CN109310859B - 可植入的卡夫电极 - Google Patents

Abstract

一种可植入的卡夫电极，具有：带有纵向缝口的呈现为管的形式的柔性卡夫，其中所述纵向缝口在所述卡夫上限定了第一边缘和第二边缘，其中在所述纵向缝口的第一边缘处布置有第一唇部且在所述纵向缝口的第二边缘处布置有第二唇部，且其中通过所述第一唇部和所述第二唇部至少部分地在所述卡夫的卡夫外套上相叠地伸延且所述第二唇部通过施加在卡夫外套上的表面压力保持所述第一唇部在适当位置，所述纵向缝口可通过所述第一唇部和所述第二唇部密封。

Description

可植入的卡夫电极

技术领域

本发明涉及一种可植入人类或动物的身体中的卡夫电极(Manschettenelektrode)和一种用于制造卡夫电极的方法。

背景技术

在医学技术中使用可植入的系统，从而与神经系统相互作用且建立或恢复失去的身体功能，以及治疗器官的功能障碍。为此，需要卡夫电极且卡夫电极围绕神经安置。卡夫(Manschette)在内侧上承载电触点，该电触点使得记录电活动成为可能和/或允许电影响天然的神经活动。对于卡夫电极的要求特别是：

电触点应直接位于目标神经附近，以为了提供与神经组织的良好的电耦合。

卡夫必须在其整个长度上相对于周围环境确保非常良好的电绝缘，以防止在记录神经信号期间将例如相邻的肌肉组织的电信号耦合到记录中。

卡夫应由柔软的材料制成，以便尽可能避免例如通过硬的或非常尖锐的边缘引起的神经的不必要的机械刺激和/或损伤。

卡夫应允许，神经例如响应于植入程序暂时膨胀；因为如果神经在带有不可改变的直径的卡夫中膨胀，位于神经中的血管可能被挤压，且神经的营养供给被中断导致神经受损的结果。

尤其对于应包围带有从几十μm至几百μm的小直径的神经的卡夫电极而言，上文提及的要求在组合的情况下未通过现有的技术(材料和设计)满意地解决，尤其是因为软性卡夫典型地手工(且因此对于几何数量级的必要的精度不足够)或借助于光刻方法制造，其中典型地硬得多的材料(例如聚酰亚胺)被用作卡夫材料。

已知所谓的螺旋卡夫(Spiral Cuffs)，其典型地需要大于一个绕组，以为了相对于身体组织紧密地闭合。因为重要的电结构安置在螺旋卡夫的内周壁处，故而螺旋卡夫必须在围绕神经安置之前完全卷绕一次，这继而施加机械应力到敏感的嵌入的金属结构上。当卡夫的期望的直径非常小、例如小于1mm时，需要较大的卷绕力以用于打开卡夫。这与对卡夫的机械特性的要求相矛盾，其必须包围较小的且因此较软的神经：较大的卷绕力要求更厚的材料，这提高了弯曲刚度。当嵌入的金属仅在卡夫卷起时塑性变形，使卡夫返回到目标直径是不容易实现的。

发明内容

本发明的任务是提供一种适合于较细的神经(例如小于1mm)的卡夫电极以及该卡夫电极的制造方法。

该任务通过根据独立权利要求所述的卡夫电极和用于制造所述卡夫电极的方法实现。

因此，提供一种可植入的卡夫电极，具有：

带有纵向缝口的管状的柔性的卡夫，其中所述纵向缝口在所述卡夫上限定了第一边缘和第二边缘，其中在所述纵向缝口的第一边缘处布置有第一唇部且在所述纵向缝口的第二边缘处布置有第二唇部，且其中通过所述第一唇部和所述第二唇部至少部分地在所述卡夫的卡夫外套上相叠地伸延且所述第二唇部通过在卡夫外套上施加表面压力将所述第一唇部保持在适当位置，所述纵向缝口可通过所述第一唇部和所述第二唇部密封。

有利的改进方案如下：

所述第二唇部在保持所述纵向缝口的密封的情况下在所述卡夫的周向上相对于所述第一唇部且相对于所述卡夫外套可移动。

所述第二唇部在保持所述纵向缝口的密封的情况下在所述纵向缝口的宽度改变时可移动。

所述卡夫可在所述纵向缝口处通过所述第二唇部弹性形变导致的所述第二唇部移动周向打开，该弹性形变沿与所述压力和/或所述卡夫外套相反的方向。

所述唇部在所述边缘彼此在所述卡夫的周向上的间距改变时相对于所述卡夫在保持所述纵向缝口的密封的情况下可移动。

所述卡夫的内直径可在纵向方向上变化，例如朝向端部增大。

在所述卡夫的内壁上可布置有电极阵列(Elektrodenfeld)。

所述电极阵列包括至少两个相互分离的传感面，所述传感面沿着线在所述卡夫的纵向方向上布置，其中所述至少两个传感面经由至少一个导体区段相互电连接，其中所述至少一个导体区段在所述卡夫打开和闭合时可弹性变形。

所述至少一个导体区段布置在所述内壁中且包括布置在所述内壁中的蜿蜒状的图案。

所述线在卡夫电极的横截面中相对于所述纵向缝口反向，在载体的横截面中包括弯曲线的顶点。

所述传感面可与自卡夫向外部引出的电导体耦合。

所述卡夫可为硅酮管，所述电极阵列布置在该硅酮管中，其中所述电极阵列本身嵌入到由硅酮材料制成的载体中且其中所述载体具有两个纵向侧，这两个纵向侧从硅酮管引出且形成所述唇部。

在所述纵向缝口之上可布置有遮盖层，该遮盖层有助于固定唇部和/或密封纵向缝口。

所述遮盖层可包括硅酮材料。

所述第一唇部可伸出超过所述第二唇部且超过所述遮盖层。

所述载体可在纵向侧处具有比布置在硅酮管的内部中的区域中更小的厚度。

所述载体可具有从其纵向中轴线向其纵向侧的方向上变小的刚度。

本发明还包括一种用于制造尤其根据前述权利要求中任一项所述的可植入的卡夫电极的方法，具有：

将由利用正庚烷稀释的硅酮橡胶制成的第一层施加到辅助载体上，

硬化所述第一层，

将开口切割到所述第一层中，

将金属薄膜层压到所述第一层上，

在确定作为接触电极的部位处减小所述金属薄膜的厚度，

结构化所述金属薄膜，

施加由利用正庚烷稀释的硅酮橡胶制成的第二层，

通过硫化连接由硅酮橡胶制成的所述第一层和由硅酮橡胶制成的所述第二层，

露出确定作为接触电极的部位，

在两个相反的边缘处减小由硅酮橡胶制成的层的厚度，

移除辅助载体，

将线材安置在阵列的背侧上，

将由利用正庚烷稀释的硅酮橡胶制成的第三层施加到所述阵列的背侧上，

在两个边缘上弯曲所述阵列且将弯曲的阵列如此引入到具有纵向缝口的硅酮管中，即，使得两个边缘处于硅酮管之外。

硬化第三硅酮层，

布置边缘且利用硅酮橡胶层固定所述边缘，且

硬化第四硅酮橡胶层。

金属层可在形成电极的部位处粗糙化。

金属可借助于激光束结构化。

金属薄膜在横向方向上蜿蜒形地结构化。

硅酮是特别软的弹性材料，具有在生物学环境中的出色的机械和介电长时间稳定性和极好的生物学兼容性。硅酮和电极触点如此变形成管状的卡夫，即，使得结果满足上文提及的要求。在此处介绍的卡夫电极技术中可特别突出的是闭锁机构，该闭锁机构不同于在现有技术中将卡夫的电密封机构设置在卡夫外侧处。这样的结构可通过较少的精细工作技术的制造步骤和较高精度的激光微结构化制造。

(自密封的)闭锁机构布置在卡夫的外侧处且不需要伸入到卡夫的内腔中的密封唇。

闭锁机构如此设计，即两个密封唇可分别利用镊子轻柔地夹持。通过镊子拉开来打开卡夫。

在卡夫之内的电触点如此设计，即使得可实现卡夫的弹性打开，而金属触点未塑性变形。

卡夫的壁可朝向端部在纵向方向上逐渐变薄且因此刚度变小。由此减小神经在卡夫的端部处的机械刺激的危险。

对于使用者而言得出下列优点。

通过使在卡夫内壁上的可用的面最大化，可获得更好的电耦合(更大的接触面或更大数量的小的接触面)。这可通过将闭锁机构移动到卡夫外壁处实现。

即使在神经膨胀时神经也不经受所述卡夫的压迫，因为构成了在外壁处的闭锁机构的硅酮唇部可滑动经过彼此以扩大卡夫直径，而不削弱闭锁品质(电绝缘)。

通过所述硅酮唇部的最外部的边缘的视觉标识简化所述卡夫电极的操作。在此所述唇部可非常简单地分别利用镊子或夹具抓住且打开，以为了可将神经置入打开的卡夫中。

金属触点的高可靠性通过如下选择，即将触点划分为多个彼此电连接的触点岛(Kontaktinseln)，从而在所述卡夫打开时没有金属塑性变形(这将抵抗在闭合时的形状返回)，而是可实现铰链式展开卡夫。

通过卡夫主体在端部处逐渐变细，刚度减小，机械刺激神经(尤其在卡夫边缘处)的危险最小化。

附图说明

借助于图纸进一步描述本发明和实施例。在图纸中：

图1是纵向方向上密封状态的卡夫电极的透视图，

图2是密封状态的卡夫电极的横截面视图，

图3是密封状态、但是在神经膨胀(纵向缝口稍微变大)的情形下的卡夫电极的横截面视图。

图4是打开状态的卡夫电极的横截面视图，

图5以“展开”的视图显示了电极阵列，且

图6显示了制造过程。

具体实施方式

图1显示了在纵向方向上密封状态的可植入的卡夫电极的透视图。卡夫20包括第一唇部30和第二唇部40。卡夫电极围绕神经10放置。卡夫电极可围绕神经10布置，即如外套一样可围绕神经10在所述神经的纵向方向上安置。因此卡夫电极以其卡夫20包围神经10。

在整个说明书中(卡夫)的“纵向方向”的意思与"轴向"差不多。横截面垂直于“纵向方向”取向。

图2显示了在密封状态的卡夫电极的横截面视图，传感面60如此设计，即该传感面在至少一个部位70处中断。唇部30和40两者都位于卡夫20的外侧且由此允许最佳地使用用于电极触点60的卡夫内壁21。

图3显示了在密封状态、但是在神经膨胀(纵向缝口稍微变大)的情形下的卡夫电极的横截面视图。

图4显示了在打开状态的卡夫电极的横截面视图。

因此本发明的可植入的卡夫电极具有带有纵向缝口80的管状形式的柔性的卡夫20，其中纵向缝口80限定卡夫20的第一边缘83和第二边缘84，其中在纵向缝口80的第一边缘83处布置有第一唇部30且在所述纵向缝口80的第二边缘84处布置有第二唇部40，且其中通过第一唇部30和第二唇部40至少部分地在卡夫20的卡夫外套22上相叠地伸延且第二唇部40通过在卡夫外套22上施加表面压力将所述第一唇部30保持在适当位置，纵向缝口80可通过第一唇部30和第二唇部40密封。

至少第二唇部40在保持纵向缝口80的密封的情况下在卡夫20的周向上相对于第一唇部30且相对于卡夫外套22可移动。

第二唇部40附加地在保持纵向缝口的密封的情况下在纵向缝口80的宽度改变时可移动。

如在图3中显示的那样，唇部30,40在边缘彼此在卡夫20的周向上的间距改变时相对于卡夫20在保持纵向缝口的密封的情况下可移动。

如在图4中显示的那样，所述卡夫20可在所述纵向缝口处通过所述第二唇部40的弹性形变导致的所述第二唇部40移动周向打开，该弹性形变沿与所述压力和/或所述卡夫外套相反的方向。

卡夫20的内直径可在纵向方向上变化，例如朝向端部增大。

所述卡夫的内壁21上布置有电极阵列60，如在图3和图4中显示的那样。

图5显示了带有示例性的设计尺寸的电极阵列60,65。电极阵列60,65包括至少两个相互分离的传感面60，所述传感面沿着线70在卡夫20的纵向方向上布置，其中所述至少两个传感面60经由至少一个导体区段65相互电连接，其中所述至少一个导体区段65在卡夫20打开和闭合时可弹性变形。

所述至少一个导体区段65布置在内壁21中且包括布置在内壁21中的蜿蜒状的图案63。蜿蜒状的导体区段

线70在卡夫电极的横截面中相对于纵向缝口80反向且在载体25的横截面中包括弯曲线的顶点，参见图2至4。

传感面60与自卡夫20向外部引出的电导体(未显示)耦合。为此电极阵列60,65包括触垫66，导体联接到所述触垫处。

特别地，卡夫20可为硅酮管，电极阵列60,65布置在该硅酮管中，其中电极阵列60,65本身嵌入到同样由硅酮材料制成的载体25中且其中载体25具有两个纵向侧，这两个纵向侧从硅酮管引出且形成第一唇部30和第二唇部40。

在纵向缝口80之上可布置有遮盖层45，该遮盖层有助于固定唇部30,40和/或密封纵向缝口80。遮盖层45可同样包括硅酮材料。第一唇部30可伸出超过第二唇部40且超过遮盖层45。

载体25可在纵向侧处具有比在布置在硅酮管的内部中的区域中更小的厚度。载体25可具有从其纵向中轴线在其纵向侧的方向上递减的刚度。

根据本发明的制造方法实现了通过具有期望的直径的预成型的半圆柱形模具且在卡夫电极的期望的机械特性的情况下对卡夫电极进行造型。

通过过程顺序可利用载体硅酮(激光电极阵列)的变化的厚度限定3D结构的内直径。载体硅酮的局部的结构化允许载体结构的局部的厚度匹配，以为了独立于直径维持唇部闭锁机构。

卡夫具有自闭合机构，该自闭合机构独立于打开负载将卡夫带回到其目标直径上且密封地闭锁纵向缝口。

通过嵌入的金属的位置和架构(Architektur)金属不施加力到卡夫上且因此不影响卡夫的目标形状。

闭锁的唇部具有独立于卡夫直径的闭锁力，该闭锁力在神经的可能的膨胀的情况下依然保证密封地闭锁卡夫。闭锁的唇部同时用作夹持结构，所述夹持结构使得在没有力作用到关键的金属结构上的情况下打开卡夫成为可能。

卡夫刚度朝向边缘的逐渐改变使得保护神经成为可能且防止在卡夫的端部处在边缘上剧烈地弯折神经。

针对性的激光结构化允许局部改变承载金属的硅酮结构的金属特性。因此成型的载体薄膜的自有的力可局部地匹配且使得平坦结构的改型成为可能。

针对性的激光结构化允许局部改变承载金属的硅酮结构的几何特性。因此卡夫20的内直径可借助于载体薄膜局部变化而不改变闭锁机构的特性。

卡夫刚度朝向边缘的逐渐调整使得保护神经成为可能且防止在卡夫的端部处在边缘上剧烈地弯折神经。

制造方法基于平坦的电极阵列，该电极阵列基于借助于激光束和硅酮橡胶结构化金属薄膜。电极阵列接合到硅酮管中用于之后的3D成型。电极阵列由用于医学应用(医用级PDMS，MED1000)的硅酮橡胶和带有12.5μm的初始厚度的铂薄膜(99.5％Pt)制造。代替Pt薄膜还可使用由铂铱制成的薄膜(例如90％Pt，10％Ir)。为了结构化电极阵列可使用带有355nm的三次谐波的Nd：YV04-皮秒激光。

作为在制造过程期间的辅助载体使用"2乘2"铝基底，该铝基底设有自粘的膜片，该膜片在结构化过程结束时揭下。

PDMS以1:1利用正庚烷稀释，以为了减小其粘性且使得旋涂(Spin coating)成为可能。

用于制造可植入的卡夫电极的方法包括下列步骤：

a)将由利用正庚烷稀释的硅酮橡胶(PDMS)制成的第一层施加在辅助载体H上，该层优选100μm厚且优选离心涂覆到设有自粘的膜片的辅助载体上；

b)硬化第一层S1；

c)将开口O切割到第一层Sl中，这些开口形成在连接垫中的开口，线材联接在所述连接垫处(图la)；

d)将金属薄膜Ml层压到第一层上；金属薄膜优选为洁净的Pt薄膜(图lb)；

f)在确定作为接触电极的部位K处减小金属薄膜的厚度；

f)结构化金属薄膜(图lc)；将多余的材料从表面移除；

g)施加由正庚烷稀释的硅酮橡胶制成的第二层S2，以用于嵌入金属薄膜、优选厚度100μm的稀释的PDMS(图ld)；卡夫电极的内直径可通过层的厚度的变化而改变；

h)通过硫化将由硅酮橡胶制成的第一层Sl和由硅酮橡胶制成的第二层S2连接成硅酮橡胶层S，

i)优选借助于激光露出确定作为接触电极60的部位(图le)；借助于激光还可使接触电极的平坦的部位变得粗糙，从而产生较高的电荷注入能力

j)在两个相反的纵向边缘处减小硅酮橡胶层的厚度(图lf)；优选减小到75μm；减小的厚度的范围由卡夫内部向外引导且形成卡夫电极的唇部30,40；通过减小硅酮橡胶层的厚度在最后的造型步骤获得了更好的可成形性(图lk)；在该步骤中还可裁切硅酮橡胶层的外部形状；

l)在干燥之后，对两个唇部30,40染色，优选利用视觉上可区分的颜色；这使得在卡夫电极置入时唇部的更好的可区分性成为可能(图lg)；

m)移除辅助载体H(图lh)；

n)将线材67安置在阵列的背侧上，优选焊接带有70至80μm的直径的线材；

o)将由利用正庚烷稀释的硅酮橡胶制成的层S3施加到阵列的背侧上(图1i)。

电极阵列现在完成以用于引入到硅酮管中。硅酮管优选为USP级别VI硅酮管，具有适合于神经的外直径的内直径和300至500μm的壁厚。硅酮管也裁切至期望的长度且设有平行于硅酮管的纵轴线的笔直的纵向缝口。

p)在两个边缘上如此弯曲阵列，即，使得唇部30,40接触。没有唇部30,40的阵列的横截面弯曲线形成环状线；将弯曲的阵列如此引入到纵向开缝口的硅酮管中，即，使得两个唇部穿过纵向缝口80且处于硅酮管之外(图lj)。将电极阵列60,65引入到硅酮管中也可借助于插管实现。

q)硬化第三硅酮橡胶层；在此卡夫电极可在半管特氟龙模具(直径对应于硅酮管的外直径)中稳定。

r)将唇部30,40弯折到硅酮管的周壁上且利用由稀释的硅酮橡胶制成的强化层45固定外部的唇部40，以为了将唇部40保持在其位置中。强化层与两个唇部共同形成自闭合的系统(图lk)。

s)硬化强化层。产生根据图1L)的卡夫电极。

两个唇部30,40提供闭锁机构，该闭锁机构不增加对神经10的压迫。当位于上部的第二唇部40在弯曲之后利用正庚烷稀释的PDMS处理时，该位于上部的第二唇部40重新成型，而下部的唇部、即直接接触硅酮管的唇部只通过唇部1保持就位。唇部2因此抵靠唇部1作用且因此在纵向缝口中创造在唇部之间的良好的接触。这此外创造自闭合的闭锁机构。

唇部优选不具有金属，以为了改进在植入后在缝口处的密封效果。

在围绕神经植入之前弯曲以打开卡夫电极时，卡夫电极经受在其横截面上的大的推压或牵拉负荷。

由于金属相较于硅酮橡胶的明显更小的延展性，面临硅酮橡胶从金属上松开(剥离)的危险。

另一方面在金属在弯曲时经受最大负荷的地方面临断裂的危险。这是弯曲的金属的顶点垂线(Scheitellinie)，该顶点垂线在纵向方向上沿着载体的对称线伸延。

为了在该处避免断裂，金属沿着顶点垂线(对称线)中断。因此电极面在该处分成两半。为了建立两个电极面的电连接，两个电极面在金属路径上相互连接。金属路径在弯曲的电极阵列的周向上、即横向于载体的对称线蜿蜒状地伸延。优选存在多于一个蜿蜒区段且所述蜿蜒区段优选形成四分之三圆。金属路径优选100μm的宽度且蜿蜒区段在3/4环上伸延。伸延优选具有0.1mm的直径。

在纵向方向上可形成多个电极，例如两个或三个电极。

卡夫电极的典型的长度为6.2mm，外直径可为2.1mm。

Claims (28)

1.一种可植入的卡夫电极，具有：

带有纵向缝口(80)的管状的柔性的卡夫(20)，其中所述纵向缝口(80)在所述卡夫(20)上限定了第一边缘(83)和第二边缘(84)，其中在所述纵向缝口(80)的第一边缘(83)处布置有第一唇部(30)且在所述纵向缝口(80)的第二边缘(84)处布置有第二唇部(40)，且其中通过所述第一唇部(30)和所述第二唇部(40)至少部分地在所述卡夫(20)的卡夫外套(22)上相叠地伸延且所述第二唇部(40)通过在卡夫外套(22)上施加表面压力将所述第一唇部(30)保持在适当位置，所述纵向缝口(80)可通过所述第一唇部(30)和所述第二唇部(40)密封；其中至少所述第二唇部(40)在保持所述纵向缝口(80)的密封的情况下在所述卡夫(20)的周向上相对于所述第一唇部(30)且相对于卡夫外套(22)可移动。

2.根据权利要求1所述的卡夫电极，其中至少所述第二唇部(40)在保持所述纵向缝口的密封的情况下在所述纵向缝口(80)的宽度改变时可移动。

3.根据权利要求1所述的卡夫电极，其中所述卡夫(20)可在所述纵向缝口处通过所述第二唇部(40)弹性形变导致的所述第二唇部(40)移动周向打开，该弹性形变沿与所述压力和/或所述卡夫外套(22)相反的方向。

4.根据权利要求2所述的卡夫电极，其中所述卡夫(20)可在所述纵向缝口处通过所述第二唇部(40)弹性形变导致的所述第二唇部(40)移动周向打开，该弹性形变沿与所述压力和/或所述卡夫外套(22)相反的方向。

5.根据权利要求1所述的卡夫电极，其中所述唇部(30,40)在所述边缘彼此在所述卡夫(20)的周向上的间距改变时相对于所述卡夫(20)在保持所述纵向缝口(80)的密封的情况下可移动。

6.根据权利要求2所述的卡夫电极，其中所述唇部(30,40)在所述边缘彼此在所述卡夫(20)的周向上的间距改变时相对于所述卡夫(20)在保持所述纵向缝口(80)的密封的情况下可移动。

7.根据权利要求3所述的卡夫电极，其中所述唇部(30,40)在所述边缘彼此在所述卡夫(20)的周向上的间距改变时相对于所述卡夫(20)在保持所述纵向缝口(80)的密封的情况下可移动。

8.根据权利要求4所述的卡夫电极，其中所述唇部(30,40)在所述边缘彼此在所述卡夫(20)的周向上的间距改变时相对于所述卡夫(20)在保持所述纵向缝口(80)的密封的情况下可移动。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的卡夫电极，其中在所述卡夫(20)的内壁(21)上布置有电极阵列(60,65)。

10.根据权利要求9所述的卡夫电极，其中电极阵列(60,65)包括至少两个相互分离的传感面(60)，所述传感面沿着线(70)在所述卡夫(20)的纵向方向上布置，其中所述至少两个传感面经由至少一个导体区段(65)相互电连接，其中所述至少一个导体区段(65)在所述卡夫(20)的打开和闭合时可弹性变形。

11.根据权利要求10所述的卡夫电极，其中所述至少一个导体区段(65)布置在所述内壁(21)中且包括布置在所述内壁(21)中的蜿蜒状的图案(63)。

12.根据权利要求10所述的卡夫电极，其中所述卡夫(20)为硅酮管，所述电极阵列(60,65)布置在该硅酮管中，其中所述电极阵列(60,65)嵌入到由硅酮材料制成的载体(25)中且其中所述载体(25)具有两个纵向侧，这两个纵向侧从所述硅酮管引出且形成所述唇部(30,40)。

13.根据权利要求10所述的卡夫电极，其中所述卡夫(20)为硅酮管，所述电极阵列(60,65)布置在该硅酮管中，其中所述电极阵列(60,65)嵌入到由硅酮材料制成的载体(25)中且其中所述载体(25)具有两个纵向侧，这两个纵向侧从所述硅酮管引出且形成所述唇部(30,40)。

14.根据权利要求11所述的卡夫电极，其中所述卡夫(20)为硅酮管，所述电极阵列(60,65)布置在该硅酮管中，其中所述电极阵列(60,65)嵌入到由硅酮材料制成的载体(25)中且其中所述载体(25)具有两个纵向侧，这两个纵向侧从所述硅酮管引出且形成所述唇部(30,40)。

15.根据权利要求12所述的卡夫电极，其中所述线(70)在所述卡夫电极的横截面中相对于所述纵向缝口(80)反向，且在所述载体(25)的横截面中包括弯曲线的顶点。

16.根据权利要求13所述的卡夫电极，其中所述线(70)在所述卡夫电极的横截面中相对于所述纵向缝口(80)反向，且在所述载体(25)的横截面中包括弯曲线的顶点。

17.根据权利要求14所述的卡夫电极，其中所述线(70)在所述卡夫电极的横截面中相对于所述纵向缝口(80)反向，且在所述载体(25)的横截面中包括弯曲线的顶点。

18.根据权利要求1至8中任一项所述的卡夫电极，其中在所述纵向缝口(80)之上可布置有遮盖层(45)，该遮盖层有助于固定所述唇部(30,40)和/或密封所述纵向缝口(80)。

19.根据权利要求9所述的卡夫电极，其中在所述纵向缝口(80)之上可布置有遮盖层(45)，该遮盖层有助于固定所述唇部(30,40)和/或密封所述纵向缝口(80)。

20.根据权利要求10所述的卡夫电极，其中在所述纵向缝口(80)之上可布置有遮盖层(45)，该遮盖层有助于固定所述唇部(30,40)和/或密封所述纵向缝口(80)。

21.根据权利要求11所述的卡夫电极，其中在所述纵向缝口(80)之上可布置有遮盖层(45)，该遮盖层有助于固定所述唇部(30,40)和/或密封所述纵向缝口(80)。

22.根据权利要求12所述的卡夫电极，其中在所述纵向缝口(80)之上可布置有遮盖层(45)，该遮盖层有助于固定所述唇部(30,40)和/或密封所述纵向缝口(80)。

23.根据权利要求13所述的卡夫电极，其中在所述纵向缝口(80)之上可布置有遮盖层(45)，该遮盖层有助于固定所述唇部(30,40)和/或密封所述纵向缝口(80)。

24.根据权利要求14所述的卡夫电极，其中在所述纵向缝口(80)之上可布置有遮盖层(45)，该遮盖层有助于固定所述唇部(30,40)和/或密封所述纵向缝口(80)。

25.根据权利要求15所述的卡夫电极，其中在所述纵向缝口(80)之上可布置有遮盖层(45)，该遮盖层有助于固定所述唇部(30,40)和/或密封所述纵向缝口(80)。

26.根据权利要求16所述的卡夫电极，其中在所述纵向缝口(80)之上可布置有遮盖层(45)，该遮盖层有助于固定所述唇部(30,40)和/或密封所述纵向缝口(80)。

27.根据权利要求17所述的卡夫电极，其中在所述纵向缝口(80)之上可布置有遮盖层(45)，该遮盖层有助于固定所述唇部(30,40)和/或密封所述纵向缝口(80)。

28.一种用于制造根据前述权利要求中任一项所述的可植入的卡夫电极的方法，具有：

将由利用正庚烷稀释的硅酮橡胶制成的第一层施加到辅助载体上，

硬化所述第一层，

将开口切割到所述第一层中，

将金属薄膜层压到所述第一层上，

在确定作为接触电极的部位处减小所述金属薄膜的厚度，

结构化所述金属薄膜，

施加由利用正庚烷稀释的硅酮橡胶制成的第二层，

通过硫化连接由硅酮橡胶制成的所述第一层和由硅酮橡胶制成的所述第二层，

露出确定作为接触电极的部位，

在两个相反的边缘处减小由硅酮橡胶制成的层的厚度，

移除辅助载体，

将线材安置在阵列的背侧上，

将由利用正庚烷稀释的硅酮橡胶制成的第三层施加到所述阵列的背侧上，

在两个边缘上弯曲所述阵列且将弯曲的阵列如此引入到具有纵向缝口的硅酮管中，即，使得两个边缘处于硅酮管之外，

硬化第三硅酮层，

布置边缘且利用硅酮橡胶层固定所述边缘，且

硬化第四硅酮橡胶层。

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