CN109379065B - 电压检测电路、过压保护开关及电子设备 - Google Patents

电压检测电路、过压保护开关及电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明提供的电压检测电路，在传统比较电路基础上增加第一电压跟随器和第二电压跟随器。第一电压跟随器作为分压后的输入电压的电压跟随器；第二电压跟随器作为参考电压的电压跟随器；且由于两个电压跟随器均采用源跟随接法，使得分压后的输入电压遇到的电容降低。这样输入电压快速上升时，加快了分压后的输入电压的上升速度，进而缩短了过压保护的关断时间。

Description

电压检测电路、过压保护开关及电子设备
技术领域
本发明涉及半导体集成电路领域，更具体地说，涉及电压检测电路、过压保护开关及电子设备。
背景技术
目前，过压保护开关(Over Voltage Protection，OVP)在众多电子设备(如手机、电脑等)中得到广泛应用，其主要功能是在外部输入电压高于预设电压后，切断信号或者电源通路。例如，支持过压保护的USB开关应用中，USB信号线由于误操作短路到较高压的电源，此时开关需要及时切断信号通路，以防高压传输到内部低压器件，从而造成对内部低压器件的损伤。
过压保护的关断时间指的是从电压超过设定阈值开始到开关关断的时间，关断时间越短也就意味着在过压场景下后级电路所承受的电压越低，也就是保护效果越好。过于场景包括瞬间短路、浪涌等。
电压检测模块是负责判断端口电压是否过压的重要模块，其响应的速度直接影响到过压保护开关的关断时间。传统电压检测模块，包括分压电路和比较器，该电路比较器引入的电容，是导致输入响应慢的主要原因，另外该比较器本身响应较慢，无法满足系统对关断时间的要求。
发明内容
有鉴于此，本发明提出电压检测电路、过压保护开关及电子设备，欲实现缩短过压保护的关断时间的目的。
为了实现上述目的，现提出的方案如下：
一种电压检测电路，包括：分压模块和比较器；其中，
所述分压模块包括第一电阻，以及与所述第一电阻串联的第二电阻；
所述第一电阻远离所述第二电阻的一端用于接收输入电压，所述第二电阻远离所述第一电阻的一端用于接地；
所述比较器包括第一电压跟随器、第二电压跟随器和第一比较电路；
所述第一电阻和所述第二电阻的连接节点，与所述第一比较电路的电压输入端之间连接所述第一电压跟随器；
所述第二电压跟随器的输出端连接所述第一比较电路的参考电压输入端，所述第二电压跟随器的输入端用于接收参考电压；
所述第一电压跟随器和所述第二电压跟随器均采用源跟随接法。
可选的，所述第一比较电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和电流源，其中，
所述第一PMOS管的源极为电源端、所述第一PMOS管的漏极为电压输出端、以及所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极；
所述第二PMOS管的源极连接所述电源端，所述第二PMOS管的栅极连接所述第三PMOS管的栅极；
所述第三PMOS管的源极连接所述电源端，所述第三PMOS管的漏极接所述第二PMOS管的栅极；
所述电流源的输入端连接所述电源端；
所述第一NMOS管的漏极和栅极均连接所述电流源的输出端，所述第一NMOS管的源极接地；
所述第二NMOS管的栅极连接所述电流源的输出端，所述第二NMOS管的漏极连接所述电压输出端，所述第二NMOS管的源极接地；
所述第三NMOS管的栅极连接所述电流源的输出端，所述第三NMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的源极，所述第三NMOS管的源极接地；
所述第四NMOS管的栅极为所述电压输入端，所述第四NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极连接所述第五NMOS管的源极；
所述第五NMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的漏极，所述第五NMOS管的栅极为所述参考电压输入端。
可选的，所述第一电压跟随器包括第四PMOS管、第五PMOS管和电容；
所述第二电压跟随器包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管和第六NMOS管；
所述第四PMOS管的栅极连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接节点，所述第四PMOS管的漏极接地，所述第四PMOS管的源极连接所述电压输入端；
所述第五PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的源极，所述第五PMOS管的源极连接所述电源端，所述第五PMOS管的栅极连接所述电容的一端，所述电容的另一端连接所述第四NMOS管的漏极；
所述第六PMOS管的源极连接所述电源端，所述第六PMOS管的栅极连接所述第七PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的漏极连接所述第八PMOS管的源极；
所述第七PMOS管的源极连接所述电源端，所述第七PMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的栅极，所述第七PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极；
所述第八PMOS管的源极连接所述第五NMOS管的栅极，所述第八PMOS管的漏极接地，所述第八PMOS管的栅极用于接收参考电压；
所述第六NMOS管的漏极连接所述第七PMOS管的漏极，所述第六NMOS管的栅极连接所述电流源的输出端，所述第六NMOS管的源极接地。
可选的，上述电压检测电路，还包括：连接在所述第七PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极之间的第三电阻。
一种过压保护开关，包括电压检测电路。所述电压检测电路包括：分压模块和比较器；其中，
所述分压模块包括第一电阻，以及与所述第一电阻串联的第二电阻；
所述第一电阻远离所述第二电阻的一端用于接收输入电压，所述第二电阻远离所述第一电阻的一端用于接地；
所述比较器包括第一电压跟随器、第二电压跟随器和第一比较电路；
所述第一电阻和所述第二电阻的连接节点，与所述第一比较电路的电压输入端之间连接所述第一电压跟随器；
所述第二电压跟随器的输出端连接所述第一比较电路的参考电压输入端，所述第二电压跟随器的输入端用于接收参考电压；
所述第一电压跟随器和所述第二电压跟随器均采用源跟随接法。
可选的，所述第一比较电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和电流源，其中，
所述第一PMOS管的源极为电源端、所述第一PMOS管的漏极为电压输出端、以及所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极；
所述第二PMOS管的源极连接所述电源端，所述第二PMOS管的栅极连接所述第三PMOS管的栅极；
所述第三PMOS管的源极连接所述电源端，所述第三PMOS管的漏极接所述第二PMOS管的栅极；
所述电流源的输入端连接所述电源端；
所述第一NMOS管的漏极和栅极均连接所述电流源的输出端，所述第一NMOS管的源极接地；
所述第二NMOS管的栅极连接所述电流源的输出端，所述第二NMOS管的漏极连接所述电压输出端，所述第二NMOS管的源极接地；
所述第三NMOS管的栅极连接所述电流源的输出端，所述第三NMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的源极，所述第三NMOS管的源极接地；
所述第四NMOS管的栅极为所述电压输入端，所述第四NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极连接所述第五NMOS管的源极；
所述第五NMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的漏极，所述第五NMOS管的栅极为所述参考电压输入端。
可选的，所述第一电压跟随器包括第四PMOS管、第五PMOS管和电容；
所述第二电压跟随器包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管和第六NMOS管；
所述第四PMOS管的栅极连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接节点，所述第四PMOS管的漏极接地，所述第四PMOS管的源极连接所述电压输入端；
所述第五PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的源极，所述第五PMOS管的源极连接所述电源端，所述第五PMOS管的栅极连接所述电容的一端，所述电容的另一端连接所述第四NMOS管的漏极；
所述第六PMOS管的源极连接所述电源端，所述第六PMOS管的栅极连接所述第七PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的漏极连接所述第八PMOS管的源极；
所述第七PMOS管的源极连接所述电源端，所述第七PMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的栅极，所述第七PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极；
所述第八PMOS管的源极连接所述第五NMOS管的栅极，所述第八PMOS管的漏极接地，所述第八PMOS管的栅极用于接收参考电压；
所述第六NMOS管的漏极连接所述第七PMOS管的漏极，所述第六NMOS管的栅极连接所述电流源的输出端，所述第六NMOS管的源极接地。
上述过压保护开关，还包括：连接在所述第七PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极之间的第三电阻。
一种电子设备，包括上述的过压保护开关。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
上述技术方案提供的电压检测电路中的比较器，在传统比较电路基础上增加第一电压跟随器和第二电压跟随器。第一电压跟随器作为分压后的输入电压的电压跟随器；第二电压跟随器作为参考电压的电压跟随器；且由于两个电压跟随器均采用源跟随接法，使得分压后的输入电压遇到的电容降低。这样输入电压快速上升时，加快了分压后的输入电压的上升速度，进而缩短了过压保护的关断时间。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种电压检测电路的示意图；
图2为本发明实施例提供的一种第一比较电路的示意图；
图3为本发明实施例提供的一种电压检测电路的具体结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种电压检测电路的具体结构示意图；
图5为本发明实施例提供的仿真结果的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本实施例提供一种电压检测电路，参见图1所示，该电路包括：分压模块11和比较器12。
分压模块11包括第一电阻RU和第二电阻RD；第一电阻RU与第二电阻RD串联。
第一电阻RU远离第二电阻RD的一端用于接收输入电压，即信号从该端输入。第二电阻RD远离第一电阻RU的一端接地。
比较器12包括第一电压跟随器121、第二电压跟随器122和第一比较电路123。第一电阻RU和第二电阻RD的连接节点，与第一比较电路123的电压输入端PIS之间连接第一电压跟随器121。第二电压跟随器122的输出端连接第一比较电路123的参考电压输入端P2S。第二电压跟随器122的输入端用于接收参考电压VREF。第一电压跟随器121和所述第二电压跟随器122均采用源跟随接法。
第一比较电路123可以为传统的比较器。可以在传统比较器基础上增加第一电压跟随器121和第二电压跟随器122。第一电压跟随器121作为分压后的输入电压VDIV的电压跟随器。第二电压跟随器122作为参考电压VREF的电压跟随器；且由于两个电压跟随器均采用源跟随接法，使得分压后的输入电压VDIV遇到的电容降低。这样输入电压快速上升时，加快了分压后的输入电压VDIV的上升速度，进而缩短了过压保护的关断时间。
在本发明一个具体实施例中，第一比较电路123如图2所示。包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第一NMOS管NP1、第二NMOS管NP2、第三NMOS管NP3、第四NMOS管NP4、第五NMOS管NP5和电流源I。
第一PMOS管MP1的源极为电源端VDD。第一PMOS管MP1的漏极为电压输出端，即用于输出电压VOUT。第一PMOS管MP1的栅极连接第二PMOS管MP2的漏极。
第二PMOS管MP2的源极连接电源端VDD。第二PMOS管MP2的栅极连接第三PMOS管MP3的栅极。
第三PMOS管MP3的源极连接电源端VDD。第三PMOS管MP3的漏极接第二PMOS管MP2的栅极。
电流源I的输入端连接电源端VDD。
第一NMOS管MN1的漏极和栅极均连接电流源I的输出端。第一NMOS管MN1的源极接地。
第二NMOS管MN2的栅极连接电流源I的输出端。第二NMOS管MN2的漏极连接电压输出端。第二NMOS管MN2的源极接地。
第三NMOS管MN3的栅极连接电流源I的输出端。第三NMOS管MN3的漏极连接第四NMOS管MN4的源极。第三NMOS管MN3的源极接地。
第四NMOS管MN4的栅极为电压输入端PIS。第四NMOS管MN4的漏极连接第二PMOS管MP2的漏极。第四NMOS管MN4的源极连接第五NMOS管MN5的源极。
第五NMOS管MN5的漏极连接第三PMOS管MP3的漏极。第五NMOS管MN5的栅极为参考电压输入端P2S。
在本发明一个具体实施例中，当第一比较电路123如图2所示时，第一电压跟随器121和第二电压跟随器122可以如图3所示。第一电压跟随器121包括第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5和电容C。第二电压跟随器122包括第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8和第六NMOS管MN6。
第四PMOS管MP4的栅极连接第一电阻RU和第二电阻RD的连接节点。第四PMOS管MP4的漏极接地。第四PMOS管MP4的源极连接电压输入端PIS。
第五PMOS管MP5的漏极连接第四PMOS管MP4的源极。第五PMOS管MP5的源极连接电源端。第五PMOS管MP5的栅极连接电容C的一端。电容C的另一端连接第四NMOS管MN4的漏极。
第六PMOS管MP6的源极连接电源端。第六PMOS管MP6的栅极连接第七PMOS管MP7的栅极。第六PMOS管MP6的漏极连接第八PMOS管MP8的源极。
第七PMOS管MP7的源极连接电源端。第七PMOS管MP7的漏极连接第六PMOS管MP6的栅极。第七PMOS管MP7的栅极连接第五PMOS管MP5的栅极。
第八PMOS管MP8的源极连接第五NMOS管MN5的栅极。第八PMOS管MP8的漏极接地。第八PMOS管MP8的栅极用于接收参考电压VREF。
第六NMOS管MN6的漏极连接第七PMOS管MP7的漏极。第六NMOS管MN6的栅极连接电流源I的输出端。第六NMOS管MN6的源极接地。
由于MP4的栅、源电压会同时变动，所以MP4栅源电容不会影响VDIV信号。VDIV仅仅受到MP4的栅漏电容影响，而栅漏电容较小，因此，VDIV信号所遇到的电容较小。
在VDIV超过电压VREF后，P1S会被MP5的漏端上拉；PIS的上升会导致MN4的漏极电压下降；MN4的漏极电压下降会通过电容C耦合作用使得MP3的栅极电压降低；这样MP3中的电流增大，使得MP1输入额外电流，进而使得MP1源栅之间电压差变大；这样就能使得P1S电压更高，形成一个正反馈。
为了增加上述正反馈效果，还可以设置连接在所述第七PMOS管的漏极与所述第五PMOS管之间的第三电阻，如图4所示。
设置MN1、MN2和MN6的大小相同。MN3和MN1的栅长相同。MN的栅宽是MN1的4倍。MN4和MN5大小相同。MP4和MP8大小相同。MP5和MP6大小相同。MP5和MP7的栅长相同，MP5的栅宽为MP7的一半。MP2和MP3大小相同，MP2和MP3的栅长相同，MP2的栅宽是MP3的一半。分压电阻RU和RL的电阻比为3:1。PAD信号从0～10V变化，上升时间为10ns。PAD信号是分压电阻RU所输入的输入信号，VOUT和VOUT_A分别是本发明和传统方案的输出信号。由仿真结果可以看到，本发明VOUT比VOUT_A更早地输出过压信号。
本发明实施例还提供一种过压保护开关，包括上述任意一种电压检测电路。
以及本发明实施例还提供一种电子设备，包括上述的过压保护开关。电子设备包括但不限于为：手机、电脑等。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对本发明所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (7)

1.一种电压检测电路，其特征在于，包括：分压模块和比较器；其中，
所述分压模块包括第一电阻，以及与所述第一电阻串联的第二电阻；
所述第一电阻远离所述第二电阻的一端用于接收输入电压，所述第二电阻远离所述第一电阻的一端用于接地；
所述比较器包括第一电压跟随器、第二电压跟随器和第一比较电路；
所述第一电阻和所述第二电阻的连接节点，与所述第一比较电路的电压输入端之间连接所述第一电压跟随器；
所述第二电压跟随器的输出端连接所述第一比较电路的参考电压输入端，所述第二电压跟随器的输入端用于接收参考电压；
其中，所述第一比较电路用于在所述输入电压大于所述参考电压时切断所述输入电压的信号通路或电源通路；
所述第一电压跟随器和所述第二电压跟随器均采用源跟随接法；
其中，所述第一比较电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和电流源，其中，
所述第一PMOS管的源极为电源端、所述第一PMOS管的漏极为电压输出端、以及所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极；
所述第二PMOS管的源极连接所述电源端，所述第二PMOS管的栅极连接所述第三PMOS管的栅极；
所述第三PMOS管的源极连接所述电源端，所述第三PMOS管的漏极接所述第二PMOS管的栅极；
所述电流源的输入端连接所述电源端；
所述第一NMOS管的漏极和栅极均连接所述电流源的输出端，所述第一NMOS管的源极接地；
所述第二NMOS管的栅极连接所述电流源的输出端，所述第二NMOS管的漏极连接所述电压输出端，所述第二NMOS管的源极接地；
所述第三NMOS管的栅极连接所述电流源的输出端，所述第三NMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的源极，所述第三NMOS管的源极接地；
所述第四NMOS管的栅极为所述电压输入端，所述第四NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极连接所述第五NMOS管的源极；
所述第五NMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的漏极，所述第五NMOS管的栅极为所述参考电压输入端。
2.根据权利要求1所述的电压检测电路，其特征在于，所述第一电压跟随器包括第四PMOS管、第五PMOS管和电容；
所述第二电压跟随器包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管和第六NMOS管；
所述第四PMOS管的栅极连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接节点，所述第四PMOS管的漏极接地，所述第四PMOS管的源极连接所述电压输入端；
所述第五PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的源极，所述第五PMOS管的源极连接所述电源端，所述第五PMOS管的栅极连接所述电容的一端，所述电容的另一端连接所述第四NMOS管的漏极；
所述第六PMOS管的源极连接所述电源端，所述第六PMOS管的栅极连接所述第七PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的漏极连接所述第八PMOS管的源极；
所述第七PMOS管的源极连接所述电源端，所述第七PMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的栅极，所述第七PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极；
所述第八PMOS管的源极连接所述第五NMOS管的栅极，所述第八PMOS管的漏极接地，所述第八PMOS管的栅极用于接收参考电压；
所述第六NMOS管的漏极连接所述第七PMOS管的漏极，所述第六NMOS管的栅极连接所述电流源的输出端，所述第六NMOS管的源极接地。
3.根据权利要求2所述的电压检测电路，其特征在于，还包括：连接在所述第七PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极之间的第三电阻。
4.一种过压保护开关，包括电压检测电路，其特征在于，所述电压检测电路包括：分压模块和比较器；其中，
所述分压模块包括第一电阻，以及与所述第一电阻串联的第二电阻；
所述第一电阻远离所述第二电阻的一端用于接收输入电压，所述第二电阻远离所述第一电阻的一端用于接地；
所述比较器包括第一电压跟随器、第二电压跟随器和第一比较电路；
所述第一电阻和所述第二电阻的连接节点，与所述第一比较电路的电压输入端之间连接所述第一电压跟随器；
所述第二电压跟随器的输出端连接所述第一比较电路的参考电压输入端，所述第二电压跟随器的输入端用于接收参考电压；
其中，所述第一比较电路用于在所述输入电压大于所述参考电压时切断所述输入电压的信号通路或电源通路；
所述第一电压跟随器和所述第二电压跟随器均采用源跟随接法；
其中，所述第一比较电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和电流源，其中，
所述第一PMOS管的源极为电源端、所述第一PMOS管的漏极为电压输出端、以及所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的漏极；
所述第二PMOS管的源极连接所述电源端，所述第二PMOS管的栅极连接所述第三PMOS管的栅极；
所述第三PMOS管的源极连接所述电源端，所述第三PMOS管的漏极接所述第二PMOS管的栅极；
所述电流源的输入端连接所述电源端；
所述第一NMOS管的漏极和栅极均连接所述电流源的输出端，所述第一NMOS管的源极接地；
所述第二NMOS管的栅极连接所述电流源的输出端，所述第二NMOS管的漏极连接所述电压输出端，所述第二NMOS管的源极接地；
所述第三NMOS管的栅极连接所述电流源的输出端，所述第三NMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的源极，所述第三NMOS管的源极接地；
所述第四NMOS管的栅极为所述电压输入端，所述第四NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极连接所述第五NMOS管的源极；
所述第五NMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的漏极，所述第五NMOS管的栅极为所述参考电压输入端。
5.根据权利要求4所述的过压保护开关，其特征在于，所述第一电压跟随器包括第四PMOS管、第五PMOS管和电容；
所述第二电压跟随器包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管和第六NMOS管；
所述第四PMOS管的栅极连接所述第一电阻和所述第二电阻的连接节点，所述第四PMOS管的漏极接地，所述第四PMOS管的源极连接所述电压输入端；
所述第五PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的源极，所述第五PMOS管的源极连接所述电源端，所述第五PMOS管的栅极连接所述电容的一端，所述电容的另一端连接所述第四NMOS管的漏极；
所述第六PMOS管的源极连接所述电源端，所述第六PMOS管的栅极连接所述第七PMOS管的栅极，所述第六PMOS管的漏极连接所述第八PMOS管的源极；
所述第七PMOS管的源极连接所述电源端，所述第七PMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的栅极，所述第七PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极；
所述第八PMOS管的源极连接所述第五NMOS管的栅极，所述第八PMOS管的漏极接地，所述第八PMOS管的栅极用于接收参考电压；
所述第六NMOS管的漏极连接所述第七PMOS管的漏极，所述第六NMOS管的栅极连接所述电流源的输出端，所述第六NMOS管的源极接地。
6.根据权利要求5所述的过压保护开关，其特征在于，还包括：连接在所述第七PMOS管的栅极连接第五PMOS管的栅极之间的第三电阻。
7.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求4～6任意一项所述的过压保护开关。
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