CN109354512B - 一种高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法，该方法包括氮化硅陶瓷基体的预成型、坯体表面激光扫描处理、表面保护处理、烧结致密化处理、化学镀铜处理、保护气氛中热处理，该方法使坯体表面形成附着力强、平整光洁的金属铜层，操作简便，加工效率高，能避免激光热效应累积，节约资源，且陶瓷表面粗糙度可控。

Description

一种高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法
技术领域
本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法。
背景技术
氮化硅(Si3N4)陶瓷具有高强度、高韧性、耐腐蚀、耐磨损和耐热冲击等特性，在航空航天、国防、机械、化工等领域具有广泛的应用。对氮化硅陶瓷表面进行金属化处理，可以使其兼具氮化硅陶瓷的高电绝缘性、高机械强度、低膨胀和金属的高热导率及可焊接性等优点，其广泛应用于半导体、集成电路、微波器件、宇航等领域。对于氮化硅陶瓷来说，表面金属化处理还可应用于氮化硅发热体器件的封装等。
目前，陶瓷金属化的方法主要有化学镀法、电镀法、高温烧结被Ag(Ni)法、真空蒸发镀膜法和真空溅射镀膜法等。化学镀可以直接在陶瓷表面沉积金属镀层，解决陶瓷与金属基体的浸润问题，实现陶瓷与金属的紧密结合，其得到的金属镀层均匀、完整、附着强度高，具有良好的延展性、导热性和导电性及特有的无边缘效应，可显著改善基体的散热效率。因氮化硅陶瓷表面不具备催化活性，因此进行化学镀前要预先经过表面处理，以在其表面形成充分的活性点。陶瓷基体化学镀前处理工艺主要为粗化-敏化-活化三步法。目前应用最广的前处理方法为：(1)采用氢氟酸(HF)对陶瓷进行粗化，(2)粗化后的陶瓷基体先用SnCl2敏化，(3)再用PdCl2活化，还原生成的钯原子即成为后续化学镀金属沉积的活性点。此前处理液中由于含有强酸及锡、钯等重金属/贵金属离子，使用及后续处理成本高昂。因此有必要改进传统的粗化-敏化-活化前处理工艺，减少强酸及重金属离子的使用及残余，简化操作步骤，降低成本，节约资源。
化学镀的目的在于形成一层结合牢固，均匀连续，厚度合适的金属膜。化学镀铜主要的两项性能指标是覆盖性和结合力。覆盖性是指化学镀铜层在基体表面形成均匀的和完整的覆盖。镀层附着强度，通常称为镀层结合力，是指镀层与基体或中间镀层结合的强弱，其对铜镀层的物理机械及化学性能均有直接的影响，是镀铜质量的重要指标。现有的化学镀铜工艺存在镀层与基体结合强度不高的问题，导致氮化硅陶瓷镀铜制品受到影响。
陶瓷与金属化层之间主要有4种结合力：延晶作用、扩散作用、形貌作用及键合力，从冶金学观点看，陶瓷与镀层的相互作用中，延晶、扩散和键合作用十分微弱，镀层与基体表面结合主要靠形貌作用，基体形貌对镀层与基体结合情况的影响尤为突出。为了尽可能提高基体与镀层之间的结合力，有必要通过表面处理改善基体微观形貌，以确保化学镀所需要的“锁扣效应”，从而提高镀层与基体的结合强度。换言之，陶瓷表面粗糙度与“镀层——陶瓷基底”间结合强度密切相关。在一定范围内，基体表面具有足够高的粗糙度，可以确保镀层的结合强度。
为改善化学镀基体陶瓷的表面粗糙度，提高化学镀层的结合强度，传统的化学镀工艺中经常采用机械粗化、化学粗化或者两者结合的方法对已烧结的陶瓷表面进行粗化处理。这样的处理工艺需要较长时间，且对于不同种类的陶瓷材料粗化效果不一，后续化学镀往往很难得到结合强度良好的镀金属层。以激光作为加工能源对陶瓷表面进行处理，可以实现无接触式加工，精密地控制加工尺寸及维度。将激光表面加工改性技术与化学镀技术相结合可以在陶瓷基材表面制备金属层。然而，在现有的技术报道中，均是以烧结过后的硬脆陶瓷表面为加工对象。为了获得结合力更高的金属镀层，需要采用较高功率的激光烧蚀陶瓷表面，增大基材表面粗糙度，使镀层与基材结合面积更大；或采用激光辐照于陶瓷表面以达到改性目的，利于后续的化学镀。但是无论是采用高功率激光直接烧蚀还是采用激光辐照改性，其热效应瞬间导致材料的熔化和汽化，不可避免地会形成陶瓷重熔层，无法获得理想的微观形貌来保证化学镀所需的“锁扣效应”。此外，重熔层材料通常具有高脆性的特点，其力学性能与陶瓷基体不匹配，松散且容易脱落，进而严重影响金属镀层和陶瓷基体间的结合力。
上述问题在采用激光处理氮化硅陶瓷时更加突出：一方面由于氮化硅硬度极高，强度可以维持到1700℃的高温而不下降，为获得较为理想的加工效果往往不得不采用高功率的激光器，使用高功率激光扫描时极易出现裂纹、崩豁甚至于材料碎裂；使用较低功率的激光脉冲多次扫描可能会降低裂纹出现的概率，但是效率极低且可靠性差。另一方面，即使采用低功率脉冲激光扫描实现了氮化硅陶瓷表面的粗化，所扫描区域的凹槽或微孔也会在热积累效应下形成明显的重熔层，为了消除重熔层的影响，又不得不采用强酸等化学腐蚀处理。
发明内容
本发明提供了一种氮化硅陶瓷表面化学镀预处理工艺。提出了在烧结前的氮化硅陶瓷生坯体上采用低功率激光快速扫描的预处理方案。此方案避免了热效应的累积，不会形成陶瓷重熔层，在后续的烧结工艺中采用埋粉来保护激光加工得到的表面形貌，经化学镀后形成了高结合力的金属铜膜。整个过程工序少、速度快、能耗低、三废排放少。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法，包括氮化硅陶瓷基体的预成型、坯体表面激光扫描处理、表面保护处理、烧结致密化处理、化学镀铜处理、保护气氛中热处理。
可选的，坯体表面激光扫描处理采用的激光波长为20～2000nm，在该波长范围内坯体容易吸收，激光扫描功率为0.1～20W，优选激光扫描功率小于5W。
可选的，所述的坯体表面激光扫描处理采用扫描间距低于0.2mm，优选为0.002～0.05mm的激光打标扫描，获得表面粗糙度达到最佳。
可选的，所述氮化硅陶瓷基体的预成型工艺包括干压成型、流延成型、等静压成型、注凝成型等，优选采用干压成型、流延成型生产出氮化硅陶瓷坯体，以生产出质地均一、表面光洁的氮化硅陶瓷坯体。所述氮化硅陶瓷材料以陶瓷基板或陶瓷体形式进行表面激光加工。
所述保护气氛中热处理后，再进行电镀金属层，优选金属为铜。
所使用的激光为连续激光或脉冲激光。所述激光器，可以是光纤激光器、Nd：YAG固体激光器或二氧化碳激光器及准分子激光器等，辅以激光控制系统(可以是扫描振镜或数控激光加工头)。也可以直接采用小功率的商用激光打标设备。
可选的，所述激光加工的氮化硅陶瓷坯体可以是成型的素坯，也可以是经过预烧及机械加工后具有一定强度但尚未烧结的半成品坯体。
本发明在氮化硅坯体上直接采用低功率激光扫描的预处理，解决了在质硬耐磨的氮化硅陶瓷表面激光处理的难题。通过本发明方法，氮化硅陶瓷表面的粗化过程在短时间内即可完成，且表面形貌细节精确可控，通过对扫描功率和扫描间距的微调即可获得不同粗糙度的陶瓷表面。在后续的烧结过程中对粗化的表面进行保护，得到具有理想微观结构的氮化硅陶瓷表面。与传统的氢氟酸腐蚀及重金属敏化活化处理工艺相比，经本发明预处理工艺得到的氮化硅陶瓷，化学镀铜的质量明显提升，铜层与氮化硅陶瓷表面的结合力提高了数倍。
上述烧结致密化处理时采用的烧结步骤包括反应烧结、气压烧结、放电等离子烧结或无压烧结。所述烧结致密化处理的烧结温度为1700-1900℃，优选1800℃。
可选的，保护气氛包括氮气、氩气、氦气中的一种。
优选的，激光扫描处理后的坯体表面保护处理采用保护粉覆盖在所加工的表面上，以防止在后续的高温烧结过程中陶瓷表面粗糙度下降。保护粉优选Si3N4粉。
优选的，上述化学镀铜后在保护气氛中的热处理温度为200-600℃，优选350～450℃，以提高预镀金属铜层的结合强度和硬度。
采用本发明方法所制备的具有金属化表面的氮化硅陶瓷基板与氧化铝和氮化铝高导热陶瓷金属复合基板相比，本发明基板的整体弯曲强度是氮化铝基板的2-3倍，金属层可以明显改善氮化硅陶瓷基板的强度和抗冲击能力，电镀或焊接更厚的金属层不会产生瓷裂现象，提高了基板的可靠性；通过与高导热金属的覆接，其热导率是氧化铝陶瓷基板的3-4倍，大幅提高了基板的散热能力；总之，表面金属化的氮化硅基板承载电流能力更强、整体散热性能更好、热阻更低且耐热冲击能力更强。
采用本发明的化学镀前处理技术方案与传统化学镀前处理工艺相比，所产生的有益效果包括：
1、本发明方法在化学镀铜之前采用坯体表面激光扫描处理，保证了氮化硅基板表面粗化均匀，微观粗糙颗粒细小，吸附力强，非常有利于后续化学镀。
2、本发明工艺简单，激光前处理耗时极短(1cm2见方区域按加工粗糙度的要求仅需几秒到十几秒时间即可加工完毕)，且氮化硅陶瓷表面粗糙度高度可控，解决了传统化学镀前处理工艺复杂繁琐且生产效率不高的缺陷。
3、本发明预处理工艺实施方便易行，操作人员不需特别培训，不涉及强酸及重金属/贵金属溶液的使用防护及废液处理排放问题，既减轻环境压力，也大大降低生产成本。
4、处理前不需要酸等腐蚀性溶剂进行处理，绿色环保。
采用本发明的技术方案与已公开的直接在已烧结好的陶瓷体表面激光雕刻后续化学镀金属层的技术方案相比，所产生的有益效果包括：
1.本工艺方法是在坯体表面进行激光加工，仅需较低的功率在短时间内即可完成，不会产生激光热效应的累积。相比之下，已公开的技术中均为对瓷体表面直接加工，为获得较为理想的加工效果往往不得不采用高功率的激光器，使用高功率激光扫描时极易出现裂纹、崩豁甚至于材料碎裂；使用较低功率的激光脉冲多次扫描可能会降低裂纹出现的概率，但是效率极低且可靠性差。这一问题在加工对象为高强度高硬度的氮化硅瓷体时更为明显，直接加工困难。
2.现有陶瓷体表面激光雕刻是在硬脆陶瓷上加工，热效应的累积容易使加工细节边缘熔融，影响后续镀层结合。本工艺方法在生坯体上采用低功率激光进行加工，时间短，无热效应累积。
3.由于在烧结致密化处理过程中，粗糙的表面沟槽边沿易成为露珠状，本发明采用坯体表面激光扫描处理结合保护粉表面处理，能避免表面钝化，保证化学镀所需的“锁扣效应”，提高附着强度。
4.本工艺方法无需在激光雕刻完后再采用酸等化学试剂腐蚀因激光热效应所导致的表面重熔层。工艺流程简单且绿色环保。
因此，本发明不涉及强酸和贵金属/重金属离子的化学镀铜方法，使表面形成附着力强、平整光洁的金属铜层。采用氮化硅坯体进行激光扫描处理和表面保护性烧结，替代传统陶瓷表面化学镀铜的粗化-敏化-活化工序，操作简便，节约资源，且陶瓷表面粗糙度可控。与现有的陶瓷表面激光处理工艺相比，本发明是在未烧结的氮化硅陶瓷坯体上进行表面激光处理，然后再烧结成瓷，使得加工过程无需大功率激光器，加工效率高且能避免激光热效应累积。本发明对化学预镀后的金属化陶瓷在保护性气氛中进行焙烧处理，进一步提高了预镀金属铜层的结合强度与硬度。
附图说明
图1是采用红外光纤激光器，选取工作功率为2W，扫描间距为50μm时，氮化硅坯体表面经过扫描处理后的显微照片(放大倍数×100)。
图2是采用共焦激光扫描显微镜(Confocal Laser Scanning Microscope)测量生成的陶瓷表面3D轮廓图，其中(a)、(b)、(c)、(d)分别为采用激光功率0.2W、1W、2W和3W，扫描间距为0.05mm扫描后的氮化硅陶瓷表面3D轮廓图。(a)、(b)、(c)、(d)样片测量得到的表面粗糙度分别为2.01μm、8.83μm、10.25μm和12.08μm。
具体实施方式
以下结合实施例和对比例对本发明作进一步说明，需要声明的是，此处仅是对本发明构思所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施案例做各种各样的修改或补充或采取类似的方式替代，只要不偏离发明的构思或者超越本权利要求书所定义的范围，均应视为落入本发明的保护范围。以下实施例中所用原料为Si3N4细粉，烧结助剂为氧化铝和氧化钇粉，溶剂为无水乙醇(C2H5OH)和丁酮(C2H5COCH3)，分散剂为磷酸三乙酯((C2H5)3PO4)，均为分析纯；黏结剂为聚乙烯醇缩丁醛；增塑剂为聚乙二醇(分子量为6000)和甘油(C3H8O3)。
实施例1
一种高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法，具体步骤如下：
氮化硅陶瓷基板依次经过流延成型、坯体表面激光扫描处理、冷水洗、表面保护处理、无压烧结、流水清洗、除油、热水洗、冷水洗、蒸馏水洗、化学镀铜处理、保护气氛焙烧处理、电镀铜处理和防氧化处理，使其表面形成铜薄膜，其中：
(1)流延成型主要工艺过程如下：
称取30克Si3N4细粉和烧结助剂粉(烧结助剂占Si3N4细粉重量百分比10wt％)，加入40克有机溶剂(无水乙醇和丁酮按照1:2重量比例混合)和2克分散剂(磷酸三乙酯)，并用NH3·H2O调节浆料的pH值至9～11，在行星式球磨机上球磨12小时得到Si3N4悬浮液后加入5克黏结剂(聚乙烯醇缩丁醛)和4克增塑剂(聚乙二醇)，再继续球磨12小时。对所得浆料进行流延成型后在空气中干燥，获得流延膜。把所制备的流延膜按一定尺寸裁剪，并进行叠片，对叠片后的坯体进行排胶处理，后对经排胶的块体进行冷等静压处理得到质地均一、表面光洁的氮化硅陶瓷坯体。
(2)坯体表面激光扫描处理过程如下：
采用激光器为1064nm红外光纤激光器，波长为1060nm，最大功率20W，脉冲宽度1μs，扫描速度340mm/s，采用扫描间距为0.05mm的激光、以5％的功率(即1W)对氮化硅陶瓷坯体表面进行扫描处理。
(3)表面保护是将Si3N4细粉覆于激光处理过的表面之上，以减少所加工的表面微结构在烧结过程中的损失，保证足够的粗糙度与活化点。
(4)无压烧结过程是133Pa氮气气氛中升温至1800℃保温2h完成烧结。
(5)化学镀铜处理工艺是在55℃条件下处理30min，处理液pH为12～12.5，1L处理液中含有：
Figure BDA0001914017270000061
(6)化学镀后的保护气氛焙烧选取氮气或氩气为保护气氛，焙烧温度为350℃，焙烧时间为2h。
(7)电镀铜处理是在室温条件下处理15min，阳极电流密度为1.5A/dm2，阴极电流密度为4.5A/dm2，阳极为磷铜板，1L电镀液中含有：
无水硫酸铜220g；
98％硫酸65g；
盐酸65mg；
开缸剂4ml；
光亮剂0.4ml；
余量为去离子水。
(8)防氧化处理是置于防氧化保护剂中浸泡3min，漂洗烘干。
(9)镀层与基板之间的粘附性，根据美国测试与材料学会(American Society forTesting and Materials，ASTM)标准D3359-08中的方法B——胶带法进行测定：镀铜完成后，采用划痕实验确定镀铜层的附着强度，在镀铜层表面用刀划刻边长为2mm的正方形格子25个，用胶带充分粘贴在这些正方形的格子上，快速撕下胶带时，以正方形的格子上的铜层掉落的多少来评价铜镀层的附着强度。
实施例2
一种高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法具体步骤如下：
氮化硅陶瓷基板依次经过干压成型、表面激光扫描处理、冷水洗、表面保护处理、无压烧结、流水清洗、除油、热水洗、冷水洗、蒸馏水洗、化学镀铜处理、保护气氛焙烧处理、电镀铜处理和防氧化处理，使其表面形成铜薄膜，其中：
(1)干压成型主要工艺过程如下：
所用原料为Si3N4细粉，烧结助剂为氧化铝和氧化钇粉(重量比氧化铝：氧化钇＝1:3)，按原料重10wt％的比例加入烧结助剂后将粉体在行星式球磨机上球磨混合均匀。粉体经过筛后进行造粒，采用聚乙烯醇(PVA)溶液为粘结剂，按8wt％比例加入过筛后的粉体中并研磨均匀，再经过筛完成造粒。选取造粒后粉体填充进模具，在压机上一次成型，得到表面光洁的氮化硅陶瓷坯体。
(2)坯体表面激光扫描处理过程如下：
采用激光器为1064nm红外光纤激光器，波长为1060nm，最大功率20W，脉冲宽度1μs，扫描速度340mm/s，采用扫描间距为0.05mm的激光、以10％的功率(即2W)对氮化硅陶瓷坯体表面进行扫描处理。
(3)表面保护是将Si3N4细粉覆于激光处理过的表面之上，以减少所加工的表面微结构在烧结过程中的损失，保证足够的粗糙度与活化点。
(4)无压烧结过程是133Pa氮气气氛中升温至1800℃保温2h完成烧结。
(5)化学镀铜处理工艺是在55℃条件下处理30min，处理液pH为12～12.5，1L处理液中含有：
Figure BDA0001914017270000081
(6)化学镀后的保护气氛焙烧选取氮气，焙烧温度为350℃，焙烧时间为2h。
(7)电镀铜处理是在室温条件下处理15min，阳极电流密度为1.5A/dm2，阴极电流密度为4.5A/dm2，阳极为磷铜板，1L电镀液中含有：
无水硫酸铜220g；
98％硫酸65g；
盐酸65mg；
开缸剂4ml；
光亮剂0.4ml；
余量为去离子水。
(8)防氧化处理是置于防氧化保护剂中浸泡3min，漂洗烘干。
(9)镀层与基板之间的粘附性，根据美国测试与材料学会(American Society forTesting and Materials，ASTM)标准D3359-08中的方法B——胶带法进行测定：镀铜完成后，采用划痕实验确定镀铜层的附着强度，在镀铜层表面用刀划刻边长为2mm的正方形格子25个，用胶带充分粘贴在这些正方形的格子上，快速撕下胶带时，以正方形的格子上的铜层掉落的多少来评价铜镀层的附着强度。
实施例3：选用流延成型的氮化硅坯体，激光扫描功率选取15％(即3W)，扫描间距0.05mm，保护气氛为氮气，焙烧温度350℃，其余步骤相同。
实施例4：选用干压成型的氮化硅坯体，激光扫描功率选取5％(即1W)，扫描间距0.002mm，保护气氛为氮气，焙烧温度450℃，其余步骤相同。
实施例5：选用流延成型的氮化硅坯体，激光扫描功率选取5％(即1W)，扫描间距0.05mm，保护气氛为氮气，焙烧温度550℃，其余步骤相同。
实施例6：选用干压成型的氮化硅坯体，激光扫描功率选取10％(即2W)，扫描间距0.05mm，保护气氛为氮气，焙烧温度450℃，其余步骤相同。
实施例7：选用流延成型的氮化硅坯体，激光扫描功率选取10％(即2W)，扫描间距0.05mm，保护气氛为氮气，焙烧温度550℃，其余步骤相同。
实施例8：选用干压成型的氮化硅坯体，激光扫描功率选取15％(即3W)，扫描间距0.05mm，保护气氛为氮气，焙烧温度450℃，其余步骤相同。
实施例9：选用流延成型的氮化硅坯体，激光扫描功率选取15％(即3W)，扫描间距0.05mm，保护气氛为氮气，焙烧温度550℃，其余步骤相同。
对比例1：氮化硅瓷体基板粗化、敏化后化学镀铜和电镀铜(传统的化学镀+电镀工艺)
氮化硅陶瓷基板依次经过流延成型、无压烧结、流水清洗、除油、热水洗、粗化处理、冷水洗、敏化活化处理、蒸馏水洗、化学镀铜处理、电镀铜处理和防氧化处理，使其表面形成铜薄膜，其中：
(1)所述粗化处理时在室温条件下处理75～90min，1L粗化处理液中含有：
氢氟酸 100～110g；
氟化氨 205～215g；
余量为去离子水。
(2)所述敏化活化处理是室温条件处理3～10min，1L处理液中含有：
37％盐酸 270～290ml；
氯化亚锡 5.5～6.5g；
胶体钯浓缩液 8～10ml；
余量为去离子水。
流延成型、无压烧结、化学镀铜、电镀铜和防氧化处理具体工艺细节与实施例1相同。
对比例2：氮化硅基板坯体激光处理，但未加保护粉进行表面保护，烧结后化学镀铜和电镀铜。
氮化硅陶瓷基板依次经干压成型、表面激光扫描处理、冷水洗、无压烧结、流水清洗、除油、热水洗、冷水洗、蒸馏水洗、化学镀铜处理、保护气氛焙烧处理、电镀铜处理和防氧化处理，使其表面形成铜薄膜，其中：除无“表面保护”工艺外，所有处理步骤和工艺细节与实施案例9相同。
结果表明：按标准D3359-08所规定测试方法，实施例1～9所获得的氮化硅陶瓷表面铜镀层与基底结合强度经测量均可以达到最高级别5B，无方格分离。对比例1级别为3B，有10％左右的方格被影响；对比例2级别为4B，有4％左右的方格被影响。

Claims (12)

1.一种高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法，其特征在于，包括氮化硅陶瓷基体的预成型、坯体表面激光扫描处理、表面保护处理、烧结致密化处理、化学镀铜处理、保护气氛中热处理；所述的坯体表面激光扫描处理采用的激光波长为20~2000 nm，激光扫描功率小于5W，坯体表面激光扫描处理采用扫描间距低于0.2mm；所述表面保护处理为采用保护粉覆盖在所加工的表面上。
2.根据权利要求1所述的高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法，其特征在于，所述的坯体表面激光扫描处理采用扫描间距为0.002~0.05 mm。
3.根据权利要求1所述的高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法，其特征在于，所述的氮化硅陶瓷基体的预成型包括干压成型或流延成型生产出氮化硅陶瓷坯体。
4.根据权利要求1所述的高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法，其特征在于，所述保护气氛中热处理后，再进行电镀金属层。
5.根据权利要求4所述的高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法，其特征在于，所述金属为铜。
6.根据权利要求1所述的高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法，其特征在于，所述所使用的激光为连续激光或脉冲激光。
7.根据权利要求1所述的高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法，其特征在于，所述烧结致密化处理时采用的烧结步骤包括反应烧结、气压烧结、放电等离子烧结或无压烧结。
8.根据权利要求1所述的高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法，其特征在于，所述保护粉为Si3N4粉。
9.根据权利要求1所述的高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法，其特征在于，所述化学镀铜后在保护气氛中的热处理温度为200-600ºC；所述保护气氛包括氮气、氩气、氦气中的一种。
10.根据权利要求9所述的高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法，其特征在于，所述的热处理温度为350~450 ºC。
11.根据权利要求1所述的高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法就，其特征在于，所述烧结致密化处理的烧结温度为1700-1900ºC。
12.根据权利要求11所述的高导热氮化硅陶瓷表面化学镀铜的制备方法就，其特征在于，所述烧结致密化处理的烧结温度为1800ºC。
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