极用于连接所述负电压电源端，所述第一N型MOS管的漏极分别连接所述第一P型MOS管的栅极和所述第二N型MOS管的栅极；
所述第一P型MOS管的源极和栅极用于连接所述栅极电压源，所述第一P型MOS管的漏极连接所述栅压端；
所述第二N型MOS管的源极用于连接所述负电压电源端，所述第二N型MOS管的漏极连接所述栅压端。
4.根据权利要求3所述的GaN HEMT控制电路，其特征在于，所述第二MOS管开关电路还包括第一电阻和第二电阻；
所述第一P型MOS管的源极通过所述第一电阻连接所述栅极电压源；
所述第二电阻的第一端连接所述第一P型MOS管的漏极，所述第二电阻的第二端连接所述第一P型MOS管的源极。
5.根据权利要求3所述的GaN HEMT控制电路，其特征在于，还包括漏压开关电路，以及用于连接所述GaN HEMT的漏极管脚的漏压端；
所述漏压开关电路的第一端连接所述栅压端，所述漏压开关电路的第二端用于连接漏极电压源，所述漏压开关电路的第三端连接所述漏压端。
6.根据权利要求5所述的GaN HEMT控制电路，其特征在于，所述漏压开关电路包括比较器、第三电阻、第四电阻、第三N型MOS管、第五电阻、第六电阻以及第二P型MOS管；
所述比较器的正相输入端通过所述第三电阻接地，且通过所述第四电阻连接所述负电压电源端；所述比较器的反相输入端连接所述栅压端，所述比较器的正电源端用于连接正电压电源端，所述比较器的负电源端用于连接所述负电压电源端；所述比较器的输出端连接所述第三N型MOS管的栅极；
所述第三N型MOS管的源极接地，所述第三N型MOS管的漏极连接所述第五电阻的第一端；所述第五电阻的第二端分别连接所述第六电阻的第一端，以及所述第二P型MOS管的栅极；所述第六电阻的第二端用于连接所述漏极电压源；所述第二P型MOS管的栅极和源极用于连接所述漏极电压源，所述第二P型MOS管的漏极连接所述漏压端。
7.根据权利要求3所述的GaN HEMT控制电路，其特征在于，还包括第一电容组、第二电容组以及第三电容组；
所述栅压端通过所述第一电容组接地；所述负电压电源端通过所述第二电容组接地；所述正电压电源端通过所述第三电容组接地。
8.根据权利要求1至7任意一项所述的GaN HEMT控制电路，其特征在于，还包括栅压产生电路；
所述栅压产生电路的输入端用于连接栅极电压源，所述栅压产生电路的输出端连接所述第二开关电路的第二端。
9.根据权利要求8所述的GaN HEMT控制电路，其特征在于，所述栅压产生电路为反相电路、栅压温补电路、减法电路或模数转换电路。
10.根据权利要求9所述的GaN HEMT控制电路，其特征在于，所述反相电路包括第一反相器以及第七电阻；
所述第一反相器的反相输入端连接所述栅极电压源，并通过所述第七电阻连接所述第一反相器的输出端；所述第一反相器的正相输入端接地，所述第一反相器的输出端连接所述第二开关电路的第二端；
所述栅压温补电路包括低通滤波器、热敏电阻以及第二反相器；
所述低通滤波器的输入端用于接入PWM信号源，所述低通滤波器的输出端连接所述第二反相器的反相输入端；所述第二反相器的正相输入端接地；所述第二反相器的输出端连接所述第二开关电路的第二端，且通过所述热敏电阻连接所述第二反相器的反相输入端。
CN201811230522.5A 2018-10-22 2018-10-22 GaN HEMT控制电路 Active CN109462388B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811230522.5A CN109462388B (zh) 2018-10-22 2018-10-22 GaN HEMT控制电路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811230522.5A CN109462388B (zh) 2018-10-22 2018-10-22 GaN HEMT控制电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109462388A true CN109462388A (zh) 2019-03-12
CN109462388B CN109462388B (zh) 2022-08-19

Family

ID=65608103

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811230522.5A Active CN109462388B (zh) 2018-10-22 2018-10-22 GaN HEMT控制电路

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109462388B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110085581A (zh) * 2019-05-30 2019-08-02 广东美的制冷设备有限公司 高集成智能功率模块及空调器
CN110138249A (zh) * 2019-05-30 2019-08-16 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块及空调器
CN110148594A (zh) * 2019-05-30 2019-08-20 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块及空调器
CN111146770A (zh) * 2019-12-31 2020-05-12 三维通信股份有限公司 GaN功率器件的保护电路
CN111628760A (zh) * 2020-06-12 2020-09-04 深圳国人无线通信有限公司 一种栅压切换装置
CN112532184A (zh) * 2020-12-03 2021-03-19 深圳国人无线通信有限公司 一种功放栅压切换装置

Citations (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040004404A1 (en) * 2000-12-18 2004-01-08 Siemens Aktiengesellschaft Electronic power circuit
CN200990591Y (zh) * 2006-10-23 2007-12-12 京信通信技术(广州)有限公司 一种tdd系统内射频放大器件的切换电路
US20090011720A1 (en) * 2004-10-08 2009-01-08 Yoshifumi Hosokawa Bidirectional Frequency Converter and Radio Equipment Using Same
CN101420055A (zh) * 2007-10-24 2009-04-29 中国科学院微电子研究所 一种基于e phemt的单刀双掷开关
CN101860331A (zh) * 2010-03-04 2010-10-13 京信通信系统（中国）有限公司 一种tdd射频放大器栅压控制电路
CN201623690U (zh) * 2010-03-04 2010-11-03 京信通信系统（中国）有限公司 一种tdd射频放大器栅压控制电路
US20120313709A1 (en) * 2010-03-25 2012-12-13 Lloyd Lautzenhiser Method and system for providing automatic gate bias and bias sequencing for field effect transistors
CN202696454U (zh) * 2011-06-27 2013-01-23 三垦电气株式会社 栅极驱动电路
US20130214824A1 (en) * 2012-02-22 2013-08-22 Denso Corporation Driving circuit
CN203608161U (zh) * 2013-11-28 2014-05-21 京信通信系统（中国）有限公司 一种td-lte射频功率放大器
CN104038207A (zh) * 2014-05-30 2014-09-10 华为技术有限公司 一种切换电路及电子设备
CN204068873U (zh) * 2014-05-21 2014-12-31 京信通信系统（中国）有限公司 正负栅压功放管供电控制系统及正负栅压功放系统
US20150200661A1 (en) * 2014-01-10 2015-07-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Driving method and driving circuit for power switching device
CN105048969A (zh) * 2015-07-15 2015-11-11 京信通信系统（中国）有限公司 GaN HEMT偏置电路
CN105187039A (zh) * 2015-09-18 2015-12-23 东南大学 一种cmos栅压自举开关电路
US20160072397A1 (en) * 2014-09-08 2016-03-10 Infineon Technologies Austria Ag Multi-cell power conversion method and multi-cell power converter
CN205356134U (zh) * 2015-12-25 2016-06-29 北京迪赛奇正科技有限公司 有源吸收驱动电路以及开关电源
US20160373106A1 (en) * 2015-06-16 2016-12-22 Tagore Technology, Inc. High performance radio frequency switch
CN206432960U (zh) * 2016-12-27 2017-08-22 江苏博普电子科技有限责任公司 一种GaN微波功率放大器保护电路
CN107222177A (zh) * 2017-05-08 2017-09-29 西安电子工程研究所 一种放大器漏极电源电压切换电路
CN107528553A (zh) * 2017-06-28 2017-12-29 中国电子科技集团公司第七研究所 一种GaN功放管偏置保护电路
CN107968552A (zh) * 2017-12-29 2018-04-27 电子科技大学 一种用于开关电源的浮动栅电压驱动电路
US20180191338A1 (en) * 2017-01-03 2018-07-05 General Electric Comapny Systems and methods for a gate drive circuit
CN108494234A (zh) * 2018-04-09 2018-09-04 电子科技大学 适用于GaN高速栅驱动电路的浮动电源轨

Patent Citations (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040004404A1 (en) * 2000-12-18 2004-01-08 Siemens Aktiengesellschaft Electronic power circuit
US20090011720A1 (en) * 2004-10-08 2009-01-08 Yoshifumi Hosokawa Bidirectional Frequency Converter and Radio Equipment Using Same
CN200990591Y (zh) * 2006-10-23 2007-12-12 京信通信技术(广州)有限公司 一种tdd系统内射频放大器件的切换电路
CN101420055A (zh) * 2007-10-24 2009-04-29 中国科学院微电子研究所 一种基于e phemt的单刀双掷开关
CN101860331A (zh) * 2010-03-04 2010-10-13 京信通信系统（中国）有限公司 一种tdd射频放大器栅压控制电路
CN201623690U (zh) * 2010-03-04 2010-11-03 京信通信系统（中国）有限公司 一种tdd射频放大器栅压控制电路
US20120313709A1 (en) * 2010-03-25 2012-12-13 Lloyd Lautzenhiser Method and system for providing automatic gate bias and bias sequencing for field effect transistors
CN202696454U (zh) * 2011-06-27 2013-01-23 三垦电气株式会社 栅极驱动电路
US20130214824A1 (en) * 2012-02-22 2013-08-22 Denso Corporation Driving circuit
CN203608161U (zh) * 2013-11-28 2014-05-21 京信通信系统（中国）有限公司 一种td-lte射频功率放大器
US20150200661A1 (en) * 2014-01-10 2015-07-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Driving method and driving circuit for power switching device
CN204068873U (zh) * 2014-05-21 2014-12-31 京信通信系统（中国）有限公司 正负栅压功放管供电控制系统及正负栅压功放系统
CN104038207A (zh) * 2014-05-30 2014-09-10 华为技术有限公司 一种切换电路及电子设备
US20160072397A1 (en) * 2014-09-08 2016-03-10 Infineon Technologies Austria Ag Multi-cell power conversion method and multi-cell power converter
US20160373106A1 (en) * 2015-06-16 2016-12-22 Tagore Technology, Inc. High performance radio frequency switch
CN105048969A (zh) * 2015-07-15 2015-11-11 京信通信系统（中国）有限公司 GaN HEMT偏置电路
CN105187039A (zh) * 2015-09-18 2015-12-23 东南大学 一种cmos栅压自举开关电路
CN205356134U (zh) * 2015-12-25 2016-06-29 北京迪赛奇正科技有限公司 有源吸收驱动电路以及开关电源
CN206432960U (zh) * 2016-12-27 2017-08-22 江苏博普电子科技有限责任公司 一种GaN微波功率放大器保护电路
US20180191338A1 (en) * 2017-01-03 2018-07-05 General Electric Comapny Systems and methods for a gate drive circuit
CN107222177A (zh) * 2017-05-08 2017-09-29 西安电子工程研究所 一种放大器漏极电源电压切换电路
CN107528553A (zh) * 2017-06-28 2017-12-29 中国电子科技集团公司第七研究所 一种GaN功放管偏置保护电路
CN107968552A (zh) * 2017-12-29 2018-04-27 电子科技大学 一种用于开关电源的浮动栅电压驱动电路
CN108494234A (zh) * 2018-04-09 2018-09-04 电子科技大学 适用于GaN高速栅驱动电路的浮动电源轨

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
XIAO-HU YIN: "Research on Driving Technology of GaN HEMT and Application", 《2016 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPUTER, CONSUMER AND CONTROL (IS3C)》 *
黄海清: "SiC双极型功率半导体器件的驱动电路研究", 《中国优秀博硕士学位论文全文数据库(硕士)信息科技辑》 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110085581A (zh) * 2019-05-30 2019-08-02 广东美的制冷设备有限公司 高集成智能功率模块及空调器
CN110138249A (zh) * 2019-05-30 2019-08-16 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块及空调器
CN110148594A (zh) * 2019-05-30 2019-08-20 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块及空调器
CN110148594B (zh) * 2019-05-30 2021-05-25 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块及空调器
CN110085581B (zh) * 2019-05-30 2024-03-29 广东美的制冷设备有限公司 高集成智能功率模块及空调器
CN111146770A (zh) * 2019-12-31 2020-05-12 三维通信股份有限公司 GaN功率器件的保护电路
WO2021136221A1 (zh) * 2019-12-31 2021-07-08 三维通信股份有限公司 GaN功率器件的保护电路
CN111628760A (zh) * 2020-06-12 2020-09-04 深圳国人无线通信有限公司 一种栅压切换装置
CN111628760B (zh) * 2020-06-12 2023-05-26 深圳国人无线通信有限公司 一种栅压切换装置
CN112532184A (zh) * 2020-12-03 2021-03-19 深圳国人无线通信有限公司 一种功放栅压切换装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109462388B (zh) 2022-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109462388A (zh) GaN HEMT控制电路
CN208820796U (zh) 基于tdd系统的设备
CN206460351U (zh) 低压差电压调节器单元、电子设备及兼容usb c型标准的控制器
CN105048969B (zh) GaN HEMT偏置电路
CN105549673B (zh) 双模切换式ldo电路
CN107943182B (zh) 带隙基准源启动电路
CN107979363A (zh) 开关机电路及电子设备
CN109768789B (zh) GaN HEMT漏极控制电路及设备
CN105099173B (zh) 充电泵
CN112558674B (zh) 一种模拟量电流输出系统
CN203933395U (zh) 低功耗直流-直流转换器
CN105391402A (zh) 振荡器电路
CN208835729U (zh) 一种具有防反接功能的电源转换电路、集成电路
CN107947556A (zh) 一种开关电源启动电路
CN100557961C (zh) 一种具有可变增益放大器的电子电路
CN107422773B (zh) 数字低压差稳压器
CN202632149U (zh) 用于转换电压信号的装置
US20220147084A1 (en) Voltage regulator
CN110034732A (zh) 低噪声参考信号生成方法和电路
CN108900081A (zh) 一种控制负压输出的电路
CN205544931U (zh) 衬底偏置电路、倍压器以及包含所述倍压器的系统
CN114578892A (zh) 一种线性稳压电路
CN208367565U (zh) 频率补偿电路和频率控制电路
CN209692618U (zh) 转换器控制电路及芯片
CN207573236U (zh) 一种开关电源启动电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20200108

Address after: 510663 Shenzhou Road 10, Guangzhou Science City, Guangzhou economic and Technological Development Zone, Guangzhou, Guangdong

Applicant after: COMBA TELECOM SYSTEMS (CHINA) Ltd.

Address before: 510663 Shenzhou Road 10, Guangzhou Science City, Guangzhou economic and Technological Development Zone, Guangzhou, Guangdong

Applicant before: COMBA TELECOM SYSTEMS (CHINA) Ltd.

Applicant before: COMBA TELECOM SYSTEMS (GUANGZHOU) Ltd.

Applicant before: COMBA TELECOM TECHNOLOGY (GUANGZHOU) Ltd.

Applicant before: TIANJIN COMBA TELECOM SYSTEMS Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
CB02 Change of applicant information

Address after: 510663 Shenzhou Road 10, Guangzhou Science City, Guangzhou economic and Technological Development Zone, Guangzhou, Guangdong

Applicant after: Jingxin Network System Co.,Ltd.

Address before: 510663 Shenzhou Road 10, Guangzhou Science City, Guangzhou economic and Technological Development Zone, Guangzhou, Guangdong

Applicant before: COMBA TELECOM SYSTEMS (CHINA) Ltd.

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant