CN109426383A - 触摸屏用传感器及其制备方法、触摸屏与电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种触摸屏用传感器及其制备方法、触摸屏与电子设备,涉及电子设备用触摸屏的技术领域,该触摸屏用传感器包括基材和设置于所述基材上的X向导电图层和Y向导电图层,所述X向导电图层与所述Y向导电图层上下分层设置,且所述X向导电图层与所述Y向导电图层之间设有绝缘层,利用该触摸屏用传感器缓解了现有技术的触摸屏用传感器不能与3D玻璃贴合的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及电子设备用触摸屏的技术领域,尤其是涉及一种触摸屏用传感器及其制备方法、触摸屏与电子设备。
背景技术
触摸屏的结构一般包括基板,设置于基板上的传感器和与传感器连接电连接的柔性电路板,传感器包括X向导电图层和Y向导电图层。其中,X向导电图层中包括X向导电通道,Y向导电图层中包括X向导电通道。而目前的传感器中,大体分为两种。第一种传感器中的X向导电图层和Y向导电图层属于同层结构,即X向导电图层和Y向导电图层位于同一平面,这样在制备时需要在X向导电图层或Y向导电图层中做搭桥处理,以避免X向导电图层和Y向导电图层的短路。第二种传感器是在基材的两侧分别各制作一层导电图层,分为X向导电图层和Y向导电图层,该结构的传感器在制作时先在一层基材的表面制作X向导电图层,然后再在另外一层基材表面制作Y向导电图层,然后将两层基材贴合得到。
在第一种传感器结构中,由于架桥区域很小,只能采用玻璃为基材,否则很容易因基材的弯折变形造成短路;在第二种传感器结构中,需要使用两层基材,因此制备得到的传感器的厚度较厚不易弯折,无法与3D玻璃紧密贴合,贴合后容易产生翘边或气泡等不良。因此,上述现有技术不能满足现代具有3D曲面视窗屏幕产品的需求,导致产品失去市场竞争力。
有鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种触摸屏用传感器,以缓解现有技术的触摸屏用传感器不能与3D玻璃贴合的技术问题。
本发明的第二目的在于提供一种上述触摸屏用传感器的制备方法,该制备方法工艺简单,适合工业化生产。
本发明的第三目的在于提供一种包括上述传感器的触摸屏。
本发明的第四目的在于提供一种包括上述触摸屏的电子设备。
为了实现本发明的上述目的,特采用以下技术方案:
一种触摸屏用传感器,包括基材和设置于所述基材上的X向导电图层和Y向导电图层,所述X向导电图层与所述Y向导电图层上下分层设置,且所述X向导电图层与所述Y向导电图层之间设有绝缘层。
进一步的,所述Y向导电图层包括Y向导电通道和设置于所述Y向导电通道边缘的第一导线层。
进一步的,所述第一导线层的厚度为100-500nm,优选为150-400nm,进一步优选为200-400nm。
进一步的,所述X向导电图层包括X向导电通道和设置于所述X向导电通道边缘的第二导线层。
进一步的,第二导线层的厚度为100-500nm,优选为150-400nm,进一步优选为200-400nm。
进一步的,所述绝缘层的厚度为0.5-3微米,优选为1-3微米,进一步优选为1.5-2.5微米。
进一步的,所述基材包括PET膜或玻璃盖板。
一种上述触摸屏用传感器的制备方法,先在所述基材表面制备Y向导电图层,之后在所述Y向导电图层表面制备绝缘层,然后再在所述绝缘层表面制备X向导电图层,得到所述触摸屏用传感器。
进一步的,先利用溅射和刻蚀技术在所述基材表面制备Y向导电图层,之后再利用涂布技术在所述Y向导电图层表面制备绝缘层,然后再利用溅射和刻蚀技术在所述绝缘层表面制备X向导电图层,得到所述触摸屏用传感器。
进一步的,所述触摸屏用传感器的制备方法包括以下步骤:
步骤a):先利用溅射和黄光刻蚀技术在所述基材表面形成Y向导电通道,然后再利用溅射和黄光刻蚀技术在所述Y向导电通道边缘形成第一导线层,得到Y向导电图层;
步骤b):采用涂布和黄光刻蚀技术在所述Y向导电图层表面制备绝缘层;
步骤c):利用溅射和黄光刻蚀技术在所述绝缘层表面形成X向导电通道,然后再利用溅射和黄光刻蚀技术在所述X向导电通道边缘形成第二导线层,得到X向导电图层;
步骤d):采用涂布和黄光刻蚀技术在所述X向导电图层表面制备绝缘表面层,得到所述触摸屏用传感器。
一种触摸屏,包括上述触摸屏用传感器,所述触摸屏用传感器与柔性电路板电连接。
进一步的,触摸屏用传感器中的基材为PET膜时,所述触摸屏包括基板,所述触摸屏用传感器设置于所述基板上。
进一步的,所述基板包括玻璃基板。
进一步的,所述玻璃基板包括2D玻璃基板或3D玻璃基板。
一种电子设备,包括上述触摸屏。
与已有技术相比,本发明具有如下有益效果:
本发明中提供的触摸屏用传感器中,由于X向导电图层与Y向导电图层上下分层设置,因此,可以避免在X向导电图层与Y向导电图层之间做搭桥处理,由于可以在同一基材(基材可选择柔性基材或硬质基材)上依次设置X向导电图层与Y向导电图层,因此,减少了传感器的厚度,使其更易与3D玻璃基板贴合,满足市场的需求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的触摸屏的组合结构示意图;
图2为本发明提供的触摸屏的堆叠结构示意图。
图标:10-玻璃基板;20-光学胶;30-PET膜;40-Y向导电图层;41-Y向导电通道;42-第一导线层;50-绝缘层;60-X向导电图层;61-X向导电通道;62-第二导线层;70-绝缘表面层;80-柔性电路板。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本发明的一个方面提供了一种触摸屏用传感器,包括基材和设置于所述基材上的X向导电图层和Y向导电图层,所述X向导电图层与所述Y向导电图层上下分层设置,且所述X向导电图层与所述Y向导电图层之间设有绝缘层。
本发明中提供的触摸屏用传感器中,由于X向导电图层与Y向导电图层上下分层设置,因此,可以避免在X向导电图层与Y向导电图层之间做搭桥处理,由于可以在同一基材上依次设置X向导电图层与Y向导电图层,因此,减少了传感器的厚度,使其更易与3D玻璃基板贴合,满足市场的需求。
本发明中的基材既可以选择柔性基材也可以选择硬质基材。当选择柔性基材时,制作出的传感器可以和3D玻璃相贴合,当采用硬质基材,例如2D平面玻璃时,可以直接在2D平面玻璃上制作得到传感器,因此本发明的结构可以满足多种使用要求。
本发明中的绝缘层介于X向导电图层与Y向导电图层之间,为整面结构,因此,绝缘效果更好,避免传感器在使用过程中短路。
作为本发明优选的实施方式,所述Y向导电图层包括Y向导电通道和设置于所述Y向导电通道边缘的第一导线层。可选地,所述第一导线层的厚度为100-500nm,优选为150-400nm,进一步优选为200-400nm。
Y向导电通道位于触摸屏的视窗区,采用透明导电材料(例如氧化铟锡)制作而成,厚度优选为12-130nm。第一导线层位于触摸屏的装饰区,采用低阻抗导电材料(例如铜、银、钼或导电胶带)制作而成。第一导线层的正负极分别连接Y向导电通道和触摸屏中的柔性电路板,实现Y向导电通道和触摸屏中的柔性电路板之间的电连接。
作为本发明优选的实施方式,所述X向导电图层包括X向导电通道和设置于所述X向导电通道边缘的第二导线层。可选地,第二导线层的厚度为100-500nm,优选为150-400nm,进一步优选为200-400nm。
X向导电通道位于触摸屏的视窗区,采用透明导电材料(例如氧化铟锡)制作而成,厚度优选为12-130nm。第二导线层位于触摸屏的装饰区,采用低阻抗导电材料(例如铜、银、钼或导电胶带)制作而成。第二导线层的正负极分别连接X向导电通道和触摸屏中的柔性电路板,实现X向导电通道和触摸屏中的柔性电路板之间的电连接。第二导线层用于和触摸屏中的柔性电路板连接。
作为本发明优选的实施方式,所述绝缘层的厚度为0.5-3微米,优选为1-3微米,进一步优选为1.5-2.5微米。
作为本发明优选的实施方式,所述基材包括聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(Polyethylene Terephthalate,简称PET膜)或玻璃盖板。除此之外,基材还可以选用玻璃或其他光学材料(环烯烃聚合物薄膜Cyclo-olefin polymer,简称COP)作为基材,但是要满足透光性的要求。
使用PET膜作为承载上述传感器的基材,可降低传感器的厚度,增加传感器的弯曲性能,使其更易与3D玻璃相贴合。采用玻璃盖板作为基材,可以直接在玻璃盖板上制作得到该触摸屏用传感器。
本发明的第二个方面提供了一种上述触摸屏用传感器的制备方法,先在所述基材表面制备Y向导电图层,之后在所述Y向导电图层表面制备绝缘层,然后再在所述绝缘层表面制备X向导电图层,得到所述触摸屏用传感器。
作为本发明优选的实施方式,先利用溅射和刻蚀技术在所述基材表面制备Y向导电图层,之后再利用涂布技术在所述Y向导电图层表面制备绝缘层,然后再利用溅射和刻蚀技术在所述绝缘层表面制备X向导电图层,得到所述触摸屏用传感器。
作为本发明优选的实施方式,所述触摸屏用传感器的制备方法包括以下步骤:
步骤a):先利用溅射和黄光刻蚀技术在所述基材表面形成Y向导电通道,然后再利用溅射和黄光刻蚀技术在所述Y向导电通道边缘形成第一导线层,得到Y向导电图层;
步骤b):采用涂布和黄光刻蚀技术在所述Y向导电图层表面制备绝缘层;
步骤c):利用溅射和黄光刻蚀技术在所述绝缘层表面形成X向导电通道,然后再利用溅射和黄光刻蚀技术在所述X向导电通道边缘形成第二导线层,得到X向导电图层;
步骤d):采用涂布和黄光刻蚀技术在所述X向导电图层表面制备绝缘表面层,得到所述触摸屏用传感器。
本发明的第三个方面提供了一种触摸屏,包括上述触摸屏用传感器,所述触摸屏用传感器与柔性电路板电连接。
作为本发明优选的实施方式,触摸屏用传感器中的基材为PET膜时,所述触摸屏包括基板,所述触摸屏用传感器设置于所述基板上。其中,所述PET膜没有设置X向导电图层和Y向导电图层的一侧与玻璃盖板用光学胶粘结。
作为本发明优选的实施方式,所述基板包括玻璃基板;可选地,所述玻璃基板包括2D玻璃基板或3D玻璃基板。
该触摸屏中的基板可以是2D平面玻璃,也可以是3D玻璃,因此该触摸屏更能适应市场的需求。
作为本发明优选的实施方式,上述触摸屏的制备方法包括以下步骤:
步骤a):利用溅射技术在PET Film基材上形成总厚度为12-130nm的铟锡氧化物半导体透明导电膜(Indium Tin Oxides,简称ITO),溅射时的温度为200-400℃,时间50-70s;
步骤b):采用黄光刻蚀技术在步骤a中得到的ITO膜上制备得Y向导电通道,刻蚀过程中使用的喷头压力为0.04-0.06MPa,涂布速度:60-80mm/min,曝光能量:90-110mj/cm2,药液浓度:6.5-7.5mol/L;
步骤c):采用溅射技术在Y向导电通道边缘沉积一层总厚度为100-500nm的金属层,溅射时的温度为100-140℃,时间100-140s;
步骤d):采用黄光刻蚀技术刻蚀步骤c中得到的金属层,得到第一导线层;刻蚀过程中使用的喷头压力为0.04-0.06MPa,涂布速度:70-100mm/min,曝光能量:60-80mj/cm2,药液浓度:6.5-7.5mol/L;
步骤e):采用涂布和黄光刻蚀技术在所述Y向导电图层表面制备总厚度为0.5-3微米的绝缘层;涂布时的涂布速度:60-80mm/min,刻蚀时的曝光能量:160-180mj/cm2,制程速度:4000-5000mm/min;
除柔性电路板区域外,Y向导电图层表面的余部位均覆盖绝缘层;
步骤f):采用溅射技术在绝缘层表面沉积一层总厚度为12-130nm的ITO膜;溅射时的温度为200-400℃,时间50-70s;
步骤g):采用黄光刻蚀技术在步骤f中得到的ITO膜上制备得X向导电通道,刻蚀过程中使用的喷头压力为0.04-0.06MPa,涂布速度:60-80mm/min,曝光能量:90-110mj/cm2,药液浓度:6.5-7.5mol/L;
步骤h):采用溅射技术在X向导电通道边缘沉积一层总厚度为100-500nm的金属层,溅射时的温度为100-140℃,时间100-140s;
步骤i):采用黄光刻蚀技术刻蚀步骤h中得到的金属层,得到第二导线层;刻蚀过程中使用的喷头压力为0.04-0.06MPa,涂布速度:70-100mm/min,曝光能量:60-80mj/cm2,药液浓度:6.5-7.5mol/L;
步骤j):采用涂布和黄光刻蚀技术在所述X向导电图层表面制备总厚度为0.5-3微米的绝缘表面层;涂布时的涂布速度:60-80mm/min,刻蚀时的曝光能量:160-180mj/cm2,制程速度:4000-5000mm/min;
除柔性电路板区域外,X向导电图层表面的余部位均覆盖绝缘表面层,得到所述触摸屏用传感器;
步骤k):利用热压技术或真空贴合技术将触摸屏用传感器与柔性电路板连接;
步骤l):利用热压技术或真空贴合技术将触摸屏用传感器与玻璃基板用光学胶粘结贴合,得到触摸屏;
利用热压工艺时的参数为:压力2-3MPa、温度155-165℃、时间9-12s;贴合时滚轮压力0.45-0.55Mpa、滚轮硬度40-70kgf/mm2、滚轮角度10-15°。
本发明的第四个方面提供了一种电子设备,包括上述触摸屏。
下面将结合实施例对本发明做进一步详细的说明。
实施例1
如图1和图2所示,本实施例是一种触摸屏,包括玻璃基板10和与玻璃基板10通过光学胶20连接在一起的PET膜30,该PET膜30表面覆盖有Y向导电图层40,该Y向导电图层40包括Y向导电通道41和设置于Y向导电通道41边缘的第一导线层42,Y向导电通道41与第一导线层42电连接,并且,第一导线层42与柔性电路板80电连接;Y向导电图层40表面覆盖有绝缘层50,除了柔性电路板连接区域外,绝缘层50整面覆盖于Y向导电图层40表面;绝缘层50的表面设有X向导电图层60,该X向导电图层60包括X向导电通道61和设置于X向导电通道61边缘的第二导线层62,X向导电通道61与第二导线层62电连接,并且,第二导线层62与柔性电路板80电连接。
实施例2
本实施例是实施例1所提供的触摸屏的制备方法,包括以下步骤:
步骤a):利用溅射技术在PET Film基材上形成总厚度为100nm的ITO膜,溅射时的温度为300℃,时间60s;
步骤b):采用黄光刻蚀技术在步骤a中得到的ITO膜上制备得Y向导电通道,刻蚀过程中使用的喷头压力为0.05MPa,涂布速度:70mm/min,曝光能量:100mj/cm2,药液浓度:7mol/L;
步骤c):采用溅射技术在Y向导电通道边缘沉积一层总厚度为300nm的金属层,溅射时的温度为120℃,时间120s;
步骤d):采用黄光刻蚀技术刻蚀步骤c中得到的金属层,得到第一导线层;刻蚀过程中使用的喷头压力为0.05MPa,涂布速度:80mm/min,曝光能量:70mj/cm2,药液浓度:7mol/L;
步骤e):采用涂布和黄光刻蚀技术在所述Y向导电图层表面制备总厚度为1.5微米的绝缘层;涂布时的涂布速度:70mm/min,刻蚀时的曝光能量:170mj/cm2,制程速度:4000mm/min;
除柔性电路板区域外,Y向导电图层表面的余部位均覆盖绝缘层;
步骤f):采用溅射技术在绝缘层表面沉积一层总厚度为100nm的ITO膜;溅射时的温度为300℃,时间60s;
步骤g):采用黄光刻蚀技术在步骤f中得到的ITO膜上制备得X向导电通道,刻蚀过程中使用的喷头压力为0.05MPa,涂布速度:70mm/min,曝光能量:100mj/cm2,药液浓度:7mol/L;
步骤h):采用溅射技术在X向导电通道边缘沉积一层总厚度为300nm的金属层,溅射时的温度为1200℃,时间120s;
步骤i):采用黄光刻蚀技术刻蚀步骤h中得到的金属层,得到第二导线层;刻蚀过程中使用的喷头压力为0.05MPa,涂布速度:80mm/min,曝光能量:70mj/cm2,药液浓度:7mol/L;
步骤j):采用涂布和黄光刻蚀技术在所述X向导电图层表面制备总厚度为1.5微米的绝缘表面层;涂布时的涂布速度:70mm/min,刻蚀时的曝光能量:170mj/cm2,制程速度:4000mm/min;
除柔性电路板区域外,X向导电图层表面的余部位均覆盖绝缘表面层,得到触摸屏用传感器;
步骤k):利用热压技术将触摸屏用传感器与柔性电路板连接;
步骤l):利用热压技术将触摸屏用传感器与玻璃基板用光学胶粘结贴合,得到触摸屏;
利用热压工艺时的参数为:压力2.5MPa、温度160℃、时间11s。
实施例3
本实施例是一种触摸屏的制备方法,包括以下步骤:
步骤a):利用溅射技术在2D玻璃盖板上形成总厚度为100nm的ITO膜,溅射时的温度为300℃,时间60s;
步骤b):采用黄光刻蚀技术在步骤a中得到的ITO膜上制备得Y向导电通道,刻蚀过程中使用的喷头压力为0.05MPa,涂布速度:70mm/min,曝光能量:100mj/cm2,药液浓度:7mol/L;
步骤c):采用溅射技术在Y向导电通道边缘沉积一层总厚度为300nm的金属层,溅射时的温度为120℃,时间120s;
步骤d):采用黄光刻蚀技术刻蚀步骤c中得到的金属层,得到第一导线层;刻蚀过程中使用的喷头压力为0.05MPa,涂布速度:80mm/min,曝光能量:70mj/cm2,药液浓度:7mol/L;
步骤e):采用涂布和黄光刻蚀技术在所述Y向导电图层表面制备总厚度为1.5微米的绝缘层;涂布时的涂布速度:70mm/min,刻蚀时的曝光能量:170mj/cm2,制程速度:4000mm/min;
除柔性电路板区域外,Y向导电图层表面的余部位均覆盖绝缘层;
步骤f):采用溅射技术在绝缘层表面沉积一层总厚度为100nm的ITO膜;溅射时的温度为300℃,时间60s;
步骤g):采用黄光刻蚀技术在步骤f中得到的ITO膜上制备得X向导电通道,刻蚀过程中使用的喷头压力为0.05MPa,涂布速度:70mm/min,曝光能量:100mj/cm2,药液浓度:7mol/L;
步骤h):采用溅射技术在X向导电通道边缘沉积一层总厚度为300nm的金属层,溅射时的温度为1200℃,时间120s;
步骤i):采用黄光刻蚀技术刻蚀步骤h中得到的金属层,得到第二导线层;刻蚀过程中使用的喷头压力为0.05MPa,涂布速度:80mm/min,曝光能量:70mj/cm2,药液浓度:7mol/L;
步骤j):采用涂布和黄光刻蚀技术在所述X向导电图层表面制备总厚度为1.5微米的绝缘表面层;涂布时的涂布速度:70mm/min,刻蚀时的曝光能量:170mj/cm2,制程速度:4000mm/min;
除柔性电路板区域外,X向导电图层表面的余部位均覆盖绝缘表面层,得到触摸屏用传感器;
步骤k):利用热压技术将触摸屏用传感器与柔性电路板连接;
利用热压工艺时的参数为:压力2.5MPa、温度160℃、时间11s。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种触摸屏用传感器,包括基材和设置于所述基材上的X向导电图层和Y向导电图层,其特征在于,所述X向导电图层与所述Y向导电图层上下分层设置,且所述X向导电图层与所述Y向导电图层之间设有绝缘层。
2.根据权利要求1所述的触摸屏用传感器,其特征在于,所述Y向导电图层包括Y向导电通道和设置于所述Y向导电通道边缘的第一导线层;
优选地,所述第一导线层的厚度为100-500nm,优选为150-400nm,进一步优选为200-400nm。
3.根据权利要求1所述的触摸屏用传感器,其特征在于,所述X向导电图层包括X向导电通道和设置于所述X向导电通道边缘的第二导线层;
优选地,第二导线层的厚度为100-500nm,优选为150-400nm,进一步优选为200-400nm;
优选地,所述绝缘层的厚度为0.5-3微米,优选为1-3微米,进一步优选为1.5-2.5微米。
4.根据权利要求1-3任一项所述的触摸屏用传感器,其特征在于,所述基材包括PET膜或玻璃盖板。
5.一种权利要求1-4任一项所述的触摸屏用传感器的制备方法,其特征在于,先在所述基材表面制备Y向导电图层,之后在所述Y向导电图层表面制备绝缘层,然后再在所述绝缘层表面制备X向导电图层,得到所述触摸屏用传感器。
6.根据权利要求5所述的触摸屏用传感器的制备方法,其特征在于,先利用溅射和刻蚀技术在所述基材表面制备Y向导电图层,之后再利用涂布技术在所述Y向导电图层表面制备绝缘层,然后再利用溅射和刻蚀技术在所述绝缘层表面制备X向导电图层,得到所述触摸屏用传感器;
优选地,所述触摸屏用传感器的制备方法包括以下步骤:
步骤a):先利用溅射和黄光刻蚀技术在所述基材表面形成Y向导电通道,然后再利用溅射和黄光刻蚀技术在所述Y向导电通道边缘形成第一导线层,得到Y向导电图层;
步骤b):采用涂布和黄光刻蚀技术在所述Y向导电图层表面制备绝缘层;
步骤c):利用溅射和黄光刻蚀技术在所述绝缘层表面形成X向导电通道,然后再利用溅射和黄光刻蚀技术在所述X向导电通道边缘形成第二导线层,得到X向导电图层;
步骤d):采用涂布和黄光刻蚀技术在所述X向导电图层表面制备绝缘表面层,得到所述触摸屏用传感器。
7.一种触摸屏,其特征在于,包括权利要求1-4任一项所述的触摸屏用传感器,所述触摸屏用传感器与柔性电路板电连接。
8.根据权利要求7所述的触摸屏,其特征在于,触摸屏用传感器中的基材为PET膜时,所述触摸屏包括基板,所述触摸屏用传感器设置于所述基板上。
9.根据权利要求8所述的触摸屏,其特征在于,所述基板包括玻璃基板;
优选地,所述玻璃基板包括2D玻璃基板或3D玻璃基板。
10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求7-9任一项所述的触摸屏。
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