CN109388343A - 一种数据存储方法及存储器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种数据存储方法及存储器，方法包括：建立ECC表格，记录数据来源页的第一ECC值以及数据目标页的第二ECC值；更新ECC表格；加载ECC表格，检测第一ECC值是否超过第一预设阈值；如果第一ECC值超过第一预设阈值，则采用ECC模块对数据来源页进行纠错；如果第一ECC值没有超过第一预设阈值，则检测第二ECC值是否超过第二预设阈值；如果第二ECC值超过第二预设阈值，则采用ECC模块对数据来源页进行纠错；如果第二ECC值没有超过第二预设阈值，则采用copyback模式拷贝数据；该方法能够降低因copyback功能引起错误bit超出ECC纠错范围，降低数据出错的风险。

Description

一种数据存储方法及存储器
技术领域
本发明涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种数据存储方法及存储器。
背景技术
现有的Nand Flash存储器，一般先将数据采用SLC写入NAND模块中，待SLC的空块用到一定程度后再使用copyback功能将SLC中的数据快速拷贝到MLC块或者TLC块中，因为单纯使用SLC的话会导致容量减少(MLC减少一半，TLC减少三分之二)，采用copyback功能是为了提高速度，因为数据不需要传输到外部，只是在Nand Flash内部数据搬移。现在通常采用降低MLC/TLC的ECC来保证数据准确，例如ECC硬件模块可以纠错60bit，在扫描的时候SLC的错误bit数为10bit，MLC/TLC中错误bit数超过20bit则代表数据出错，后续不再使用，但是这些块其实是可以保留使用的，10+20＝30<60,小于ECC硬件纠错范围内，为了给后续留有30bit出错点的余量。
现有的Nand Flash的设计原理上存在缺陷，数据需要ECC硬件模块纠错，ECC硬件模块纠错是需要将数据从Nand中读出来，经过ECC硬件模块运算后才可以纠错，但是copyback整个过程是在Nand Flash内部进行的，这样会导致SLC中的错误bit并没有被纠错就写入了MLC/TLC中，例如flash开始保留了30bit的余量，但是随着SLC与TLC的擦写次数增加，两个块的错误bit都会升高，假如SLC错误bit为15，TLC错误bit为50，一旦使用copyback命令拷贝数据的话，最终的错误bit为15+50＝65>60(ECC硬件纠错最大值)，导致数据出错。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术中的Nand Flash的设计原理缺陷，数据出错率高的问题，提出一种数据存储方法及存储器，能够有效降低数据出错的风向。
一种数据存储方法，包括：
建立ECC表格，记录数据来源页的第一ECC值，以及数据目标页的第二ECC值；
更新所述ECC表格；
加载所述ECC表格，检测所述第一ECC值是否超过第一预设阈值；
如果所述第一ECC值超过所述第一预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第一ECC值没有超过第一预设阈值，则检测第二ECC值是否超过第二预设阈值；
如果所述第二ECC值超过所述第二预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第二ECC值没有超过所述第二预设阈值，则采用copyback模式拷贝数据。
进一步地，更新所述ECC表格包括第一ECC值的更新和第二ECC值的更新；
空闲时扫描所述数据来源页进行第一ECC值的更新；
正常读取数据时扫描所述数据目标页进行第二ECC值的更新。
进一步地，所述第一预设阈值为5bit-15bit。
进一步地，所述第二预设阈值为15bit-25bit。
进一步地，采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错，包括：
生成读取命令；
根据所述读取命令，ECC模块从所述数据来源页中读取数据进行纠错；
纠错完成后生成写入命令；
ECC模块根据所述写入命令将纠错后的数据写入数据来源页中。
进一步地，如果所述第二ECC值没有超过所述第二预设阈值，则检测所述第一ECC值与第二ECC值之和是否超过第三预设阈值；
如果所述第一ECC值与第二ECC值之和超过第三预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第一ECC值与第二ECC值之和没有超过第三预设阈值，则采用copyback模式拷贝数据。
进一步地，所述第三预设阈值为20bit-40bit。
进一步地，采用copyback模式拷贝数据，包括：
检测数据来源页中的数据数量是否达到预设数量；
如果是，则将数据来源页中的数据拷贝至所述数据目标页中，并释放所述数据来源页。
一种存储器，包括主控芯片、NAND模块以及ECC模块，所述NAND模块包括数据来源页和数据目标页；
所述主控芯片用于执行：
建立ECC表格，记录数据来源页的第一ECC值以及数据目标页的第二ECC值；
更新所述ECC表格；
加载所述ECC表格，检测所述第一ECC值是否超过第一预设阈值；
如果所述第一ECC值超过所述第一预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第一ECC值没有超过第一预设阈值，则检测第二ECC值是否超过第二预设阈值；
如果所述第二ECC值超过所述第二预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第二ECC值没有超过所述第二预设阈值，则采用copyback模式拷贝数据。
进一步地，所述数据来源页为SLC块、TLC块或者MLC块；
所述数据目标页为TLC块或者MLC块。
本发明提供的数据存储方法及存储器，至少包括如下有益效果：
(1)降低因copyback功能引起错误bit超出ECC纠错范围，降低数据出错的风险；
(2)通过ECC表格的记录，可以预测NAND FLASH寿命，避免关键性数据写入高ECC值的块，提高系统的稳定性；
(3)增加对第一ECC值与第二ECC值之和是否超过第三预设阈值的判断，可以有效的防止边界情况，进一步降低数据出错的风险。
附图说明
图1为本发明提供的数据存储方法一种实施例的流程图。
图2为本发明提供的数据存储方法另一种实施例的流程图。
图3为本发明提供的存储器一种实施例的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例一
参考图1，本实施例提供一种数据存储方法，包括：
步骤S101，建立ECC表格，记录数据来源页的第一ECC值以及数据目标页的第二ECC值；
步骤S102，更新所述ECC表格；
步骤S103，加载所述ECC表格，检测所述第一ECC值是否超过第一预设阈值；
步骤S104，如果所述第一ECC值超过所述第一预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
步骤S105，如果所述第一ECC值没有超过第一预设阈值，则检测第二ECC值是否超过第二预设阈值；
步骤S106，如果所述第二ECC值超过所述第二预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
步骤S107，如果所述第二ECC值没有超过所述第二预设阈值，则采用copyback模式拷贝数据。
ECC(Error Correcting Code，错误检查和纠正)，是一种能够实现“错误检查和纠正”的技术。
进一步地，执行步骤S101，在存储器出厂时建立ECC表格，通过扫描存储器每个页的数据来源页的第一ECC值，以及数据目标页的第二ECC值，并保存至存储器中。
进一步地，执行步骤S102，更新所述ECC表格包括第一ECC值的更新和第二ECC值的更新；
空闲时扫描所述数据来源页进行第一ECC值的更新；
正常读取数据时扫描所述数据目标页进行第二ECC值的更新。
数据来源页用来临时保存数据，块数少，重复利用率高，擦除读写频繁，但是随着擦除次数的增加，其ECC值会发生变化，因此需要重点关注其ECC值，空闲时进行扫描。
数据目标页用来长期保存数据，块数多，因此数据目标页的扫描是在正常读取数据时进行，不会在空闲时候扫描。
进一步地，执行步骤S103，上电后加载ECC表格，检测第一ECC值是否超过第一预设阈值，作为一种优选的实施方式，第一预设阈值为5bit-15bit。
进一步地，执行步骤S104，如果第一ECC值超过第一预设阈值，采用ECC模块对数据来源页进行纠错，具体包括：
生成读取命令；
根据所述读取命令，ECC模块从所述数据来源页中读取数据进行纠错；
纠错完成后生成写入命令；
ECC模块根据所述第一写入命令将纠错后的数据写入数据来源页中。
进一步地，执行步骤S105，如果第一ECC值没有超过第一预设阈值，则检测第二ECC值是否超过第二预设阈值，作为一种优选的实施方式，第二预设阈值为15bit-25bit。
进一步地，执行步骤S106，如果第二ECC值超过第二预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错。
进一步地，执行步骤S107，如果第二ECC值没有超过所述第二预设阈值，则采用copyback模式拷贝数据，具体包括：
检测数据来源页中的数据数量是否达到预设数量；
如果是，则将数据来源页中的数据拷贝至所述数据目标页中，并释放所述数据来源页。
此外，作为另外一种可选的实施方式，参考图2，如果所述第二ECC值没有超过所述第二预设阈值，则检测所述第一ECC值与第二ECC值之和是否超过第三预设阈值；
如果所述第一ECC值与第二ECC值之和超过第三预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第一ECC值与第二ECC值之和没有超过第三预设阈值，则采用copyback模式拷贝数据。
作为一种优选的实施方式，所述第三预设阈值为20bit-40bit。
如果所述第二ECC值没有超过所述第二预设阈值，进一步对第一ECC值与第二ECC值之和是否超过第三预设阈值进行判断，可以有效的防止边界情况，进一步降低数据出错的风险。
进一步地，所述数据来源页为SLC块、TLC块或者MLC块；
所述数据目标页为TLC块或者MLC块。
SLC(Single-Level Cell，单层单元)，用于临时保存数据，容量小、速度快。
TLC(Triple-Level Cell，三层单元，)，用于长期保存数据，容量大、数量多。
MLC(Multi-Level Cell，多层单元)，用于长期保存数据，容量大、数量多。
第一种应用场景下，数据来源页为SLC块，数据目标页为TLC块或者MLC块。
第二种应用场景下，数据来源页为TLC块或者MLC块，数据目标页也为TLC块或者MLC块。
本实施例提供的数据存储方法，至少包括如下有益效果：
(1)降低因copyback功能引起错误bit超出ECC纠错范围，降低数据出错的风险；
(2)通过ECC表格的记录，可以预测NAND FLASH寿命，避免关键性数据写入高ECC值的块，提高系统的稳定性；
(3)增加对第一ECC值与第二ECC值之和是否超过第三预设阈值的判断，可以有效的防止边界情况，进一步降低数据出错的风险。
实施例二
参考图3，本实施例提供一种存储器，包括主控芯片201、NAND模块202以及ECC模块203，NAND模块包括数据来源页2021和数据目标页2022；
主控芯片201用于执行：
建立ECC表格，记录数据来源页的第一ECC值以及数据目标页的第二ECC值；
更新所述ECC表格；
加载所述ECC表格，检测所述第一ECC值是否超过第一预设阈值；
如果所述第一ECC值超过所述第一预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第一ECC值没有超过第一预设阈值，则检测第二ECC值是否超过第二预设阈值；
如果所述第二ECC值超过所述第二预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第二ECC值没有超过所述第二预设阈值，则采用copyback模式拷贝数据。
进一步地，所述数据来源页为SLC块、TLC块或者MLC块；
所述数据目标页为TLC块或者MLC块。
进一步地，主控芯片202还用于执行：
空闲时扫描所述数据来源页进行第一ECC值的更新；
正常读取数据时扫描所述数据目标页进行第二ECC值的更新。
进一步地，如果第一ECC值超过第一预设阈值，主控芯片202还用于执行：
生成读取命令；
根据所述第一读取命令，ECC模块从所述数据来源页中读取数据进行纠错；
纠错完成后生成写入命令；
ECC模块根据所述写入命令将纠错后的数据写入数据来源页中。
进一步地，如果第二ECC值超过第二预设阈值，主控芯片202还用于执行：则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错。
进一步地，如果第二ECC值没有超过所述第二预设阈值，则主控芯片20还用于执行：
检测数据来源页中的数据数量是否达到预设数量；
如果是，则将数据来源页中的数据拷贝至所述数据目标页中，并释放所述数据来源页。
进一步地，如果所述第二ECC值没有超过所述第二预设阈值，则主控芯片201还用于执行：
检测所述第一ECC值与第二ECC值之和是否超过第三预设阈值；
如果所述第一ECC值与第二ECC值之和超过第三预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第一ECC值与第二ECC值之和没有超过第三预设阈值，则采用copyback模式拷贝数据。
具体工作原理请参考实施例一，在此不再赘述。
本实施例提供的存储器，至少包括如下有益效果：
(1)降低因copyback功能引起错误bit超出ECC纠错范围，降低数据出错的风险；
(2)通过ECC表格的记录，可以预测NAND FLASH寿命，避免关键性数据写入高ECC值的块，提高系统的稳定性；
(3)增加对第一ECC值与第二ECC值之和是否超过第三预设阈值的判断，可以有效的防止边界情况，进一步降低数据出错的风险。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种数据存储方法，其特征在于，包括：
建立ECC表格，记录数据来源页的第一ECC值以及数据目标页的第二ECC值；
更新所述ECC表格；
加载所述ECC表格，检测所述第一ECC值是否超过第一预设阈值；
如果所述第一ECC值超过所述第一预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第一ECC值没有超过第一预设阈值，则检测第二ECC值是否超过第二预设阈值；
如果所述第二ECC值超过所述第二预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第二ECC值没有超过所述第二预设阈值，则采用copyback模式拷贝数据。
2.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，更新所述ECC表格包括第一ECC值的更新和第二ECC值的更新；
空闲时扫描所述数据来源页进行第一ECC值的更新；
正常读取数据时扫描所述数据目标页进行第二ECC值的更新。
3.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，所述第一预设阈值为5bit-15bit。
4.根据权利要求3所述的数据存储方法，其特征在于，所述第二预设阈值为15bit-25bit。
5.根据权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错，包括：
生成读取命令；
根据所述读取命令，ECC模块从所述数据来源页中读取数据进行纠错；
纠错完成后生成写入命令；
ECC模块根据所述写入命令将纠错后的数据写入数据来源页中。
6.根据权利要求5所述的数据存储方法，其特征在于，如果所述第二ECC值没有超过所述第二预设阈值，则检测所述第一ECC值与第二ECC值之和是否超过第三预设阈值；
如果所述第一ECC值与第二ECC值之和超过第三预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第一ECC值与第二ECC值之和没有超过第三预设阈值，则采用copyback模式拷贝数据。
7.根据权利要求6所述的数据存储方法，其特征在于，所述第三预设阈值为20bit-40bit。
8.根据权利要求1或6所述的数据存储方法，其特征在于，采用copyback模式拷贝数据，包括：
检测数据来源页中的数据数量是否达到预设数量；
如果是，则将数据来源页中的数据拷贝至所述数据目标页中，并释放所述数据来源页。
9.一种存储器，其特征在于，包括主控芯片、NAND模块以及ECC模块，所述NAND模块包括数据来源页和数据目标页；
所述主控芯片用于执行：
建立ECC表格，记录数据来源页的第一ECC值以及数据目标页的第二ECC值；
更新所述ECC表格；
加载所述ECC表格，检测所述第一ECC值是否超过第一预设阈值；
如果所述第一ECC值超过所述第一预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第一ECC值没有超过第一预设阈值，则检测第二ECC值是否超过第二预设阈值；
如果所述第二ECC值超过所述第二预设阈值，则采用ECC模块对所述数据来源页进行纠错；
如果所述第二ECC值没有超过所述第二预设阈值，则采用copyback模式拷贝数据。
10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述数据来源页为SLC块、TLC块或者MLC块；
所述数据目标页为TLC块或者MLC块。
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