CN109307705B - 一种集成电路用单晶硅棒头尾料金属含量精确测量方法 - Google Patents
一种集成电路用单晶硅棒头尾料金属含量精确测量方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109307705B CN109307705B CN201711379973.0A CN201711379973A CN109307705B CN 109307705 B CN109307705 B CN 109307705B CN 201711379973 A CN201711379973 A CN 201711379973A CN 109307705 B CN109307705 B CN 109307705B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solution
- dissolving
- hno
- head
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/62—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the ionisation of gases, e.g. aerosols; by investigating electric discharges, e.g. emission of cathode
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
Description
技术领域
本发明属于集成电路用单晶硅基片加工领域,涉及单晶硅晶锭生长后头尾料的利用,尤其涉及头尾料中金属含量的测量技术。
背景技术
集成电路用单晶硅片是半导体元件的衬底材料,目前获得了大规模的应用,月需求量在1000万片以上,需要大量的集成电路用单晶硅晶锭(或称单晶硅晶棒)。生产集成电路用单晶硅片的单晶硅晶锭主要生产方法为CZ法,为了消除晶体在生长过程中可能出现的缺陷,晶锭的生长要经过缩径、引晶、放肩、转肩、等径和收尾等过程。其中缩径、引晶、放肩、转肩是为了将晶锭的直径达到晶片所需要的尺寸,同时保证生长过程中不出现位错的缺陷,这一生长过程中晶锭的径尺寸变化较大,一般由几毫米扩大在200mm或300mm以上,形成晶锭的头部。而收尾过程是将晶锭从等径生的尺寸,按照一定的角度要求,逐步缩小到零,目的是保证晶锭停止生长时,不产生位错等生长缺陷,收尾过程形成晶锭的尾部。大量的单晶硅片需求,也产生了大量的单晶硅晶锭头尾料。
在晶片的加工工艺中,晶锭的头部和尾部尺寸不足,在加工时被切掉,形成头尾料。集成电路用单晶硅的纯度很高,达到99.999999999%(或称11个9)以上,部分原材料达到99.99999999999%(或称13个9)。生长成晶体后,头尾料仍然是纯度很高的高质量材料,部分头尾料,尤其是头料,纯度接近99.999999999%(或称11个9)。这些头尾料还可以再次作为原材料进行集成电路用单晶硅晶锭的生长,但是在单晶硅晶锭的生长过程中以及后续的滚圆、切断和存贮过程中,这些头尾料都可能受到污染,使之纯度达不到生长集成电路用单晶硅的要求。尤其是尾料,由于单晶硅生长的特性,杂质在硅熔液和单晶硅晶体之中的分配系数不同,导致单晶硅晶锭尾料中的杂质浓度远远高于头料。
同时,由于集成电路用硅单晶片对杂质的要求非常高,极其微量的杂质也会极大的影响产品的质量,尤其是金属杂质影响比B、P等掺杂元素的影响更加显著,进而影响到晶圆的质量。因此,这些头尾料能否作为原材料再次生长集成电路用单晶硅晶锭,直接取决于头尾料中的金属含量。因此,精确测量头尾料中金属的含量就成为头尾料再次生长集成电路用单晶硅晶锭的关键环节,也是决定在晶体生长中如何使用头尾料的关键参考指标。
正常的晶体生长、加工和存贮过程,不会造成头尾料的较大污染,因此头尾料中的金属含量不高。精确测量的难度很大,传统的测量方法包括简单溶解法和薄片提取法。简单溶解法是将头尾料溶解在HF酸中,再用ICPMS测量其中金属含量。薄片提取法是将头尾料加工成薄片,采用测量硅单晶片产品体金属含量的方法测量其中金属含量。这两种方法由于硅的影响和加工的难度以及金属含量变化大而难以十分精确测量。尤其是后者对头尾料的尺寸要求非常高,加工条件也非常严苛。为克服传统方法的缺点,本发明提供一种精确测量头尾料中金属含量的方法,消除硅的影响,无复杂加工程序,测量精度高,可作为头尾料再利用的指标。
发明内容
为精确测量集成电路用单晶硅晶锭头尾料中的金属含量,为再利用提供参考,本发明提供集成电路用单晶硅棒头尾料金属含量精确测量方法。为达到上述的目的,本发明是采用如下的技术方案实现的:
首先测量头尾料的电阻率值R,配制溶解液a,采用酸溶法溶解头尾料测量样品,蒸干溶解液赶硅;其次配制提取液b,采用提取液再次溶解金属,最后采用ICPMS进行精确测量。
第一步,测量头尾料的电阻率R;
第二步,从头尾料中取测量样品,样品重量WSi为:30-50mg;
第三步,配制溶解液a。溶解液成分为HF、HNO3和H2O2混合溶液,浓度配比为1:M:N。M的范围为:4.0-5.0,N的范围为:2.5-3.0。配制方法为:先将HF、HNO3和H2O2按1:M:N的比例配成初始溶液,记录重量为:Wh;然后加入超纯水,调节溶解液a的pH值,pH值的范围为3.65-3.9;记录溶液最终重量为;WZ。按照下式(1)计算溶解液a中HF的浓度
式中,SHF为HF酸的初始浓度。
第四步,溶解测量样品。将测量样品放入烧杯中,烧杯的材质为无溶出PFA,容量为5ml,形状要求为平底;然后加入溶解液a,溶解液a加入的量Wa为:
静置溶液使测量样品完全溶解。
溶解样品的机理在于:当HF:HNO3在1:4.5左右时整个体系对硅片的腐蚀速率最大,此时HNO3和HF活性物质温度和扩散系数完全相等,硅的氧化和硅氧化物的溶解都立即发生;当这个比例偏向HF时,即HF:HNO3大于4.5时腐蚀速度等高线与HNO3浓度常量线平行,HNO3是动力学的主要试剂,此时腐蚀速度主要取决于HNO3氧化硅片的速度,即HNO3的浓度,此时HF浓度的稍微变化对腐蚀速度的影响不大,HNO3的氧化机制是复杂的自催化过程,在温度不同时,氧化机制也有所不同。当HNO3含量较高时,即HF:HNO3小于4.5,腐蚀速度的等高线和HF的浓度常量平行,HF此时是动力学的主要试剂,在这种情况下腐蚀的速度主要取决于HF的浓度。由于HNO3含量较高硅片表面覆盖着氧化膜,硅片腐蚀速度决定于HF与氧化膜的接触速率。在高HNO3区域温度对整体的影响相对较小,是典型的扩散反应机理。
在溶解液a中,H2O2的主要作用是加强溶液整体的氧化性,使溶液a更易溶解硅料样品。所以对于H2O2浓度的定义则是从其对氧化性强弱控制方面进行定义,将部分实验进行分析可知,当H2O2在酸性体系中时,整体溶液的pH值会对其氧化性表现产生影响;对于溶解液a来说,当H2O2位于HF和HNO3的酸性溶液体系中时,当整体溶液的pH值在3.65-3.9之间时,H2O2具有最强的氧化性表现,所以在溶液a配制时要的保证加入H2O2溶液的量可以使溶液整体的pH值在3.65-3.9之间,以保证整体溶液的氧化性强度。第五步,赶硅。将溶解测量样品后的溶液进行蒸发,直到PFA烧杯完全干燥,蒸发温度为140-160℃,蒸发后室温放置。
式中,R为头尾料的电阻率,单位为Ω·M;并且当R≤2Ω·M时,取R=2Ω·M;当R≥1000Ω·M时,取R=1000Ω·M。
第七步,溶解提取金属。在蒸干的PFA烧杯中,加入提取液b重新溶解金属;提取液b的加入量Wb符合下列关系式:
Wb≥1.1Wa (4)
Wb=1.3Wa-0.02R (5)
第八步:金属含量测量,具体采用ICPMS对提取液b中金属进行测量,测量条件采用1ppt、20ppt、50ppt、100ppt、500ppt制作标准曲线,标准曲线的R值≥99.9,内标溶液测量值≤±15%,提取液b中的金属含量的测试结果要求在0.1ppt-1000ppt范围,并最终转换为头尾料的金属含量。
本发明测量技术的技术方案流程简图见图1所示。
图例说明
图1本发明专利测量方法技术方案流程简图。
具体实施例
实施例1
测量尾料的电阻率为0.01Ω·M;从尾料中取测量样品,样品重量WSi为:30mg。配制溶解液a。溶解液成分为HF、HNO3和H2O2混合溶液,HF酸的初始浓度SHF为50%。先将HF、HNO3和H2O2按1:4:3的比例配成初始溶液,记录重量为80g;然后加入超纯水,调节溶解液a的pH值,pH值的范围为3.85;记录溶液最终重量为83g,溶解液a中HF的浓度6.02%。
溶解测量样品。将测量样品放入无溶出的平底PFA烧杯中,容量为5ml,然后加入溶解液a,溶解液a加入的量Wa为:1.992g。静置溶液使测量样品完全溶解。将溶解测量样品后的溶液在148℃下进行蒸发,直到PFA烧杯完全干燥蒸发后室温放置。
配制提取液b,提取液b为HNO3和HF的混合溶液,HNO3和HF的比例为3:1。提取液b中HNO3的浓度为1.06%。在蒸干的PFA烧杯中,加入2.589g。提取液b重新溶解金属。采用ICPMS对提取液b中金属进行测量,采用1ppt、20ppt、50ppt、100ppt、500ppt制作标准曲线,标准曲线的R值为99.92,内标溶液测量值7.8%。检测到的头尾料中的金属含量见表1。
实施例2
测量尾料的电阻率为0.1Ω·M;从尾料中取测量样品,样品重量WSi为:35mg。配制溶解液a。溶解液成分为HF、HNO3和H2O2混合溶液,HF酸的初始浓度SHF为50%。先将HF、HNO3和H2O2按1:4.5:2.8的比例配成初始溶液,记录重量为83g;然后加入超纯水,调节溶解液a的pH值,pH值的范围为3.72;记录溶液最终重量为85.8g,溶解液a中HF的浓度5.83%。
溶解测量样品。将测量样品放入无溶出的平底PFA烧杯中,容量为5ml,然后加入溶解液a,溶解液a加入的量Wa为:2.402g。静置溶液使测量样品完全溶解。将溶解测量样品后的溶液在152℃下进行蒸发,直到PFA烧杯完全干燥蒸发后室温放置。
配制提取液b,提取液b为HNO3和HF的混合溶液,HNO3和HF的比例为3:1。提取液b中HNO3的浓度为1.06%。在蒸干的PFA烧杯中,加入3.121g。提取液b重新溶解金属。采用ICPMS对提取液b中金属进行测量,采用1ppt、20ppt、50ppt、100ppt、500ppt制作标准曲线,标准曲线的R值为99.93,内标溶液测量值14.1%。检测到的头尾料中的金属含量见表1。
实施例3
测量尾料的电阻率为1Ω·M;从尾料中取测量样品,样品重量WSi为:36mg。配制溶解液a。溶解液成分为HF、HNO3和H2O2混合溶液,HF酸的初始浓度SHF为50%。先将HF、HNO3和H2O2按1:5:2.5的比例配成初始溶液,记录重量为85g;然后加入超纯水,调节溶解液a的pH值,pH值的范围为3.76;记录溶液最终重量为87.5g,溶解液a中HF的浓度5.71%。
溶解测量样品。将测量样品放入无溶出的平底PFA烧杯中,容量为5ml,然后加入溶解液a,溶解液a加入的量Wa为:2.520g。静置溶液使测量样品完全溶解。将溶解测量样品后的溶液在140℃下进行蒸发,直到PFA烧杯完全干燥蒸发后室温放置。
配制提取液b,提取液b为HNO3和HF的混合溶液,HNO3和HF的比例为3:1。提取液b中HNO3的浓度为1.06%。在蒸干的PFA烧杯中,加入3.256g。提取液b重新溶解金属。采用ICPMS对提取液b中金属进行测量,采用1ppt、20ppt、50ppt、100ppt、500ppt制作标准曲线,标准曲线的R值为99.98,内标溶液测量值-9.5%。检测到的头尾料中的金属含量见表1。
实施例4
测量尾料的电阻率为6.0Ω·M;从尾料中取测量样品,样品重量WSi为:40mg。配制溶解液a。溶解液成分为HF、HNO3和H2O2混合溶液,HF酸的初始浓度SHF为50%。先将HF、HNO3和H2O2按1:4.5:2.5的比例配成初始溶液,记录重量为80g;然后加入超纯水,调节溶解液a的pH值,pH值的范围为3.73;记录溶液最终重量为82.5g,溶解液a中HF的浓度6.06%。
溶解测量样品。将测量样品放入无溶出的平底PFA烧杯中,容量为5ml,然后加入溶解液a,溶解液a加入的量Wa为:1.992g。静置溶液使测量样品完全溶解。将溶解测量样品后的溶液在147℃下进行蒸发,直到PFA烧杯完全干燥蒸发后室温放置。
配制提取液b,提取液b为HNO3和HF的混合溶液,HNO3和HF的比例为3:1。提取液b中HNO3的浓度为0.43%。在蒸干的PFA烧杯中,加入3.312g。提取液b重新溶解金属。采用ICPMS对提取液b中金属进行测量,采用1ppt、20ppt、50ppt、100ppt、500ppt制作标准曲线,标准曲线的R值为99.95,内标溶液测量值8.8%。检测到的头尾料中的金属含量见表1。
实施例5
测量尾料的电阻率为10Ω·M;从尾料中取测量样品,样品重量WSi为:45mg。配制溶解液a。溶解液成分为HF、HNO3和H2O2混合溶液,HF酸的初始浓度SHF为50%。先将HF、HNO3和H2O2按1:4:2.7的比例配成初始溶液,记录重量为77g;然后加入超纯水,调节溶解液a的pH值,pH值的范围为3.81;记录溶液最终重量为79.7g,溶解液a中HF的浓度6.27%。
溶解测量样品。将测量样品放入无溶出的平底PFA烧杯中,容量为5ml,然后加入溶解液a,溶解液a加入的量Wa为:2.869g。静置溶液使测量样品完全溶解。将溶解测量样品后的溶液在150℃下进行蒸发,直到PFA烧杯完全干燥蒸发后室温放置。
配制提取液b,提取液b为HNO3和HF的混合溶液,HNO3和HF的比例为3:1。提取液b中HNO3的浓度为0.33%。在蒸干的PFA烧杯中,加入3.530g。提取液b重新溶解金属。采用ICPMS对提取液b中金属进行测量,采用1ppt、20ppt、50ppt、100ppt、500ppt制作标准曲线,标准曲线的R值为99.92,内标溶液测量值12.8%。检测到的头尾料中的金属含量见表1。
实施例6
测量尾料的电阻率为20Ω·M;从尾料中取测量样品,样品重量WSi为:50mg。配制溶解液a。溶解液成分为HF、HNO3和H2O2混合溶液,HF酸的初始浓度SHF为50%。先将HF、HNO3和H2O2按1:5:2.6的比例配成初始溶液,记录重量为86g;然后加入超纯水,调节溶解液a的pH值,pH值的范围为3.85;记录溶液最终重量为88.6g,溶解液a中HF的浓度5.64%。
溶解测量样品。将测量样品放入无溶出的平底PFA烧杯中,容量为5ml,然后加入溶解液a,溶解液a加入的量Wa为:3.544g。静置溶液使测量样品完全溶解。将溶解测量样品后的溶液在155℃下进行蒸发,直到PFA烧杯完全干燥蒸发后室温放置。
配制提取液b,提取液b为HNO3和HF的混合溶液,HNO3和HF的比例为3:1。提取液b中HNO3的浓度为0.25%。在蒸干的PFA烧杯中,加入4.207g。提取液b重新溶解金属。采用ICPMS对提取液b中金属进行测量,采用1ppt、20ppt、50ppt、100ppt、500ppt制作标准曲线,标准曲线的R值为99.96,内标溶液测量值-13.6%。检测到的头尾料中的金属含量见表1。
实施例7
测量尾料的电阻率为100Ω·M;从尾料中取测量样品,样品重量WSi为:47mg。配制溶解液a。溶解液成分为HF、HNO3和H2O2混合溶液,HF酸的初始浓度SHF为50%。先将HF、HNO3和H2O2按1:4.6:2.5的比例配成初始溶液,记录重量为81g;然后加入超纯水,调节溶解液a的pH值,pH值的范围为3.66;记录溶液最终重量为83.5g,溶解液a中HF的浓度5.99%。
溶解测量样品。将测量样品放入无溶出的平底PFA烧杯中,容量为5ml,然后加入溶解液a,溶解液a加入的量Wa为:3.140g。静置溶液使测量样品完全溶解。将溶解测量样品后的溶液在152℃下进行蒸发,直到PFA烧杯完全干燥蒸发后室温放置。
配制提取液b,提取液b为HNO3和HF的混合溶液,HNO3和HF的比例为3:1。提取液b中HNO3的浓度为0.17%。在蒸干的PFA烧杯中,加入3.454g。提取液b重新溶解金属。采用ICPMS对提取液b中金属进行测量,采用1ppt、20ppt、50ppt、100ppt、500ppt制作标准曲线,标准曲线的R值为99.95,内标溶液测量值-5.8%。检测到的头尾料中的金属含量见表1。
实施例8
测量尾料的电阻率为1000Ω·M;从尾料中取测量样品,样品重量WSi为:50mg。配制溶解液a。溶解液成分为HF、HNO3和H2O2混合溶液,HF酸的初始浓度SHF为50%。先将HF、HNO3和H2O2按1:4.8:2.5的比例配成初始溶液,记录重量为83g;然后加入超纯水,调节溶解液a的pH值,pH值的范围为3.86;记录溶液最终重量为85.5g,溶解液a中HF的浓度5.85%。
溶解测量样品。将测量样品放入无溶出的平底PFA烧杯中,容量为5ml,然后加入溶解液a,溶解液a加入的量Wa为:3.42g。静置溶液使测量样品完全溶解。将溶解测量样品后的溶液在155℃下进行蒸发,直到PFA烧杯完全干燥蒸发后室温放置。
配制提取液b,提取液b为HNO3和HF的混合溶液,HNO3和HF的比例为3:1。提取液b中HNO3的浓度为0.11%。在蒸干的PFA烧杯中,加入3.762g。提取液b重新溶解金属。采用ICPMS对提取液b中金属进行测量,采用1ppt、20ppt、50ppt、100ppt、500ppt制作标准曲线,标准曲线的R值为99.96,内标溶液测量值9.8%。检测到的头尾料中的金属含量见表1。
对比例1
实施例6的初始头部较大,可以切割出一个直径为150mm的圆片。采用表面研磨后制备成厚度0.75mm表面抛光且清洁的样片,采用ICPMS对样片进行体金属含量测量。测量结果发现,与本发明专利的方法非常接近。表明本发明方法获得了精确的金属含量。
对比例2
取实施例6的同一样品,采用传统的简单溶解方法进行金属含量测量。其结果见表1。可见各金属元素均偏高,尤其是铜的指标远远高于实际值。
表1头尾料中金属含量检测结果
Claims (1)
1.一种集成电路用单晶硅棒头尾料金属含量精确测量方法,所属测量方法为首先测量头尾料的电阻率值R,配置溶解液a,采用酸溶法溶解头尾料测量样品,蒸干溶解液赶硅,其次配置提取液b,采用提取液再次溶解金属,最后采用ICPMS进行精确测量,具体为:
第一步:测量头尾料电阻率R,单位为Ω·M;
第二步:从头尾料中取测量样品,样品重量WSi为30-50mg;
第三步:配置溶解液a,溶解液成分HF、HNO3和H2O2的混和溶液,浓度配比为1:M:N,M的范围为4.0-5.0,N的范围为2.5-3.0,配制方法为:先将HF、HNO3和H2O2按1:M:N的比例配置成初始溶液,记录溶液重量为Wh,然后加入超纯水,调节溶解液a的pH值,pH值得范围为3.65-3.9,记录溶解液最终重量为Wz,按照下式(1)计算溶解液a中的HF的浓度
其中,SHF为HF酸的初始浓度;
第四步:溶解测量样品,具体将测量样品放入烧杯中,烧杯的材质为无溶出PFA,容量为5ml,形状要求为平底,然后加入溶解液a,溶解液a的加入量Wa为:
静置溶液使测量样品完全溶解;
第五步:赶硅,具体将溶解测量样品后的溶液进行蒸发,直到PFA烧杯完全干燥,蒸发温度为140-160℃,蒸发后室温放置;
式中,R为头尾料的电阻率,单位为Ω·M;并且当R≤2Ω·M时,取R=2Ω·M;当R≥1000Ω·M时,取R=1000Ω·M;
第七步:溶解提取金属,具体在蒸干的PFA烧杯中,加入提取液b重新溶解金属;提取液b的加入量Wb符合下列关系式:
Wb≥1.1Wa (4)
Wb=1.3Wa-0.02R (5)
第八步:金属含量测量,具体采用ICPMS对提取液b中金属进行测量,测量条件采用1ppt、20ppt、50ppt、100ppt、500ppt制作标准曲线,标准曲线的R值≥99.9,内标溶液测量值≤±15%,提取液b中的金属含量的测试结果要求在0.1ppt-1000ppt范围,并最终转换为头尾料的金属含量。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711379973.0A CN109307705B (zh) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | 一种集成电路用单晶硅棒头尾料金属含量精确测量方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711379973.0A CN109307705B (zh) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | 一种集成电路用单晶硅棒头尾料金属含量精确测量方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109307705A CN109307705A (zh) | 2019-02-05 |
CN109307705B true CN109307705B (zh) | 2021-04-02 |
Family
ID=65205331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711379973.0A Active CN109307705B (zh) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | 一种集成电路用单晶硅棒头尾料金属含量精确测量方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109307705B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113496887B (zh) * | 2020-04-03 | 2023-06-02 | 重庆超硅半导体有限公司 | 一种集成电路用硅片的均匀腐蚀方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101131371A (zh) * | 2007-10-08 | 2008-02-27 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种精炼冶金硅的杂质含量检测分析方法 |
CN101571502A (zh) * | 2009-06-15 | 2009-11-04 | 重庆大全新能源有限公司 | 一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法 |
US7888265B2 (en) * | 2006-02-22 | 2011-02-15 | Sumco Corporation | Method for assaying copper in silicon wafers |
CN102081063A (zh) * | 2009-12-01 | 2011-06-01 | 王正园 | 掺硼磷cz硅棒及配料中硼、磷快速分析法 |
CN104142464A (zh) * | 2014-08-08 | 2014-11-12 | 浙江大学 | 一种太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法 |
CN104502826A (zh) * | 2014-12-03 | 2015-04-08 | 东莞市长安东阳光铝业研发有限公司 | 一种快速测试多晶硅铸锭的方法 |
CN104837769A (zh) * | 2012-12-11 | 2015-08-12 | 赫姆洛克半导体公司 | 形成和分析掺杂硅的方法 |
CN103048360B (zh) * | 2012-11-30 | 2015-11-25 | 西安隆基硅材料股份有限公司 | 晶体硅中锗或/和锡杂质浓度的测量方法 |
CN107389663A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-11-24 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种检测硅片表面氧化膜内金属离子含量的方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3494102B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2004-02-03 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハ中の金属不純物濃度評価方法 |
-
2017
- 2017-12-20 CN CN201711379973.0A patent/CN109307705B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7888265B2 (en) * | 2006-02-22 | 2011-02-15 | Sumco Corporation | Method for assaying copper in silicon wafers |
CN101131371A (zh) * | 2007-10-08 | 2008-02-27 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种精炼冶金硅的杂质含量检测分析方法 |
CN101571502A (zh) * | 2009-06-15 | 2009-11-04 | 重庆大全新能源有限公司 | 一种测定多晶硅中硼、磷含量的方法 |
CN102081063A (zh) * | 2009-12-01 | 2011-06-01 | 王正园 | 掺硼磷cz硅棒及配料中硼、磷快速分析法 |
CN103048360B (zh) * | 2012-11-30 | 2015-11-25 | 西安隆基硅材料股份有限公司 | 晶体硅中锗或/和锡杂质浓度的测量方法 |
CN104837769A (zh) * | 2012-12-11 | 2015-08-12 | 赫姆洛克半导体公司 | 形成和分析掺杂硅的方法 |
CN104142464A (zh) * | 2014-08-08 | 2014-11-12 | 浙江大学 | 一种太阳能级单晶硅中载流子浓度的测量方法 |
CN104502826A (zh) * | 2014-12-03 | 2015-04-08 | 东莞市长安东阳光铝业研发有限公司 | 一种快速测试多晶硅铸锭的方法 |
CN107389663A (zh) * | 2017-06-30 | 2017-11-24 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种检测硅片表面氧化膜内金属离子含量的方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程;中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局;《中华人民共和国国家标准GB/T13389-2014》;20150901;全文 * |
直拉硅单晶热处理及其对太阳电池性能的影响;蔡玉霜等;《固体电子学研究与进展》;19921130;第12卷(第4期);全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109307705A (zh) | 2019-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7202146B2 (en) | Process for producing doped semiconductor wafers from silicon, and the wafers produced thereby | |
US7663383B2 (en) | Method for detection and analysis of impurity content in refined metallurgical silicon | |
JP6521198B1 (ja) | リン化インジウム結晶基板 | |
CN109307705B (zh) | 一种集成电路用单晶硅棒头尾料金属含量精确测量方法 | |
JP2012220212A (ja) | 多結晶シリコン中の炭素濃度測定方法 | |
CN105951173A (zh) | N型单晶硅晶锭及其制造方法 | |
TW201542847A (zh) | 硼摻雜的n型矽靶材 | |
CN112140374B (zh) | 一种多晶硅棒的切割方法 | |
CN114161590A (zh) | 一种磷化铟籽晶的制备方法 | |
Huang et al. | Dislocation-free Czochralski silicon crystal growth without dash necking | |
US20200199773A1 (en) | Center Slab Lapping and Resistivity Measurement During Single Crystal Silicon Ingot Production | |
JP2000072595A (ja) | ボロンドープシリコン単結晶ウエーハ及びエピタキシャルシリコンウエーハ及びこれらの製造方法 | |
JP5924181B2 (ja) | Fz単結晶シリコンの製造方法 | |
Sedgwick et al. | Bourdon Gauge Determination of Equilibrium in the ZnSe (s)‐l2 (g) System | |
CN114637954B (zh) | 晶棒碳含量轴向分布计算方法 | |
JPH03106031A (ja) | シリコンウェーハ | |
WO2024024134A1 (ja) | シリコン単結晶インゴットの評価方法 | |
TWI814488B (zh) | 高電阻矽晶圓的厚度測量方法以及平坦度測量方法 | |
CN113119327B (zh) | 能够改善<111>晶向晶棒切割warp值的定向多线切割方法 | |
CN115353160B (zh) | 一种电池级镍钴锰三元硫酸盐溶液的制备方法 | |
US20200199774A1 (en) | Sample Rod Center Slab Resistivity Measurement With Four-Point Probe During Single Crystal Silicon Ingot Production | |
WO2024218860A1 (ja) | リン化インジウム単結晶基板およびリン化インジウム単結晶の製造方法 | |
CN117665540A (zh) | 一种单晶棒结晶界面形貌的分析方法、高质量单晶棒及其应用 | |
WO2020131458A1 (en) | Sample rod center slab resistivity measurement during single crystal silicon ingot production | |
JP2009274901A (ja) | シリコン単結晶の育成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |