CN105895159B - 一种电压检测电路和flash存储器 - Google Patents

一种电压检测电路和flash存储器 Download PDF

Info

Publication number
CN105895159B
CN105895159B CN201610249064.4A CN201610249064A CN105895159B CN 105895159 B CN105895159 B CN 105895159B CN 201610249064 A CN201610249064 A CN 201610249064A CN 105895159 B CN105895159 B CN 105895159B
Authority
CN
China
Prior art keywords
capacitor
comparator
detection circuit
voltage detection
charge pump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610249064.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105895159A (zh
Inventor
陈晓璐
刘铭
胡俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhaoyi Innovation Technology Group Co ltd
Hefei Geyi Integrated Circuit Co Ltd
Original Assignee
GigaDevice Semiconductor Beijing Inc
Hefei Geyi Integrated Circuit Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by GigaDevice Semiconductor Beijing Inc, Hefei Geyi Integrated Circuit Co Ltd filed Critical GigaDevice Semiconductor Beijing Inc
Priority to CN201610249064.4A priority Critical patent/CN105895159B/zh
Publication of CN105895159A publication Critical patent/CN105895159A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105895159B publication Critical patent/CN105895159B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2216/00—Indexing scheme relating to G11C16/00 and subgroups, for features not directly covered by these groups
    • G11C2216/02—Structural aspects of erasable programmable read-only memories
    • G11C2216/06—Floating gate cells in which the floating gate consists of multiple isolated silicon islands, e.g. nanocrystals

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Abstract

本发明实施例提供一种电压检测电路和FLASH存储器，电压检测电路包括：第一电容模块，第一电容模块由至少一个平板电容构成，第一电容模块中各平板电容对应的浮栅分别与电荷泵电路的输出端相连；第二电容模块，第二电容模块由至少一个平板电容构成，第二电容模块中各平板电容对应的浮栅分别接地；比较器，比较器的第一输入端分别与第一电容模块中各平板电容对应的控制栅、第二电容模块中各平板电容对应的控制栅相连，比较器的第二输入端与预设参考电压的提供端相连，比较器的输出端与电荷泵电路的控制端相连，当比较器的第一输入端电压大于或等于预设参考电压时，比较器关闭电荷泵电路。本发明实施例的电压检测电路可以获得更准确的检测结果。

Description

一种电压检测电路和FLASH存储器
技术领域
本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种电压检测电路和一种FLASH存储器。
背景技术
FLASH(闪存)存储器中常常会用到电荷泵电路，电荷泵电路通过电压检测电路检测电荷泵电路的输出电压是否达到目标值。
传统的电容型电压检测电路如图1所示。图1中，HV’是电荷泵电路的输出电压，REGLVL’是反馈电压，Vref’为基准电压，C0’为第一电容，C1’为第二电容，比较器1’将反馈电压REGLVL’与基准电压Vref’进行比较，根据比较结果决定电荷泵电路是否继续工作。
图1所示的电容型电压检测电路的反馈响应速度快，但是该检测电路需要精确的电容。而在FLASH存储器工艺中没有专门的电容器件，例如MIM(Metal-Insulator-Metal，金属-绝缘介质-金属)电容、MOM(Metal-Oxide-Metal，金属-氧化物-金属)电容等，只将MOS(Metal-Oxide-Semiconductor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)管作为电容使用。MOS管电容值与反型层有关系，MOS管工作时，电容值不固定，这样会造成电容型电压检测电路的检测结果不准确。
发明内容
鉴于上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种电压检测电路和一种FLASH存储器，以解决传统的电容型电压检测电路电容值不固定造成检测结果不准确的问题。
为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种电压检测电路，应用于FLASH存储器，所述FLASH存储器包括至少一个电荷泵电路、多个浮栅MOS管，每个所述浮栅MOS管的控制栅与浮栅之间具有平板电容，所述电压检测电路包括：
第一电容模块，所述第一电容模块由至少一个所述平板电容构成，所述第一电容模块中各平板电容对应的浮栅分别与所述电荷泵电路的输出端相连；
第二电容模块，所述第二电容模块由至少一个所述平板电容构成，所述第二电容模块中各平板电容对应的浮栅分别接地；
比较器，所述比较器的第一输入端分别与所述第一电容模块中各平板电容对应的控制栅、所述第二电容模块中各平板电容对应的控制栅相连，所述比较器的第二输入端与预设参考电压的提供端相连，所述比较器的输出端与所述电荷泵电路的控制端相连，当所述比较器的第一输入端电压大于或等于所述预设参考电压时，所述比较器关闭所述电荷泵电路。
具体地，当所述比较器的第一输入端电压小于所述预设参考电压时，维持所述电荷泵电路处于工作状态。
可选地，所述浮栅MOS管为N型浮栅MOS管或P型浮栅MOS管。
可选地，所述比较器的第一输入端为反向输入端，所述比较器的第二输入端为同向输入端。
可选地，所述比较器的第一输入端为同向输入端，所述比较器的第二输入端为反向输入端。
本发明实施例还公开了一种FLASH存储器，包括至少一个电荷泵电路、多个浮栅MOS管和至少一个所述的电压检测电路，每个所述浮栅MOS管的控制栅与浮栅之间具有平板电容，所述至少一个电压检测电路与所述至少一个电荷泵电路一一对应。
本发明实施例包括以下优点：将由至少一个平板电容构成的第一电容模块和由至少一个平板电容构成的第二电容模块作为电压检测电路中的电容，设置第一电容模块中各平板电容对应的浮栅分别与电荷泵电路的输出端相连，第二电容模块中各平板电容对应的浮栅分别接地，以及将比较器的第一输入端分别与第一电容模块中各平板电容对应的控制栅、第二电容模块中各平板电容对应的控制栅相连，比较器检测第一电容模块和第二电容模块之间的电压，并当该电压大于或等于预设参考电压时，关闭电荷泵电路。由于平板电容为浮栅MOS管中不受反型层影响的平板电容，平板电容的电容值在浮栅MOS管工作时固定，因此，本发明实施例的电压检测电路可以获得更准确的检测结果。
附图说明
图1是传统的电容型电压检测电路；
图2是本发明的一种电压检测电路实施例的结构示意图；
图3是本发明的一种电压检测电路具体实施例中各平板电容的连接示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参照图2，示出了本发明的一种电压检测电路实施例的结构框图，其中，电压检测电路1应用于FLASH存储器，FLASH存储器包括至少一个电荷泵电路2、多个浮栅MOS管3，每个浮栅MOS管3的控制栅CG与浮栅FG之间具有平板电容。
参照图2，电压检测电路1具体可以包括如下模块：
第一电容模块10，第一电容模块10由至少一个平板电容构成，第一电容模块10中各平板电容对应的浮栅FG分别与电荷泵电路2的输出端相连，电荷泵电路2输出电压HV；第二电容模块20，第二电容模块20由至少一个平板电容构成，第二电容模块20中各平板电容对应的浮栅FG分别接地；比较器30，比较器30的第一输入端分别与第一电容模块10中各平板电容对应的控制栅CG、第二电容模块20中各平板电容对应的控制栅CG相连，比较器30的第二输入端与预设参考电压的提供端相连，预设参考电压的提供端提供预设参考电压Vref，比较器30的输出端与电荷泵电路2的控制端相连，当比较器30的第一输入端电压REGLVL大于或等于预设参考电压Vref时，说明电荷泵电路2的输出电压HV达到目标值，比较器30关闭电荷泵电路2。
具体地，当比较器30的第一输入端电压REGLVL小于预设参考电压Vref时，说明电荷泵电路2的输出电压HV未达到目标值，维持电荷泵电路2处于工作状态，直至比较器30的第一输入端电压REGLVL大于或等于预设参考电压Vref。
具体地，预设参考电压Vref可以根据上述目标值、第一电容模块10的大小和第二电容模块20的大小等因素进行设置。可选地，浮栅MOS管可以为N型浮栅MOS管或P型浮栅MOS管。
可选地，比较器30的第一输入端为反向输入端，比较器30的第二输入端为同向输入端，或比较器30的第一输入端为同向输入端，比较器30的第二输入端为反向输入端。
具体地，第一电容模块10中至少一个平板电容的个数、第一电容模块10的电容大小，以及第二电容模块20中至少一个平板电容的个数、第二电容模块20的电容大小可以根据电荷泵电路2的输出电压HV和预设参考电压Vref进行设置。
参照图3，在本发明的一个具体实施例中，第一电容模块10中至少一个平板电容的个数为1个，第二电容模块20中至少一个平板电容的个数为2个，第一电容模块10中平板电容对应的控制栅CG与比较器30的第一输入端相连，即第一电容模块10中平板电容对应的控制栅CG的电压为电压REGLVL，第一电容模块10中平板电容对应的浮栅FG与电荷泵电路2的输出端相连，即第一电容模块10中平板电容对应的浮栅FG的电压为电压HV；第二电容模块20中各平板电容对应的控制栅CG分别与比较器30的第一输入端相连，即第二电容模块20中各平板电容对应的控制栅CG的电压为电压REGLVL，第二电容模块20中各平板电容对应的浮栅FG分别接地。其中，图3中，N+为N井的引出端，P+为P井的引出端。
由于控制栅CG没有寄生电容，所以比较器30的第一输入端没有寄生电容。虽然浮栅FG有相对于P型衬底的寄生电容，但电荷泵电路2的输出端、地的寄生电容并不影响电压检测电路1检测电压。因此，本发明实施例中，平板电容为不受反型层影响的平板电容，平板电容的电容值在浮栅MOS管工作时固定，电压检测电路1可以获得更准确的检测结果。
综上所述，本发明实施例的电压检测电路包括以下优点：将由至少一个平板电容构成的第一电容模块和由至少一个平板电容构成的第二电容模块作为电压检测电路中的电容，设置第一电容模块中各平板电容对应的浮栅分别与所述电荷泵电路的输出端相连，第二电容模块中各平板电容对应的浮栅分别接地，以及将比较器的第一输入端分别与所述第一电容模块中各平板电容对应的控制栅、所述第二电容模块中各平板电容对应的控制栅相连，比较器检测第一电容模块和第二电容模块之间的电压，并当该电压大于或等于预设参考电压时，关闭电荷泵电路。由于平板电容为浮栅MOS管中不受反型层影响的平板电容，平板电容的电容值在浮栅MOS管工作时固定，因此，本发明实施例的电压检测电路可以获得更准确的检测结果。
另外，本发明实施例还公开了一种FLASH存储器，包括至少一个电荷泵电路2、多个浮栅MOS管3和至少一个上述的电压检测电路1，每个浮栅MOS管3的控制栅CG与浮栅FG之间具有平板电容，至少一个电压检测电路1与至少一个电荷泵电路2一一对应。
本发明实施例的FLASH存储器包括以下优点：由于电压检测电路中，电容为浮栅MOS管中不受反型层影响的平板电容，平板电容的电容值在浮栅MOS管工作时固定，因此，本发明实施例的FLASH存储器可以获得更准确的检测结果。
由于FLASH存储器包括电压检测电路，所以描述的比较简单，相关之处参见电压检测电路实施例的部分说明即可。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种电压检测电路和一种FLASH存储器，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (5)

1.一种电压检测电路，应用于FLASH存储器，其特征在于，所述FLASH存储器包括至少一个电荷泵电路、多个浮栅MOS管，每个所述浮栅MOS管的控制栅与浮栅之间具有平板电容，所述电压检测电路包括：
第一电容模块，所述第一电容模块由至少一个所述平板电容构成，所述第一电容模块中各平板电容对应的浮栅分别与所述电荷泵电路的输出端相连；
第二电容模块，所述第二电容模块由至少一个所述平板电容构成，所述第二电容模块中各平板电容对应的浮栅分别接地；
比较器，所述比较器的第一输入端分别与所述第一电容模块中各平板电容对应的控制栅、所述第二电容模块中各平板电容对应的控制栅相连，所述比较器的第二输入端与预设参考电压的提供端相连，所述比较器的输出端与所述电荷泵电路的控制端相连，当所述比较器的第一输入端电压大于或等于所述预设参考电压时，所述比较器关闭所述电荷泵电路；
当所述比较器的第一输入端电压小于所述预设参考电压时，维持所述电荷泵电路处于工作状态。
2.根据权利要求1所述的电压检测电路，其特征在于，所述浮栅MOS管为N型浮栅MOS管或P型浮栅MOS管。
3.根据权利要求1所述的电压检测电路，其特征在于，所述比较器的第一输入端为反向输入端，所述比较器的第二输入端为同向输入端。
4.根据权利要求1所述的电压检测电路，其特征在于，所述比较器的第一输入端为同向输入端，所述比较器的第二输入端为反向输入端。
5.一种FLASH存储器，其特征在于，包括至少一个电荷泵电路、多个浮栅MOS管和至少一个根据权利要求1-4中任一项所述的电压检测电路，每个所述浮栅MOS管的控制栅与浮栅之间具有平板电容，所述至少一个电压检测电路与所述至少一个电荷泵电路一一对应。
CN201610249064.4A 2016-04-20 2016-04-20 一种电压检测电路和flash存储器 Active CN105895159B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610249064.4A CN105895159B (zh) 2016-04-20 2016-04-20 一种电压检测电路和flash存储器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610249064.4A CN105895159B (zh) 2016-04-20 2016-04-20 一种电压检测电路和flash存储器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105895159A CN105895159A (zh) 2016-08-24
CN105895159B true CN105895159B (zh) 2020-01-21

Family

ID=56705126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610249064.4A Active CN105895159B (zh) 2016-04-20 2016-04-20 一种电压检测电路和flash存储器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105895159B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111367341B (zh) * 2018-12-26 2022-07-01 北京兆易创新科技股份有限公司 一种参考电压产生电路和nand芯片

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6498737B1 (en) * 2002-01-16 2002-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Voltage regulator with low sensitivity to body effect
JP2003168963A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk チャージポンプ駆動回路及びチャージポンプの駆動方法
CN101755380A (zh) * 2007-04-25 2010-06-23 先进模拟科技公司 具有续流二极管的降压开关稳压器
CN102468747A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 无锡芯朋微电子有限公司 一种电荷泵控制电路
CN102510211A (zh) * 2011-11-02 2012-06-20 无锡芯朋微电子有限公司 一种高压电荷泵控制电路
CN204886694U (zh) * 2015-09-06 2015-12-16 北京兆易创新科技股份有限公司 一种电荷泵电路

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003168963A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk チャージポンプ駆動回路及びチャージポンプの駆動方法
US6498737B1 (en) * 2002-01-16 2002-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Voltage regulator with low sensitivity to body effect
CN101755380A (zh) * 2007-04-25 2010-06-23 先进模拟科技公司 具有续流二极管的降压开关稳压器
CN102468747A (zh) * 2010-11-19 2012-05-23 无锡芯朋微电子有限公司 一种电荷泵控制电路
CN102510211A (zh) * 2011-11-02 2012-06-20 无锡芯朋微电子有限公司 一种高压电荷泵控制电路
CN204886694U (zh) * 2015-09-06 2015-12-16 北京兆易创新科技股份有限公司 一种电荷泵电路

Also Published As

Publication number Publication date
CN105895159A (zh) 2016-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106598370B (zh) 触摸检测电路及其触控装置
CN203102064U (zh) Ldo的过冲保护电路及ldo
US10283077B2 (en) Detection circuit, driver integrated circuit and detection method thereof
US10535414B2 (en) Shift register element, method for driving the same, and display device
CN101192824A (zh) 半导体集成电路
US8120413B2 (en) Charge pump circuit
US20160358956A1 (en) Light sensing circuit and control method thereof
TWI695310B (zh) 指紋感測器及指紋偵測方法
US20130249605A1 (en) Semiconductor device
CN105895159B (zh) 一种电压检测电路和flash存储器
CN112730958B (zh) 一种电压过冲检测电路
US9959915B2 (en) Voltage generator to compensate for process corner and temperature variations
CN107945831B (zh) 减小nand闪存编程建立时间的电路和nand闪存
US7932764B2 (en) Delay circuit with constant time delay independent of temperature variations
JP2016139452A5 (zh)
CN109379065B (zh) 电压检测电路、过压保护开关及电子设备
CN108880233B (zh) 一种电荷泵电路
US10643013B2 (en) Tie-high and tie-low circuits
CN108111150B (zh) 上电复位电路及集成电路和eeprom系统
US10510748B2 (en) Transistor for increasing a range of a swing of a signal
US8791753B2 (en) Slew rate and bandwidth enhancement in reset
US10250129B2 (en) Charge pump circuit and internal voltage generation circuit including the same
EP4033659A1 (en) Drive circuit and memory chip
US11353505B2 (en) Differential clock cross point detection circuit and detection method
US10496224B2 (en) Touch sensing circuit, touch panel and display device

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: Room 101, Floor 1-5, Building 8, Yard 9, Fenghao East Road, Haidian District, Beijing 100094

Patentee after: Zhaoyi Innovation Technology Group Co.,Ltd.

Patentee after: HEFEI GEYI INTEGRATED CIRCUIT Co.,Ltd.

Address before: 100083 12 Floors, Block A, Tiangong Building, Science and Technology University, 30 College Road, Haidian District, Beijing

Patentee before: GIGADEVICE SEMICONDUCTOR(BEIJING) Inc.

Patentee before: HEFEI GEYI INTEGRATED CIRCUIT Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address