CN109378390A - 一种制造p-i-n型钙钛矿太阳能电池的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种制造p‑i‑n型钙钛矿太阳能电池器件的方法。根据该方法制造的p‑i‑n型钙钛矿太阳能电池器件包括依次层叠的衬底、阳极、电子束蒸镀空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子束蒸镀电子传输层和电子束蒸镀阴极。本发明的电子束制备p‑i‑n型钙钛矿太阳能电池器件的方法获得了较高的能量转化效率和较高的开路电压，且具备较低的加工成本和能够实现大面积加工，因而在太阳能电池领域具有良好的应用前景。

Description

一种制造p-i-n型钙钛矿太阳能电池的方法
技术领域
本发明涉及光伏器件技术领域，尤其是涉及一种制造p-i-n型钙钛矿太阳能电池的方法。
背景技术
早在2006年日本桐荫横滨大学的Miyasaka教授课题组尝试将钙钛矿材料作为光吸收材料用于染料敏化太阳能电池中，他们于2009年首次报道了太阳能转化效率为3-4%的染料敏化钙钛矿太阳能电池（J. Am. Chem. Soc., 2009, 131, 6050）。接着韩国成均馆大学的Nam-Gyu Park教授课题组通过优化前驱体溶液浓度和退火温度，使能量转化效率提升了近一倍（Nanoscale, 2011, 3, 4088），而钙钛矿太阳能电池真正得到关注是他们将钙钛矿材料用于类似有机薄膜太阳能电池的全固态结构中，并使得能量转换效率和稳定性得到了大大的提高（Sci. Rep., 2012, 2, 591）。由于钙钛矿太阳能电池具有原料及制造成本低等显著优势，并且随着相关领域研究力量的大量投入，钙钛矿太阳能电池的能量转换效率在近几年得到了迅速的提高。
这类钙钛矿材料一般具有ABX3的基本化学式，其中A+一般为有机阳离子（最常见的是甲胺离子，CH3NH3 +，MA+），B2+为无机阳离子（一般为Pb2+），X-为卤素阴离子（一般为I-、Cl-或Br-: MAPb(I，Br，Cl)3）。所使用的卤素元素种类的不同，钙钛矿材料的带隙可以在1.6至3.2电子伏特内连续调控。使用甲脒离子（CH(NH2)2 +，FA+）替换MA+或使用Sn2+来替换Pb2+或采用混合型离子等方法可以进一步的调控钙钛矿材料的带隙，实现更宽范围的太阳光吸收。因钙钛矿太阳能电池最初是由染料敏化太阳能电池所演变而来的，因而介孔型结构较为常见。在这一结构当中，在致密的TiO2选择性电子传输层上还有一层由TiO2纳米颗粒组成的介孔层。这一介孔层一方面作为沉积钙钛矿薄膜的骨架，另一方便可以减少电子扩散的距离，进而提高电子采集效率。在最初的研究中使用的介孔厚度约为500-600纳米，钙钛矿光吸收材料完全渗透到介孔骨架当中。然而随着研究的深入，人们发现可以使用较薄的介孔层约为150-200纳米，同时在其上面形成一层连续致密的钙钛矿光吸收层可以得到更好的器件性能。由于电子和空穴在钙钛矿材料中的扩散长度都很长，因而当完全去除介孔层后使用平面型的结构也可以得到效率较高的钙钛矿太阳能电池，而且结构更简单的平面型钙钛矿太阳能电池相比于介孔型的钙钛矿太阳能电池在制备结构上具有明显的优势，因而平面型的钙钛矿太阳能电池最终更易实现商业化。
目前常见的钙钛矿太阳能电池器件结构包括介孔型、平面型（n-i-p）和平面反型（p-i-n）。当前平面型结构中使用的n型电子传输材料一般是金属氧化物半导体材料，p型空穴传输材料一般是有机空穴传输材料，而使用的有机空穴传输材料因其迁移率较低而往往需要掺杂其它的物质器件才能获得较高的能量转化效率，这限制了其进一步的商业应用。目前在平面反型结构中使用的n型电子传输材料一般是富勒烯及其衍生物，这类材料具有生产成本高、提纯不易等制约其大规模生产的缺点。因而开发低成本大面积稳定的平面型钙钛矿太阳能电池器件及其结构迫在眉睫。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种制造p-i-n型钙钛矿太阳能电池的方法。
一个实施例中，提供了一种制造p-i-n型钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，包括：获取衬底，其中所述衬底上包含阳极层；依次用微米级半导体专用洗涤剂、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗所述衬底并烘干；用紫外臭氧清洗设备处理所述衬底；在常温下用电子束蒸镀的方法在所述阳极层上蒸镀氧化镍层作为空穴传输层，其中所述空穴传输层的厚度为20至50纳米；将蒸镀好的空穴传输层在空气中在300摄氏度下进行退火处理；在无水无氧、充满高纯氮气的环境下在加热处理后的所述空穴传输层上旋涂形成组分包括CsMAFAPbIBr的混合型钙钛矿光活性层；将形成了所述混合型钙钛矿光活性层的所述衬底在110摄氏度下进行加热处理；在加热处理后的所述混合型钙钛矿光活性层上用电子束蒸镀设备蒸镀五氧化二铌层作为电子传输层；在所述电子传输层上用电子束蒸镀设备蒸镀形成阴极层，其中所述阴极层的厚度为大于或等于80纳米。
一个实施例中，所述衬底为玻璃、石英、蓝宝石、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯对苯二酸脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、金属或合金薄膜。
一个实施例中，所述阳极层和所述阴极层为金属、金属氧化物或聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)类或其改性产物。
一个实施例中，所述金属为铝、银镁合金、银、金、钛或者铜；所述金属氧化物为氧化铟锡、掺氟二氧化锡、氧化锌和铟镓锌氧化物中的一种或两种以上的组合。
一个实施例中，在常温下用电子束蒸镀的方法在所述阳极层上蒸镀氧化镍层作为空穴传输层还包括：在所述氧化镍层上形成电子阻挡层和/或激子阻挡层，其中所述氧化镍层与所述电子阻挡层和/或激子阻挡层作为所述空穴传输层。
一个实施例中，在加热处理后的所述混合型钙钛矿光活性层上用电子束蒸镀设备蒸镀五氧化二铌层作为电子传输层还包括：在所述五氧化二铌层上形成空穴阻挡层和/或激子阻挡层，其中所述五氧化二铌层与所述空穴阻挡层和/或激子阻挡层作为所述电子传输层。
一个实施例中，该方法还包括：在所述阳极层与所述空穴传输层之间形成阳极缓冲层。
一个实施例中，该方法还包括：在所述阴极层与所述电子传输层之间形成阴极缓冲层。
一个实施例中，所述混合型钙钛矿光活性层为一层或者多层，并且为共混或者非共混的钙钛矿光吸收材料。
本发明的制备方法及所得到的器件具有如下优点及有益效果：
（1）本发明所涉及的器件可低温大面积制备，利于降低制备器件的成本；
（2）本发明所涉及的器件利用电子束蒸镀空穴传输层，可在较低温度下大面积制备，为实现大面积制备钙钛矿太阳能电池器件提供了可行的实施方案；
（3）本发明所涉及的器件的电子传输层可在较低温度下大面积制备，为实现钙钛矿太阳能电池器件提供了可行的实施方案。
（4）本发明所涉及的器件钙钛矿电池阴极材料使用钛金属，为光伏器件获得低成本高稳定性提供了可行的实施方案。
（5）本发明所涉及的器件钙钛矿电池空穴传输层和电子传输层都使用的金属氧化物，为光伏器件获得低成本高稳定性提供了可行的实施方案。
（6）本发明所涉及的器件p-i-n型钙钛矿电池能够获得较高的开路电压，为光伏器件获得高开路电压提供了可行的实施方案。
附图说明
图1为本发明一个实施例的p-i-n型钙钛矿太阳能电池结构示意图；
图2为本发明一个实施例的p-i-n型钙钛矿太阳能电池结构示意图；
图3为实例1得到的p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件的电流密度-电压特性曲线图；
图4为实例2得到的p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件的电流密度-电压特性曲线图；
图5为实例3得到的p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件的电流密度-电压特性曲线图；
图6为实例4得到的p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件电流密度稳定曲线图。
具体实施方式
下面将结合附图详细说明本发明的实施例的制造p-i-n型钙钛矿太阳能电池的方法的具体步骤。
一个实施例中，一种制造p-i-n型钙钛矿太阳能电池的方法可以包括下列步骤。
获取衬底，其中衬底上包含阳极层。该衬底可以是硬性衬底，如玻璃、石英、蓝宝石等，也可以是柔性衬底，如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯对苯二酸脂、聚萘二甲酸乙二醇酯或其它聚酯类材料，也可以是金属、合金或不锈钢薄膜等。该阳极层可以是金属、金属氧化物或聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)类或其改性产物等等，其中金属可以为铝、银镁合金、银、金、钛或者铜等，金属氧化物可以为氧化铟锡、掺氟二氧化锡、氧化锌和铟镓锌氧化物中的一种或两种以上的组合。
依次用微米级半导体专用洗涤剂、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗衬底并烘干，然后用紫外臭氧清洗设备处理衬底。
在常温下用电子束蒸镀的方法在阳极层上蒸镀氧化镍层作为空穴传输层，其中空穴传输层的厚度可以为20至50纳米。一个实施例中，还可以在氧化镍层上形成电子阻挡层和/或激子阻挡层，其中该氧化镍层与该电子阻挡层和/或激子阻挡层作为前述的空穴传输层。然后将蒸镀好的空穴传输层在空气中在300摄氏度下进行退火处理。
一个实施例中，还可以在该阳极层与该空穴传输层之间形成阳极缓冲层。
在无水无氧、充满高纯氮气的环境下在加热处理后的空穴传输层上旋涂形成组分包括CsMAFAPbIBr的混合型钙钛矿光活性层。该混合型钙钛矿光活性层可以形成一层或者多层，并且可以为共混或者非共混的钙钛矿光吸收材料。然后将形成了混合型钙钛矿光活性层的衬底在110摄氏度下进行加热处理。
在加热处理后的混合型钙钛矿光活性层上用电子束蒸镀设备蒸镀五氧化二铌层作为电子传输层。一个实施例中，还可以在该五氧化二铌层上形成空穴阻挡层和/或激子阻挡层，其中该五氧化二铌层与该空穴阻挡层和/或激子阻挡层作为前述的电子传输层。
在电子传输层上用电子束蒸镀设备蒸镀形成阴极层，其中阴极层的厚度为大于或等于80纳米。该阴极层可以是金属、金属氧化物或聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)类或其改性产物等等，其中金属可以为铝、银镁合金、银、金、钛或者铜等，金属氧化物可以为氧化铟锡、掺氟二氧化锡、氧化锌和铟镓锌氧化物中的一种或两种以上的组合。
一个实施例中，还可以在该阴极层与该电子传输层之间形成阴极缓冲层。
下面详细说明几个具体实例。
实例1
取同批号ITO导电玻璃衬底若干，ITO厚度约为90纳米，其方块电阻约为20欧姆/方块。依次用微米级半导体专用洗涤剂、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗15分钟，以除去衬底表面的污垢。随后放入恒温箱中80摄氏度烘干。烘干后的ITO衬底用紫外臭氧清洗设备处理15分钟，进一步除去表面附着的有机杂质。随后在常温下用电子束蒸镀的方法在ITO衬底上蒸镀氧化镍（NiOx）作为空穴传输层，通过调节空穴传输层的厚度为20-50纳米进而优化钙钛矿电池器件的能量转化效率，蒸镀好的氧化镍在空气中300摄氏度退火处理一个小时，然后转移到无水无氧、充满高纯氮气的手套箱内。在此手套箱中，用一步法旋涂制备组分是CsMAFAPbIBr的混合型钙钛矿光活性层，然后在加热台上110摄氏度加热60分钟，随后把器件装入电子束蒸镀设备中，当蒸镀腔内真空度小于5×10-4 Pa后开始电子束蒸镀薄膜。利用特定的掩膜版，依次蒸镀电子传输层五氧化二铌（Nb2O5），因使用电子束蒸镀设备制备空穴传输层和电子传输层可以实现大面积，因而可以通过使用不同的掩膜版制备大面积的电池器件；用电子束蒸镀金属银作为器件的阴极。蒸镀的各个功能层的蒸镀速率和厚度由石英晶振膜厚检测仪实时监控，分别控制空穴传输层的厚度为30纳米、阴极层材料金属银的厚度为不小于80纳米。得到p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件的结构为：ITO玻璃衬底 / NiOx(30 纳米)/ 钙钛矿层（550 纳米）/ Nb2O5（60 纳米）/ 银 （100 纳米）。
本实施例得到的p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件进行光电性能测试：
器件制备完成后，把器件从蒸镀腔体中取出来。然后在空气中进行测试，测试设备为SAN-ELECTRIC（XES-40S2-CE）太阳光模拟灯，器件电流电压信息由吉时利公司（Keithley）生产的2400电源表测定。通过电流、电压和光强等信息可分别推算出器件的电流密度、填充因子、功率转化效率。
本实施得到的p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件：ITO玻璃衬底 / NiOx(30 纳米) /钙钛矿层（550 纳米）/ Nb2O5（60 纳米）/ 银 （100纳米）的电流密度-电压特性曲线图如图3所示。
本实施例得到的为高效的钙钛矿太阳能电池器件。在空穴传输层和电子传输层都使用金属氧化物的p-i-n型钙钛矿电池器件结构中表现了较高的能量转化效率。
实例2
制备过程如同实施例1，取同批号ITO导电玻璃衬底若干，ITO厚度约为90纳米，其方块电阻约为20欧姆/方块。依次用微米级半导体专用洗涤剂、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗15分钟，以除去衬底表面的污垢。随后放入恒温箱中80摄氏度烘干。烘干后的ITO衬底用紫外臭氧清洗设备处理15分钟，进一步除去表面附着的有机杂质。随后在常温下用电子束蒸镀的方法在ITO衬底上蒸镀氧化镍（NiOx）作为空穴传输层，通过调节空穴传输层的厚度为20-50纳米进而优化钙钛矿电池器件的能量转化效率，蒸镀好的氧化镍在空气中300摄氏度退火处理一个小时，然后转移到无水无氧、充满高纯氮气的手套箱内。在此手套箱中，用一步法旋涂制备组分是CsMAFAPbIBr的混合型钙钛矿光活性层，然后在加热台上110摄氏度加热60分钟，随后把器件装入电子束蒸镀设备中，当蒸镀腔内真空度小于5×10-4 Pa后开始电子束蒸镀薄膜。利用特定的掩膜版，依次蒸镀电子传输层五氧化二铌（Nb2O5），因使用电子束蒸镀设备制备空穴传输层和电子传输层可以实现大面积，因而可以通过使用不同的掩膜版制备大面积的电池器件；用电子束蒸镀金属银作为器件的阴极。蒸镀的各个功能层的蒸镀速率和厚度由石英晶振膜厚检测仪实时监控，分别控制空穴传输层的厚度为25纳米、阴极层材料金属银的厚度为不小于80纳米。得到p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件的结构为：ITO玻璃衬底 / NiOx(25 纳米)/ 钙钛矿层（550 纳米）/ Nb2O5（60 纳米）/ 银 （100 纳米）。
本实施例得到的p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件进行光电性能测试：
本实施得到的p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件：ITO玻璃衬底 / NiOx(25 纳米) / 钙钛矿层（550 纳米）/ Nb2O5（60 纳米）/ 银 （100纳米）的电流密度-电压特性曲线图如图4所示。
实例3
制备过程如同实施例1，取同批号ITO导电玻璃衬底若干，ITO厚度约为90纳米，其方块电阻约为20欧姆/方块。依次用微米级半导体专用洗涤剂、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗15分钟，以除去衬底表面的污垢。随后放入恒温箱中80摄氏度烘干。烘干后的ITO衬底用紫外臭氧清洗设备处理15分钟，进一步除去表面附着的有机杂质。随后在常温下用电子束蒸镀的方法在ITO衬底上蒸镀氧化镍（NiOx）作为空穴传输层，通过调节空穴传输层的厚度为20-50纳米进而优化钙钛矿电池器件的能量转化效率，蒸镀好的氧化镍在空气中300摄氏度退火处理一个小时，然后转移到无水无氧、充满高纯氮气的手套箱内。在此手套箱中，用一步法旋涂制备组分是CsMAFAPbIBr的混合型钙钛矿光活性层，然后在加热台上110摄氏度加热60分钟，随后把器件装入电子束蒸镀设备中，开启冷却泵，当蒸镀腔内真空度小于5×10-4 Pa后开始电子束蒸镀薄膜。利用特定的掩膜版，依次蒸镀电子传输层五氧化二铌（Nb2O5），因使用电子束蒸镀设备制备空穴传输层和电子传输层可以实现大面积，因而可以通过使用不同的掩膜版制备大面积的电池器件；用电子束蒸镀金属银作为器件的阴极。蒸镀的各个功能层的蒸镀速率和厚度由石英晶振膜厚检测仪实时监控，分别控制空穴传输层的厚度为20纳米、阴极层材料金属银的厚度为不小于80纳米。得到p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件的结构为：ITO玻璃衬底 / NiOx(20 纳米)/ 钙钛矿层（550 纳米）/ Nb2O5（60 纳米）/ 银（100 纳米）。
本实施例得到的p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件进行光电性能测试：
本实施得到的p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件：ITO玻璃衬底 / NiOx(20 纳米) / 钙钛矿层（550 纳米）/ Nb2O5（60 纳米）/ 银 （100纳米）的电流密度-电压特性曲线图如图5所示。
实例4
制备过程如同实施例1，取同批号ITO导电玻璃衬底若干，ITO厚度约为90纳米，其方块电阻约为20欧姆/方块。依次用微米级半导体专用洗涤剂、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗15分钟，以除去衬底表面的污垢。随后放入恒温箱中80摄氏度烘干。烘干后的ITO衬底用紫外臭氧清洗设备处理15分钟，进一步除去表面附着的有机杂质。随后在常温下用电子束蒸镀的方法在ITO衬底上蒸镀氧化镍（NiOx）作为空穴传输层，通过调节空穴传输层的厚度为20-50纳米进而优化钙钛矿电池器件的能量转化效率，蒸镀好的氧化镍在空气中300摄氏度退火处理一个小时，然后转移到无水无氧、充满高纯氮气的手套箱内。在此手套箱中，用一步法旋涂制备组分是CsMAFAPbIBr的混合型钙钛矿光活性层，然后在加热台上110摄氏度加热60分钟，随后把器件装入电子束蒸镀设备中，开启冷却泵，当蒸镀腔内真空度小于5×10-4 Pa后开始电子束蒸镀薄膜。利用特定的掩膜版，依次蒸镀电子传输层五氧化二铌（Nb2O5），因使用电子束蒸镀设备制备空穴传输层和电子传输层可以实现大面积，因而可以通过使用不同的掩膜版制备大面积的电池器件；用电子束蒸镀金属钛作为器件的阴极。蒸镀的各个功能层的蒸镀速率和厚度由石英晶振膜厚检测仪实时监控，分别控制空穴传输层的厚度为25纳米、阴极层材料金属钛的厚度为不小于80纳米。得到p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件的结构为：ITO玻璃衬底 / NiOx(25 纳米)/ 钙钛矿层（550 纳米）/ Nb2O5（60 纳米）/ 钛（100 纳米）。
本实施例得到的p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件进行光电性能测试：
本实施得到的p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件：ITO玻璃衬底 / NiOx(25 纳米) / 钙钛矿层（550 纳米）/ Nb2O5（60 纳米）/钛（100纳米）的电流密度-电压特性曲线图如图6所示。
本实施例得到的为高效的钙钛矿太阳能电池器件，尤其是开路电压表现了较高的值，在p-i-n型钙钛矿太阳能电池器件中开路电压一般都较低。在p-i-n型钙钛矿电池器件结构中表现了较高的能量转化效率。
本发明的制备方法及所得到的器件具有如下优点及有益效果：
（1）本发明所涉及的器件可低温大面积制备，利于降低制备器件的成本；
（2）本发明所涉及的器件利用电子束蒸镀空穴传输层，可在较低温度下大面积制备，为实现大面积制备钙钛矿太阳能电池器件提供了可行的实施方案；
（3）本发明所涉及的器件的电子传输层可在较低温度下大面积制备，为实现钙钛矿太阳能电池器件提供了可行的实施方案。
（4）本发明所涉及的器件钙钛矿电池阴极材料使用钛金属，为光伏器件获得低成本高稳定性提供了可行的实施方案。
（5）本发明所涉及的器件钙钛矿电池空穴传输层和电子传输层都使用的金属氧化物，为光伏器件获得低成本高稳定性提供了可行的实施方案。
（6）本发明所涉及的器件p-i-n型钙钛矿电池能够获得较高的开路电压，为光伏器件获得高开路电压提供了可行的实施方案。
以上通过具体的实施例对本发明进行了说明，但本发明并不限于这些具体的实施例。本领域技术人员应该明白，还可以对本发明做各种修改、等同替换、变化等等，这些变换只要未背离本发明的精神，都应在本发明的保护范围之内。此外，以上多处所述的“一个实施例”表示不同的实施例，当然也可以将其全部或部分结合在一个实施例中。

Claims (9)

1.一种制造p-i-n型钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，包括：
获取衬底，其中所述衬底上包含阳极层；
依次用微米级半导体专用洗涤剂、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗所述衬底并烘干；
用紫外臭氧清洗设备处理所述衬底；
在常温下用电子束蒸镀的方法在所述阳极层上蒸镀氧化镍层作为空穴传输层，其中所述空穴传输层的厚度为20至50纳米；
将蒸镀好的空穴传输层在空气中在300摄氏度下进行退火处理；
在无水无氧、充满高纯氮气的环境下在加热处理后的所述空穴传输层上旋涂形成组分包括CsMAFAPbIBr的混合型钙钛矿光活性层；
将形成了所述混合型钙钛矿光活性层的所述衬底在110摄氏度下进行加热处理；
在加热处理后的所述混合型钙钛矿光活性层上用电子束蒸镀设备蒸镀五氧化二铌层作为电子传输层；
在所述电子传输层上用电子束蒸镀设备蒸镀形成阴极层，其中所述阴极层的厚度为大于或等于80纳米。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述衬底为玻璃、石英、蓝宝石、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯对苯二酸脂、聚萘二甲酸乙二醇酯、金属或合金薄膜。
3.如权利要求1或者2所述的方法，其特征在于：所述阳极层和所述阴极层为金属、金属氧化物或聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)类或其改性产物。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述金属为铝、银镁合金、银、金、钛或者铜；所述金属氧化物为氧化铟锡、掺氟二氧化锡、氧化锌和铟镓锌氧化物中的一种或两种以上的组合。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的方法，其特征在于，在常温下用电子束蒸镀的方法在所述阳极层上蒸镀氧化镍层作为空穴传输层还包括：在所述氧化镍层上形成电子阻挡层和/或激子阻挡层，其中所述氧化镍层与所述电子阻挡层和/或激子阻挡层作为所述空穴传输层。
6.如权利要求1至4中任意一项所述的方法，其特征在于，在加热处理后的所述混合型钙钛矿光活性层上用电子束蒸镀设备蒸镀五氧化二铌层作为电子传输层还包括：在所述五氧化二铌层上形成空穴阻挡层和/或激子阻挡层，其中所述五氧化二铌层与所述空穴阻挡层和/或激子阻挡层作为所述电子传输层。
7.如权利要求1至6中任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：在所述阳极层与所述空穴传输层之间形成阳极缓冲层。
8.如权利要求1至6中任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：在所述阴极层与所述电子传输层之间形成阴极缓冲层。
9.如权利要求1至8中任意一项所述的方法，其特征在于，所述混合型钙钛矿光活性层为一层或者多层，并且为共混或者非共混的钙钛矿光吸收材料。
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