CN109328687A - 一种无刺花椒品系的培育方法 - Google Patents

一种无刺花椒品系的培育方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种无刺花椒品系的培育方法,包括以下步骤:S1:温室建立;S2:磁化透气苗床铺设;S3:插穗采集;S4:插条消毒并干燥;S5:插穗制作;S6:生根促进物质处理;S7:插穗扦插与管理;S8:嫁接培育结果。本发明通过玻璃温室和透气磁化苗床,能够对快繁苗的培育环境进行自动控制,使得多代重复无性繁殖能够快速完成,节约了大量的时间,且皮刺少、品系性状稳定、麻香味十足,产量高,有利于快速培育和大面积种植,提高了经济效益。

Description

一种无刺花椒品系的培育方法
技术领域
本发明涉及植物培育技术领域,尤其涉及一种无刺花椒品系的培育方法。
背景技术
花椒,为芸香科花椒属落叶小乔木或灌木,是世界范围内花椒属植物的主要经济栽培种,花椒果是调味品之王,花椒树除作为经济树种进行栽培外,还是园艺作物护篱的佳选材料,花椒树适应性很强,无论是山区、丘陵、平原、房前屋后,均可栽培,特别在地理条件较差的山区,因地制宜地发展花椒生产,对增加山区群众收入,促进山区经济发展有着重要的作用,随着农业结构调整步伐的加快,农村经济作物的栽培面积也不断扩大,作为经济树种和园艺作物护篱材料的花椒,其苗木的需求量也在不断增加,花椒果采摘非常困难,劳动效率非常低,椒农不小心还可能被椒刺扎伤手,因此需要对花椒树进行嫁接改良。
但是,现有技术中,花椒嫁接只是果实改良,改良的结果没有改变花椒树的多刺状态,目前无刺花椒主要是通过不同树进行嫁接得到无刺,或直接采用无刺或微刺刀花椒进行无性繁殖,且不具有自动控制培育环境的温室,导致稳定性差,耗时长、麻香味不足,产量低、不利于快速培育和大面积种植,经济效益低,为此我们提出一种无刺花椒品系的培育方法,以此来解决上述问题。
发明内容
基于背景技术存在的技术问题,本发明提出了一种无刺花椒品系的培育方法。
本发明提出的一种无刺花椒品系的培育方法,包括以下步骤:
S1:温室建立:根据实际需要采购所需钢材、玻璃、珍珠岩、粗石、磁化苗床、电场地网、电场正极网、补光灯、加温设备、水处理设备、计算机、二氧化碳发生器、微喷头和水管,建立具有智能弥雾系统、补光系统、加温系统、二氧化碳及氧气供应系统、电场系统、营养液供给系统、计算机控制系统和反渗透水处理设备的玻璃温室;
S2:磁化透气苗床铺设:将S1中所述的珍珠岩、粗石、磁化苗床和电场地网依次铺设在联栋大棚的地面上,得到多个磁化透气苗床;
S3:插穗采集:根据实际需要选取一年生生长健壮无病虫害,品质优良少刺或无刺的花椒半木质化枝条,得到插穗材料;
S4:插条消毒并干燥:将S3中所述的插穗材料浸在消毒池中5至10s,取出插穗材料并放置在干燥箱内进行干燥,得到干燥的消毒枝条;
S5:插穗制作:将S4中所述的消毒枝条用在电功能水或者酒精中消毒后的剪刀进行制作,宜在没有日光照射或风吹影响,而且温度不高的室内或背阴地进行,根据不同的枝条,制作不同的插穗,一般留取一叶两芽、两叶两芽,并在插条基部竖刻伤处理,得到插穗;
S6:生根促进物质处理:将S5中所述的插穗用皮筋捆成小捆,基部3cm放入浓度为100ppm的生根液中侵泡1至2h,得到处理后的插穗;
S7:插穗扦插与管理:将S6中所述的处理后的插穗迅速插入经过消毒后的磁化透气苗床,扦插一段及时喷水以免叶片失水枯萎,插穗扦插完成后,设置计算机各项参数,基质湿度在活化期控制在45%、基质温度20-25℃、叶片水膜60%以上、空气湿度80-90%,愈伤期、生根期、炼苗期管理由计算机自动控制来完成,育苗期间观察插穗的发育过程,炼苗结束后,此时插穗二次根大量形成,进行移栽,移栽成活恢复生长后,得到第一代快繁苗;
S8:嫁接培育结果:对S7中所述的第一代快繁苗长成后,剪取枝条再进行第二代的快繁,按同样的方法经过多代无性快繁,在三代以上的快繁苗上选取颗粒大、色泽鲜艳、产量高基部微刺或无刺的品种作为商品苗进行快繁,得到基因稳定的无刺花椒苗。
优选地,所述S1中,玻璃温室的标准为8×30-60m,且玻璃温室的顶部设有遮阳网。
优选地,所述S2中,磁化透气苗床的宽度为1.2m,且磁化透气苗床的高为30cm,每两个磁化透气苗床间隔60cm。
优选地,所述S3中,晴天上午9点以前、阴雨天全天采集枝条,注意给枝条洒水保湿,不要损坏叶片,不能堆积过多,防止发热,枝条捆扎成小捆斜立放在车上。
优选地,所述S4中,消毒液选用电功能水或多菌灵,干燥箱的型号为101-1S。
优选地,所述S5中,插穗的上剪口在叶上2cm左右平剪,下剪口在芽下对面0.5cm处45度斜剪,叶片大的剪去三分之一或者一半叶片,羽状复叶的小叶片留1至2个叶片。
优选地,所述S6中,生根液为ABT生根剂。
优选地,所述S7中,插穗的扦插深度为5cm,密度每平方米400至1000株。
本发明的有益效果:通过玻璃温室和透气磁化苗床,能够对快繁苗的培育环境进行自动控制,使得多代重复无性繁殖能够快速完成,节约了大量的时间,且皮刺少、品系性状稳定、麻香味十足,产量高,有利于快速培育和大面积种植,提高了经济效益。
附图说明
图1为本发明提出的一种无刺花椒品系的培育方法中磁化透气苗床的正视剖视结构示意图;
图2为本发明提出的一种无刺花椒品系的培育方法中玻璃温室的立体结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步解说。
实施例一
本实施例中提出了一种无刺花椒品系的培育方法,包括以下步骤:
S1:温室建立:根据实际需要采购所需钢材、玻璃、珍珠岩、粗石、磁化苗床、电场地网、电场正极网、补光灯、加温设备、水处理设备、计算机、二氧化碳发生器、微喷头和水管,建立具有智能弥雾系统、补光系统、加温系统、二氧化碳及氧气供应系统、电场系统、营养液供给系统、计算机控制系统和反渗透水处理设备的玻璃温室;
S2:磁化透气苗床铺设:将S1中所述的珍珠岩、粗石、磁化苗床和电场地网依次铺设在联栋大棚的地面上,得到多个磁化透气苗床;
S3:插穗采集:根据实际需要选取一年生生长健壮无病虫害,品质优良少刺或无刺的花椒半木质化枝条,得到插穗材料;
S4:插条消毒并干燥:将S3中所述的插穗材料浸在消毒池中5s,取出插穗材料并放置在干燥箱内进行干燥,得到干燥的消毒枝条;
S5:插穗制作:将S4中所述的消毒枝条用在电功能水或者酒精中消毒后的剪刀进行制作,宜在没有日光照射或风吹影响,而且温度不高的室内或背阴地进行,根据不同的枝条,制作不同的插穗,一般留取一叶两芽、两叶两芽,并在插条基部竖刻伤处理,得到插穗;
S6:生根促进物质处理:将S5中所述的插穗用皮筋捆成小捆,基部3cm放入浓度为100ppm的生根液中侵泡1h,得到处理后的插穗;
S7:插穗扦插与管理:将S6中所述的处理后的插穗迅速插入经过消毒后的磁化透气苗床,扦插一段及时喷水以免叶片失水枯萎,插穗扦插完成后,设置计算机各项参数,基质湿度在活化期控制在45%、基质温度20℃、叶片水膜60%、空气湿度80%,愈伤期、生根期、炼苗期管理由计算机自动控制来完成,育苗期间观察插穗的发育过程,炼苗结束后,此时插穗二次根大量形成,进行移栽,移栽成活恢复生长后,得到第一代快繁苗;
S8:嫁接培育结果:对S7中所述的第一代快繁苗长成后,剪取枝条再进行第二代的快繁,按同样的方法经过多代无性快繁,在三代以上的快繁苗上选取颗粒大、色泽鲜艳、产量高基部微刺或无刺的品种作为商品苗进行快繁,得到基因稳定的无刺花椒苗。
本实施例中,所述S1中,玻璃温室的标准为8×30-60m,且玻璃温室的顶部设有遮阳网。
所述S2中,磁化透气苗床的宽度为1.2m,且磁化透气苗床的高为30cm,每两个磁化透气苗床间隔60cm。
所述S3中,晴天上午8点以前、阴雨天全天采集枝条,注意给枝条洒水保湿,不要损坏叶片,不能堆积过多,防止发热,枝条捆扎成小捆斜立放在车上。
所述S4中,消毒液选用电功能水或多菌灵,干燥箱的型号为101-1S,所述S5中,插穗的上剪口在叶上2cm左右平剪,下剪口在芽下对面0.5cm处45度斜剪,叶片大的剪去三分之一叶片,羽状复叶的小叶片留1个叶片,所述S6中,生根液为ABT生根剂,所述S7中,插穗的扦插深度为5cm,密度每平方米400株,通过玻璃温室和透气磁化苗床,能够对快繁苗的培育环境进行自动控制,使得多代重复无性繁殖能够快速完成,节约了大量的时间,且皮刺少、品系性状稳定、麻香味十足,产量高,有利于快速培育和大面积种植,提高了经济效益。
实施例二
本实施例中提出了一种无刺花椒品系的培育方法,包括以下步骤:
S1:温室建立:根据实际需要采购所需钢材、玻璃、珍珠岩、粗石、磁化苗床、电场地网、电场正极网、补光灯、加温设备、水处理设备、计算机、二氧化碳发生器、微喷头和水管,建立具有智能弥雾系统、补光系统、加温系统、二氧化碳及氧气供应系统、电场系统、营养液供给系统、计算机控制系统和反渗透水处理设备的玻璃温室;
S2:磁化透气苗床铺设:将S1中所述的珍珠岩、粗石、磁化苗床和电场地网依次铺设在联栋大棚的地面上,得到多个磁化透气苗床;
S3:插穗采集:根据实际需要选取一年生生长健壮无病虫害,品质优良少刺或无刺的花椒半木质化枝条,得到插穗材料;
S4:插条消毒并干燥:将S3中所述的插穗材料浸在消毒池中10s,取出插穗材料并放置在干燥箱内进行干燥,得到干燥的消毒枝条;
S5:插穗制作:将S4中所述的消毒枝条用在电功能水或者酒精中消毒后的剪刀进行制作,宜在没有日光照射或风吹影响,而且温度不高的室内或背阴地进行,根据不同的枝条,制作不同的插穗,一般留取一叶两芽、两叶两芽,并在插条基部竖刻伤处理,得到插穗;
S6:生根促进物质处理:将S5中所述的插穗用皮筋捆成小捆,基部3cm放入浓度为100ppm的生根液中侵泡2h,得到处理后的插穗;
S7:插穗扦插与管理:将S6中所述的处理后的插穗迅速插入经过消毒后的磁化透气苗床,扦插一段及时喷水以免叶片失水枯萎,插穗扦插完成后,设置计算机各项参数,基质湿度在活化期控制在45%、基质温度25℃、叶片水膜70%、空气湿度90%,愈伤期、生根期、炼苗期管理由计算机自动控制来完成,育苗期间观察插穗的发育过程,炼苗结束后,此时插穗二次根大量形成,进行移栽,移栽成活恢复生长后,得到第一代快繁苗;
S8:嫁接培育结果:对S7中所述的第一代快繁苗长成后,剪取枝条再进行第二代的快繁,按同样的方法经过多代无性快繁,在三代以上的快繁苗上选取颗粒大、色泽鲜艳、产量高基部微刺或无刺的品种作为商品苗进行快繁,得到基因稳定的无刺花椒苗。
本实施例中,所述S1中,玻璃温室的标准为8×30-60m,且玻璃温室的顶部设有遮阳网。
所述S2中,磁化透气苗床的宽度为1.2m,且磁化透气苗床的高为30cm,每两个磁化透气苗床间隔60cm。
所述S3中,晴天上午9点以前、阴雨天全天采集枝条,注意给枝条洒水保湿,不要损坏叶片,不能堆积过多,防止发热,枝条捆扎成小捆斜立放在车上。
所述S4中,消毒液选用电功能水或多菌灵,干燥箱的型号为101-1S,所述S5中,插穗的上剪口在叶上2cm左右平剪,下剪口在芽下对面0.5cm处45度斜剪,叶片大的剪去一半叶片,羽状复叶的小叶片留2个叶片,所述S6中,生根液为ABT生根剂,所述S7中,插穗的扦插深度为5cm,密度每平方米1000株,通过玻璃温室和透气磁化苗床,能够对快繁苗的培育环境进行自动控制,使得多代重复无性繁殖能够快速完成,节约了大量的时间,且皮刺少、品系性状稳定、麻香味十足,产量高,有利于快速培育和大面积种植,提高了经济效益。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种无刺花椒品系的培育方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:温室建立:根据实际需要采购所需钢材、玻璃、珍珠岩、粗石、磁化苗床、电场地网、电场正极网、补光灯、加温设备、水处理设备、计算机、二氧化碳发生器、微喷头和水管,建立具有智能弥雾系统、补光系统、加温系统、二氧化碳及氧气供应系统、电场系统、营养液供给系统、计算机控制系统和反渗透水处理设备的玻璃温室;
S2:磁化透气苗床铺设:将S1中所述的珍珠岩、粗石、磁化苗床和电场地网依次铺设在联栋大棚的地面上,得到多个磁化透气苗床;
S3:插穗采集:根据实际需要选取一年生生长健壮无病虫害,品质优良少刺或无刺的花椒半木质化枝条,得到插穗材料;
S4:插条消毒并干燥:将S3中所述的插穗材料浸在消毒池中5至10s,取出插穗材料并放置在干燥箱内进行干燥,得到干燥的消毒枝条;
S5:插穗制作:将S4中所述的消毒枝条用在电功能水或者酒精中消毒后的剪刀进行制作,宜在没有日光照射或风吹影响,而且温度不高的室内或背阴地进行,根据不同的枝条,制作不同的插穗,一般留取一叶两芽、两叶两芽,并在插条基部竖刻伤处理,得到插穗;
S6:生根促进物质处理:将S5中所述的插穗用皮筋捆成小捆,基部3cm放入浓度为100ppm的生根液中侵泡1至2h,得到处理后的插穗;
S7:插穗扦插与管理:将S6中所述的处理后的插穗迅速插入经过消毒后的磁化透气苗床,扦插一段及时喷水以免叶片失水枯萎,插穗扦插完成后,设置计算机各项参数,基质湿度在活化期控制在45%、基质温度20-25℃、叶片水膜60%以上、空气湿度80-90%,愈伤期、生根期、炼苗期管理由计算机自动控制来完成,育苗期间观察插穗的发育过程,炼苗结束后,此时插穗二次根大量形成,进行移栽,移栽成活恢复生长后,得到第一代快繁苗;
S8:嫁接培育结果:对S7中所述的第一代快繁苗长成后,剪取枝条再进行第二代的快繁,按同样的方法经过多代无性快繁,在三代以上的快繁苗上选取颗粒大、色泽鲜艳、产量高基部微刺或无刺的品种作为商品苗进行快繁,得到基因稳定的无刺花椒苗。
2.根据权利要求1所述的一种无刺花椒品系的培育方法,其特征在于,所述S1中,玻璃温室的标准为8×30-60m,且玻璃温室的顶部设有遮阳网。
3.根据权利要求1所述的一种无刺花椒品系的培育方法,其特征在于,所述S2中,磁化透气苗床的宽度为1.2m,且磁化透气苗床的高为30cm,每两个磁化透气苗床间隔60cm。
4.根据权利要求1所述的一种无刺花椒品系的培育方法,其特征在于,所述S3中,晴天上午9点以前、阴雨天全天采集枝条,注意给枝条洒水保湿,不要损坏叶片,不能堆积过多,防止发热,枝条捆扎成小捆斜立放在车上。
5.根据权利要求1所述的一种无刺花椒品系的培育方法,其特征在于,所述S4中,消毒液选用电功能水或多菌灵,干燥箱的型号为101-1S。
6.根据权利要求1所述的一种无刺花椒品系的培育方法,其特征在于,所述S5中,插穗的上剪口在叶上2cm左右平剪,下剪口在芽下对面0.5cm处45度斜剪,叶片大的剪去三分之一或者一半叶片,羽状复叶的小叶片留1至2个叶片。
7.根据权利要求1所述的一种无刺花椒品系的培育方法,其特征在于,所述S6中,生根液为ABT生根剂。
8.根据权利要求1所述的一种无刺花椒品系的培育方法,其特征在于,所述S7中,插穗的扦插深度为5cm,密度每平方米400至1000株。
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Application publication date: 20190215