CN109427581A - 一种大功率整流管芯的制造方法 - Google Patents
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- CN109427581A CN109427581A CN201710765588.3A CN201710765588A CN109427581A CN 109427581 A CN109427581 A CN 109427581A CN 201710765588 A CN201710765588 A CN 201710765588A CN 109427581 A CN109427581 A CN 109427581A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 77
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims abstract description 49
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 34
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 17
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 189
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 22
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 34
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 abstract 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 11
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 10
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种大功率整流管芯的制造方法，包括：铝杂质扩散步骤、第一化学腐蚀步骤、第一氧化步骤、第二化学腐蚀步骤、磷杂质扩散步骤、第二氧化步骤、第三化学腐蚀步骤和硼杂质扩散步骤。在第一化学腐蚀步骤中，对通过铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的铝杂质并保留阳极面的铝杂质。在第二化学腐蚀步骤中，对通过第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的氧化层并保留阳极面的氧化层。在第三化学腐蚀步骤中，对通过第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阳极面的氧化层并保留阴极面的氧化层。采用本发明可缩短三天的工艺时间，节省大量人力物力，降低环境污染，避免光刻胶脱落对芯片质量的影响。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种大功率整流管芯的制造方法。
背景技术
大功率整流管芯由于在工作过程中通过的电流极大，极少量的缺陷就可能造成器件的失效。图1为现有的大功率整流管芯的定向掺杂工艺流程图。如图1所示，包括：铝杂质扩散步骤S101，对N型晶圆片101的阳极面和阴极面进行铝杂质扩散；机械研磨步骤S102，对通过铝杂质扩散步骤S101得到的晶圆片102的阴极面进行机械研磨；第一氧化步骤S103，对通过机械研磨步骤S102得到的晶圆片103的阳极面和阴极面进行氧化；第一光刻步骤S104，对通过第一氧化步骤S103得到的晶圆片104的阳极面进行光刻胶保护；第一化学腐蚀步骤S105，对通过第一光刻步骤S104得到的晶圆片105进行化学腐蚀；磷杂质扩散步骤S106，对通过第一化学腐蚀步骤S105得到的晶圆片106的阴极面进行磷杂质扩散，并去除阳极面的氧化层；第二氧化步骤S107，对通过磷杂质扩散步骤S106得到的晶圆片107的阳极面和阴极面进行氧化；第二光刻步骤S108，对通过第二氧化步骤S107得到的晶圆片108的阴极面进行光刻胶保护；第二化学腐蚀步骤S109，对通过第二光刻步骤S108得到的晶圆片109进行化学腐蚀；硼杂质扩散步骤S110，对通过第二化学腐蚀步骤S109得到的晶圆片110的阳极面进行硼杂质扩散，并去除阴极面的氧化层，得到大功率整流管芯111。
在图1的机械研磨步骤中，采用机械研磨的方法来去除晶圆片阴极面的铝杂质并保留阳极面的铝杂质，容易造成研磨面存在缺陷，降低管芯的阻断电压值，甚至失效。
为了解决上述问题，如图2所示，将机械研磨步骤S102替换为光刻步骤S102a和化学腐蚀步骤S102b。光刻步骤102a，对通过铝杂质扩散步骤S101得到的晶圆片102的阳极面进行光刻胶保护；化学腐蚀步骤S102b，对通过光刻步骤S102a得到的晶圆片103a进行化学腐蚀，得到晶圆片104。
对于图2中的光刻步骤S102a和化学腐蚀步骤S102b，需在阳极面涂覆光刻胶，然后进行化学腐蚀，去除阴极面的P型层。该方法增加光刻工艺，光刻工艺较为繁琐，增加管芯生产周期和生产成本。另阳极面需腐蚀5到10微米的厚度，现使用的光刻胶存在脱落的风险，可能会导致阳极面的P型层被腐蚀或者脱落的胶丝粘附在阴极面导致阴极面的P型层未完全去除干净。
对于图1和图2中的第一光刻步骤S104和第一化学腐蚀步骤S105，使用光刻胶保护阳极面的氧化层，再通过化学腐蚀去除阴极面的氧化层。该方法光刻工艺繁琐，且耗费较多人力物力成本，对环境不友好。另现使用的光刻胶存在脱落的风险，导致阳极面的氧化层被腐蚀或脱落的胶丝粘附在阴极面导致阴极面的氧化层未去除干净。
对于图1和图2中的第二光刻步骤S108和第二化学腐蚀步骤S109，使用光刻胶保护阴极面的氧化层，再通过化学腐蚀去除阳极面的氧化层。该方法光刻工艺繁琐，且耗费较多人力物力成本，对环境不友好。另现使用的光刻胶存在脱落的风险，导致阴极面的氧化层被腐蚀或脱落的胶丝粘附在阴极面导致阳极面的氧化层未去除干净。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种大功率整流管芯的制造方法，包括以下步骤：
铝杂质扩散步骤，对N型晶圆片的阳极面和阴极面进行铝杂质扩散；
第一化学腐蚀步骤，对通过所述铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除该晶圆片阴极面的铝杂质并保留该晶圆片阳极面的铝杂质；
第一氧化步骤，对通过所述第一化学腐蚀步骤得到的晶圆片的阳极面和阴极面进行氧化；
第二化学腐蚀步骤，对通过所述第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除该晶圆片阴极面的氧化层并保留该晶圆片阳极面的氧化层；
磷杂质扩散步骤，对通过所述第二化学腐蚀步骤得到的晶圆片的阴极面进行磷杂质扩散，并在所述磷杂质扩散后去除该晶圆片阳极面的氧化层；
第二氧化步骤，对通过所述磷杂质扩散步骤得到的晶圆片的阳极面和阴极面进行氧化；
第三化学腐蚀步骤，对通过所述第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除该晶圆片阳极面的氧化层并保留该晶圆片阴极面的氧化层；
硼杂质扩散步骤，对通过所述第三化学腐蚀步骤得到的晶圆片的阳极面进行硼杂质扩散，并在所述硼杂质扩散后去除该晶圆片阴极面的氧化层，得到大功率整流管芯。
在一个实施例中，所述第一化学腐蚀步骤包括以下子步骤：
第一贴紧子步骤，将两片通过所述铝杂质扩散步骤得到的晶圆片的阳极面贴紧；
第一放置子步骤，将贴紧的两个晶圆片放置于刻蚀装置的两个夹片环之间；
第一夹紧子步骤，利用所述刻蚀装置的夹具夹紧所述夹片环，以使所述夹片环中的两个所述晶圆片进一步贴紧；
第一腐蚀子步骤，将夹紧的内置有两个所述晶圆片的所述夹片环放置于腐蚀液中进行化学腐蚀，以去除晶圆片阴极面的铝杂质并保留晶圆片阳极面的铝杂质。
在一个实施例中，所述第一腐蚀子步骤中，腐蚀液通过所述夹片环的进液槽注入所述夹片环，对所述夹片环中的两个所述晶圆片进行化学腐蚀，以去除晶圆片阴极面的铝杂质并保留晶圆片阳极面的铝杂质。
在一个实施例中，所述第一贴紧子步骤中，将两个通过所述铝杂质扩散步骤得到的晶圆片的阳极面贴在一起后浸水，以便利用水的张力使两个所述晶圆片贴紧。
在一个实施例中，所述第二化学腐蚀步骤包括以下子步骤：
第二贴紧子步骤，将两片通过所述第一氧化步骤得到的晶圆片的阳极面贴紧；
第二放置子步骤，将贴紧的两个晶圆片放置于刻蚀装置的两个夹片环之间；
第二夹紧子步骤，利用所述刻蚀装置的夹具夹紧所述夹片环，以使所述夹片环中的两个所述晶圆片进一步贴紧；
第二腐蚀子步骤，将夹紧的内置有两个所述晶圆片的所述夹片环放置于腐蚀液中进行化学腐蚀，以去除晶圆片阴极面的氧化层并保留晶圆片阳极面的氧化层。
在一个实施例中，所述第二腐蚀子步骤中，腐蚀液通过所述夹片环的进液槽注入所述夹片环，对所述夹片环中的两个所述晶圆片进行化学腐蚀，以去除晶圆片阴极面的氧化层并保留晶圆片阳极面的氧化层。
在一个实施例中，所述第二贴紧子步骤中，将两个通过所述第一氧化步骤得到的晶圆片的阳极面贴在一起后浸水，以便利用水的张力使两个所述晶圆片贴紧。
在一个实施例中，所述第三化学腐蚀步骤包括以下子步骤：
第三贴紧子步骤，将两片通过所述第二氧化步骤得到的晶圆片的阳极面贴紧；
第三放置子步骤，将贴紧的两个晶圆片放置于刻蚀装置的两个夹片环之间；
第三夹紧子步骤，利用所述刻蚀装置的夹具夹紧所述夹片环，以使所述夹片环中的两个所述晶圆片进一步贴紧；
第三腐蚀子步骤，将夹紧的内置有两个所述晶圆片的所述夹片环放置于腐蚀液中进行化学腐蚀，以去除晶圆片阳极面的氧化层并保留晶圆片阴极面的氧化层。
在一个实施例中，所述第三腐蚀子步骤中，腐蚀液通过所述夹片环的进液槽注入所述夹片环，对所述夹片环中的两个所述晶圆片进行化学腐蚀，以去除晶圆片阳极面的氧化层并保留晶圆片阴极面的氧化层。
在一个实施例中，所述第三贴紧子步骤中，将两个通过所述第二氧化步骤得到的晶圆片的阳极面贴在一起后浸水，以便利用水的张力使两个所述晶圆片贴紧。
与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：
1、采用本发明的大功率整流管芯的制造方法，省去了现有的大功率整流管芯的制造工艺流程中的两道或三道光刻工艺，可缩短三天的工艺时间，节省大量人力、物力，降低对环境的污染。同时避免光刻胶脱落对芯片质量的影响。
2、在铝杂质扩散后仅通过化学腐蚀来去除晶圆片阴极面的铝杂质并保留晶圆片阳极面的铝杂质，一方面，无需复杂机械来进行机械研磨，不会引入机械损伤；另一方面，无需光刻工艺，有效降低生产周期，节省人力、物力，降低对环境的污染，同时避免了光刻胶脱落带来的各种问题(例如，阳极面的P型层被腐蚀，脱落的胶丝粘附在阴极面导致阴极面的P型层未完全去除干净等)，降低管芯生产成本。
3、在磷杂质扩散前仅通过化学腐蚀来去除晶圆片阴极面的氧化层并保留晶圆片阳极面的氧化层，无需光刻工艺，有效降低生产周期，节省人力、物力，降低对环境的污染，同时避免了光刻胶脱落带来的各种问题(例如，阳极面的氧化层被腐蚀，脱落的胶丝粘附在阴极面导致阴极面的氧化层未去除干净等)，降低管芯生产成本。
4、在硼杂质扩散前仅通过化学腐蚀来去除晶圆片阳极面的氧化层并保留晶圆片阴极面的氧化层，无需光刻工艺，有效降低生产周期，节省人力、物力，降低对环境的污染，同时避免了光刻胶脱落带来的各种问题(例如，阴极面的氧化层被腐蚀，脱落的胶丝粘附在阴极面导致阳极面的氧化层未去除干净等)，降低管芯生产成本。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例共同用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1示出了现有的大功率整流管芯的定向掺杂工艺流程图；
图2示出了现有的改进后的大功率整流管芯的定向掺杂工艺流程图；
图3示出了本发明第一实施例的大功率整流管芯的制造方法流程图；
图4示出了本发明第一实施例的大功率整流管芯的制造工艺流程图；
图5示出了本发明第二实施例的刻蚀装置的结构图；
图6示出了本发明第二实施例的第一化学腐蚀的工艺流程图；
图7示出了本发明第二实施例的第二化学腐蚀的工艺流程图；
图8示出了本发明第二实施例的第三化学腐蚀的工艺流程图。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
第一实施例
图3为本发明第一实施例的大功率整流管芯的制造方法流程图。如图3所示，可以包括如下步骤S301至S308。
在铝杂质扩散步骤S301中，对N型晶圆片301的阳极面和阴极面进行铝杂质扩散。如图4所示，N型晶圆片301经过铝杂质扩散步骤S301后，在N型晶圆片301的阳极面和阴极面形成P型层。
在第一化学腐蚀步骤S302中，对通过铝杂质扩散步骤S301得到的晶圆片302进行化学腐蚀，以去除该晶圆片302阴极面的铝杂质并保留该晶圆片302阳极面的铝杂质。如图4所示，该晶圆片302经过第一化学腐蚀步骤S302后，去除了阴极面的P型层并保留了阳极面的P型层。
在第一氧化步骤S303中，对通过第一化学腐蚀步骤S302得到的晶圆片303的阳极面和阴极面进行氧化。如图4所示，该晶圆片303经过第一氧化步骤S303后，在该晶圆片303的阳极面和阴极面形成氧化层。
在第二化学腐蚀步骤S304中，对通过第一氧化步骤S303得到的晶圆片304进行化学腐蚀，以去除该晶圆片304阴极面的氧化层并保留该晶圆片304阳极面的氧化层。如图4所示，该晶圆片304经过第二化学腐蚀步骤S304后，去除了阴极面的氧化层并保留了阳极面的氧化层。
在磷杂质扩散步骤S305中，对通过第二化学腐蚀步骤S304得到的晶圆片305的阴极面进行磷杂质扩散，并在磷杂质扩散后去除该晶圆片305阳极面的氧化层。如图4所示，该晶圆片305经过磷杂质扩散步骤S305后，在该晶圆片305的阴极面形成N+层，在形成N+层后去除了阳极面的氧化层。
在第二氧化步骤S306中，对通过磷杂质扩散步骤S305得到的晶圆片306的阳极面和阴极面进行氧化。如图4所示，该晶圆片306经过第二氧化步骤S306后，在该晶圆片306的阳极面和阴极面形成氧化层。
在第三化学腐蚀步骤S307中，对通过第二氧化步骤S306得到的晶圆片307进行化学腐蚀，以去除该晶圆片307阳极面的氧化层并保留该晶圆片307阴极面的氧化层。如图4所示，该晶圆片307经过第三化学腐蚀步骤S307后，去除了阳极面的氧化层并保留了阴极面的氧化层。
在硼杂质扩散步骤S308中，对通过第三化学腐蚀步骤S307得到的晶圆片308的阳极面进行硼杂质扩散，并在硼杂质扩散后去除该晶圆片308阴极面的氧化层，得到大功率整流管芯309。如图4所示，该晶圆片308经过硼杂质扩散步骤S308后，在该晶圆片308的阳极面形成P+层，并在形成P+层后去除了阴极面的氧化层。
采用本实施例的大功率整流管芯的制造方法，省去了现有的大功率整流管芯的制造工艺流程中的两道或三道光刻工艺，可缩短三天的工艺时间，节省大量人力、物力，降低对环境的污染。同时避免光刻胶脱落对芯片质量的影响。
第二实施例
本实施例是对第一实施例中化学腐蚀步骤的进一步优化。具体地，可以采用如图5所示的刻蚀装置进行化学腐蚀。
如图5所示，刻蚀装置包括多个夹片环100、底座200、夹具300。夹具300具体包括螺纹杆3001、第一固定板3002、第二固定板3003、夹持板3004。多个夹片环100设置于底座200上，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的夹片环100，且夹片环100呈圆环形，其侧壁包括至少一个进液槽(图4未示出)。夹具300设置于底座200上，其用于夹紧放置在底座200上的多个夹片环100和多个晶圆片。第一固定板302和第二固定板3003相对设置于底座200两端，第一固定板3002设置有螺纹孔。夹持板3004设置于第一固定板3002和第二固定板3003之间，夹持板3004与第二固定板3003之间用于放置夹片环100和晶圆片。螺纹杆3001通过螺纹孔与第一固定板3002螺纹连接。夹持板3004与螺纹杆3001抵接，当螺纹杆3001向第二固定板3003方向旋进时推动夹持板3004夹紧夹片环100和晶圆片。
下面介绍如何利用上述刻蚀装置进行第一化学腐蚀步骤S302。
图6为本发明第二实施例的第一化学腐蚀的工艺流程图。如图6所示，第一化学腐蚀步骤S302可以包括以下子步骤S3021至S3024。
在第一贴紧子步骤S3021中，将两片通过铝杂质扩散步骤S301得到的晶圆片302的阳极面贴紧。
具体地，将两个通过铝杂质扩散步骤S301得到的晶圆片302的阳极面贴在一起后浸水，以便利用水的张力使两个晶圆片302贴紧。
在第一放置子步骤S3022中，将贴紧的两个晶圆片302放置于刻蚀装置的两个夹片环100之间。
在第一夹紧子步骤S3023中，利用所述刻蚀装置的夹具300夹紧夹片环100，以使夹片环100中的两个晶圆片302进一步贴紧。
具体地，依次放置多个夹片环100来填满夹持板3004与第二固定板3003之间的空隙。然后拧动螺纹杆3001，使得螺纹杆3001推动夹持板3004夹紧夹片环100，以使夹片环100中的两个晶圆片302进一步贴紧。
在第一腐蚀子步骤S3024中，将夹紧的内置有两个晶圆片302的夹片环100放置于腐蚀液中进行化学腐蚀，以去除晶圆片302阴极面的铝杂质并保留晶圆片302阳极面的铝杂质。
具体地，腐蚀液通过夹片环100的进液槽注入夹片环100，对夹片环100中的两个晶圆片302进行化学腐蚀，以去除晶圆片302阴极面的铝杂质并保留晶圆片302阳极面的铝杂质。
采用图6中的化学腐蚀方法来去除晶圆片302阴极面的铝杂质并保留晶圆片302阳极面的铝杂质，一方面，无需复杂机械来进行机械研磨，不会引入机械损伤；另一方面，无需光刻工艺，有效降低生产周期，节省人力、物力，降低对环境的污染，同时避免了光刻胶脱落带来的各种问题(例如，阳极面的P型层被腐蚀，脱落的胶丝粘附在阴极面导致阴极面的P型层未完全去除干净等)，降低管芯生产成本。
下面介绍如何利用上述刻蚀装置进行第二化学腐蚀步骤S304。
图7为本发明第二实施例的第二化学腐蚀的工艺流程图。如图7所示，第二化学腐蚀步骤S304可以包括以下子步骤S3041至S3044。
在第二贴紧子步骤S3041中，将两片通过第一氧化步骤S303得到的晶圆片304的阳极面贴紧。
具体地，将两个通过第一氧化步骤S303得到的晶圆片304的阳极面贴在一起后浸水，以便利用水的张力使两个晶圆片304贴紧。
第二放置子步骤S3042，将贴紧的两个晶圆片304放置于刻蚀装置的两个夹片环100之间。
第二夹紧子步骤S3043，利用刻蚀装置的夹具300夹紧夹片环100，以使夹片环100中的两个晶圆片304进一步贴紧。
具体地，依次放置多个夹片环100来填满夹持板3004与第二固定板3003之间的空隙。然后拧动螺纹杆3001，使得螺纹杆3001推动夹持板3004夹紧夹片环100，以使夹片环100中的两个晶圆片304进一步贴紧。
第二腐蚀子步骤S3044，将夹紧的内置有两个晶圆片304的夹片环100放置于腐蚀液中进行化学腐蚀，以去除晶圆片304阴极面的氧化层并保留晶圆片304阳极面的氧化层。
具体地，腐蚀液通过夹片环100的进液槽注入夹片环100，对夹片环100中的两个晶圆片304进行化学腐蚀，以去除晶圆片304阴极面的氧化层并保留晶圆片304阳极面的氧化层。
采用图7中的化学腐蚀方法来去除晶圆片304阴极面的氧化层并保留晶圆片304阳极面的氧化层，无需光刻工艺，有效降低生产周期，节省人力、物力，降低对环境的污染，同时避免了光刻胶脱落带来的各种问题(例如，阳极面的氧化层被腐蚀，脱落的胶丝粘附在阴极面导致阴极面的氧化层未去除干净等)，降低管芯生产成本。
下面介绍如何利用上述刻蚀装置进行第三化学腐蚀步骤S307。
图8为本发明第二实施例的第三化学腐蚀的工艺流程图。如图8所示，第三化学腐蚀步骤S307可以包括以下子步骤S3071至S3074。
在第三贴紧子步骤S3071中，将两片通过第二氧化步骤S306得到的晶圆片307的阳极面贴紧。
具体地，将两个通过第二氧化步骤S306得到的晶圆片307的阳极面贴在一起后浸水，以便利用水的张力使两个晶圆片307贴紧。
在第三放置子步骤S3072中，将贴紧的两个晶圆片307放置于刻蚀装置的两个夹片环100之间。
在第三夹紧子步骤S3073中，利用刻蚀装置的夹具300夹紧夹片环100，以使夹片环100中的两个晶圆片307进一步贴紧。
具体地，依次放置多个夹片环100来填满夹持板3004与第二固定板3003之间的空隙。然后拧动螺纹杆3001，使得螺纹杆3001推动夹持板3004夹紧夹片环100，以使夹片环100中的两个晶圆片307进一步贴紧。
在第三腐蚀子步骤S3074中，将夹紧的内置有两个晶圆片307的夹片环100放置于腐蚀液中进行化学腐蚀，以去除晶圆片307阳极面的氧化层并保留晶圆片307阴极面的氧化层。
具体地，通过夹片环100的进液槽注入腐蚀液，对夹片环100中的两个晶圆片307进行化学腐蚀，以去除晶圆片307阳极面的氧化层并保留晶圆片307阴极面的氧化层。
采用图8的化学腐蚀方法来去除晶圆片307阳极面的氧化层并保留晶圆片307阴极面的氧化层，无需光刻工艺，有效降低生产周期，节省人力、物力，降低对环境的污染，同时避免了光刻胶脱落带来的各种问题(例如，阴极面的氧化层被腐蚀，脱落的胶丝粘附在阴极面导致阳极面的氧化层未去除干净等)，降低管芯生产成本。
虽然本发明所公开的实施方式如上，但所述的内容只是为了便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属技术领域内的技术人员，在不脱离本发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本发明的保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种大功率整流管芯的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
铝杂质扩散步骤，对N型晶圆片的阳极面和阴极面进行铝杂质扩散；
第一化学腐蚀步骤，对通过所述铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除该晶圆片阴极面的铝杂质并保留该晶圆片阳极面的铝杂质；
第一氧化步骤，对通过所述第一化学腐蚀步骤得到的晶圆片的阳极面和阴极面进行氧化；
第二化学腐蚀步骤，对通过所述第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除该晶圆片阴极面的氧化层并保留该晶圆片阳极面的氧化层；
磷杂质扩散步骤，对通过所述第二化学腐蚀步骤得到的晶圆片的阴极面进行磷杂质扩散，并在所述磷杂质扩散后去除该晶圆片阳极面的氧化层；
第二氧化步骤，对通过所述磷杂质扩散步骤得到的晶圆片的阳极面和阴极面进行氧化；
第三化学腐蚀步骤，对通过所述第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除该晶圆片阳极面的氧化层并保留该晶圆片阴极面的氧化层；
硼杂质扩散步骤，对通过所述第三化学腐蚀步骤得到的晶圆片的阳极面进行硼杂质扩散，并在所述硼杂质扩散后去除该晶圆片阴极面的氧化层，得到大功率整流管芯。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一化学腐蚀步骤包括以下子步骤：
第一贴紧子步骤，将两片通过所述铝杂质扩散步骤得到的晶圆片的阳极面贴紧；
第一放置子步骤，将贴紧的两个晶圆片放置于刻蚀装置的两个夹片环之间；
第一夹紧子步骤，利用所述刻蚀装置的夹具夹紧所述夹片环，以使所述夹片环中的两个所述晶圆片进一步贴紧；
第一腐蚀子步骤，将夹紧的内置有两个所述晶圆片的所述夹片环放置于腐蚀液中进行化学腐蚀，以去除晶圆片阴极面的铝杂质并保留晶圆片阳极面的铝杂质。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一腐蚀子步骤中，腐蚀液通过所述夹片环的进液槽注入所述夹片环，对所述夹片环中的两个所述晶圆片进行化学腐蚀，以去除晶圆片阴极面的铝杂质并保留晶圆片阳极面的铝杂质。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一贴紧子步骤中，将两个通过所述铝杂质扩散步骤得到的晶圆片的阳极面贴在一起后浸水，以便利用水的张力使两个所述晶圆片贴紧。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二化学腐蚀步骤包括以下子步骤：
第二贴紧子步骤，将两片通过所述第一氧化步骤得到的晶圆片的阳极面贴紧；
第二放置子步骤，将贴紧的两个晶圆片放置于刻蚀装置的两个夹片环之间；
第二夹紧子步骤，利用所述刻蚀装置的夹具夹紧所述夹片环，以使所述夹片环中的两个所述晶圆片进一步贴紧；
第二腐蚀子步骤，将夹紧的内置有两个所述晶圆片的所述夹片环放置于腐蚀液中进行化学腐蚀，以去除晶圆片阴极面的氧化层并保留晶圆片阳极面的氧化层。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二腐蚀子步骤中，腐蚀液通过所述夹片环的进液槽注入所述夹片环，对所述夹片环中的两个所述晶圆片进行化学腐蚀，以去除晶圆片阴极面的氧化层并保留晶圆片阳极面的氧化层。
7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二贴紧子步骤中，将两个通过所述第一氧化步骤得到的晶圆片的阳极面贴在一起后浸水，以便利用水的张力使两个所述晶圆片贴紧。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第三化学腐蚀步骤包括以下子步骤：
第三贴紧子步骤，将两片通过所述第二氧化步骤得到的晶圆片的阳极面贴紧；
第三放置子步骤，将贴紧的两个晶圆片放置于刻蚀装置的两个夹片环之间；
第三夹紧子步骤，利用所述刻蚀装置的夹具夹紧所述夹片环，以使所述夹片环中的两个所述晶圆片进一步贴紧；
第三腐蚀子步骤，将夹紧的内置有两个所述晶圆片的所述夹片环放置于腐蚀液中进行化学腐蚀，以去除晶圆片阳极面的氧化层并保留晶圆片阴极面的氧化层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第三腐蚀子步骤中，腐蚀液通过所述夹片环的进液槽注入所述夹片环，对所述夹片环中的两个所述晶圆片进行化学腐蚀，以去除晶圆片阳极面的氧化层并保留晶圆片阴极面的氧化层。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述第三贴紧子步骤中，将两个通过所述第二氧化步骤得到的晶圆片的阳极面贴在一起后浸水，以便利用水的张力使两个所述晶圆片贴紧。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201710765588.3A CN109427581B (zh) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 一种大功率整流管芯的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201710765588.3A CN109427581B (zh) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 一种大功率整流管芯的制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109427581A true CN109427581A (zh) | 2019-03-05 |
| CN109427581B CN109427581B (zh) | 2021-05-14 |
Family
ID=65504138
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710765588.3A Active CN109427581B (zh) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 一种大功率整流管芯的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109427581B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN105225992A (zh) * | 2015-11-03 | 2016-01-06 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法 |
-
2017
- 2017-08-30 CN CN201710765588.3A patent/CN109427581B/zh active Active
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