CN109399724A - 二硫化铼量子点的制备方法 - Google Patents

二硫化铼量子点的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109399724A
CN109399724A CN201811414035.4A CN201811414035A CN109399724A CN 109399724 A CN109399724 A CN 109399724A CN 201811414035 A CN201811414035 A CN 201811414035A CN 109399724 A CN109399724 A CN 109399724A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
rhenium disulfide
preparation
disulfide quantum
rhenium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811414035.4A
Other languages
English (en)
Inventor
袁玉峰
彭晓
宋军
梁宏达
屈军乐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen University
Original Assignee
Shenzhen University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen University filed Critical Shenzhen University
Priority to CN201811414035.4A priority Critical patent/CN109399724A/zh
Publication of CN109399724A publication Critical patent/CN109399724A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G47/00Compounds of rhenium
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/82Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/51Particles with a specific particle size distribution
    • C01P2004/52Particles with a specific particle size distribution highly monodisperse size distribution
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Medicines Containing Antibodies Or Antigens For Use As Internal Diagnostic Agents (AREA)

Abstract

本发明主要公开了一种二硫化铼量子点制备方法,采取粉碎,剥离,和离心制备出分散性好,尺度均一的二硫化铼量子点分散液。

Description

二硫化铼量子点的制备方法
技术领域
本发明涉及量子点领域,具体涉及一种二硫化铼量子点的制备方法。
背景技术
过渡金属硫化物(Transition Metal Dichalcogenides,TMDs)是一种类石墨烯的二维材料,表现出优良的物理、化学以及电子学特性,具有比表面积大、高载流子迁移率、光子吸收截面大、可调谐的带宽以及量子效率高等特点,已在纳米电子学和光电子学等领域得到广泛应用。最近,作为过渡金属硫化物家族新成员,二硫化铼(ReS2)引起了人们广泛的兴趣。需要指出的是,与其它过渡金属硫化物不同的是,二硫化铼(ReS2)晶体具有结构不对称性,因而导致它具有明显的面内各向异性,如各向异性吸收、各向异性激发以及各向异性载流子传输等,这些特性为开发各向异性光电子器件和光学传感器件提供一个重要的思路。因此,制备高质量的二硫化铼纳米材料迫在眉睫。目前,基于二硫化铼纳米片的制备方法已有报道,主要包括化学气相沉积、化学液相剥离和水热法等。然而,目前还未见报道二硫化铼量子点的制备方法,因此,现有技术存在空缺,急需填补。
发明内容
本发明提供了二硫化铼量子点的制备方法,来填补现有二硫化铼量子点的空白。
为了解决所述问题本发明提供了一种二硫化铼量子点的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
将二硫化铼原料粉碎处理;
将二硫化铼粉末进行液相剥离处理,获得混合分散液;
以13000-15000rpm的转速离心所述混合分散液,取上清液即为二硫化铼量子点分散液。
优选地,所述粉碎处理包括研磨、球磨中的一种或多种。
优选地,所述液相剥离处理的溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、γ-丁内酯中的一种或多种。
优选地,所述液相剥离辅助手段为超声、微波、剪切力、热应力以及电化学中的一种或多种。
优选地,所述液相剥离的温度为-5~5℃。
优选地,所述离心时间为15-20min。
所述的二硫化铼量子点的制备方法还包括如下步骤:
将所述二硫化铼量子点分散液以24000-26000rpm离心,取沉淀洗涤后分散于其他溶剂中,得到二硫化铼量子点分散液。
优选地,所述离心时间为25-30min。
本发明所述的二硫化铼量子点的制备方法填补了这方面的空白,并且所得的二硫化铼量子点分散液分散性好、尺度均匀。所述制备方法巧妙地利用离心的手段达到了筛选粒径的目的,所述制备方法简单易行,条件温和,适合大规模推广。
附图说明
图1是发明本实施案例所制备的二硫化铼量子点的透射电镜图。
图2是发明本实施案例所制备的二硫化铼量子点的紫外-可见吸收光谱图。
图3是本发明实施例所制备的二硫化铼量子点的粒径分布图。
具体实施方式
本发明提供了二硫化铼量子点的制备方法,来填补现有二硫化铼量子点的空白。
为了解决所述问题本发明提供了一种二硫化铼量子点的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
将二硫化铼原料粉碎处理;
将二硫化铼粉末进行液相剥离处理,获得混合分散液;
以13000-15000rpm的转速离心所述混合分散液,取上清液即为二硫化铼量子点分散液。
所述粉碎处理包括研磨、球磨中的一种或多种。可以经过切割捣碎等手段预先处理,然后通过研磨、球磨或者其他方式处理成粉末。
所述液相剥离处理的溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、γ-丁内酯中的一种或多种。这些只是常见的效果较好的溶剂,也可以选用离子液体,混合溶剂等多种手段。
所述液相剥离辅助手段为超声、微波、剪切力、热应力以及电化学中的一种或多种。这些手段都可以将二硫化铼的片层结构松动,然后结合溶剂,将片层结构剥离开来。
所述液相剥离的温度为-5~5℃。在此温度条件下溶剂挥发少,而且本来目的只是为了分散而不是溶解,所以不必实用较高温度。
所述离心时间为15-20min。经过15-20分钟已经基本分散完成,多加时间没有必要。
所述的二硫化铼量子点的制备方法还包括如下步骤:
将所述二硫化铼量子点分散液以24000-26000rpm离心,取沉淀洗涤后分散于其他溶剂中,得到二硫化铼量子点分散液。若不满足原始的溶剂分散,可以采用此方式,先将分散质沉淀出来,在经过洗涤后分散于目标溶剂。
所述离心时间为25-30min。溶剂中的分散质粒径更小,需要更多时间沉淀下来,因此适当延长时间使分散质充分沉淀下来。
本发明所述的二硫化铼量子点的制备方法填补了这方面的空白,以往虽然有制备二硫化铼而为结构材料的,但还没有二硫化铼作为核心的量子点出现。而二硫化铼的二维结构是制作量子点的绝佳材料。并且所得的二硫化铼量子点分散液分散性好、尺度均匀。所述制备方法巧妙地利用离心的手段达到了筛选粒径的目的,所述制备方法简单易行,条件温和,适合大规模推广。
实施例1
(1)将二硫化铼块状晶体倒入研钵中,研磨20min,得到粒径更小的二硫化铼粉末;
(2)用万分之一天平精确称量20mg二硫化铼粉末分散在40mL N-甲基吡咯烷酮(NMP)中,在冰水浴下(-0°),通过超声液相剥离后得到混合分散液。其中,超声条件:超声时间为16小时,超声功率为800W,超声开时间为2s,超声关时间为4s。
(3)以14000rpm离心上述混合分散液15min,去除沉淀,取上清液即得二硫化铼量子点分散液(溶于NMP)。
(4)将二硫化铼量子点分散液(溶于NMP)以25000rpm高速离心30min,去除上清液,将沉淀用无水乙醇超声洗涤2次后,重新分散在超纯水中,即得水溶性二硫化铼量子点分散液。
图1、图2、图3依次为本实施案例所制备的二硫化铼量子点的透射电镜图、紫外-可见吸收光谱图以及粒径分布图。
实施例2
(1)将二硫化铼块状晶体倒入研钵中,研磨15min,得到粒径更小的二硫化铼粉末;
(2)用万分之一天平精确称量30mg二硫化铼粉末分散在60mL N-甲基吡咯烷酮(NMP)中,在冰水浴下(-0°),通过超声液相剥离后得到混合分散液。其中,超声条件:超声时间为17小时,超声功率为1000W,超声开时间为2s,超声关时间为4s。
(3)以14000rpm离心上述混合分散液15min,去除沉淀,取上清液即得二硫化铼量子点分散液(溶于NMP)。
(4)将二硫化铼量子点分散液(溶于NMP)以25000rpm高速离心30min,去除上清液,将沉淀用无水乙醇超声洗涤2次后,重新分散在超纯水中,即得水溶性二硫化铼量子点分散液。
本实施案例所制备的二硫化铼量子点的粒径,通过透射电镜表征,与实施案例一类似。
实施例3
(1)将二硫化铼块状晶体倒入研钵中,研磨20min,得到粒径更小的二硫化铼粉末;
(2)用万分之一天平精确称量40mg二硫化铼粉末分散在80mL N-甲基吡咯烷酮(NMP)中,在冰水浴下(-0°),通过超声液相剥离后得到混合分散液。其中,超声条件:超声时间为18小时,超声功率为1200W,超声开时间为2s,超声关时间为4s。
(3)以14000rpm离心上述混合分散液15min,去除沉淀,取上清液即得二硫化铼量子点分散液(溶于NMP)。
(4)将二硫化铼量子点分散液(溶于NMP)以25000rpm高速离心30min,去除上清液,将沉淀用无水乙醇超声洗涤2次后,重新分散在超纯水中,即得水溶性二硫化铼量子点分散液。
本实施案例所制备的二硫化铼量子点的粒径,通过透射电镜表征,与实施案例一类似。
以上实施例只用于对本发明的技术方案做进一步详细的说明,并非对本发明做任何限制,本领域的技术人员根据本发明的上述内容做出的一些非本质的改进和调整均属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (8)

1.一种二硫化铼量子点的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
将二硫化铼原料粉碎处理;
将二硫化铼粉末进行液相剥离处理,获得混合分散液;
以13000-15000rpm的转速离心所述混合分散液,取上清液即为二硫化铼量子点分散液。
2.如权利要求1所述的二硫化铼量子点的制备方法,其特征在于:所述粉碎处理包括研磨、球磨中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的二硫化铼量子点的制备方法,其特征在于:所述液相剥离处理的溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、γ-丁内酯中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的二硫化铼量子点的制备方法,其特征在于:所述液相剥离辅助手段为超声、微波、剪切力、热应力以及电化学中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的二硫化铼量子点的制备方法,其特征在于:所述液相剥离的温度为-5~5℃。
6.如权利要求1所述的二硫化铼量子点的制备方法,其特征在于:所述离心时间为15-20min。
7.如权利要求1所述的二硫化铼量子点的制备方法,其特征在于:还包括如下步骤:
将所述二硫化铼量子点分散液以24000-26000rpm离心,取沉淀洗涤后分散于其他溶剂中,得到二硫化铼量子点分散液。
8.如权利7述的二硫化铼量子点的制备方法,其特征在于:所述离心时间为25-30min。
CN201811414035.4A 2018-11-26 2018-11-26 二硫化铼量子点的制备方法 Pending CN109399724A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811414035.4A CN109399724A (zh) 2018-11-26 2018-11-26 二硫化铼量子点的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811414035.4A CN109399724A (zh) 2018-11-26 2018-11-26 二硫化铼量子点的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109399724A true CN109399724A (zh) 2019-03-01

Family

ID=65455435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811414035.4A Pending CN109399724A (zh) 2018-11-26 2018-11-26 二硫化铼量子点的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109399724A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109894622A (zh) * 2019-04-11 2019-06-18 国家纳米科学中心 一种由纳米线转化为量子点的方法及制得的量子点
CN112374462A (zh) * 2020-11-19 2021-02-19 太原理工大学 一种高质量碘量子点的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105602561A (zh) * 2015-10-30 2016-05-25 东南大学 一种二维层状材料量子点的制备方法
CN106118652A (zh) * 2016-06-20 2016-11-16 中国科学院兰州化学物理研究所 一种二硫化钨量子点的简单批量制备方法
CN106477632A (zh) * 2016-10-13 2017-03-08 国家纳米科学中心 过渡金属二硫族化合物量子片的制备方法
CN107200318A (zh) * 2017-06-02 2017-09-26 国家纳米科学中心 二维材料量子片及其制备方法
CN108046223A (zh) * 2018-01-26 2018-05-18 西安交通大学 一种量子点溶液的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105602561A (zh) * 2015-10-30 2016-05-25 东南大学 一种二维层状材料量子点的制备方法
CN106118652A (zh) * 2016-06-20 2016-11-16 中国科学院兰州化学物理研究所 一种二硫化钨量子点的简单批量制备方法
CN106477632A (zh) * 2016-10-13 2017-03-08 国家纳米科学中心 过渡金属二硫族化合物量子片的制备方法
CN107200318A (zh) * 2017-06-02 2017-09-26 国家纳米科学中心 二维材料量子片及其制备方法
CN108046223A (zh) * 2018-01-26 2018-05-18 西安交通大学 一种量子点溶液的制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109894622A (zh) * 2019-04-11 2019-06-18 国家纳米科学中心 一种由纳米线转化为量子点的方法及制得的量子点
CN112374462A (zh) * 2020-11-19 2021-02-19 太原理工大学 一种高质量碘量子点的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106365135B (zh) 一种高产率黑磷量子点的制备方法及其应用
CN109399724A (zh) 二硫化铼量子点的制备方法
JPH02153810A (ja) 葉片状黒鉛粉末及びその製造方法
CN106185895A (zh) 一种石墨烯分散液制备方法
CN104163417B (zh) 一种剥离石墨制备石墨烯的方法
CN109370127B (zh) 一种二维层状材料-聚乙烯醇水凝胶及其制备方法
CN108046223A (zh) 一种量子点溶液的制备方法
Borghesi et al. Laboratory study of SiC submicron particles at IR wavelengths-A comparative analysis
CN105858641B (zh) 石墨烯制造方法
Mirjalili et al. Dispersion stability in carbon nanotube modified polymers and its effect on the fracture toughness
Bustos et al. Rheological and microstructural study of A356 alloy solidified under magnetic stirring
Iphoeski et al. Electron radiation damage in a high voltage electron microscope
CN102234130A (zh) 一种简易的制备氧化铟纳米立方体的方法
CN107384390A (zh) 一种二硫化钼量子点的制备方法
Mori et al. Thermal and deformational histories of diogenites as inferred from their microtextures of orthopyroxene
CN110092359B (zh) 一种液相剥离制备二硒化钒量子点的方法
CN111137867A (zh) 一种表面活性剂介导的少层黑磷纳米片制法
CN108101018A (zh) 一种以三七为原料合成氮掺杂碳量子点的方法
Love et al. Mineral and organic material in matrices and coatings of framboidal pyrite from Pennsylvanian sediments, England
CN106745154A (zh) 一种低温条件下制备高长径比硫酸钙纳米线的方法
Li et al. Growth, optical properties and defects of Tb: YAl3 (BO3) 4 crystal
Maorong et al. Study on InP Doped With Sulphur and Under DifferentTemperatures by Positron Annihilation
CN109694078A (zh) 一种氟晶云母的制备方法及其在二维晶体制备中的应用
Korczak et al. Czochralski growth of neodymium-doped yttrium orthoaluminate
CN114989880A (zh) 切割液及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190301

RJ01 Rejection of invention patent application after publication