CN109369028B - 一种蚀刻设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种蚀刻设备，包括：腔室，以及设置在腔室内的反应台和至少一个装载底座；其中，装载底座设置在反应台上，装载底座上设置有多个凹槽，且凹槽为圆弧形凹槽。通过在装载底座上设置多个圆弧形凹槽，解决了面板在刻蚀过程中出现跳片的技术问题，不仅提高了面板刻蚀的均匀性，还提高了面板的产品良率。

Description

一种蚀刻设备

技术领域

本申请涉及蚀刻技术领域，具体涉及一种蚀刻设备。

背景技术

显示面板薄化是指通过混酸将面板玻璃通过蚀刻方式减薄，得到更轻薄的显示面板，从而降低手机厚度，提升视觉效果。目前面板薄化行业中，顶喷式薄化方式凭借其高良率、低成本等优势，逐渐成为主流。随着面板尺寸的逐渐变大，面板在蚀刻过程中易发生弹性形变，从而经常发生跳片现象，即面板脱离原底位置，造成面板蚀刻厚度不均、破片或者整板报废的问题。

发明内容

本申请实施例提供一种蚀刻设备，可以解决面板在刻蚀过程中跳片的技术问题，不仅提高了面板刻蚀的均匀性，还提高了面板的产品良率。

本申请提供了一种蚀刻设备，包括：

腔室，以及设置在所述腔室内的反应台和至少一个装载底座；其中，

所述装载底座设置在所述反应台上，所述装载底座上设置有多个凹槽，且所述凹槽为圆弧形凹槽。

在本申请所述的蚀刻设备中，所述凹槽包括第一侧壁、第二侧壁以及设置在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的底壁；其中，所述第一侧壁的表面和所述第二侧壁的表面均为弧形面。

在本申请所述的蚀刻设备中，所述第一侧壁和所述第二侧壁的曲率半径相同。

在本申请所述的蚀刻设备中，所述底壁的表面为弧形面，所述第一侧壁、所述底壁以及所述第二侧壁相互连接，以形成所述圆弧形凹槽。

在本申请所述的蚀刻设备中，所述底壁的曲率半径大于所述第一侧壁的曲率半径。

在本申请所述的蚀刻设备中，所述底壁的表面为平面，所述第一侧壁、所述底壁以及所述第二侧壁相互连接，以形成所述圆弧形凹槽。

在本申请所述的蚀刻设备中，多个所述凹槽间隔设置，且相邻所述凹槽之间设置有缓冲部，所述缓冲部用以吸收蚀刻液体。

在本申请所述的蚀刻设备中，所述凹槽的截面宽度大于2毫米。

在本申请所述的蚀刻设备中，所述多个凹槽的形状、大小均一致。

在本申请所述的蚀刻设备中，还包括蚀刻单元，所述蚀刻单元设置在所述腔室的上方，用于蚀刻装载在所述装载底座上的面板。

本申请提供的蚀刻设备，包括：腔室，以及设置在腔室内的反应台和至少一个装载底座；其中，装载底座设置在反应台上，装载底座上设置有多个凹槽，且凹槽为圆弧形凹槽。通过在装载底座上设置多个圆弧形凹槽，解决了面板在刻蚀过程中出现跳片的技术问题，不仅提高了面板刻蚀的均匀性，还提高了面板的产品良率。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请提供的蚀刻设备的结构示意图；

图2为本申请提供的装载底座的第一种实施方式的结构示意图；

图3为本申请提供的装载底座的第二种实施方式的结构示意图；

图4为本申请提供的装载底座的第三种实施方式的结构示意图；

图5为本申请提供的装载底座的第一种实施方式的平面示意图；

图6为本申请提供的装载底座的第二种实施方式的平面示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

请参阅图1以及图2，图1为本申请提供的蚀刻设备的结构示意图，图2为本申请提供的装载底座的第一种实施方式的结构示意图。

本申请实施例提供一种蚀刻设备，包括：

腔室10，以及设置在所述腔室10内的反应台20和至少一个装载底座30；其中，

所述装载底座30设置在所述反应台20上，所述装载底座30上设置有多个凹槽301，且所述凹槽301为圆弧形凹槽。

在本实施例中，蚀刻设备可以是顶喷式蚀刻设备，包括腔室10、反应台20以及至少一个装载底座30。其中，反应台20用于承载装载底座30，装载底座30上设置有多个凹槽301，且每个凹槽301均为圆弧形凹槽。

优选的，在腔室10上还可以设置有蚀刻单元40，蚀刻单元40设置在腔室10的上方，用于蚀刻装载在所述装载底座上的面板。可选的，该蚀刻单元40可以包括一喷淋管和多个喷淋头，工作时，蚀刻液体通过喷淋管，并从多个喷淋头中喷洒在待蚀刻的面板上。

例如，在刻蚀面板时，面板通过凹槽301垂直固定在装载底座30上，蚀刻单元40以近似于雾状的喷淋方式，将蚀刻液体均匀的喷洒在面板表面。并且，蚀刻单元40的瀑布蚀刻流冲刷蚀刻后的反应物，并通过凹槽301将蚀刻后的反应物排出，避免反应物沉积和粘附在面板底部，使得面板底部的厚度较大，造成蚀刻不均匀的现象，并且，由于面板通过凹槽301垂直固定在装载底座30上，在蚀刻过程中不会因为蚀刻液体的冲刷而造成面板出现跳片的现象，因此，通过在装载底座30上设置多个圆弧形凹槽301，不仅有效提高了蚀刻的均匀性以及产品良率，并且，还可以多块面板同时蚀刻，进一步提高了蚀刻面板的效率。

在一些实施例中，请参阅图3，图3为本申请提供的装载底座的第二种实施方式的结构示意图。

所述凹槽301包括第一侧壁31、第二侧壁32以及设置在所述第一侧壁31和所述第二侧壁32之间的底壁33；其中，所述第一侧壁31的表面和所述第二侧壁32的表面均为弧形面。

具体的，第一侧壁31的表面和第二侧壁32的表面均为弧形面，当蚀刻液体冲刷蚀刻后的反应物时，由于第一侧壁31的表面和第二侧壁32的表面均为弧形面，使得蚀刻后的反应物更容易被冲刷走，因此，蚀刻后的反应物不会堆积在面板的底部，造成面部底部较厚的情况，从而提高了面板蚀刻的均匀性。

优选的，所述第一侧壁31和所述第二侧壁32的曲率半径相同。

需要说明的是，在微分几何中，曲率的倒数就是曲率半径，即R＝1/K。平面曲线的曲率就是针对曲线上某个点的切线方向角对弧长的转动率，通过微分来定义，表明曲线偏离直线的程度。对于曲线，它等于最接近该点处曲线的圆弧的半径。对于表面，曲率半径是最适合正常截面或其组合的圆的半径。在本实施例中，曲率半径指的是曲线偏离直线的程度。

进一步的，请继续参阅图3。所述底壁33的表面为弧形面，所述第一侧壁31、所述底壁33以及所述第二侧壁32相互连接，以形成所述圆弧形凹槽301。

具体的，底壁33的表面为弧形面，第一侧壁31和第二侧壁32的表面可均为弧形面，第一侧壁31、底壁33以及第二侧壁32相互连接，形成圆弧形凹槽301，当蚀刻液体冲刷蚀刻后的反应物时，反应物更容易被蚀刻液体冲刷走，因此，蚀刻后的反应物不会堆积在面板的底部，造成面部底部较厚的情况，从而提高了面板蚀刻的均匀性。

需要说明的是，第一侧壁31以及第二侧壁32与底壁33的曲率半径可以相等，也可以不相等，具体根据实际情况设定。

在一些实施方式中，所述底壁33的曲率半径大于所述第一侧壁31的曲率半径。

在另一些实施例中，请参阅图4，图4为本申请提供的装载底座的第三种实施方式的结构示意图。

所述底壁33的表面为平面，所述第一侧壁31、所述底壁33以及所述第二侧壁32相互连接，以形成所述圆弧形凹槽301。

具体的，底壁33的表面为平面，第一侧壁31和第二侧壁32的表面可均为弧形面，第一侧壁31、底壁33以及第二侧壁32相互连接，形成圆弧形凹槽301，当蚀刻液体冲刷蚀刻后的反应物时，反应物更容易被蚀刻液体冲刷走，因此，蚀刻后的反应物不会堆积在面板的底部，造成面部底部较厚的情况，从而提高了面板蚀刻的均匀性。

优选的，请参阅图5，图5为本申请提供的装载底座的第一种实施方式的平面示意图，多个所述凹槽301间隔设置，且相邻所述凹槽301之间设置有缓冲部302，所述缓冲部302用以吸收蚀刻液体。

该缓冲部302为凹槽结构，且该凹槽结构内可设置有与蚀刻液体反应的物质。比如，蚀刻液体为碱性蚀刻液体，可在该缓冲部302内设置与碱性蚀刻液体反应的物质，如酸性氯化铜。该碱性蚀刻液体与酸性氯化铜反应后生成碱式氯化铜。该碱式氯化铜可用于生产碱性蚀刻液体。

比如，在相邻凹槽301之间设置可用以吸收蚀刻液体的缓冲部302，当蚀刻液体冲刷蚀刻后的反应物时，反应物经过凹槽301可以流动至缓冲部302中，通过在相邻凹槽301之间设置缓冲部302，当蚀刻面板生成的反应物过多时，不会造成蚀刻液冲刷反应物不完全而导致反应物堆积在面板的底部，因此，进一步的提高了蚀刻的均匀性。

此外，请参阅图6，图6为本申请提供的装载底座的第二种实施方式的平面示意图。本实施例与前面实施例的区别在于：本实施例的蚀刻设备包括多个装载底座30。多个装载底座30间隔设置在载台20上。装载底座30上设置有多个凹槽301，该凹槽301的设置方法请参阅前面实施例，在此不再赘述。

优选的，所述凹槽301的截面宽度大于2毫米。

优选的，所述多个凹槽301的形状、大小均一致。

在本实施例中，通过在装载底座30上设置多个圆弧形凹槽301，解决了面板在刻蚀过程中出现跳片的技术问题，提高了面板的产品良率，并且，利用刻蚀液体将刻蚀面板的反应物通过圆弧形凹槽301排出，因此，提高了面板刻蚀的均匀性。

以上对本申请实施例提供的蚀刻设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (9)

1.一种蚀刻设备，其特征在于，包括：

腔室，以及设置在所述腔室内的反应台和至少一个装载底座；其中，

所述装载底座设置在所述反应台上，所述装载底座上设置有多个凹槽，且所述凹槽为圆弧形凹槽；

多个所述凹槽间隔设置，且相邻所述凹槽之间设置有缓冲部，所述缓冲部用以吸收蚀刻液体。

2.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述凹槽包括第一侧壁、第二侧壁以及设置在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的底壁；其中，所述第一侧壁的表面和所述第二侧壁的表面均为弧形面。

3.根据权利要求2所述的蚀刻设备，其特征在于，所述第一侧壁和所述第二侧壁的曲率半径相同。

4.根据权利要求3所述的蚀刻设备，其特征在于，所述底壁的表面为弧形面，所述第一侧壁、所述底壁以及所述第二侧壁相互连接，以形成所述圆弧形凹槽。

5.根据权利要求4所述的蚀刻设备，其特征在于，所述底壁的曲率半径大于所述第一侧壁的曲率半径。

6.根据权利要求2所述的蚀刻设备，其特征在于，所述底壁的表面为平面，所述第一侧壁、所述底壁以及所述第二侧壁相互连接，以形成所述圆弧形凹槽。

7.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述凹槽的截面宽度大于2毫米。

8.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，所述多个凹槽的形状、大小均一致。

9.根据权利要求1所述的蚀刻设备，其特征在于，还包括蚀刻单元，所述蚀刻单元设置在所述腔室的上方，用于蚀刻装载在所述装载底座上的面板。

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