CN109410837B - 一种oled驱动芯片及其驱动方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种OLED驱动芯片及其驱动方法,用于对像素电路进行驱动,包括移位寄存模块、第一级缓存模块、第二级缓存模块以及复用电路选择模块;所述移位寄存模块的输入端接入上一级时钟信号,并向所述第一级缓存模块输出当前级时钟信号;所述第一级缓存模块接入RGB数据信号,根据所述当前级时钟信号获取当前级所述RGB数据信号中的灰阶信号并输出至所述第二级缓存模块;所述第二级缓存模块接入触控信号,将存储的所述灰阶信号输出至所述复用电路选择模块;所述复用电路选择模块的输出端与所述像素电路连接,根据所述灰阶信号转换成逻辑状态并输出高电平或低电平,用于控制像素单元的显示时间长短以切分出所述像素单元的不同灰阶。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED驱动芯片及其驱动方法。
背景技术
由于OLED的发光与流过的电流成线性关系,但由于TFT制程因素,TFT不稳定,TFT的Vth(电压)容易漂移,造成面板不均匀。如果TFT工作在线性区,其电流与TFT的Vth成弱相关,因此可以获得均匀性较高的画面。在线性区的电流与Vth相关性不大,即使Vth飘移了,也不会影响流过TFT的电流。但由于线性区电流没有高低之分,因此要获得不同的灰阶时,需要用时间轴调节,根据显示的时间长短,切分出灰阶的大小。但采用这种方式对普通的SD芯片来说增大了数据传输的带宽,由于充放电的时间过快,对源极驱动器(Source)的斜率(Skew rate)是很难满足的。
因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
发明内容
本申请提供一种OLED驱动芯片及其驱动方法,能够增大OLED驱动芯片的驱动能力,降低带宽需求,节约成本。
为实现上述目的,本申请提供的技术方案如下:
本申请提供一种OLED驱动芯片的驱动方法,所述OLED驱动芯片用于对像素电路进行驱动,所述OLED驱动芯片包括移位寄存模块、第一级缓存模块、第二级缓存模块以及复用电路选择模块;
所述移位寄存模块的输入端接入上一级时钟信号,且根据所述上一级时钟信号进行移位,并输出当前级时钟信号至所述第一级缓存模块;
所述第一级缓存模块接入RGB数据信号,根据所述当前级时钟信号获取当前级所述RGB数据信号中的灰阶信号并输出至所述第二级缓存模块;
所述第二级缓存模块接入触控信号,并根据所述触控信号将存储的所述灰阶信号输出至所述复用电路选择模块;
所述复用电路选择模块接入电源,且输出端与所述像素电路连接;所述复用电路选择模块根据所述灰阶信号转换成逻辑状态并输出高电平或低电平,用于控制像素单元的显示时间长短以切分出所述像素单元的不同灰阶。
在本申请的驱动方法中,所述像素电路包括数据信号线与栅极信号线,所述复用电路选择模块的输出端与所述数据信号线连接。
在本申请的驱动方法中,所述像素电路还包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、存储电容以及有源发光二极管;
所述第一薄膜晶体管的第一栅极与所述栅极信号线连接,第一源极与所述数据信号线连接,第一漏极分别与所述存储电容的第一电极板以及所述第二薄膜晶体管的第二栅极连接;
所述第二薄膜晶体管的第二源极与所述复用电路选择模块的输出端连接,第二漏极与所述有源发光二极管的阳极连接;
所述第三薄膜晶体管的第三栅极与所述栅极信号线连接,第三源极与所述存储电容的第二电极板连接,第三漏极接入参考电压;
所述有源发光二极管的阴极与所述阳极连接,用于控制所述像素单元的显示。
在本申请的驱动方法中,当所述复用电路选择模块输出高电平时,所述第二薄膜晶体管关闭,所述像素电路处于放电状态,所述有源发光二极管处于暗态。
在本申请的驱动方法中,连接所述第一薄膜晶体管的所述数据线号线上的数据信号经由所述第一漏极通过所述存储电容传输至所述第三薄膜晶体管进行放电。
在本申请的驱动方法中,当所述复用电路选择模块输出低电平时,所述第二薄膜晶体管打开,所述像素电路处于充电状态,所述有源发光二极管导通并处于亮态。
在本申请的驱动方法中,连接所述第一薄膜晶体管的所述数据线号线上的数据信号经由所述第一漏极传输至所述第二薄膜晶体管,并由所述第二漏极传输至所述有源发光二极管的所述阴极。
为实现上述目的,本申请还提供一种OLED驱动芯片,用于对像素电路进行驱动,包括移位寄存模块、第一级缓存模块、第二级缓存模块以及复用电路选择模块;
所述移位寄存模块的输入端接入上一级时钟信号,经过一个时钟周期后并向所述第一级缓存模块输出当前级时钟信号;
所述第一级缓存模块接入RGB数据信号,并根据所述当前级时钟信号获取当前级所述RGB数据信号中的灰阶信号并输出至所述第二级缓存模块;
所述第二级缓存模块接入触控信号,并根据所述触控信号将存储的所述灰阶信号输出至所述复用电路选择模块;
所述复用电路选择模块接入电源,且输出端与所述像素电路连接;所述复用电路选择模块根据所述灰阶信号转换成逻辑状态并输出高电平或低电平,用于控制像素单元的显示时间长短以切分出所述像素单元的不同灰阶。
在本申请的OLED驱动芯片中,当所述复用电路选择模块输出高电平时,所述像素电路处于放电状态,所述像素单元处于暗态。
在本申请的OLED驱动芯片中,当所述复用电路选择模块输出低电平时,所述像素电路处于充电状态,所述像素单元处于亮态。
本申请的有益效果为:相较于现有的OLED驱动芯片,本申请提供的OLED驱动芯片及其驱动方法,由于OLED驱动芯片只需透过复用电路选择模块输出高电平或低电平,位深降至只有两级,可大大降低带宽。由于数据信号需要较高的刷新频率,因此需要快速充放电,由于数据信号线透过复用电路选择模块与电源直接相连,因此增强了OLED驱动芯片的驱动能力。从而使得OLED驱动芯片的架构简单,驱动能力较强,可大大降低带宽需求,节约成本。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的OLED驱动芯片的构架示意图;
图2为本申请实施例提供的像素电路图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本申请,而非用以限制本申请。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
本申请针对现有技术的OLED驱动芯片,由于充放电的时间过快,存在SD芯片数据传输的带宽较宽,对源极驱动器的斜率很难满足的技术问题,本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示,为本申请实施例提供的OLED驱动芯片的构架示意图。所述OLED驱动芯片用于对像素电路进行驱动,包括移位寄存模块10、第一级缓存模块11、第二级缓存模块12以及复用电路选择模块13。所述移位寄存模块10的输入端接入上一级时钟信号,经过一个时钟周期后并向所述第一级缓存模块11输出当前级时钟信号;所述第一级缓存模块11接入RGB数据信号,并根据所述当前级时钟信号获取当前级所述RGB数据信号中的灰阶信号,并将所述灰阶信号输出至所述第二级缓存模块12;所述第二级缓存模块12接入触控信号,并根据所述触控信号将存储的所述灰阶信号输出至所述复用电路选择模块13;所述复用电路选择模块13接入电源,且所述复用电路选择模块13的输出端与所述像素电路连接;所述复用电路选择模块13根据所述灰阶信号转换成逻辑状态并输出高电平或低电平,用于控制像素单元的显示时间长短以切分出所述像素单元的不同灰阶。
当所述复用电路选择模块13输出高电平时,所述像素电路处于放电状态,所述像素单元处于暗态。当所述复用电路选择模块13输出低电平时,所述像素电路处于充电状态,所述像素单元处于亮态。
在上述OLED驱动芯片的基础上,本申请还提供一种OLED驱动芯片的驱动方法,具体请结合图2所示,为本申请实施例提供的像素电路图。所述像素电路包括数据信号线Date与栅极信号线Gate,所述复用电路选择模块的输出端与所述数据信号线Date连接。所述像素电路还包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、存储电容Cst以及有源发光二极管OLED。所述第一薄膜晶体管T1的第一栅极与所述栅极信号线Gate连接,第一源极与所述数据信号线Date连接,第一漏极分别与所述存储电容Cst的第一电极板以及所述第二薄膜晶体管T2的第二栅极连接。所述第二薄膜晶体管T2的第二源极与所述复用电路选择模块的输出端OVDD连接,第二漏极与所述有源发光二极管OLED的阳极连接。所述第三薄膜晶体管T3的第三栅极与所述栅极信号线Gate连接,第三源极与所述存储电容Cst的第二电极板连接,第三漏极接入参考电压Vref。所述有源发光二极管OLED的阴极与所述阳极连接,用于控制所述像素单元的显示。
所述复用电路选择模块的输出级具有两级,即只输出高电平或低电平;TFT驱动工作在线性区,类于开关管作用。因此给出所述像素电路的数据信号只需要高电平或低电平两级。因此驱动芯片输出级只需要透过所述复用电路选择模块选择输出Vref0或者Vref1。例如(Vref1=16V,Vref0=0V),当然此处并不做限定。
当所述复用电路选择模块输出高电平时,所述第二薄膜晶体管T2关闭,所述像素电路处于放电状态,所述有源发光二极管OLED处于暗态。连接所述第一薄膜晶体管T1的所述数据线号线Date上的数据信号经由所述第一漏极通过所述存储电容Cst传输至所述第三薄膜晶体管T3进行放电。
当所述复用电路选择模块输出低电平时,所述第二薄膜晶体管T2打开,所述像素电路处于充电状态,所述有源发光二极管OLED导通并处于亮态。连接所述第一薄膜晶体管T1的所述数据线号线Date上的数据信号经由所述第一漏极传输至所述第二薄膜晶体管T2,并由所述第二漏极传输至所述有源发光二极管OLED的所述阴极。
由于所述驱动芯片采用PWM(Pulse-WidthModulation,脉冲宽度调制)方式输出高电平或低电平来控制所述有源发光二极管OLED的亮暗从而输出灰阶,因此由原来8bit位深降至1bit位深,从而大大降低了带宽的宽度。另外,所述数据线号线Date需要较高的刷新频率,因此需要快速充放电,由于所述数据线号线Date透过所述复用电路选择模块与电源直接相连,因此,增强了所述驱动芯片的驱动能力。
本申请提供的OLED驱动芯片及其驱动方法,由于OLED驱动芯片只需透过复用电路选择模块输出高电平或低电平,位深降至只有两级,可大大降低带宽。由于数据信号需要较高的刷新频率,因此需要快速充放电,由于数据信号线透过复用电路选择模块与电源直接相连,因此增强了OLED驱动芯片的驱动能力。从而使得OLED驱动芯片的架构简单,驱动能力较强,可大大降低带宽需求,节约成本。
综上所述,虽然本申请已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种OLED驱动芯片的驱动方法,所述OLED驱动芯片用于对像素电路进行驱动,其特征在于,所述OLED驱动芯片包括移位寄存模块、第一级缓存模块、第二级缓存模块以及复用电路选择模块;
所述移位寄存模块的输入端接入上一级时钟信号,且根据所述上一级时钟信号进行移位,并输出当前级时钟信号至所述第一级缓存模块;
所述第一级缓存模块接入RGB数据信号,根据所述当前级时钟信号获取当前级所述RGB数据信号中的灰阶信号并输出至所述第二级缓存模块;
所述第二级缓存模块接入触控信号,并根据所述触控信号将存储的所述灰阶信号输出至所述复用电路选择模块;
所述复用电路选择模块接入电源,且输出端与所述像素电路连接;所述复用电路选择模块根据所述灰阶信号转换成逻辑状态并输出高电平或低电平,用于控制像素单元的显示时间长短以切分出所述像素单元的不同灰阶;
当所述复用电路选择模块输出高电平时,所述像素电路处于放电状态;当所述复用电路选择模块输出低电平时,所述像素电路处于充电状态。
2.根据权利要求1所述的驱动方法,其特征在于,所述像素电路包括数据信号线与栅极信号线,所述数据信 号线通过所述复用电路选择模块与所述电源相连。
3.根据权利要求2所述的驱动方法,其特征在于,所述像素电路还包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、存储电容以及有源发光二极管;
所述第一薄膜晶体管的第一栅极与所述栅极信号线连接,第一源极与所述数据信号线连接,第一漏极分别与所述存储电容的第一电极板以及所述第二薄膜晶体管的第二栅极连接;
所述第二薄膜晶体管的第二源极与所述复用电路选择模块的输出端连接,第二漏极与所述有源发光二极管的阳极连接;
所述第三薄膜晶体管的第三栅极与所述栅极信号线连接,第三源极与所述存储电容的第二电极板连接,第三漏极接入参考电压;
所述有源发光二极管的阴极与所述阳极连接,用于控制所述像素单元的显示。
4.根据权利要求3所述的驱动方法,其特征在于,当所述复用电路选择模块输出高电平时,所述第二薄膜晶体管关闭,所述有源发光二极管处于暗态。
5.根据权利要求4所述的驱动方法,其特征在于,连接所述第一薄膜晶体管的所述数据信号线上的数据信号经由所述第一漏极通过所述存储电容传输至所述第三薄膜晶体管进行放电。
6.根据权利要求3所述的驱动方法,其特征在于,当所述复用电路选择模块输出低电平时,所述第二薄膜晶体管打开,所述有源发光二极管导通并处于亮态。
7.根据权利要求6所述的驱动方法,其特征在于,连接所述第一薄膜晶体管的所述数据信号线上的数据信号经由所述第一漏极传输至所述第二薄膜晶体管,并由所述第二漏极传输至所述有源发光二极管的所述阴极。
8.一种OLED驱动芯片,用于对像素电路进行驱动,其特征在于,包括移位寄存模块、第一级缓存模块、第二级缓存模块以及复用电路选择模块;
所述移位寄存模块的输入端接入上一级时钟信号,经过一个时钟周期后并向所述第一级缓存模块输出当前级时钟信号;
所述第一级缓存模块接入RGB数据信号,并根据所述当前级时钟信号获取当前级所述RGB数据信号中的灰阶信号并输出至所述第二级缓存模块;
所述第二级缓存模块接入触控信号,并根据所述触控信号将存储的所述灰阶信号输出至所述复用电路选择模块;
所述复用电路选择模块接入电源,且输出端与所述像素电路连接;所述复用电路选择模块根据所述灰阶信号转换成逻辑状态并输出高电平或低电平,用于控制像素单元的显示时间长短以切分出所述像素单元的不同灰阶;
当所述复用电路选择模块输出高电平时,所述像素电路处于放电状态;当所述复用电路选择模块输出低电平时,所述像素电路处于充电状态。
9.根据权利要求8所述的OLED驱动芯片,其特征在于,当所述复用电路选择模块输出高电平时,所述像素单元处于暗态。
10.根据权利要求8所述的OLED驱动芯片,其特征在于,当所述复用电路选择模块输出低电平时,所述像素单元处于亮态。
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GR01 | Patent grant | ||
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